Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi V GS = c cổn ẳng ực ngu ử di chuyển giữa cực âm của nguồn điện V qua kênh n- đến vùng thoát (cự của nguồn điện V DD ) tạo ra dòng điện thoát I D . Khi điện thế V DS càng lớn thì điện tích âm ở c g G càng nhiều (d cổng G cùng điên thế với nguồn S) càng đẩy các điện tử trong kênh n- ra xa làm cho vùng hiếm rộng thêm. Khi vùng hiếm vừa chắn ngang kênh thì kênh bị nghẽn và dòng điện thoát I D đạt đến trị số bảo hoà I DSS . Khi V GS càng âm, sự nghẽn xảy ra càng sớm và dòng điện bảo hoà I D càng . Khi V GS dương (điều hành theo kiểu tăng), điện tích dương của cực cổng h điện tử về mặt tiếp xúc càn vùng hiếm hẹp lại tức thông lộ g ra, điện trở th lộ giảm nhỏ. Điều này làm cho dòng thoát I D lớn hơn trong trường h GS = 0V. Vì cực cổng cách điện hẳn khỏi cực nguồ của DE-MOSFET lớn hơn JFET nhiều. Cũng vì t điều hành theo kiểu tăng, nguồn V GS có thể n hơn 0,2V. Thế nhưng ta phải có giới hạn của dòng là I DMAX . Đặc tuyến truyền và đặc tuyến ngõ ra như sau: Thân p- n- n+ S G D SiO 2 - V DD - V GG + n+ Điện tử tập trung dưới sức hút nguồn dương của cực c ổ ng làm cho điện trở thông lộ giảm Điều hành theo kiểu tăng Hình 26 + 0V (cự g nối th với c ồn), điện t c dương DD ổn o nhỏ út các ông g nhiều, rộn ợp V n nên tổng trở vào lớ hế, khi I D gọi Trang 106 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử DE-MOSFET kênh N 0 0 V GS(off) < 0 V GS V GS = +1V V GS = 0V V GS = -1V V GS = -2V V GS = -3V V DS (volt) I D (mA) ư vậy, khi ho ống hệt JFET chỉ có tổng trở vào lớn hơn và dòng rỉ I GSS JFET. VI. OS ANCEMENT MOSFET: E-MOSFET) MOSFET loại tăng cũng có hai loại: E-MOSFET kênh N và E-MOSFET kênh P. uồn S. ình vẽ sau đây: I DSS Điều hành kiểu tăng Điều hành kiểu hiếm 2V Hình 27 V GS = +2V I Dmax Đặc tuyến truyền Đặc tuyế ngõ ra n I D (mA) Nh ạt động, DE-MOSFET gi nhỏ hơn nhiều so với M FET LOẠI TĂNG (ENH Về mặt cấu tạo cũng giống như DE-MOSFET, chỉ khác là bìng thường không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát D và vùng ng Mô hình cấu tạo và ký hiệu được diễn tả bằng h 0 0 V V GS(off) > 0 GS V GS = -1V I D (mA) V GS = 0V V GS = +1V V GS = +2V V GS = +3V V DS (volt) I DSS Điều hành kiểu tăng 28 DE-MOSFET kênh P Điều hành kiểu hiếm -2V V GS = -2V I Dmax Đặc tuyến truyền I D (mA) Đặc tuyến ngõ ra Hình Trang 107 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Thân p- n+ n+ Nguồn Cổng Thoát D Tiếp xúc kim loại S G SiO 2 G D S Thân U G D Thân nối với nguồn Ký hiệu E-MOSFET kênh N Hình 29 Thân U S Thân n- p+ p+ Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại SiO 2 G D S Thân U G D S Thân nối với nguồn Ký hiệu E-MOSFET kênh P Hìn ân U h 30 Th Trang 108 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi V GS < 0V, (ở E-MOSFET kênh N), do không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát nguồn nên mặc dù có nguồn điện thế V áp vào hai cực thoát và nguồn, điện tử I D # 0V). Lúc này, chỉ có một hi V GS >0, một điện trường được tạo ra ở vùng cổng. Do cổng mang điện tích dương nên hút các điện tử trong nền p- (là hạt tải điện thiểu số) đến tập trung ở mặt đối diện a vùng cổng. Khi V GS đủ lớn, lực hút mạnh, các điện tử đến tập trung nhiều và tạo thành một thông lộ tạm thời nối liền hai vùng nguồn S và thoát D. Điện thế V GS mà từ đó dòng iện thoát I D bắt đầu tăng được gọi là đ hế thềm cổng - nguồn (gate-to-source threshold voltage) V GS(th) . Khi V GS tăng lớn hơn V GS(th) , dòng điện thoát I D tiếp tục tăng nhanh. gười ta chứng minh được rằng: rong đó: I D là dòng điện thoát của E-MOSFET K là hằng số với đơn vị DD cũng không thể di chuyển nên không có dòng thoát I D ( dòng điện rỉ rất nhỏ chạy qua. Thân p- n+ S G D SiO 2 - V + DD V GS = 0V n+ Mạch tương đương Hình 31 K củ iện t đ N [] 2 )th(GSGSD VVKI −= T 2 V A V GS là điện thế phân cực cổng nguồn. V GS(th) là điện thế thềm cổng nguồn. thường được tìm một cách gián tiếp từ các thông số do nhà sản xuất cung cấp. Thí dụ: Một E-MOSFET kênh N có V GS(th) =3,8V và dòng điện thoát I D = 10mA khi V GS = 8V. Tìm dòng điện thoát I D khi V GS = 6V. Giải: trước tiên ta tìm hằng số K từ các thông số: Hằng số K Trang 109 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử [] [] 2 4 3 V A 10.67,5 10.10 I − − = GS là: 22 )th(GSGS D 8,38VV K − = − = Vậy dòng thoát I D và V [] [ ] 2 4 D I = 2 )th(GSGS 8,3610.67,5VVK −=− − ⇒ I = 2,74 mA D Thân p- n+ S D 2 G SiO - V DD + - V GG + n+ Thông lộ tạm thời V GS ≥ V GS(th) 0 V GS 0 V GS = 6V V GS = 5V V GS = 4V V GS = 3V V GS = 2V DS (volt) I D (mA) V G 32 S(th) Hình V = 7V GS I Dmax Đặc tuy tr Đặc tuyến ngõ I A) V maxGS D (m ra ến uyền V Trang 110 Biên soạn: Trương Văn Tám . . DE -MOSFET gi nhỏ hơn nhiều so với M FET LOẠI TĂNG (ENH Về mặt cấu tạo cũng giống như DE -MOSFET, chỉ khác là bìng thường không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát D và vùng ng Mô hình cấu. D S Thân nối với nguồn Ký hiệu E -MOSFET kênh P Hìn ân U h 30 Th Trang 108 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi V GS < 0V, (ở E -MOSFET kênh N),. Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Thân p- n+ n+ Nguồn Cổng Thoát D Tiếp xúc kim loại S G SiO 2 G D S Thân U G D Thân nối với nguồn Ký hiệu E -MOSFET kênh N Hình