Giáo trình Linh Kiện Điện Tử V63,0V PS −=V G iện thế nghẽn ở nhiệt độ bình thường. Các đây mô tả ảnh hưởng a nhiệ trên các đặc tuyến ra, đặc tuyến truyền và đặc tuyến của dòng I D theo nhiệt đ h V làm thông số. c hạt tải điện trong leaka GSS GSS phân c nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn. Dòng điện này là dòng điện rỉ cổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thoát. Dòng I GSS tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng lên 10 0 C. với V P là đ hình vẽ sau củ t độ ộ k i GS I D 0 V GS = 0 V GS = -1V |V GS | = |V P |-0,63V I D giảm V DS 25 0 45 0 I D tăng Hình 18 0 -100 -50 0 50 100 150 I D I D I (V DS cố định) -55 0 C 25 0 C +150 0 C Ngoài ra, một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh cá vùng hiếm giữa thông lộ-cổng và tạo ra một dòng điện rỉ cực cổng I GSS (gate ge current). Dòng I được nhà sản xuất cho biết. dòng rỉ I chính là dòng điện cự DSS |V GS | = |V P |-0,63V V GS(of f V GS t 0 C |V GS | = |V P |-0,63V V GS = -1V V GS = -0V Hình 19 Trang 101 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình hướng dẫn JPET và tính năng xoay chiều Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 10 )25( 00 2)25()( − = t GSSGSS CICtI V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET) Ta thấy rằng khi áp một điện thế âm vào J nh N thì vùng hiếm rộng ra. Sự gia tăng của vùng hiếm làm cho thông lộ hẹp lại và điện trở của thông lộ tăng lên. Kết quả sau cùng là tạo ra dòng điện I D nhỏ hơn I DSS . Bây giờ, nếu ta áp điện thế dương V GS vào JFET kênh N thì vùng hiếm s ẹp lại (do phân cực thuận cổng nguồn), thông lộ rộng ra và điện trở thông lộ giảm xuống, kết quả là dòng điện ớn hơ . Trong các ứng dụng thông thường, người ta đều phân cực n ch nối cổng nguồ (V GS âm đối với JFET kênh N và dương đối với JFET kênh P) và được gọi là điều hành theo kiểu hiếm. JFET cũng có thể điều eo kiể ng (V GS dươn i JFET kênh N và âm đối với JFET kênh P) nhưng ít khi được ứng dụng, vì mục đích của JFET là tổng trở vào lớn, nghĩa là dòng điện I G ở cực cổng - nguồn trong JFET sẽ làm giảm tổng trở vào, do đó thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận của nối cổng - nguồn tố 0,2V (trị số danh định là 0,5 V GG G D S I GSS V DS = 0 Hình 20 V V). i đa là g đối vớ u tă hành th n ghị n I DSS I D sẽ l ẽ h FET kê Trang 102 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy JFET có tổng trở vào khá lớ ũng còn khá nhỏ so với đèn chân không. Để tăng tổng trở vào, người ta đã tạo ại transistor trường khác sao cho cực cổng cách iện hẳn cực nguồn. Lớp cách điện là Oxyt bán dẫn SiO 2 nên transistor được gọi là MOS ET. a phân biệt hai loại MOSFET: MOSFET loại hiếm và MOSFET loại tăng. ình sau đây mô tả cấu tạo căn bản MOSFET loại hiếm (DE - MOSFET) kênh N và kênh . n nhưng c một lo đ F T H P V GG G D I S GSS V DS V DD + - V GS + Phân cực ki ể u hiếm Phân cực ki ể u tăng (Tối đa 0,2V) - + - + - 0 0 -4V V GS V GS = 0,2V V GS = 0V V GS = -1V V GS = -2V S = -3V V DS I D I D I DSS Điều hành kiểu tăng Điều hành kiểu hiếm 0,2V Hình 21 JFET kênh N + V GG G D S V DS V DD V GS - + Phân cực ki - ể u hiếm Phân cực ki ể u tăng (Tối đa 0,2V) - + - + V GG I D Hình 22 V G Trang 103 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Thân p- Kênh n- n+ n+ Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại SiO 2 G D S Thân U G D S Thân nối với nguồn Ký DE-MOSFET kênh N Hình 23 hiệu Thân n- Kênh p- p+ p+ Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại SiO 2 G D Thâ S n U G Thân nối với nguồn Hình 24 Ký hiệu D S DE-MOSFET kênh P Trang 104 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý rằng DE - MOS thoát D, cực nguồn S, cực cổng G và thân U (subtrate). Trong các ứng dụng thông thường, thân U được nối với nguồn S. Đ SFET hoạt động, người ta áp điện V DD vào cực thoát và cực nguồn ( ng của ngu iện nối với cực thoát D và cực âm nối với cực nguồn S trong DE-MOSFET kênh N và ngược lại trong DE-MOSFET kênh P). Điện thế V GS giữa cực cổ nguồn có thể âm (DE-MOSFET kênh N điều hành theo kiểu hiếm) hoặc dương SFET kênh iều hành theo kiểu tăng) FET có 4 cực: cực ể DE-MO cực dươ một nguồn ồn đ ng và cực (DE-MO N đ S Thân p- n+ Kênh n- G D SiO 2 - V DD + + V GG - n+ Thân p- Kênh n- n+ thoát Vùng hiếm do cổng âm đẩy các điện tử và thoát dương hút các điện tử về nó Tiếp xúc kim loại cực cổng Vùng hiếm giữa phân cực nghịch p- và vùng thoát n+ Điều hành theo kiểu hiếm Hình 25 Trang 105 Biên soạn: Trương Văn Tám . |V P |-0,63V V GS = -1V V GS = -0V Hình 19 Trang 10 1 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình hướng dẫn JPET và tính năng xoay chiều Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 10 )25( 00 2)25()( − = t GSSGSS CICtI. i GS I D 0 V GS = 0 V GS = -1V |V GS | = |V P |-0,63V I D giảm V DS 25 0 45 0 I D tăng Hình 18 0 -10 0 -50 0 50 10 0 15 0 I D I D I (V DS cố định) -55 0 C 25 0 C +15 0 0 C Ngoài ra, một. l ẽ h FET kê Trang 10 2 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy JFET có tổng trở vào khá lớ ũng còn khá nhỏ so với đèn chân không. Để tăng tổng trở vào, người ta đã tạo