Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 20 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
20
Dung lượng
501,72 KB
Nội dung
236 Mục đích: Tìm hiểu cấu trúc nguyên lý hoạt động của các bộ ghép quang, Thyristor và Triac, các mạch ứng dụng của nó. phần lý thuyết 1. Các bộ ghép quang (Opto- couplers) Trong hệ thống tự động điều khiển công suất thờng có điện áp cao khoảng 200V ữ 380V, có trờng hợp lên tới 660V hay 1000V. Trong khi các mạch điều khiển thờng lại có điện áp thấp nh các mạch điện tử tơng tự, mạch logic, máy tính hoặc các hệ thống phải tiếp xúc với con ngời. Để tạo ra sự cách điện giữa mạch điều khiển và mạch công suất có sự khác biệt lớn về điện áp ngời ta chế tạo ra các bộ ghép quang. 1.1. Cấu tạo, nguyên lý hoạt động của các bộ ghép quang. Bộ ghép quang gồm có hai phần gọi là sơ cấp và thứ cấp - Phần sơ cấp là một diode loại GaAs phát ra tia hồng ngoại, phần thứ cấp là một quang transistor loại Silic. Khi đợc phân cực thuận, diode phát ra bức xạ hồng ngoại chiếu lên quang transistor. Bộ ghép quang hoạt động theo nguyên lý: Tín hiệu điện điều khiển LED hồng ngoại (còn gọi là phần phát) tạo thành tín hiệu ánh sáng. Tín hiệu ánh sáng đợc chiếu vào quang transistor (còn gọi là phần nhận) để tạo thành tín hiệu điện. 1.2. Đặc trng kỹ thuật - Bộ ghép quang đợc dùng để cách điện giữa hai mạch điện có điện áp cách biệt lớn. Điện áp cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp thờng từ vài trăm vôn đến hàng nghìn vôn. - Bộ ghép quang có thể làm việc với dòng một chiều, hay tín hiệu xoay chiều có tần số cao. - Điện trở cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp có trị số rất lớn thờng từ vài chục đến vài trăm mêga ôm đối với dòng điện một chiều. Bài 13 sơ đồ sử dụng các bộ ghép quang, thyristor và triac 237 - Hệ số truyền đạt dòng điện là tỉ số phần trăm của dòng điện ở thứ cấp Ic với dòng điện vào ở sơ cấp I F . Đây là thông số quan trọng nhất của bộ ghép quang thờng có trị số từ vài chục phần trăm đến vài trăm phần trăm tuỳ loại bộ ghép quang. 1.3. Các loại bộ ghép quang a) Bộ ghép quang transistor (Opto transistor). Thứ cấp của bộ ghép quang này là một Photo transistor loại Silic. Đối với bộ ghép quang transistor có 4 chân thì transistor không có cực B (base), trờng hợp bộ ghép quang transistor có 6 chân thì cực B (base) đợc nối ra ngoài nh hình 13.1a. 1 2 4 3 6 5 4 1 2 3 Hình 13.1a: Các bộ ghép quang Transistor Bộ ghép quang không có cực B có u điểm là hệ số khuếch đại khá lớn, tuy nhiên loại này có nhợc điểm là độ ổn định nhiệt kém. Đối với bộ ghép quang transistor có cực B, nếu nối giữa cực B và cực E một điện trở thì làm việc khá ổn định với nhiệt độ nhng hệ số truyền đạt giảm. b) Bộ ghép quang Dalingtơn - transistor . Bộ ghép quang Dalingtơn - transistor có nguyên lý nh bộ ghép quang transistor nhng với hệ số truyền đạt lớn hơn vài trăm lần nhờ tính chất khuếch đại của mạch Dalington. Bộ ghép quang loại này là bị ảnh hởng của nhiệt độ rất lớn, nên thờng đợc chế tạo có điện trở giữa B và E của transistor sau để ổn định nhiệt. Sơ đồ nguyên lý đợc trình bày ở hình 13.2a. 1 2 3 6 5 4 Hình 13.2a: Sơ đồ nguyên lý của bộ ghép quang Dalingtơn - transistor. 238 c) Bộ ghép quang Tiristo (OPTO -Tiristo). Bộ ghép quang Thyristor có sơ đồ cấu trúc nh hình 13.3a 6 5 4 1 2 3 G o o A o K Hình 13.3a: Ký hiệu và sơ đồ cấu trúc của OPTO - Thyristor. Bộ ghép quang Thyristor có cấu trúc gồm có 1 quang - diode và 2 transistor mắc theo sơ đồ đồ nguyên lý của Thyristor. Khi có ánh sáng hồng ngoại LED ở sơ cấp chiếu vào quang diode thì sẽ có dòng điện I B cấp cho transistor NPN và khi transistor NPN dẫn sẽ điều khiển transistor PNP dẫn điện. Nh vậy quang Thyristor đã đợc dẫn điện và sẽ duy trì trạng thái dẫn điện mà không cần kích liên tục ở sơ cấp. Để tăng khả năng chống nhiễu, ngời ta nối giữa chân G và K một điện trở từ vài K đến vài chục K . d) Bộ ghép quang Triac (OPTO - Triac) OPTO - Triac có cấu trúc đợc trình bày ở hình 13.4a. 6 5 4 1 2 3 G o o T 2 o T 1 Hình 13.4a: Ký hiệu và cấu trúc của OPTO -Triac 239 Bộ ghép quang Triac về sơ đồ cấu trúc gồm 2 bộ ghép quang Thyristor mắc song song ngợc nhau. 1.4. ứng dụng của bộ ghép quang. Các bộ ghép quang có dòng điện ở sơ cấp cho LED hồng ngoại khoảng 10mA. Đối với bộ ghép quang transistor khi thay đổi trị số dòng điện qua LED hồng ngoại ở sơ cấp sẽ làm thay đổi dòng điện ra Ic của photo transistor ở thứ cấp. Bộ ghép quang có thể dùng thay cho rơle hay biến áp xung để giao tiếp với tải thờng có điện áp cao và dòng điện lớn. Hình 13.5a là ứng dụng của bộ ghép quang transistor để điều khiển đóng ngắt rơle. Quang tranzistor trong bộ ghép quang đợc ghép Dalington với transistor công suất bên ngoài, khi LED hồng ngoại ở sơ cấp đợc cấp nguồn 5V thì quang transistor dẫn điều khiển transistor công suất dẫn cấp điện cho rơle RY. Điện trở 330 để giới hạn dòng qua LED hồng ngoại khoảng 10mA. RY +5V o 330 o + 24V R Hình 13.5a : ứng dụng bộ ghép quang để điều khiển rơle RY. Hình 13.6a: Trình bày sơ đồ ứng dụng của OPTO -Triac để đóng ngắt cho tải của nguồn xoay chiều 220 V ~ . Điện trở 1K để giới hạn dòng qua LED hồng ngoại khoảng 10mA. Khi LED sơ cấp đợc cấp nguồn 12V thì quang triac sẽ đợc kích dẫn điện tạo dòng kích cho triăc công suất, khi triăc công suất dẫn điện, tải đợc cấp điện. 240 +12V o 1K o + Tải o o AC 220V Hình 13.6a: ứng dụng của OPTO Triac 2. Tiristo (Thyristo) Tiristo (Thyristo) hoặc gọi là SCR (Silicon Controlled Rectifier) là linh kiện điện tử công suất có điều khiển do phòng thí nghiệm Bell Telephone sáng chế. 2.1. Cấu tạo của Tiristo Tiristo là linh kiện gồm 4 lớp bán dẫn PNPN liên tiếp (hình 13.7a) gồm 3 cực: anôt A, catốt K, và cực điều khiển G (Gate). P 1 N 1 P 2 N 2 o A o G o K o A o K o G Hình 13.7a: Cấu trúc và ký hiệu Tiristo Về cấu trúc, Tiristo đợc tạo nên từ 1 đĩa silic đơn tinh thể loại N có điện trở suất cao. Trên lớp điện bán dẫn loại P có cực điều khiển bằng dây nhôm. Các chuyển tiếp đợc tạo nên nhờ kỹ thuật bay hơi của gali, lớp tiếp xúc giữa anôt và catốt làm bằng đĩa molipđen, hay tungsten có điểm nóng chảy gần bằng silic. Cấu tạo dạng đĩa để dễ tản nhiệt. 2.2. Nguyên lý hoạt động của Tiristo. Để nghiên cứu hoạt động ta xét 2 trờng hợp sau: 241 2.2.1/ Tiristo phân cực ngợc. Khi phân cực ngợc Anôt nối với âm , catôt nối với dơng của nguồn một chiều. Tiristo làm việc nh một diode phân cực ngợc (hình 13.8a). Dòng qua Tiristo là dòng ngợc của các hạt thiểu số. ở giá trị điện áp ngợc khoảng từ 100V đến 3000V tuỳ theo loại Tiristo, năng lợng điện tử thiểu số trong vùng P2 đủ lớn gây ra hiệu ứng thác lũ làm dòng điện tăng đột ngột, Tiristo bị đánh thủng. P- N P N + K A I A U A-K Hình 13.8a:Sơ đồ và đặc trng tĩnh Von - Ampe của Tiristo phân cực ngợc 2.2.2/ Tiristo phân cực thuận. Phân cực thuận cho Tiristo là nối Anôt với dơng, catôt nối với âm của nguồn 1 chiều. Để giải thích nguyên lý hoạt động của Tiristo ta xem cấu trúc bán dẫn PNPN nh gồm 2 transistor mà base của transistor này nối với collector của transistor kia (hình 13.9a). G o N 1 P 2 N 2 P 1 K o A o N 1 P 2 N 2 P 1 G o K o A o N 1 P 2 I E2 I C2 T 1 K o o A G o I E1 I C1 T 2 Hình 13.9a: Sơ đồ cấu trúc và sơ đồ tơng đơng của Tiristo. 242 Tranzistor T 1 là loại PNP dòng điện collector đợc xác định theo biểu thức: ACBC III 1011 + = ở đây 01CB I là dòng điện ngợc giữa collector và base của T 1 ; 1 là hệ số khuếch đại dòng điện T 1 . Tơng tự đối với transistor T 2 là loại NPN ta có: ACBC III 2022 + = ở đây 02CB I là dòng điện ngợc giữa collector và base của T 2 ; 2 là hệ số khuếch đại dòng điện T 2 . Dòng điện tổng cộng chạy qua Tiristo là: 020121 )( CBCBAA IIII + + + = Đặt 02010 CBCBC III += là dòng điện ngợc tổng qua Tiristo, khi đó ta có : )(1 21 0 + = C A I I Để tăng I A nghĩa để mồi hay kích mở tiristo tức là chuyển chế độ làm việc của tiristo từ cấm sang thông, cần cho biểu thức của mẫu số của I A tiến tới không. Nh vậy khi phân cực thuận, đầu tiên 1 21 < + tiristo vẫn tiếp tục khoá, dòng điện I A bằng dòng điện rò (ngợc). Khi 1 21 =+ , mẫu số tiến tới không, dòng I A tăng đột ngột, tiristo đợc mồi và trở nên dẫn điện tơng tự nh điôt phân cực thuận. Một trong những tính chất cơ bản của transistor silic là hệ số khuếch đại dòng điện tăng theo dòng emitter. Do đó có hai khả năng mồi tiristo. a) Tăng điện áp phân cực thuận. Bằng cách tăng điện áp phân cực thuận, điện áp trên các lớp chuyển tiếp tăng lên, các điện tích đợc tăng thêm năng lợng, tạo nên hiện tợng va chạm dây chuyền làm cho tiristo trở nên dẫn điện. Trị số điện áp U B tại đó tiristo trở nên dẫn điện gọi là điện áp mở (hình 13.10a), lúc đó điện áp U A-K giảm xuống nh điện áp giữa anôt và catôt của diode, dòng I A tăng nhanh. Dòng điện và điện áp tơng ứng khi chuyển từ trạng thái cấm sang mở (dẫn điện) gọi là dòng điện duy trì I H (holding), U H . 243 I A U B U A-K I H U H Hình 13.10a: Mồi Tiristo bằng điện áp phân cực thuận. b) Mồi xung vào cực điều khiển G. Nếu đa dòng điện có cực tính dơng so với catôt thì tiristo đợc mồi vào điện áp thuận nhỏ hơn (hình 13.11a). Khi tăng dòng điện điều khiển I G các điểm chuyển trạng thái của tiristo lùi về bên trái ứng với điện áp thuận nhỏ hơn. Khi I G đạt tới giá trị đủ lớn thì ngay lập tức tiristo đợc mồi. Khi tiristo đã đợc mồi, nghĩa là chuyển sang trạng thái dẫn, thì cực điều khiển G không còn tác dụng. Tiristo chỉ chuyển sang trạng thái khoá khi dòng I A nhỏ hơn 1 trị số gọi là dòng điện duy trì I H (holding current) và cần một khoảng thời gian đủ để lớp điều khiển phục hồi lại trạng thái ban đầu. Nói cách khác muốn khoá đợc tiristo phải triệt tiêu đợc dòng điện ngợc. I A U B0 U A-K I H I G2 I G1 I G =0 Hình 13.11a: Mồi tiristo bằng xung điều khiển )( 12 GG II > 2.2.3/ Khoá Tiristo Tiristo chỉ bị khoá khi triệt tiêu hiện tợng thác lũ, nghĩa là phải giảm dòng điện xuống dới mức dòng điện duy trì I H . Trong mạch xoay chiều, việc khoá đợc thực hiện khi dòng điện qua trị số không (chuyển mạch tự nhiên). 244 Trong mạch một chiều, để khoá tiristo cần có mạch khoá phụ (chuyển mạch cỡng bức) để đặt một điện áp ngợc lên tiristo. Cấu trúc tiristo có bốn lớp tạo nên nhợc điểm khi khoá tiristo, bởi vì từng lớp phải trở về trạng thái ban đầu. Vì vậy để khoá tiristo cần đặt một điện áp ngợc trong một khoảng thời gian để dòng điện đổi chiều và nhỏ hơn dòng điện duy trì. Các tiristo chuyển mạch tự nhiên bằng sự đổi chiều của điện áp nguồn còn gọi là tiristo chậm, thời gian khoá khá lớn. Chuyển mạch cỡng bức sử dụng các tiristo nhanh thời gian khoá cỡ hàng chục micro giây. 2.2.4/ ứng dụng các tiristo. Tiristo đợc ứng dụng trong mạch chỉnh lu có điều khiển hoặc ứng dụng làm chuyển mạch điều khiển tốc độ động cơ. 3. Triac (Triore Alternative current) Tiristo chỉ làm việc ở một trong hai nửa chu kỳ của điện áp xoay chiều, sau đó nếu ta nối song song ngợc hai tiristo thì có thể giải quyết đợc sự làm việc trong cả hai nửa chu kỳ của điện áp xoay chiều. 3.1. Cấu tạo của triac Triac là một linh kiện bán dẫn tơng tự nh 2 tiristo nối song song ngợc, đợc thực hiện trên cùng một đơn tinh thể silic gồm hai cực và một cực điều khiển (hình 13.12a). P 1 N 1 N 2 N 3 N 4 G o o T 2 o T A o T 2 o T 1 o U GT U T P2 Hình 13.12a: Cấu trúc và ký hiệu của Triac Ba lớp P 1 , N 2 , P 2 ở hình 13-12a và vùng N 1 khuếch tán sang P 1 và 2 vùng N 3 , N 4 khuếch tán trong P 2 , các dây nối tạo ra 2 anôt A 1 , A 2 (hay 2 cực T 1 , T 2 ) và cực điều khiển G. 245 3.2. Đặc tính tĩnh. Hình 13.13a trình bày đặc tính )( TT UfI = khi cha sử dụng cực điều khiển. Khi U T dơng tổ hợp N 1 , P 1 , N 2 , P 2 hoạt động nh tiristo thứ nhất, nó sẽ dẫn khi điện áp U T đạt đến điện áp U B0 của chuyển tiếp N 2 , P 2 phân cực ngợc. Khi U T âm tổ hợp N 4 , P 2 , N 2 , P 1 hoạt động nh tiristo thứ hai, nó sẽ dẫn khi điện áp U T đạt đến điện áp U B0 của chuyển tiếp P 1 , N 2 phân cực ngợc. Điện áp U B0 theo chiều thuận và chiều ngợc bằng nhau, nhng do sự không đối xứng của cấu trúc nên dòng điện duy trì I H (+) với U T dơng lớn hơn nhiều dòng duy trì I H (-) với U T âm nhiều. I t U B0 U T I H (+) - U B0 I H ( - ) Hình 13.13a: Đặc tính )( TT UfI = của Triac 3.3. Mồi triac (kích triac) Đa một xung dơng hoặc âm vào cực điều khiển sẽ mồi triac, điện áp trên các cực U T có thể dơng hoặc âm. Có bốn chế độ mồi tuỳ theo cực tính điện áp của T 1 và G so với T 2 (hình 13.14a). - Góc phần t thứ nhất : U T hay U T1T2 dơng, xung điện áp điều khiển dơng giữa G và T 2 . Tiristo P 1 , N 2 , P 2 , N 4 đợc mồi nh tiristo thờng, lúc đó T 1 là anôt, T 2 là catôt. - Góc phần t thứ hai : U T dơng và xung điện áp âm giữa G và T 2 . Tiristo P 1 , N 2 , P 2 , N 4 , chuyển tiếp P 2 N 2 phân cực ngợc, chuyển tiếp P 2 N 3 phân cực thuận, các điện trở ở vùng N 3 khuếch tán sang P 2 gây ra hiệu ứng thác lũ ở P 2 N 2 gần N 3 . Điện trở bán dẫn trong vùng này giảm và điện áp của P 2 xung quanh N 3 gần bằng điện áp của T 1 . Bên trái chuyển tiếp P 2 N 4 phân cực thuận, và vùng N 4 khuếch tán điện tử trong P 2 gây ra hiệu ứng thác lũ trong toàn bộ chuyển tiếp P 2 N 2 . [...]... mạch cấp dòng cho tải 246 Phần thực nghiệm A Thiết bị sử dụng: 1 Thiết bị chính cho thực tập điện tử tơng tự (Khối đế nguồn) 2 Panel thí nghiệm AE - 113N cho bài thực tập về bộ liên kết quang Thyristor - Triac (Gắn lên thiết bị chính - khối đế nguồn) 3 Dao động ký 2 chùm tia 4 Dây nối cắm 2 đầu B Cấp nguồn và nối dây Khối thí nghiệm AE - 113N chứa 6 mảng sơ đồ A1 3-1 A1 3- 6 cho phép tổ chức các mạch... theo góc cắt lựa chọn Các bớc thực hiện: 4.1 Nối bộ liên kết quang: - Nối nguồn xoay chiều AC ~ 9V ~ 0V với các chốt A-B của sơ đồ hình A1 3- 4 4.2 Bộ nối điều khiển: - Nối lối ra OUT1/ A1 3-1 với chốt IN2 của mạch A1 3-4 - Nối chốt J1 Nối máy phát xung của thiết bị chính (phát xung vuông, tần số 1KHz, biên độ 5V) với lối vào điều khiển CTRL mạch A1 3- 4.3 4.3 Nối Thyristor: - Nối H và I (lối ra biến thế... bảng A1 3- 1 Bảng A1 1- 1 V I 2.6 Vặn biến trở P1 để dòng điều khiển lối vào G là dơng I(G)2 = mA Lặp lại bớc 5 để đo đặc trng Volt-Ampere của Thyristor theo dòng I(G)2 vào bảng A1 3- 2 Bảng A1 1- 2 V I 2.7 Vẽ đồ thị biểu diễn đặc trng Volt-Ampere của Thyristor : mô tả sự phụ thuộc dòng qua Thyristor I(A) - (trục y) theo sụt thế trên Thyristor U(A) (trục x) 2.8 Tháo dây cấp nguồn 12 cho mảng sơ đồ A1 3- 2... chân K và G của Thyristor - Nối chân K của Thyristor với chốt V2 của mảng đèn 252 4.4 Nối tải: - Nối các chốt của nguồn xoay chiều (~ 9V ~ 0V) với các chốt V1 và V2 của sơ đồ A1 3- 3 - Nối chân của Thyristor với chốt L2 của mảng A1 3- 3 4.5 Sử dụng dao động ký, quan sát tín hiệu tại các vị trí: - Tín hiệu vào bộ liên kết quang (IN1/ A-B) - Tín hiệu ra bộ liên kết quang (OUT1) - Tín hiệu tại điểm C ở lối... I(A) và sụt thế U(A) tơng ứng trên Triăc vào bảng A1 3- 6 Bảng A1 1- 6 V I 3.8 Vẽ đồ thị biểu diễn đặc trng Volt-Ampere của Triac : mô tả sự phụ thuộc dòng qua Thyristor I(A) - (trục y) theo sụt thế trên Triac U(A) - (trục x), theo các cung phần t tơng ứng 3.9 Tháo dây cấp nguồn 12 cho mảng sơ đồ A1 3- 3 Các dây nối còn lại giữ nguyên Nối chốt P1/ A1 3- 2 với máy phát xung của thiết bị chính (chế độ phát... - Đồng hồ đo dòng điều khiển: Nối các chốt đo mA (G) của mạch hình 1 3-3 với đồng hồ đo dòng hiện số DIGITAL mA METER của thiết bị chính Khoảng đo đặt ở 20mA - Đồng hồ đo dòng ra: Bộ đo hiện số DIGITAL V-A METER của thiết bị chính đặt ở chế độ đo dòng (A) và khoảng đo đặt ở 200 mA Nối bộ đo hiện số với đồng hồ đo dòng mA (E) của mạch A1 3-3 - Đồng hồ đo thế ra: Nối chốt đồng hồ đo V của mạch hình 1 3-3 ... bảng A1 3- 4 Bảng A1 1- 4 V I 3.6 Vặn biến trở P1 để dòng điều khiển lối vào G là âm I(G)3 = - mA Nối chốt V với nguồn 0 -1 5V Vặn biến trở chỉnh nguồn để tăng dần V ứng với mỗi giá trị V, ghi giá trị dòng I(A) và sụt thế U(A) tơng ứng trên Triac vào bảng A1 3- 5 251 Bảng A1 1- 5 V I 3.7 Vặn biến trở P1 để dòng điều khiển lối vào G là dơng I(G)3 = mA Vặn biến trở chỉnh nguồn 0 -1 5V để tăng dần thế -V ứng... thiết bị chính Chốt ~0V nối với chốt rìa phải của biến trở 247 - Nối điểm giữa của biến trở với lối vào A/ IN1 sơ đồ A1 3-1 Chốt ~0V nối với lối vào B/ IN1 của sơ đồ A1 3-1 - Điều chỉnh biến trở 10K/ của thiết bị chính để tín hiệu AC tại Vi /IN ~2V Chú ý: Đất của 1 3-1 và nguồn +12V cách ly với nguồn AC Vì vậy khi quan sát tín hiệu vào ở A-B, đất dao động ký phải nối với B OPTOCOUPLER: bộ liên kết quang... Nhiệm vụ: Tìm hiểu nguyên tắc hoạt động và đặc trng V-A của Thyristor Các bớc thực hiện: 2.1 Cấp nguồn 12 cho mảng sơ đồ A1 3-2 2.2 Mắc các đồng hồ đo: - Đồng hồ đo dòng điều khiển: Nối các chốt đo mA (G) của mạch hình 1 3-2 với đồng hồ đo dòng hiện số DIGITAL mA METER của thiết bị chính Khoảng đo đặt ở 20mA - Đồng hồ đo dòng ra: Bộ đo hiện số DIGITAL V-A METER của thiết bị chính đặt ở chế độ đo dòng (A)... theo góc cắt lựa chọn Các bớc thực hiện: 5.1 Giữ nguyên sơ đồ nối nh mục IV: 5.2 Thay Thyristor bằng Triac: - Nối H và I (lối ra biến thế TF1) với các chân G và T1 của Triac - Nối chân T2 của Triac với chốt L2 của mảng đèn 5.3 Nối tải: - Nối các chốt của nguồn xoay chiều (~ 9V ~ 0V) với các chốt V1 và V2 của sơ đồ A1 3-3 - Nối chân T1 của Triac với chốt V2 của mảng A1 3-3 5.4 Sử dụng dao động ký, quan . Phần thực nghiệm A. Thiết bị sử dụng: 1. Thiết bị chính cho thực tập điện tử tơng tự (Khối đế nguồn) 2. Panel thí nghiệm AE - 113N cho bài thực tập về bộ liên kết quang - Thyristor - Triac. chọn. Các bớc thực hiện: 4.1. Nối bộ liên kết quang: - Nối nguồn xoay chiều AC ~ 9V ~ 0V với các chốt A-B của sơ đồ hình A1 3- 4. 4.2. Bộ nối điều khiển: - Nối lối ra OUT1/ A1 3-1 với chốt. lối vào A/ IN1 sơ đồ A1 3-1 . Chốt ~0V nối với lối vào B/ IN1 của sơ đồ A1 3-1 . - Điều chỉnh biến trở 10K/ của thiết bị chính để tín hiệu AC tại Vi /IN ~2V Chú ý : Đất của 1 3-1 và nguồn +12V cách