Bài Giảng Mạch Điện Tử_Chương 02 _TRANSISTOR LƯỠNG CỰC pptx

Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngơ Sỹ 30 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT) 2.1 CẤU TẠO, KIỂU VỎ, PHÂN LOẠI THEO MÃ HIỆU 2.1.1 Cấu tạo: Transistor hai mối nối (Bipolar Junction Transistor – BJT) là một linh kiện điện tử 3 cực có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn : N, P, N hoặc P, N, P ghép nối tiếp nhau. Mỗi lớp bán dẫn được hàn ra ngồi bằng một điện cực kim loại. Hình 2.1: Cấu tạo và ký hiệu Transistor Nồng độ tạp chất trong 3 lớp bán dẫn khơng đều nhau: Lớp cực E (P + hoặc N + ) có nồng độ tạp chất cao nhất và do đó có số lượng hạt dẫn tự do nhiều nhất. Lớp cực B có nồng độ tạp chất ít nhất và là lớp mỏng nhất trong 3 lớp. Mặt tiếp giáp giữa lớp cực B và lớp cực E gọi là chuyển tiếp J E hay mối nối BE. Mặt tiếp giáp giữa lớp cực B và lớp cực C gọi là chuyển tiếp J C hay mối nối BC. 2.1.2 Kiểu vỏ: Chương 02 P N P C B E C E B N P N C B E + + a) Cấu tạo và ký hiệu Transistor PNP (Transistor thuận) b) Cấu tạo và ký hiệu Transistor NPN (Transistor nghòch) B: Base (cực cổng hay cực nền) C: Collector (cực thu) E: Emitter (cực phát) C E B C B E Chuyển tiếp JC hay mối nối BC Chuyển tiếp JE hay mối nối BE Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 31 Hình 2.2: Một số kiểu vỏ Transistor thông dụng 2.1.3 Phân loại Transistor theo mã hiệu: Transistor được chia thành 2 loại là P-N-P (loại thuận) và N-P-N (loại nghịch). Ta có thể nhận dạng được một Transistor thuộc loại P-N-P hay N-P-N qua xem xét ký hiệu của nó: Transistor có ký hiệu bắt đầu bằng A hoặc B thuộc loại P-N-P (A: loại cao tần và B: loại âm tần hoạt động ở tần số thấp). Transistor có ký hiệu bắt đầu bằng C hoặc D thuộc loại N-P-N (C: loại cao tần và D: loại âm tần hoạt động ở tần số thấp). Một số Transistor có ký hiệu bắt đầu bằng 2N…(ví dụ 2N3055A) hoặc TIP (ví dụ TIP120) là những Transistor ký hiệu theo tiêu chuẩn của Mỹ và ta phải tra cứu để xác định loại. a) Transistor N-P-N Điều kiện dẫn điện, đặc tuyến I B , U BE và đặc tuyến I C , U CE : Điều kiện dẫn điện và đặc tuyến I B , U BE : Transistor có một tính chất rất quan trọng là có khả năng khuếch đại dòng điện. Nếu ta cấp vào cực B của nó dòng điện I B thì ở cực C và cực E sẽ xuất hiện các dòng điện lớn hơn I B nhiều lần. Vì vậy có thể dùng dòng I B rất nhỏ điều khiển dòng I C khá lớn. Sự thay đổi của I B (dù rất nhỏ cũng kéo theo sự thay đổi của I C khá lớn (so với lượng I B thay đổi). Tuy nhiên để đạt được như vậy, điện áp tác động lên các cực của Transistor phải có những điều kiện nhất định : đúng cực tính và có giá trị đủ lớn. Đối với Transistor N-P-N loại chế tạo bằng Si, điều kiện để Transistor dẫn điện là: Điện áp U BE > 0,6 và U CE > 0. Dòng điện trên các cực B, C và E có chiều như hình 2.3 B C E TO-92 TO-92 MOD B C E E C B TO-126 MOD TO-126 FM E C B TO-3 C B E B C E TO-3P B C E TO-220AB TO-3PFM TO-220FM TO-220CFM B C E B C E Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 32 Mối nối BE là một lớp tiếp giáp P-N nên có đặc tính giống như Diode, Giả sử ta tăng dần U BE từ 0V thì khi U BE tăng đến khoảng 0,5v dòng I B mới bắt đầu xuất hiện. Khi U BE khoảng 0,6v thì dòng I B < 1mA nhưng sau đó tăng rất nhanh khi chỉ cần tăng U BE một lượng rất nhỏ. Dòng I B đạt giá trị khoảng vài chục mA khi U BE = 0,7v và rất lớn đến mức làm hỏng Transistor nếu U BE tăng đến khoảng 1V hoặc cao hơn. Vì vậy giá trị U BE trong các phép tính toán có thể lấy gần đúng bằng 0,6V hay 0,7V thì từng trường hợp cụ thể. Khi đã có dòng I B , nếu ta có U CE > U CES (khoảng 0,1 đến 0,4v) thì ở cực C và cực E xuất hiện các dòng điện I C và I E có cường độ lớn hơn I B nhiều lần. Khi đó ta nói Transistor ở trạng thái dẫn điện. Khi đã có dòng I B mà không có nguồn áp thứ hai để tạo ra dòng I C thì Transistor vẫn ở trạng thái ngưng dẫn, lúc đó dòng I B chảy đến cực E và ta có I E = I B , I C = 0. Nếu không có nguồn áp phân cực cho mối nối BE hoặc U BE không đủ lớn (U BE < 0,6V) thì dòng I B = 0. Khi đó Transistor cũng ở trạng thái ngưng dẫn bất chấp các yếu tố khác. Tóm lại điều kiện để Transistor N-P-N dẫn điện, cần có hai điều kiện cần và đủ: Điều kiện cần là: U BE > 0,6V Điều kiện đủ: U CE > U CES Đặc tuyến I C , U CE : Trong trường hợp giữ dòng điện I B không đổi và thay đổi U CE , quan hệ giữa dòng điện I C và điện áp U CE khi đó gọi là đặc tuyến I C , U CE của Transistor. Với nhiều giá trị I B khác nhau ta có nhiều đường đặc tuyến khác nhau gọi là họ đặc tuyến I C , U CE mà trên hình 2.5 là một ví dụ. Hình 2.4 : Thí nghiệm đo đặc tuyến I C , U CE của Transistor. UCE RB 0 UBB + - + - A V IB IC C E B IC IE IB + UBE + - UCE Hình 2.3 0.5 0.6 0.7 UBE 0 < 1mA Vaøi chuïc mA IB Đặc tuyến I B ,V BE U BE Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 33 Nếu dòng điện I B không đổi thì dòng điện I C cũng gần như không đổi khi U CE biến thiên nếu U CE đủ lớn. Như vậy dòng điện I C chủ yếu phụ thuộc vào I B . Hệ số khuếch đại dòng điện và quan hệ giữa các dòng điện I B , I C , I E Hệ số khuếch đại dòng điện DC (  ) hay h FE Trong trường hợp các dòng điện I B , I C là hằng số thì tỉ số giữa dòng điện I C và dòng điện I B được gọi là hệ số khuếch đại dòng điện DC của Transistor. Hệ số này được ký hiệu là  hay h FE và được tính theo công thức: B C I I  với điều kiện I C < I CS (I CS là dòng điện bão hoà ở cực C có giá trị phụ thuộc mạch điện cụ thể). Hệ số  của các Transistor nói chung có giá trị từ vài chục đến vài trăm phụ thuộc vào nồng độ hạt dẫn tự do và kích thước vật lý của các lớp bán dẫn. Vì vậy  do nhà sản xuất cung cấp. Với các Transistor cùng một mã hiệu, hệ số  cũng có thể khác nhau từ vài chục đến hàng trăm. Vì vậy trong các sổ tay tra cứu dạng tóm lược, người ta thường cho giá trị  min ,  max và  typ (giá trị  điển hình). Khi sử dụng, ta thường lấy giá trị  typ . Trong tài liệu tra cứu chi tiết, nhà sản xuất cung cấp hệ số  cho ở dạng đồ thị phụ thuộc vào dòng I C . Khi ấy muốn xác định , ta có thể ước lượng trị số của nó tương ứng với một khoảng dòng điện nào đó hoặc định giá trị chính xác tại một giá trị dòng điện biết trước. Ví dụ trên hình 2.6, hệ số  có giá trị khoảng 90 ứng với dòng I C = 2mA. Hình 2.6: Hệ số  hay h FE của Transistor C535. Quan hệ giữa các dòng điện: A75I B  A40I B  A20I B  A5I B  UCE IC 0 1 2 3 54 6 7 8 9 10 1311 12 0 1 2 3 4 5 6 7 8 mA Hình 2.5 : Họ đặc tuyến I C , U CE của Transistor Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 34 Khi Transsitor dẫn điện, dòng điện cực C của nó lớn gấp  lần dòng điện cực B nếu dòng I C chưa đạt cực đại (chưa bão hoà). Xem hình 2.3 ta nhận thấy cả hai dòng I B và I C cùng hội tụ về cực E nên ta có: I E = I C + I B (đẳng thức này luôn đúng với mọi trường hợp) Vì I C = .I B nên có cách tính khác là: I E = .I B + I B = ( + 1).I B Vậy khi dòng I C chưa đạt cực đại thì: I C = .I B và I E = I C + I B = ( + 1).I B Khi dòng I C đã đạt cực đại thì giá trị cực đại đó gọi là I CS (dòng I C bão hoà) và để có I C = I CS thì dòng điện tại cực B phải có giá trị lớn hơn I BS với I BS = I CS /. Lúc này ta có: I B  I BS I C = I CS I E = I C + I B b) Transistor P-N-P Điều kiện dẫn điện, hệ số  và quan hệ giữa các dòng điện. Điều kiện dẫn điện: Cũng giống như Transistor N-P-N, Transistor P-N-P cũng cần có những điều kiện nhất định để dẫn điện : Điện áp U EB > 0,6 và U EC > 0. Dòng điện trên các cực B, C và E có chiều như hình 2.7 Mối nối EB là một lớp tiếp giáp P-N nên có đặc tính giống như Diode, Giả sử ta tăng dần U EB từ 0V thì khi U EB tăng đến khoảng 0,6V dòng I B mới bắt đầu xuất hiện và sau đó tăng rất nhanh khi chỉ cần tăng U EB lên một lượng rất nhỏ. Dòng I B có thể đạt giá trị rất lớn đến mức làm hỏng Transistor nếu U EB tăng đến khoảng 1V hoặc cao hơn. Khi Transistor làm việc với dòng I B nhỏ khoảng 1mA thì U EB khoảng 0,6V. Nếu tăng U EB đến 0,7V thì I B khoảng vài chục mA. Vì vậy giá trị U EB trong các phép tính toán có thể lấy gần đúng bằng 0,6V hay 0,7V thì từng trường hợp cụ thể. Khi đã có dòng I B , nếu điện thế ở cực E lớn hơn điện thế cực C tức là U EC > 0 thì ở cực C và cực E xuất hiện các dòng điện I C và I E có cường độ lớn hơn I B nhiều lần. Khi đó ta nói Transistor ở trạng thái dẫn điện. Khi đã có dòng I B mà không có nguồn áp thứ hai để tạo ra dòng I C thì Transistor vẫn ở trạng thái ngưng dẫn,. Lúc đó dòng I C = 0 và ta có I B = I E . Nếu không có nguồn áp phân cực cho mối nối EB hoặc U EB không đủ lớn (U EB < 0,6V) thì dòng I B = 0. Khi đó Transistor cũng ở trạng thái ngưng dẫn bất chấp các yếu tố khác. Tóm lại điều kiện để Transistor P-N-P dẫn điện, cần có hai điều kiện cần và đủ: Điều kiện cần là: U EB > 0,6V Điều kiện đủ: U EC > 0 Hệ số khuếch đại dòng điện DC (  hay h FE ): Đối với Transistor P-N-N, hệ số  hay h FE cũng được định nghĩa là tỉ số giữa dòng I C và I B khi dòng I C chưa đạt tới trị bão hoà. B C E IC IE IB - UEB - + UEC Hình 2.7 Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 35 B C I I  với điều kiện I C < I CS (I CS là dòng điện bão hoà ở cực C có giá trị phụ thuộc mạch điện cụ thể). Quan hệ giữa các dòng điện: Khi dòng I C chưa đạt cực đại thì: I C = .I B và I E = I C + I B = ( + 1).I B Khi dòng I C đã đạt cực đại thì giá trị cực đại đó gọi là dòng I C bão hoà, ký hiệu là I CS . Để có I C = I CS cần có I B  I CS /. Lúc này ta có : I B  I BS I C = I CS I E = I C + I B 2.2 CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR 2.2.1 Hoạt động của Transistor có thể chia thành 3 chế độ như sau: Chế độ ngưng dẫn: Transistor không dẫn điện, dòng điện trên các điện cực bằng 0. Chế độ dẫn khuếch đại: Dòng điện I C = I B và chưa đạt cực đại (I C < I CS ). Chế độ bão hoà: Dòng I C đạt cực đại bằng I CS và điện áp U CE giảm xuống rất thấp U CE = U CES = 0,1 0,4V tuỳ theo cường độ dòng I CS . Với I CS khoảng vài chuc mA thì U CES khoảng 0,1  0,2v. Với I CS khoảng vài trăm mA đến vài Ampe thì U CES có thể đến 0,3 hoặc 0,4v. U CES là điện áp giữa cực C và E đo khi Transistor bão hoà. Với tất cả các Transistor, điện 2.2.2 Điểm làm việc tĩnh, đường tải DC của transistor trong sơ đồ khuếch đại Trong các mạch ứng dụng Transistor N-P-N, nguồn cấp điện cho mạch là nguồn một chiều có giá trị không đổi và phải có ít nhất một điện trở mắc từ cực (+) của nguồn điện đến cực C hoặc từ cực E đến mass để hạn dòng qua Transistor (điện trở này có thể là tải). Với mạch như vậy thì khi dòng I C tăng sẽ tạo ra một sụt áp trên các điện trở hạn dòng làm cho điện áp U CE giảm và ngược lại. Điện áp U CE có giá trị lớn nhất bằng điện áp nguồn khi dòng I C = 0 và nhỏ nhất bằng U CES khi I C = I CS . Tại một thời điểm nào đó dòng điện I C và điện áp U CE có một giá trị xác định. Cặp giá trị (U CE , I C ) xác định một điểm Q trong mặt phẳng toạ độ U CE ,I C gọi là điểm làm việc của Transistor. Khi dòng điện cực B (dòng I B ) không biến thiên thì cặp giá trị I C ,U CE có giá trị không đổi và điểm làm việc Q(U CE ,I C ) được gọi là điểm làm việc tĩnh của Transistor. Quỹ đạo của điểm làm việc tĩnh khi I C thay đổi từ 0 đến giá trị tối đa I CS là một đoạn thẳng gọi là đường tải DC của Transistor. Đường tải DC mô tả quan hệ giữa I C và U CE trên mạch điện đang xét, nó có ý nghĩa quan trong trong việc xác định xu hướng dẫn điện mạnh yếu của Transistor cũng như dùng để xác định vùng hoạt động quá công suất của Transistor. Việc xây dựng đường tải DC sẽ trình bày sau. Trên hình 2.8 mô tả một đường tải DC điển hình (đoạn AS). Khi điểm làm việc Q tiến đến S, Transistor đạt trạng thái bão hoà. Khi điểm Q tiến đến A, Transistor ngưng dẫn. Khi Q ở vị trí hiện tại như hình vẽ, Transistor đang dẫn điện ở chế độ khuếch đại. Vị trí điểm làm việc Q chính là giao điểm giữa đường đặc tuyến I C ,U CE (do nhà sản xuất cung cấp hoặc xây dựng từ thì nghiệm) với đường đặc tuyến ngõ ra của mạch (đường AB). Đường tải DC cho thấy rõ phạm vi biến thiên thực tế của điện áp U CE và dòng điện I C cũng như quan hệ giữa I C và U CE . Khi I C tăng thì U CE giảm và ngược lại. Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngơ Sỹ 36 Hình 2.8: Đường tải DC của Transistor N-P-N Để xác định điểm làm việc Q ta cần 2 bƣớc tiến hành nhƣ sau: b) Dựa vào mạch phân cực ngõ vào để xác định giá trị dòng I B c) Tìm đặc tuyến tương ứng với I B vừa tính trong họ đặc tuyến I C , U CE và xác định giao điểm giữa đặc tuyến này với đường đặc tuyến ngõ ra của mạch. Lưu ý là cách làm này khơng thực hiện được nếu khơng có họ đặc tuyến I C , U CE của Transistor, nếu khơng có thì cách tính gần đúng thực hiện như sau: So sánh I B với I BS = I CS / (giá trị  phải biết trước). Nếu I B  I BS thì Transistor làm việc ở chế độ bão hồ tức điểm Q  S Nếu I B < I BS thì Transistor chưa bão hồ, dòng I C = .I B . Có I C sẽ tìm được điểm Q. Trước khi tiền hành xác định đường tải DC và điểm làm việc Q, ta xét một số dạng mạch thường gặp đối với Transostor loại N-P-N và ứng dụng của những dạng mạch này. 2.3 PHÂN CỰC CHO BJT 2.3.1 Phân cực dùng 2 nguồn riêng biệt a) Dạng mạch (hình 2.9) b) Phƣơng trình đƣờng tải DC Từ lưới 1: V BB = I B .R B + V BE  I B = (V BB - V BE )/ R B  I C = I B Từ lưới 2: V CC = I C .R C + V CE S Q A B ICS ICQ 0 UCES UCQ UCE(max) = UCC IC UCE (Điểm bão hoà) (Điểm làm việc) (Điểm ngưng dẫn) Khoảng biến thiên thực tế của UCE Khoảng biến thiên thực tế của IC I B = I BS I BQ < I BS I B < I BQ RB Rc + - UCE 0 +Ucc Ucc + - UBB + - IC IB Hình 2.9 Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 37  V CE = V CC - I C .R C 2.3.2 Phân cực cố định a) Dạng mạch (hình 2.10) b) Phƣơng trình đƣờng tải DC Từ lưới 1: V cc = I B .R B + V BE  I B = (V cc - V BE )/ R B  I C = I B Từ lưới 2: V CC = I C .R C + V CE  V CE = V CC - I C .R C 2.3.3 Phân cực hồi tiếp cực phát a) Dạng mạch (Hình 2.11) b) Phƣơng trình đƣờng tải DC Từ lưới 1: V cc = I B .R B + V BE + I E .R E  EB BECC B RR VV I )1(     I C = I B Từ lưới 2: V CC = I C .R C + V CE + I E .R E (I C = I E )  V CE = V CC - I C (R C + R E ) 2.3.4 Phân cực hồi tiếp cực thu a) Dạng mạch (Hình 2.12) b) Phƣơng trình đƣờng tải DC Từ lưới 1: V cc = I E .R C + I B .R B + V BE + I E .R E  ))(1( ECB BECC B RRR VV I     I E = (+1)I B Từ lưới 2: V CC = I E .R C + V CE + I E .R E (I C = I E )  V CE = V CC - I C (R C + R E ) 2.3.5 Phân cực dùng cầu phân áp a) Dạng mạch (Hình 2.13) Rc Q +VCC RB Hình 2.10 Rc R E +VCC R B Q Hình 2.11 Rc R E +VCC R B Q Hình 2.12 Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 38 b) Phƣơng trình đƣờng tải DC Trong một số trường hợp, việc tính toán gặp nhiều khó khăn. Để đơn giản, ta đưa về mạch tương đương dùng 2 nguồn riêng. Khi đó: CC BB B BB V RR R V 21 2   21 21 BB BB BB RR RR R    Áp dụng mạch 2 nguồn riêng để giải bài toán. 2.4 SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT (*) 2.4.1 Các chỉ tiêu của tầng khuếch đại: a) Độ lợi điện áp: Av = V out /V in b) Độ lợi dòng điện: Ai = I out /I in c) Tổng trở ngõ vào: Được xác định dựa vào định luật Ohm: i i i I V Z  d) Tổng trở ngõ ra: Được xác định khi tín hiệu vào V i = 0, khi đó I i = I b = 0 nên có thể xem là hở mạch nguồn dòng. Tổng quát: 0 0 0 I V Z  2.4.2 Tầng khuếch đại Common Emitter (CE) a) Dạng mạch (Hình 2.14) b) Mô hình mạch khuếch đại CE thông số h (hybrid) Phương trình của mạch CE: v be = h ie i b + h re v ce . i c = h fe i b + h oe v ce . Rc + - UCE 0 +Ucc Ucc + - IC IB RB2 RB1 Hình 2.13 Rc + - UCE 0 +Ucc IC IB RB1 RB2 us UCEQ 0V Hình 2.14 Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 39 Trong đó: 0  ce v b be ie i v h 0  b i ce be re v v h 0  ce v b c fe i i h 0  b i ce c oe v i h Các thông số này được xác định dựa vào đồ thị. Trong tính toán, môt cách gần đúng, các thông số này được tính như sau: e EQ v b be ie r I mV i v h ce . 26 0    với EQ e I mV r 26  0 0   b i ce be re v v h       b c v b c fe i i i i h ce 0 0 0 0   b i ce c e v i h c) Thông số của mạch khuếch đại CE - Tín hiệu vào và tín hiệu ra lệch pha 180 0 . - Mạch khuếch đại tín hiệu điện áp và dòng điện, tức: Av = V out /V in = i c .Z out /i b .Z in > 1 Ai = I out /I in =  >1 - Tổng trở ngõ vào (được xác định dựa vào định luật Ohm): Zin = R th //h ie . - Tổng trở ngõ ra: i b  .r e  i b i c Hình 2.14c v be i e i c i b v ce v be v ce i c i b h re v ce h fe i b 1 Hình 2.14a Hình 2.14b [...]... máy biến áp 2.8.3 Ghép tầng trực tiếp a) Dạng mạch b) Đặc điểm của mạch Mạch đơn giản, dễ lắp ráp Phân cực giữa các tầng khó khăn, việc phối hợp trở kháng giữa các tầng khó thực hiện Biên soạn: Ths Ngô Sỹ 47 Bài Giảng Mạch Điện Tử +VCC RB R C1 R C2 R B1 C2 Vout C1 Q2 Q1 Rt Vin R B2 R E1 R E2 Hình 2.23 2.9 BÀI TẬP CHƢƠNG 2 (TRANSISTOR 2 MỐI NỐI) Bài 01: Cho mạch gồm một nhóm đèn LED như sau: +9V LED1... b 0 ic v ec i b 0 hoc  b) Thông số của mạch khuếch đại CC - Tín hiệu vào và tín hiệu ra cùng pha - Mạch khuếch đại tín hiệu dòng điện, tức: Ai >1 - Mạch không khuếch đại tín hiệu điện áp, tức: Av 1 - Tổng trở ngõ vào: - Tổng trở ngõ ra: Zout =RE //re 2.5 ĐƢỜNG TẢI AC (*) Biên soạn: Ths Ngô Sỹ 43 Bài Giảng Mạch Điện Tử Khi Transistor làm việc, ngoài nguồn điện một chiều (DC) ảnh hưởng đếm điểm làm... I i R b  [h ie  (   1)R e ] , do: ib  Rb Ii R b  [h ie  (   1)R e ] I 0  i e  (  1)i b 2.7 MỘT SỐ MẠCH KHUẾCH ĐẠI KHÁC (*) 2.7.1 Mạch khuếch đại Darlington a) Dạng mạch (Hình 2.19) Biên soạn: Ths Ngô Sỹ 45 Bài Giảng Mạch Điện Tử C C B Q1 Qdar B Q2 E E Hình 2.19 b) Thông số của mạch IB = IB1 IC = IC1 + IC2 = 1.IB1 + 2.IB2 = 1.IB1 + 2.IE1 = 1.IB1 + 2(1 + 1).IB1 = (1 + 2 + 1 2).IB1... nối mạch Bị giới hạn tần số bởi tụ điện liên lạc C Biên soạn: Ths Ngô Sỹ 46 Bài Giảng Mạch Điện Tử +VCC RB R C1 R B1 R C2 C2 Vout C C1 Q2 Q1 Rt Vin R B2 R E1 R E2 Hình 2.21 2.8.2 Ghép tầng bằng MBA a) Dạng mạch +VCC T1 1 3 C RB R B1 2 C1 R C2 C2 5 Vout Q2 Q1 Rt Vin R B2 R E1 R E2 Hình 2.22 b) Đặc điểm của mạch Việc tính toán giữa các tầng khuếch đại gặp khó khăn Mạch cồng kềnh, đắt tiền Phối hợp được.. .Bài Giảng Mạch Điện Tử Z0  V0 I0 V i 0 Zout = Rc 2.4.3 Tầng khuếch đại Common Collector (CC) a) Dạng mạch (Hình 2.15) +VCC RB Rc C1 Q Vin C2 Vout RE Hình 2.15 Vì mạch CC của BJT ít được sử dụng, nên ở đây không xây dựng mô hình Mô hình của mạch CC dựa vào mô hình CE Phương trình của mạch CC: vbc = hicib + hrcvec ie = hfcib + hocvec Trong đó:... và điện áp V AK khi đó khoảng 1,8V a) Xác định điện trở tương đương của mỗi LED và của nhóm LED b) Đem nhóm LED trên mắc vào cực C của Transistor như hình vẽ Giả sử dòng qua mỗi LED là 20mA, xác định dòng IC của Transistor c) Giả sử Transistor bão hoà (VCES = 0,2V) khi áp điều khiển ở mức cao (4,3V) Cho biết áp rơi trên nhóm LED là 4.1,8 = 7,2V Xác định RE Biên soạn: Ths Ngô Sỹ 48 Bài Giảng Mạch Điện. .. các dòng điện IC, IE theo IB giống như trường hợp Transistor đơn Vì vậy ghép khi ghép 2 Transistor cho ta một Transistor tương đương cùng loại có các thông số như sau:  = (1 + 2 + 1.2) UBE = UBE(Q1) + UBE(Q2)  1,4v UCE = UCE(Q2) 2.8 PHƢƠNG PHÁP GHÉP CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI 2.8.1 Ghép tầng bằng tụ điện a) Dạng mạch b) Đặc điểm của mạch Dễ dàng tính toán phân cực giữa các tầng khuếch đại Dễ nối mạch Bị... Hình 2.14b 44 Rc Rth E Re Zout Bài Giảng Mạch Điện Tử - Tổng trở ngõ vào (được xác định dựa vào định luật Ohm): Zi = Rth //hie Hay: Zi = Rth //(hie + Re) - Tổng trở ngõ ra: Z0  V0 I0  Rc V i 0 - AV  V 0 i 0Z 0  i c RC R C    V i i i Z i i b (h ie  R e ) (h ie  R e ) - Ai  I0 V /Z0 Z  0  AV i Ii Vi /Zi Z0 2.6.2 Ví dụ 2: Mạch khuếch đại mắc C chung Cho mạch như hình 2.15: Với RB = 330k,... khi áp điều khiển ở mức cao (4,3V) ĐS: a) RLED = 90 RNH = 180 b) IC = 40mA +12V c) RE = 40 d) RB  2K Bài 02: Cho mạch phân cực Transistor bằng cách định dòng IB như hình vẽ Vẽ đường tải DC và xác định điểm tĩnh Q của Transistor ĐS: Q ( 6,4V; 2,1mA) RC 2,2K RC Q Si  = 45 220K RE 470 Bài 03: Cho mạch khuếch tín hiệu ghép E chung như sau (*) 0 a)Tính trở kháng của các tụ Ci, C0 và CE đối với thành... soạn: Ths Ngô Sỹ 49 Zci = Zco  1,59 ZCE  0,159 Q (7,91V; 1,36mA) Zin = 1,8K; Zo = 2K; Ai  -65,84; Av  -36,58 Tín hiệu ra ngược pha so với tín hiệu vào và có trị đỉnh Vm  1,829V Bài Giảng Mạch Điện Tử Bài 04: Cho mạch khuếch đại tín hiệu như hình vẽ sau: (*) +20V a) b) RC 2K RB1 430K Ci Q 10uF Vs RE 1K Si  = 100 Tính tổng trở vào Zin, Tổng trở ra Zo, độ lợi dòng Ai và độ lợi áp Av của tầng khuếc . điện a) Dạng mạch b) Đặc điểm của mạch Dễ dàng tính toán phân cực giữa các tầng khuếch đại. Dễ nối mạch. Bị giới hạn tần số bởi tụ điện liên lạc C. Hình 2.19 Bài Giảng Mạch Điện Tử. nguồn cấp điện cho mạch là nguồn một chiều có giá trị không đổi và phải có ít nhất một điện trở mắc từ cực (+) của nguồn điện đến cực C hoặc từ cực E đến mass để hạn dòng qua Transistor (điện trở. B C E IC IE IB - UEB - + UEC Hình 2.7 Bài Giảng Mạch Điện Tử Biên soạn: Ths. Ngô Sỹ 35 B C I I  với điều kiện I C < I CS (I CS là dòng điện bão hoà ở cực C có giá trị phụ thuộc mạch điện cụ thể). Quan