Linh Kien Ban Dan 3 Lop pdf

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ GVTH: Thạc Sỹ PHẠM XUÂN HỔ BÁN DẪN 3 LỚP BJT ; JFET ; MOSFET NOÄI DUNG BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS) MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FET) BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAU TAẽO VAỉ KY HIEU: BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÁU TAÏO THÖÏC TEÁ : B C E TO-92 TO-92 MOD B C E E C B TO-126 MOD TO-126 FM E C B TO-3 C B E B C E TO-3P B C E TO-220AB TO-3PFM TO-220FM TO-220CFM B C E B C E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) EN IE IC IB NGUYEÂN LYÙ HOAÏT ÑOÄNG: IE IC IB ICBO C B E BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CÁC THÔNG SỐ BJT : EN IE IC IB IE IC IB C B E ICBO α = SỐ HẠT ĐẾN ĐƯC C SỐ HẠT PHÁT RA TỪ E IC = α.IE +ICBO IE = IB +IC β = IC IB HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI β = α 1 - α β + 1 β α = QUAN HỆ GIỮA α VÀ β : BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) CAÙC THOÂNG SOÁ BJT : BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) KIỂU NỐI B CHUNG (CB): ZIN nhỏ (10÷100)Ω ; ZOUT lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) Chỉ Khuếch Đại p Không Khuếch Đại Dòng I E I C I B E C B P N P V EE V CC + - + - I E I C I B C B E V EE V CC + + RL RL I E I C I B C B E V EE V CC + + I E I C I B E C B N P N V EE V CC - + - + RL RL Vùng tích cực V ùn g bã o hò a I C (mA) 7mA 6mA 5 mA 4mA 3mA 2mA 1mA I E =0 mA Vùng ngưng dẫn V CB (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 1 0 5 10 15 20 0,2 0,4 0,6 0,8 V BE (V) 10 30 50 70 90 100 I B (µA) V CE = 1V V CE = 10V V CE = 20V 0 (b) V CE (V) I C (mA) 5 10 15 20 Vùng ngưng dẫn I CEO (a) V CE (BH) 0 1 2 3 4 5 6 Vùng bão hòa 7 I B = 0 µA I B = 10 µA I B = 20 µA I B = 30 µA I B = 40 µA I B = 50 µA I B = 60 µA I B = 70 µA I B = 80 µA Vùng tích cực RL RL BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) KIỂU NỐI E CHUNG (CE): BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) KIỂU NỐI C CHUNG (CC): RL RL ĐẶC TUYẾN GẦN NHƯ KIỂU CE ZIN lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) ; ZOUT nh (vài trămΩ) DẠNG SÓNG RA ,VÀO ĐỒNG PHA KHÔNG KHUẾCH ĐẠI CHỈ LẶP LẠI ⇒ MẠCH ĐỆM [...]... cực phân cực phân áp : 3 R B 2 VC C 20.1,8.10 = = 2, 61 ( Volt ) EBB = 3 R B 1 + R B 2 (1,8 +12) 10 VCC IC IB = RBB VCE β = 140 IB EBB RC R B 1 RB 2 = 1,8.1 03 12.1 03 = RBB= 1,56.1 03 (Ω ) RB 1 + RB 2 (1,8 +12) 1 03 IE RE EBB −VBE = 2,61− 0,7 = ( 3 0,068 mA ) + (β +1) RE (1,56 +121.0.22) 10 RBB IC = 0,068 mA 140 = 9,52 mA VCE = VCC – IC(RC + RE) VCE = 20 – 9,52.10 -3( 1,2 +0,22)1 03 = 6,48 V BJT (BÀI TOÁN... phân áp : VCC IC RBB VE 0,1VCC 2, 4 I 20 = = = 12O(Ω) I B = C = = 0,1 43( mA) IE I CQ 20.10 3 β 140 RC VCE β = 140 IB EBB RE = IE RE VCC − VCE − VE 11, 6 = = 580 ( Ω ) 3 I CQ 20.10 RBB = ( S − 1) RE = 14.120 = 1680 ( Ω ) RC = EBB = I B RB + VBE + VE EBB = ( 0,1 43 ×1, 680 ) + 0, 7 + 2, 4 = 3, 34 ( V ) VCC 24 = 1, 68 = 12 ( K Ω ) EBB 3, 34 RBB 1, 68 RB 2 = = = 2 ( KΩ) EBB 0,86 1− VCC RB1 = RBB BJT (TÍNH TOÁN... x β2 BJT mắc Darlington Làm việc chế độ xung BJT (BÀI TOÁN PHÂN CỰC ) Bài toán ở chế độ bão hoà : 100k β β Với K = (3 7) Từ công thức ta có: +12V RB IB > ICBH ≈ K IC VCC −VBE 12 − 0,7 = = 0,113mA IB = ×1 03 RB 100 Từ đó ta có thể tính được IC như sau: RC 1k IC = β.IB = 0,113mA x 120 = 13, 56mA Q β=120 = VCC = 12 = 12 mA I CBH RC 1 Do vậy: Transistor làm việc ở chế độ bão hòa với Ic =12mA và Vces = 0V... IBQ 30 Q Tgθ= RBB θ VBE (V) 10 0 0,2 0,4 1 0,6 0,8 VBQ VTh ICQ Q 3 IB = 30 µA IB = 20 2 IB = 10 µA µA Tgθ= 1 0 µA θ IB = 0 5 VCES (BH) 10 I VCEQ CEO 15 VCC 20 1 µARC+RE VCE(V) BJT (TÍNH TOÁN PHÂN CỰC ) Các họ đường tải tónh một chiều (DC) : Họ IC đường VCC I (mA) VCC =70µA RC +VCE I = C RC IC max IB = 60µA 50 Họ đường tải giảm áp VCC tải giảm RC B IB = 50µA 40 IB = 40µA PCmax = VCE IC = 30 0 mW IB = 30 µA...BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) ICEO ≤ IC ≤ ICMAX CÁC THÔNG SỐ GIỚI HẠN CỦA BJT IC (mA) ICMAX I C max IB = 70µA IB = 60µA 50 Vùng bão hòa IB = 40µA 30 10 PMAX PCmax = VCE IC = 30 0 mW IB = 30 µA VÙNG LÀM VIỆC 20 VCE IC ≤ PCMAX VÙNG IB = 50µA 40 ICEO VCE BH ≤ VCE ≤ VCEMAX) IB = 20µA IB = 10µA IB = 0µA 0 VCE BH VCES 5 10 Vùng ngưng dẫn ICE0 15 20 VCE max VCE (V) VCEMAX BJT... 0 VP VDS JFET (JUNCTION FET) NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG: 2  VGS  I D = I DSS 1 − ÷ = 0 I (mA)  VP  VG ≠ 0 D IG ID D IDSS + G VGS P P Kênh e N e e 8 7 6 5 4 VGS = -1V 3 e S VDD VGS = 0V IS VGS VP VGS = -2V 2 1 -4 -3 -2 -1 0 ID = 0mA VGS = -3VV DS VP VGS = -4V JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) VGDS JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) IGSS VGDS IDSS Vp JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) VGDS JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN) IGSS Vp... họ đường tải tónh một chiều (DC) : Họ IC đường VCC I (mA) VCC =70µA RC +VCE I = C RC IC max IB = 60µA 50 Họ đường tải giảm áp VCC tải giảm RC B IB = 50µA 40 IB = 40µA PCmax = VCE IC = 30 0 mW IB = 30 µA 30 Đường tải tối ưu IB = 20µA 20 IB = 10µA 10 IB = 0µA 0 VCE BH 5 10 15 ICE0 VCC 20 VCE max VCE (V) BJT (CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI) CHẾ ĐỘ A KHUẾCH ĐẠI TOÀN SÓNG CHẾ ĐỘ B KHUẾCH ĐẠI 50% SÓNG CHẾ ĐỘ C KHUẾCH . R E ) V CE = 20 – 9,52.10 -3 (1,2 +0,22)10 3 = 6,48 V ( ) )( 61 ,2 10128,1 10.8,1.20 . 3 3 21 2 Volt RR VR E BB C CB BB = + = + = ( ) ) ( 10.56,1 10128,1 10.12.10.8,1. 3 3 33 21 21 Ω= + = + = BB BB BB RR RR R (. ta có thể tính được I C như sau: I C = β.I B = 0,113mA x 120 = 13, 56mA Q R B 100k 1k R C +12V β=120 mA R VV I B BECC B 1 13, 0 10100 7,012 3 = × − = − = 12 12 1 CC CBH C V mA R = = = I Transistor. MẠCH ĐỆM I C (mA) 50 40 30 20 10 0 5 10 15 20 I B = 0µA I B = 10µA I B = 20µA I B = 30 µA I B = 40µA I B = 50µA I B = 60µA I B = 70µA P Cmax = V CE I C = 30 0 mW I C max Vùng bão