Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 15 doc

Chương 5 18 Ví dụ 7: Xác đònh tónh điểm của mạch sau. Giả sử h fe = 100. Nguồn dòng T 5 : V B5 = 3.19.2 9.2 6   = -4.14V Giả sử I B5 << I C5  I C5 = K3.1 )6()7.014.4(  = 0.9 mA Mạch đối xứng: I C3 = I C4 = I C5 / 2 = 0.45 mA  I C1 = I C2 = I C3 / h fe = 4.5 PA  I B1 = I B2 = I C1 / h fe = 45 nA KVL: V C1 = V C2 = V C3 = V C4 = V CC – 10K(I C3 + I C1 ) | 7.5V V E1 = V E2 = 0 – (10 5 )(45u10 -9 ) – 0.7 | -0.7V  V E3 = V E4 = V E1 – 0.7 = -1.4V V C5 = V E3 – 50I C3 = -1.4 – 50(0.45u10 -3 ) | - 1.4V 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 5 19 5.5 Mạch khuếch đại ghép Cascode MẠCH 1: Cấu hình: CE – CB: Thường dùng trong các mạch tần số cao. Phân tích tín hiệu nhỏ: Độ lợi truyền đạt (Transfer gain): 121 21 12 1 1 2 2 // // )( ie feLfb i b b e e L i L T hRR RR hRh i i i i i v i v A   0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 5 20 Phân tích DC: Giả sử bỏ qua I B1 và I B2 : V B1 = V CC R 1 / (R 1 + R 2 + R 3 )  V E1 = V B1 - V BE1 = V B1 – 0.7  I C1 = e B R V 7.0 1  = I C2 V B2 = V CC (R 1 + R 2 ) / (R 1 + R 2 + R 3 )  V E2 = V B2 - V BE2 = V B2 – 0.7  V CE1 = V C1 - V E1 = (V E2 – R c I C1 ) – V E1 V CE2 = V C2 – V E2 = (V CC – R L I C2 ) – V E2 MẠCH 2: T 1 : CE T 2 và T 3 : Mạch Cascode, dùng để chuyển mức DC của (v L ) đến 0 (level shifting) dùng trong các mạch KĐ ghép trực tiếp (direct – coupled amplifiers). 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 5 21 Phân tích tónh điểm: Giả sử bỏ qua I B2 , I B3 . V B3 = (-6)(2.3K) / (2.3K + 3.7K) = -2.3V V E3 = V B3 - V BE3 = -2.3 – 0.7 = -3V  I C3 = 3V / 3K = 1 mA Cần phải xác đònh R b sao cho V LDC = 0. I B1 = (12 – 0.7) / R b  V C1 = 12 – 8KuI C1 = 12 – 8Ku[h fe1 (12 – 0.7) / R b ] = V B2 V LDC = V E2 – 3.3KuI C2 = (V B2 – 0.7) – 3.3 = V B2 – 4 Để V LDC = 0  V B2 = 12 – 8Ku[h fe1 (12 – 0.7) / R b ] = 4  R b = h fe1 (12 – 0.7) / 1mA Phân tích tín hiệu nhỏ: T 1 : Mắc CE. T 2 : Mắc CC. T 3 : Mắc CB. Xác đònh v L / v c1 : Mạch tương đương tín hiệu nhỏ của T 2 : Phản ánh trở kháng E 2 o B 2 , trong đó R 03 = 1/h ob3 là tổng trở nhìn vào cực C của T 3 (CB). )/1(3.3 )/1( 3222 32 1 obfefeie obfe C L hhKhh hh v v u | 1  Mạch Cascode (T 2 , T 3 ) chỉ làm thay đổi mức DC ngõ ra mà không thay đổi độ lợi áp của mạch KĐ T 1 (CE). 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương 6 1 CHƯƠNG 6: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET 6.1 Giới thiệu 6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET 6.3 Lý thuyết hoạt động của MOSFET 6.4 Giải tích đồ thò và phân cực 6.5 Giải tích tín hiệu lớn – Sự sái dạng 6.6 Giải tích tín hiệu nhỏ 6.7 Mở rộng Chương 6 2 6.1 Giới thiệu Transistor hiệu ứng trường (Field Effect Transistor – FET): 9 JFET: Junction FET 9 MOSFET: Metal-Oxid Semiconductor FET (Insulated-Gate – IGFET) Tính chất (Phân biệt với BJT) 9 Nhạy với điện áp (voltage-sensitive) 9 Trở kháng vào rất cao 6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET 6.2.1 Cấu tạo (n-channel JFET): Chương 6 3 6.2.2 Hoạt động:  Giả sử S và G nối đất; v DS > 0: ⇒ Dòng i D : D → S: Phụ thuộc vào v DS và Điện trở kênh n (R n-Channel ) Dòng i Channel – Gate ≈ 0: Do Diode tạo bởi tiếp xúc pn Channel-Gate phân cực nghòch (a) Khi v DS tăng: Vùng khuyết (depletion region – vùng gạch chéo) tăng → R n-Channel tăng (b) v DS = V po (Điện áp nghẽn: pinch-off voltage): Hai vùng khuyết chạm nhau: i D = I po . 7.5V V E1 = V E2 = 0 – (10 5 )(45u10 -9 ) – 0.7 | -0 .7V  V E3 = V E4 = V E1 – 0.7 = -1 .4V V C5 = V E3 – 50I C3 = -1 .4 – 50(0.45u10 -3 ) | - 1.4V 0ҥFKÿLӋQWӱ http://www.khvt.com Chương. 21 Phân tích tónh điểm: Giả sử bỏ qua I B2 , I B3 . V B3 = (-6 )(2.3K) / (2.3K + 3.7K) = -2 .3V V E3 = V B3 - V BE3 = -2 .3 – 0.7 = -3 V  I C3 = 3V / 3K = 1 mA Cần phải xác đònh R b sao cho. V E1 = V B1 - V BE1 = V B1 – 0.7  I C1 = e B R V 7.0 1  = I C2 V B2 = V CC (R 1 + R 2 ) / (R 1 + R 2 + R 3 )  V E2 = V B2 - V BE2 = V B2 – 0.7  V CE1 = V C1 - V E1 = (V E2