Hiện nay các nhà sản xuất đã sản xuất ra nhiều loại DRAM với dung lượng khá lớn. Với các loại DRAM có dung lượng lớn thì đòi hỏi phải có nhiều chân vào địa chỉ nếu yêu cầu một chân riêng biệt. Để khắc phục yếu điểm này các nhà sản xuất đã sử dụng phương pháp ghép kênh địa chỉ. Bằng cách này mỗi chân vào địa chỉ có thể dung nạp hai bit địa chỉ khác nhau, tiết kiệm được số chân giúp giảm đáng kể kích cở của vỏ IC. Hình 4.20 trình bày bộ nhớ có dung lượng từ 16K và trước đó cần 14 đường địa chỉ bus tới trực tiếp từ CPU đến bộ nhớ. Hình 4.21 minh họa địa chỉ CPU dùng mạch Multiplex để đưa địa chỉ từ CPU tới DRAM. Ta thấy chỉ có 7 đường địa chỉ ngõ vào đến DRAM, nghĩa là 14 đường địa chỉ từ bus địa chỉ CPU được đưa vào mạch Multiplexer sẽ truyền 7 bit địa chỉ tại thời điểm nào đó tới ngõ vào địa chỉ ô nhớ. Khi MUX = 0 thì truyền A 0 – A 6 đến DRAM, khi MUX = 1 thì truyền A 7 – A 13 đến DRAM. Giản đồ thời gian của tín hiệu MUX Thời gian của tín hiệu MUX phải đồng bộ với tín hiệu và . MUX phải ở mức thấp khi bị kích xuống mức thấp, sao cho các đường địa chỉ A 7 – A 13 từ CPU sẽ đến được đầu vào địa chỉ DRAM. Tương tự MUX phải ở mức cao khi bị kích xuống thấp, sao cho A 0 - A 6 từ CPU sẽ có mặt tại đầu vào của DRAM. Hình 4.22 minh hoạ thời gian của tín hiệu MUX. Hình 4.23 cho thấy cấu trúc của một DRAM 16Kx1 sau khi đã dùng MUX 5.2.3. Chu kỳ đọc/ghi của DRAM Chu trình đọc/ghi của DRAM phức tạp hơn nhiều so với SRAM bởi vì cần có bộ định thời để khống chế làm tươi và bộ điều khiển bộ đệm của thanh ghi, bộ đa hợp hàng cột thông qua hai chân và . Chu kỳ đọc DRAM Hình 4.24 biểu diễn hoạt động tiêu biểu của tín hiệu trong suốt hoạt động đọc. Giả sử đang ở mức cao trong suốt hoạt động đọc. Sau đây là phần mô tả từng bước hoạt động xảy ra tại những thời điểm trong sơ đồ tín hiệu. t 0 : MUX bị đưa xuống mức thấp để áp các bit địa chỉ hàng ( A 0 – A 6 ) vào đầu vào địa chỉ của DRAM. t 1 : bị đưa xuống mức thấp để nạp địa chỉ hàng vào DRAM t 2 : MUX lên mức cao để đặt địa chỉ cột (A 7 – A 13 ) tại các đầu vào địa chỉ của DRAM. t 3 : xuống thấp để nạp địa chỉ cột vào DRAM. t 4 : DRAM đáp ứng lại bằng cách đặt dữ liệu hợp lệ từ vào ô nhớ được chọn lên đường dữ liệu ra. t 5 : MUX, , và đường dữ liệu ra trở về trạng thái ban đầu. Chu kỳ ghi của DRAM Hình 4.25 biểu diễn hoạt động tiêu biểu của tín hiệu trong hoạt động ghi vào DRAM. Quá trình ghi được mô tả như sau: t 0 : MUX ở mức thấp để đặt các bit địa chỉ hàng ( A 0 – A 6 ) vào đầu vào địa chỉ của DRAM. t 1 : = NGT nạp địa chỉ hàng vào DRAM t 2 : MUX lên mức cao để đặt địa chỉ cột (A 7 – A 13 ) tại các đầu vào địa chỉ của DRAM. t 3 : = NGT để nạp địa chỉ cột vào DRAM. t 4 : Dữ liệu cần ghi được đạt lên đường dữ liệu vào. t 5 : bị kích xuống thấp để ghi dữ liệu vào ô nhớ được chọn. t 6 : Dữ liệu vào bị loại bỏ khỏi đường dữ liệu vào. t 7 : MUX, , và đường dữ liệu vào trở về trạng thái ban đầu. 5.2.4. Làm tươi DRAM Việc làm tươi DRAM phải được xảy ra mỗi 2ms để duy trì dữ liệu. Mỗi một trong 256 hàng phải được kích bởi chân . có thể ở mức cao trong trình tự làm tươi để giảm công suất tiêu thụ. Dù đọc hay viết vào một tế bào nào của một hàng đều phải làm tươi toàn bộ hàng đó. Để làm tươi DRAM cần phải có bộ đếm làm tươi DRAM (Refresh Controler). Phương pháp là tươi phổ biến nhất là làm tươi chỉ với , thực hiện bằng việc lựa chọn một địa chỉ hàng với trong khi và vẩn ở mức cao. Click vào mục dưới để xem các vi mạch nhớ điển hình. Kỹ Thuật Số Blogthongtin.info Biên tập: Nguyễn Trọng Hòa BÀI 5: GIỚI THIỆU VI MẠCH SỐ ĐIỂN HÌNH 5.1 CHIP EPROM M2732A Hiện nay trên thị trường có nhiều loại EPROM với dung lượng và thời gian truy xuất khác nhau. IC 2732A là loại EPROM NOMS nhỏ có dung lượng 4Kx8 hoạt động với nguồn điện +5V trong suốt tiến trình vận hành bình thường. Hình 4.12 minh họa sơ đồ chân và các chế độ hoạt động của IC này. IC M2732A có 12 đầu vài địa chỉ và 8 đầu ra dữ liệu. Hai đầu vào điều khiển là và . . vào mục dưới để xem các vi mạch nhớ điển hình. Kỹ Thuật Số Blogthongtin.info Biên tập: Nguyễn Trọng Hòa BÀI 5: GIỚI THIỆU VI MẠCH SỐ ĐIỂN HÌNH 5.1 CHIP EPROM M2732A Hiện nay trên. đến được đầu vào địa chỉ DRAM. Tương tự MUX phải ở mức cao khi bị kích xuống thấp, sao cho A 0 - A 6 từ CPU sẽ có mặt tại đầu vào của DRAM. Hình 4.22 minh hoạ thời gian của tín hiệu MUX. . chỉ. Bằng cách này mỗi chân vào địa chỉ có thể dung nạp hai bit địa chỉ khác nhau, tiết kiệm được số chân giúp giảm đáng kể kích cở của vỏ IC. Hình 4.20 trình bày bộ nhớ có dung lượng từ 16K và