Chương 9: Hốc cộng hưởng tạo bởi các gương đầu cuối -Điều kiện cộng hưởng: hành trình qua hốc 2L = số nguyên lần bước sóng 2L = M λ → Có rất nhiều tần số laser được phép, cách nhau các khoảng ∆f = c/2L, g ọi là các mode hốc cộng hưởng (cavity modes) → Người thiết kế laser phải tối ưu hoá thiết kế cho tần số mong muốn nhờ việc điều khiển hỗn hợp khí, các đặc trưng kích thích và phản xạ của h ốc và có thể dùng bộ lọc, hoặc tăng khoảng cách giữa các gương (tăng L). - Trong th ực tế chỉ có những chuyển mức năng lượng với thời gian sống tương đối lớn mới có thể tạo ra các vạch phổ có thể sử dụng được. -N ăng lượng laesr khả dụng nhận được khi độ lợi của hốc được điều chỉnh để chọn 1 trong các vạch laser khã dĩ. Với laser khí, do sự mở rộng doppler, chiều dài của hốc sẽ xác định số cộng hưởng hốc chứa trong 1 vạch phổ. Độ lợi đầu ra của laser lúc này sẽ là tích của độ lợi vạch phổ mở rộng với cavity modes. Phát xạ đồng thời này được gọi là longitudinal modes. -Ngoài ra, h ốc laser có thể tạo ra một số modes không gian hay TEM modes. Trong th ực tế, mode mong muốn là TEM 00, là tia đơn với phân bố năng lượng theo phân bố Gauss. c) Kích thuớc vệt laser -Bức xạ laser có thể ở dạng liên tục (continuous_wave laser) hoặc dạng xung (pulsed laser). - B ức xạ laser có thể được hội tụ thành vệt nhỏ để tăng mật độ dòng quang. - Kích th ước vệt laser có thể được hội tụ là hàm của đường kính chùm laser: D = (16/3)(λF/πD 0 ) v ới F: tiêu cự của thấu kính D 0 : độ rộng chùm laser tính từ điểm có cường độ 13.5% cường độ cực đại. - Công suất chùm laser có thể bị giảm bởi 1 miệng tròn có đường kính nh ỏ hơn đường kính ch ùm laser .Tỷ số dòng truyền qua / dòng t ới là: Φ e /Φ i = 1 – exp(- 2D 2 /w 2 ), v ới D: đường kính miệng tròn w: đường kính chùm tia tới, được xác định như D 0 . §3.3 LASER BÁN DẪN 1/ Gi ớ i thiệu * Các cấu phần cơ bản: - Photon source: tái h ợp điện tử lỗ trống phát sinh photon. - Feedback: Các photon được đưa ngược lại vào miền tái hợp nhờ phản xạ để tạo ra phát xạ kích thích - Energy source: dòng tiêm h ạt tải, cung cấp công suất * Chuyển mức năng lượng xảy ra giữa vùng dẫn và vùng hoá trị * Bán dẫn vùng cấm thẳng (direct bandgap): cực đại vùng hoá trị và cực ti ểu vùng dẫn ở cùng 1 giá trị xung lượng → điện tử chuyển từ cực tiểu vùng dẫn về cực đại vùng hoá trị mà không thay đổi xung lượng → trao đổi năng lượng giữa các điện tử và các photon feedback xảy ra dễ hơn vì không cần trao đổi xung lượng. Các vật liệu: GaAs, InAs. * Bán dẫn vùng cấm xiên: cực đại và cực tiểu các vùng không cùng giá tr ị xung lượng → để xảy ra hấp thụ hay phát xạ photon thì sự chênh lệch xung lượng giữa trạng thái đầu và cuối phải được trao đổi với dao động mạng tinh thể → sự trao đổi năng lượng giữa điện tử và Photon phải qua quá trình 2 b ước → không thích hợp cho c ơ chế laser feedback (tương tự với tình huống một mạch có độ lợi vòng quá th ấp, không đủ để duy trì dao động). Các vật liệu: Si, Ge,GaP có vùng cấm xiên. 26 * Trạng thái đảo lộn mật độ: đa số các mức năng lượng được phép gần đáy vùng dẫn bị chiế m bởi e- và đa số các trạng thái được phép gần đỉnh vùng hoá trị bị trống e- hay bị chiếm bởi lỗ trống. - Các điện tử chuyển mức từ vùng dẫn về vùng hoá trị có thể do tái h ợp tự phát hoặc do phát xạ kích thích - Công su ất ngoài cung cấp có tác dụng thay thế các điện tử trong vùng d ẫn - Ở chế độ dòng thấp: quá trình tái hợp tự phát chiếm ưu thế tương tự LED - Khi dòng t ăng, số điện tử được tiêm vào miền tái hợp của chuyển tiếp PN tăngÆ tă ng số photon phát xạ -Cơ thể phản xạ feed back hầu hết số photon này vào chuyển tiếp. Khi đó dòng tiêm điện tử chủ yếu dùng thay thế các điện tử thay đổi trạng thái do phát xạ kich thích. Chuyển tiếp bắt đầu phát xạ 1 khoảng bước sóng rất hẹp bức xạ laser. -Dòng ng ưỡng: bắt đầu quá trình laser, + ph ụ thuộc vật liệu chế tạo diode laser + phụ thuộc mức pha tạp + dạng hình học của chuyển tiếp + nhiệt độ linh kiện (rất quan trọng ) * Homojunction: miền p và n cùng loại vật liệu, hoạt động ở dòng thuận rất lớn Æchỉ làm việc khi được làm lạnh với nitơ lỏng. * Diode laser thực: có 1 hoặc 2 heterostructure (nhiều loại vật liệu) s ắp xếp theo kiểu pn luân phiên đổi loại vật liệu. 27 + Ưu điểm có thể fine-tune các độ rộng vùng cấm Æđiều chỉnh các đặc trưng phổ của laser. Vì các lớp vật liệu khác nhau rất mỏng và gần nhau về các đặc trưng vật lý nên các đặc trưng điện của chúng sẽ tương tác và thiết lập các dải vùng cấm xác định cho cấu trúc toàn bộ. 2) Đặc trương cơ bản - Các laser diode hoạt động ở chế độ dòng tiêm thường chế tạo từ GaAs và GaAlAs, ho ạt động ở bước sóng dài 1180-1580 nm - Diode laser đơn thường có chế độ tunr-on trong khoảng 1,5 - 2,5 V 28 - Ở chế độ xung, thế phân cực thuận short-term trong khoảng 5 – 25 V - M ột số lưu ý trong đồ thị sự phụ thuộc của công suất bức xạ và thế phân cực thuận vào dòng thuận của diode laser GaAlAs: + Nhiệt độ được giữ không đổi + Công suất bức xạ tăng nhẹ trong khoảng 0 Æ 18 mA + Trong kho ảng này linh kiện hoạt động tương tự LED. + Trên 1,8 mA công suất bức xạ tăng vọt, diode hoạt động như 1 laser + Trong kho ảng 20 Æ 30 mA công suất bức xạ tăng gần như tuyến tính theo dòng với độ dốc được gọi là hiệu suất vi phân. + Dòng ngưỡng nhạy với nhiệt độ I th = I 0 exp[(T – T 0 )/K], K là hằng số của linh kiện. - Laser diodes thường làm việc ở chế độ xung. Để thời gian chuyển mạch nhanh và biên độ bức xạ lớn, các diode thường được phân cực bởi 1dòng > dòng ngưỡng. Tín hiệu dòng xung là lượng gia tăng của dòng cần thiết để đạt được mức công suất bức xạ xác định + Yêu cầu khi hoạt động: - nhiệt độ của linh kiện phải được điều khiển - ho ặc dòng phân cực phải thay đổi được, đáp ứng với mỗi dòng ng ưỡng cho mỗi nhiệt độ làm việc. + Tuy nhiên, n ếu dòng phân cực tăng Æ linh kiện nóng hơn Æ cần dòng phân cực lớn hơn để đạt công suất mong muốn, do đó trang thái làm việc ổn định cuối cùng thường ở nhiệt độ rất cao. + Độ sạch phổ và giá trị của bước sóng ưu thế phụ thuộc dòng qua diode và nhi ệt 29 độ làm việc. Khi dòng thay đổi, có 2 hiện tượng xảy ra: 1-T ại giá trị dòng thấp, gần dòng ngưỡng, phổ bức xạ bao gồm các v ạch phổ phân bố trong một vùng bước sóng do longitudinal mode và c ấu trúc vùng của bán dẫn. 30 2- Khi dòng tăng số vạch phổ giảm và tâm của phân bố bị dịch về phía bước sóng dài hơn do đặc trưng feedback (tập trung) và nhiệt độ tăng (dời bước sóng). Bước sóng trung tâm có th ể bị dịch từ 0,1Æ20 nm, tuỳ loại diode. * Vấn đề nhiễu: + Modal noise: phát sinh do longitudinal mode + Reflection noise: do b ức xạ bị phản xạ ngược vào kênh laser t ừ các mặt bên * Ph ổ laser: Được quan sát trong thời gian rất dài so với tốc độ thay đổi xảy ra trong diode. Có 2 cách giải thích phổ laser: (1) Laser là bộ phát xạ đa mode: bức xạ đồng thời tất cả các thành phần phổ, hiển thị với biên độ tương đối xác định. (2) Laser là linh kiện đơn mode: bức xạ chỉ một bước sóng tại một thời điểm cho trước bất kỳ. Các thành phần phổ quan sát thể hiện sự tổng hợp của tất cả các bước sóng riêng rẽ mà diode bức xạ trong quá trình quan sát. Biên độ của các thành phần phổ thể hiện tần suất xảy ra của nó trong thời gian quan sát. -Sự thay đổi bước sóng trong trường hợp (2) gọi là mode hop (nh ảy mode). Nhảy mode có thể gây rạ sự thay đổi biên độ ở đầu ra của quan hệ do sự suy hao và vận tốc truyền sóng khác nhau với các bước sóng khác nhau. Nhảy mode là hiện tượng ngẫu nhiên và gây ra sự thay đổi ngẫu nhiên c ủa biên độ bức xạ và tạo ra nhiễu biên độ. 31 -Trong trường hợp đa mode (1) các thành phần phổ luôn tồn t ại, nhưng công suất ấn định cho chúng có thể thay đổi theo thời điể m. Máy phân tích phổ chỉ ra biên độ trung bình theo thời gian của các thành phần phổ. Đầu ra của quang hệ cũng thay đổi theo thời gian . cấp có tác dụng thay thế các điện tử trong vùng d ẫn - Ở chế độ dòng thấp: quá trình tái hợp tự phát chiếm ưu thế tương tự LED - Khi dòng t ăng, số điện tử được tiêm vào miền tái hợp của chuyển. photon phát xạ -Cơ thể phản xạ feed back hầu hết số photon này vào chuyển tiếp. Khi đó dòng tiêm điện tử chủ yếu dùng thay thế các điện tử thay đổi trạng thái do phát xạ kich thích. Chuyển tiếp. thì sự chênh lệch xung lượng giữa trạng thái đầu và cuối phải được trao đổi với dao động mạng tinh thể → sự trao đổi năng lượng giữa điện tử và Photon phải qua quá trình 2 b ước → không thích