Trắc nghiệm điện tử cơ bản phần 1

1.2 - Liệt kê ngắn gọn các nguyên lý, hay các định lý, hay các công thức, hay các hình vẽ có liên quan cần cho ứng dụng thực tế Nguyên lý 1: Chuyển tiếp p_n có đặc tính van Nguyên lý 2:

Trang 1

Ngân hàng câu hỏi thi trắc nghiệm môn học Điện Tử Cơ Bản 1

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM

KHOA: ĐIỆN TỬ

BỘ MÔN: CƠ SỞ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ

Tên học phần : ĐIỆN TỬ CƠ BẢN 1 Mã học phần: 1162111

Trình độ đào tạo : ĐẠI HỌC CHÍNH QUY

A - NGÂN HÀNG CÂU HỎI KIỂM TRA ĐÁNH GIÁ KIỂU TRẮC NGHIỆM Chương 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN

1 Các nội dung kiến thức tối thiểu mà sinh viên phải nắm vững sau khi học xong

chương 1

1.1 - Liệt kê ngắn gọn các khái niệm, hay các thuật ngữ, hay các định nghĩa, hay tên các sơ đồ (hình vẽ) nguyên lý, hay các sự kiện, hay hiện tượng, các chỉ tiêu, tiêu chí, cơ bản của chương

Khái niệm 1: Chất bán dẫn gồm hai dạng đơn tinh thể và kết hợp: đơn tinh thể là những

chất được cấu tạo từ nguyên tố có hoá trị IV, kết hợp gồm nguyên tố hóa trị III kết hớp với nguyên tố có hóa trị V

Khái niệm 2: Chất bán dẫn thuần là chất bán dẫn không có sự tham gia của nguyên tố

ngoại lai

Khái niệm 3: Chất bán dẫn tạp chất có hai dạng bán dẫn tạp chất dạng n và dạng p

Chất bán dẫn tạp chất dạng n là chất bán dẫn thuần có pha vào các nguyên

tố có hóa trị V

Chất bán dẫn tạp chất dạng p là chất bán dẫn thuần có pha vào các nguyên

tố có hóa trị III

1.2 - Liệt kê ngắn gọn các nguyên lý, hay các định lý, hay các công thức, hay các hình vẽ có liên quan cần cho ứng dụng thực tế

Nguyên lý 1: Chuyển tiếp p_n có đặc tính van

Nguyên lý 2: Dòng điện chạy trong chuyển tiếp p-n có công thức

) 1 ( nKT qV S

n p

D

e I

2 Ngân hàng câu hỏi và đáp án chi tiết chương 1

1 Chất bán dẫn thuần là chất bán dẫn

a Không có sự tham gia của nguyên tố ngoại lai

b Được tạo thành từ các nguyên tố có hóa trị IV

c Được tạo thành từ nguyên tố có hóa trị III với nguyên tố có hóa trị V

d Chất không dẫn điện tại 00C

a

2 Chất bán dẫn tạp chất dạng n là chất bán dẫn

a thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị III

b

Mẫï 3a

Trang 2

b thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V

c có hạt tải đa số là lỗ trống tự do

d có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện t ử

3 Chất bán dẫn tạp chất dạng p là chất bán dẫn

a thuần có pha thêm tạp chất

b thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V

c có hạt tải đa số là lỗ trống tự do

d có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử

c

4 Chuyển tiếp p_n khi chưa được phân cực

a Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa (có giá trị rất bé)

và tồn tại một điện trường Etx tại biên giới tiếp xúc

b Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa (có giá trị rất bé)

và không tồn tại điện trường Etx tại biên giới tiếp xúc

c Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và điện trường Etx tại biên giới tiếp

xúc cũng bằng 0

d Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và tồn tại một điện trường Etx tại biên

giới tiếp xúc

d

5 Chuyển tiếp p-n có đặc tính

a Dẫn điện theo một chiều

b Dẫn điện khi được phân cực thuận và hở mạch khi bị phân cực nghịch

c Dẫn điện theo cả hai trường hợp phân cực thuận và nghịch

d Không dẫn điện

b

6 Tiếp xúc shottky có đặc điểm

a gồm kim loại và bán dẫn tiếp xúc nhau

b gồm bán dẫn loại n tiếp xúc bán dẫn loại p

c tốc độ chuyển mạch chậm hơn so với bán dẫn

d gồm hai bán dẫn tiếp xúc nhau

a

7 Chuyển tiếp p-n bị đánh thủng về nhiệt khi xảy ra hiện tượng

a Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp VBR

b Dòng điện ngược qua chuyển tiếp p-n vượt quá giá trị cho phép

c Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp Vγ

d Cả a và b

d

8 Các hiện tượng đánh thủng sau đây, hiện tượng nào sẽ phá hủy toàn bộ đặc

tính van của chuyển tiếp p-n

a Đánh thủng về điện

b Đánh thủng về nhiệt

c Đánh thủng xuyên hầm

d Đánh thủng thác lũ

b

9 Công thức nào là công th ức mô tả của dòng điện chạy trong chuyển tiếp p-n

a   ( nKT 1)

qV S n p

D

e I I

b   ( nKT 1)

qV S n p

D

e I I

c   ( nKT 1)

qV S n p

D

e I I

d   ( nKT 1)

qV S n p

D

e I I

c

10 Chuyển tiếp p-n khi bị phân cực ngược

a Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm

so với lúc chưa có điện trường ngoài

b Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc

giảm so với lúc chưa có điện trường ngoài

c

Trang 3

c Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc

tăng so với lúc chưa có điện trường ngoài

d Vùng tiếp xúc được thu hẹp ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng

so với lúc chưa có điện trường ngoài

11 Chuyển tiếp p-n khi được phân cực thuận

a Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại so với lúc chưa có điện trường ngoài

b Vùng tiếp xúc được mở rộng ra so với lúc chưa có điện trường ngoài

c Vùng tiếp xúc không thay đổi so với lúc chưa có điện trường ngoài

d Điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường

ngoài

a

12 Vùng tiếp xúc trong chuyển tiếp p-n có đặc điểm

a không tồn tại các hạt mang điện tự do

b không tồn tại các ion tạp chất

c Có các ion tạp chất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N v à các

ion tạp chất âm phía bên bán dẫn P

d Cả a và c

d

Chương 2: DIODE VÀ MẠCH ỨNG DỤNG

1 Các nội dung kiến thức tối thiểu mà sinh viên phải nắm vững sau khi học xong chương 2

a Liệt kê ngắn gọn các khái niệm, hay các thuật ngữ, hay các định nghĩa, hay tên các sơ đồ (hình vẽ) nguyên lý, hay các sự kiện, hay hiện tượng, các chỉ tiêu, tiêu chí, cơ bản của chương

Khái niệm 1: Cấu tạo diode gồm một chuyển tiếp p-n, có tiếp xúc giữa hai bán dẫn là tiếp

xúc mặt hay tiếp xúc điểm

b - Liệt kê ngắn gọn các nguyên lý, hay các định lý, hay các công thức, hay các hình vẽ có liên quan cần cho ứng dụng thực tế

Nguyên lý 1: Đặc tuyến vôn –ampe của diode c ó c ông th ức

) 1

( nKT qV S

n p

D

e I

2 Ngân hàng câu hỏi thi và đáp án chi tiết chương 2

1 Điện dung trong chuyển tiếp p-n (diode) khi được phân cực ngược

a Điện dung tiếp xúc

b Điện dung khuếch tán

c Điện dung phân bố

d Cả a và b

a

2 Điện trở trong diode có đặc tính

a Tuyến tính

b Phi tuyến

c Không tồn tại

d Vô cùng lớn

b

3 Điện trở động trong chuyển tiếp p-n (diode) được tính gần đúng theo công

thức

a

DQ d

I

mV

r  26

b

Trang 4

Ngân hàng câu hỏi thi trắc nghiệm mơn học Điện Tử Cơ Bản 1

b

DQ

T d

I

V

r 

c

DQ d

I

V

r  

d

DQ d

I

mV

r  25

4 Diode zener cĩ đặc điểm

a Hoạt động ở chế độ phân cực ngược

b Dẫn điện khi được phân cực thuận và khi phân cực ngược

c Dẫn điện khi được phân cực thuận với điện áp ngưỡng Vγ và khi phân

cực ngược với điện áp Vz

d Hoạt động ở chế độ phân cực thuận

c

5 Khi nhiệt độ hoạt động của chuyển tiếp p-n tăng thì

a Khả năng dẫn của nĩ tăng

b Khả năng dẫn của nĩ giảm

c Khả năng dẫn của nĩ khơng thay đổi

d Ngưng dẫn

a

6 Tâờã gian chuyển mạch của chuyển tiếp p-n câïû yegï được tính là

a Thời gian của chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái

tắt

b Thời gian của chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái tắt sang trạng thái

dẫn

c Cả a và b

d a và b đều sai

a

7 Các thơng số sau thơng số nào là khơng phải là thơng số giới hạn của diode

a PIV

b IDmax

c PDmax

d Vγ

d

8 Cagï trïùc cïûa dãode câlèâ lư ï gồm

a Một câïyểè tãegp p-è và tãegp xïùc cïûa 2 báè dẫè èày là tãegp xïùc maqt

b Một câïyểè tãegp p-è và tãegp xïùc cïûa 2 báè dẫè èày là tãegp xïùc

đãểm

c Một câïyểè tãegp p-è

d Hẫ câïyểè tãegp p-è

a

9 Cagï trïùc cïûa dãode cao tầè

a Một câïyểè tãegp p-è và tãegp xïùc cïûa 2 báè dẫè èày là tãegp xïùc maqt

b Một câïyểè tãegp p-è và tãegp xïùc cïûa 2 báè dẫè èày là tãegp xïùc

đãểm

c Một câïyểè tãegp p-è

d Một tãegp xïùc íâottåy

b

Trang 5

Chương 3: ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR

1 Các nội dung kiến thức tối thiểu mà sinh viên phải nắm vững sau khi học xong

chương 3

Transistor lưỡng cực (BJT): gồm hai chuyển tiếp p-n và có 3 điện cực B, C, E BJT gồm

có hai loại: npn và pnp Dòng chạy trong transistor là dòng của các hạt tải đa số và thiểu số và là dòng qua các chuyển tiếp p-n

Các biểu thức quan hệ dòng điện trong BJT

 V

V 0.7

B C

CBO E

I  

CEO B

I   Transistor trường (FET) gồm hai loại: JFET và MOSFET

Gồm 3 điện cực D, S, G Trong đó cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn Dòng điện

ch ạy trong transistor chủ yếu là dòng của các hạt tải đa số và dòng qua kênh dẫn

0



G

I

2















P

GS DSS

D

V

V I

I

2 Ngân hàng câu hỏi thi và đáp án chương 3

án

1 Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau

a gồm hai chuyển tiếp p-n

b Có ba điện cực

c Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ

d Gồm một chuyển tiếp p-n

d

2 Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra

a Được điều khiển bằng áp vào

b Được điều khiển bằng dòng vào

c Được điều khiển bằng điện trường ngoài

d Không điều khiển được

b

3 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì

a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch

b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận

c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực

nghịch

d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận

c

4 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì

nghịch

a

5 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hòa thì

b

Trang 6

nghịch

6 Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì

a I C I B

b V CE 0

c I C 0

d I C I B

a

7 Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì

a I C I B

b V CE 0

c I C 0

d I C I B

c

8 Dòng ICBO là dòng rỉ

a Của mối nối CB khi cực E hở mạch

b Của mối nối CE khi cực B hở mạch

c Của mối nối BE khi cực C hở mạch

d Của transistor

a

9 Dòng ICEO là dòng rỉ

a Của mối nối CB khi cực E hở mạch

b Của mối nối CE khi cực B hở mạch

c Của mối nối BE khi cực C hở mạch

d Của transistor

b

10 Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng

a Qua các chuyển tiếp p-n

b Qua kênh dẫn

c Qua bán dẫn

d Qua hai chuyển tiếp p-n

a

11 Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải

a Đa số

b Thiểu số

c Đa số và thiểu số

d Electron

c

12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì

a Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi

b Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi

c Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng

d Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng

c

13 Hình bên là cách mắc transistor

a Theo kiểu CE

b Theo kiểu CB

c Theo kiểu CC

d A, b v à c đều đúng

a

14 Để transistor lưỡng cực hoạt động có

a 1 cách mắc

b 2 cách mắc

c 3 cách mắc

c

Trang 7

d 4 cách mắc

15 Đường đặc tuyến vơn –ampe bên là

a Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE

b Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE

c Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB

d Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB

a

16 Đường đặc tuyến vơn –ampe bên là

a Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor

npn mắc CE

b Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor

pnp mắc CE

c Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor

npn mắc CB

d Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor

pnp mắc CB

c

17 Cấu trúc của JFET khơng cĩ đặc điểm sau

a Cĩ 3 điện cực

b Cĩ một kênh dẫn

c Cĩ một chuyển tiếp p-n

d Cĩ hai chuyển tiếp p-n

d

18 Transistor trường (FET) là transistor cĩ dịng ra

a Được điều khiển bằng áp vào

b Được điều khiển bằng dịng vào

c Được điều khiển bằng ánh sáng

d Khơng điều khiển được

a

19 JFET kênh n cĩ đặc điểm

a Điện trở kênh dẫn thay đổi khi điện áp VGS thay đổi

b Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp VGS càng âm

c Điện trở kênh dẫn giảm khi điện áp VGS càng âm

d Điện trở kênh dẫn khơng thay đổi khi điện áp VGS thay đổi

b

20 JFET kênh p hoạt động khi

a VGS ≥ 0 và VDS > 0

b VGS ≤ 0 và VDS < 0

c VGS ≥ 0 và VDS < 0

d VGS ≤ 0 và VDS > 0

c

21 Các điện cực của MOSFET gồm cực

a B, C, E

b D, S, G

c D, S, G, Sub

c

0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) 1

3 5 7 9 10

I B (µ A) V

CE = 1V

V CE = 10V VCE =

0

(b)

V CE (V )

I C

(mA)

Vïø èg ègư èg dẫè

I CE

(a)

V CE (BH)

0

1

2

3

4

5

6 Vïø èg bão âò a

7

I B = 0

I B = 10

I B = 20

I B = 30

I B = 40

I B = 50

I B = 60

I B = 70

I B = 80

Vïø èg tícâ cư ïc

Trang 8

d D, S, B

22 Dịng điện chạy trong FET chủ yếu là dịng của

a Hạt tải đa số

b Hạt tải thiểu số

c Electron

d Hole

a

23 Transistor trường cĩ đặc điểm sau

a Dịng vào bằng 0

b Dịng vào khác 0

c Quan hệ giữa dịng ra và dịng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo

phương trình Shockley

2

1 















p

GS DSS

D

V

V I

I

d Quan hệ giữa dịng ra và dịng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình I C I B

a

24 D_MOSFET là FET khơng cĩ đặc điểm sau

a Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện mơi Sio2

b Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n

c Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S

d Cĩ thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm

b

25 E_MOSFET là FET cĩ đặc điểm sau

a Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện mơi Sio2

b Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n

c Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S

d Cĩ thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm

a

26 Cơng thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của D_MOSFET

a

2

1 















p

GS DSS

D

V

V I

I

b I C I B

th GS

d

2 1

















p DSS D

V

V I

a

27 Thơng số nào dưới đây khơng phải là thơng số giới hạn của BJT

a ICmax

b VCEmax

c PCmax

d ICEO

d

28 Thơng số nào dưới đây khơng phải là thơng số giới hạn của FET

a IDmax

b VDSmax

c PCmax

d PDmax

c

29 Dịng điện chạy trong transistor trư ờèg là dịng

a Qua các chuyển tiếp p-n

b Qua kênh dẫn

c Qua bán dẫn

d Qua hai chuyển tiếp p-n

b

Trang 9

Chương 4: MẠCH PHÂN CỰC TRANSISTOR

1 Các nội dung kiến thức tối thiểu mà sinh viên phải nắm vững sau khi học xong chương 4

Cấu tạo BJT, FET

Hoạt động BJT, FET

Các sơ đồ nối dây, đặc tuyến V-A của BJT, FET

Mối quan hệ giữa hệ số alpha và beta của BJT

B

C

I





B C





1





JFET , D-MOSFET thì phương trình Shockley:

2

1 GS

P

V

Các mạch phân cực cho BJT và FET

2 Ngân hàng câu hỏi và đáp án chi tiết chương 4

1 Điện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) có chức

năng

a Phân cực cho cực E

b Ổn định nhiệt cho trnasistor

c a và b đều đúng

c

2 Tụ CE trong mạch có chức năng

a ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu

b hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu

c ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực

d Giảm hệ số khuếch đại của mạch

a

3 Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất

ổn định nhiệt nhất là:

a mạch phân cực theo kiểu định dòng

b mạch phân cực theo kiểu phân áp

c mạch phân cực có hồi tiếp từ collector

a

S

D I

I 

A

Trang 10

d mạch phân cực theo kiểu định dòng có RE

4 Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn

nhất khi

a R B /R E   1

b R B /R E  1

c R B /R E 1

d R B /R E  1

a

5 Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi

a R B /R E   1

b R B /R E  1

c R B /R E 1

d R B /R E  1

c

6 Sự bất ổn định nhiệt của dòng IC do thông số nào bị thay đổi của BJT theo

nhiệt độ

a Vγ

b β

c ICBO

d a, b và c

d

7 điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng

a Phân cực cho cực S

b Ổn định nhiệt cho transistor

c a và b đều đúng

c

8 Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch

phân cực cho transistor trường

a mạch phân cực theo kiểu định dòng

c mạch tự phân cực

d mạch phân cực cố định

a

9 Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực

nào dưới đây

a mạch phân cực hồi tiếp

c mạch tự phân cực

d mạch phân cực cố định

c

Tiêu đề	Điện Tử Cơ Bản 1
Trường học	Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp.Hcm
Chuyên ngành	Điện Tử
Thể loại	Ngân Hàng Câu Hỏi Kiểm Tra Đánh Giá Kiểu Trắc Nghiệm
Thành phố	Tp.Hcm

Định dạng
Số trang	19
Dung lượng	429,89 KB