Trắc nghiệm điện tử cơ bản có đáp án

PHẦN CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM ( Các bạn tự giở giáo trình tra xem phần tóm tắt kiến thức để làm sau so với đáp án phía dưới) VẤN ĐỀ 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN Câu 1: Chất bán dẫn chất bán dẫn: a Không có tham gia nguyên tố ngoại lai b Được tạo thành từ nguyên tố có hóa trị IV c Được tạo thành từ nguyên tố có hóa trị III với nguyên tố có hóa trị V d Chất không dẫn điện 00C Câu 2: Chất bán dẫn tạp chất dạng n chất bán dẫn: a có pha thêm tạp chất nguyên tố có hóa trị III b có pha thêm tạp chất nguyên tố có hóa trị V c có hạt tải đa số lỗ trống tự d có hạt mang điện tự lỗ trống điện tử Câu 3: Chất bán dẫn tạp chất dạng p chất bán dẫn: a có pha thêm tạp chất b có pha thêm tạp chất nguyên tố có hóa trị V c có hạt tải đa số lỗ trống tự d có hạt mang điện tự lỗ trống điện tử Câu 4: Chuyển tiếp p_n chưa phân cực: a Dịng điện chạy dịng ngược bão hịa (có giá trị bé) tồn điện trường Etx biên giới tiếp xúc b Dịng điện chạy dịng ngược bão hịa (có giá trị bé) khơng tồn điện trường Etx biên giới tiếp xúc c Dòng điện chạy điện trường Etx biên giới tiếp xúc d Dòng điện chạy tồn điện trường Etx biên giới tiếp xúc Câu 5: Chuyển tiếp p-n có đặc tính: a Dẫn điện theo chiều b Dẫn điện phân cực thuận hở mạch bị phân cực nghịch c Dẫn điện theo hai trường hợp phân cực thuận nghịch d Khơng dẫn điện Câu 6: Tiếp xúc shottky có đặc điểm: a gồm kim loại bán dẫn tiếp xúc b gồm bán dẫn loại n tiếp xúc bán dẫn loại p c tốc độ chuyển mạch chậm so với bán dẫn d gồm hai bán dẫn tiếp xúc Câu 7: Chuyển tiếp p-n bị đánh thủng nhiệt xảy tượng: a Điện áp đặt hai đầu vượt điện áp VBR b Dòng điện ngược qua chuyển tiếp p-n vượt giá trị cho phép c Điện áp đặt hai đầu vượt điện áp Vγ d Cả a b Câu 8: Các tượng đánh thủng sau đây, tượng phá hủy tồn đặc tính van chuyển tiếp p-n: a Đánh thủng điện b Đánh thủng nhiệt c Đánh thủng xuyên hầm d Đánh thủng thác lũ Câu 9: Công thức công th ức mô tả dòng điện chạy chuyển tiếp p-n: −𝑞𝑉𝐷 a Ip-n= Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1) 𝑞𝑉𝐷 b Ip-n= -Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1) 𝑞𝑉𝐷 c Ip-n= Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1) 𝑞𝑉𝐷 d Ip-n= -Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1) Câu 10: Chuyển tiếp p-n bị phân cực ngược: a Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại điện trường vùng tiếp xúc giảm so với lúc chưa có điện trường ngồi b Vùng tiếp xúc mở rộng điện trường vùng tiếp xúc giảm so với lúc chưa có điện trường ngồi c Vùng tiếp xúc mở rộng điện trường vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường d Vùng tiếp xúc thu hẹp điện trường vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường ngồi Câu 11: Chuyển tiếp p-n phân cực thuận: a Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại so với lúc chưa có điện trường b Vùng tiếp xúc mở rộng so với lúc chưa có điện trường ngồi c Vùng tiếp xúc khơng thay đổi so với lúc chưa có điện trường d Điện trường vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường ngồi Câu 12: Vùng tiếp xúc chuyển tiếp p-n có đặc điểm: a không tồn hạt mang điện tự b không tồn ion tạp chất c Có ion tạp chất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N v ion tạp chất âm phía bên bán dẫn P d Cả a c VẤN ĐỀ 2: DIODE VÀ MẠCH ỨNG DỤNG: Câu 1: Điện dung chuyển tiếp p-n (diode) phân cực ngược: a Điện dung tiếp xúc b Điện dung khuếch tán c Điện dung phân bố d Cả a b Câu 2: Điện trở diode có đặc tính: a Tuyến tính b Phi tuyến c Khơng tồn d Vô lớn Câu 3: Điện trở động chuyển tiếp p-n (diode) tính gần theo công thức: a rd= 26𝑚𝑉 𝐼𝐷𝑄 𝑉 b rd= 𝐼 𝑇 𝐷𝑄 c rd= d rd= 𝑉𝛾 𝐼𝐷𝑄 25𝑚𝑉 𝐼𝐷𝑄 Câu 4: Diode zener có đặc điểm: a Hoạt động chế độ phân cực ngược b Dẫn điện phân cực thuận phân cực ngược c Dẫn điện phân cực thuận với điện áp ngưỡng Vγ phân cực ngược với điện áp Vz d Hoạt động chế độ phân cực thuận Câu 5: Khi nhiệt độ hoạt động chuyển tiếp p-n tăng thì: a Khả dẫn tang b Khả dẫn giảm c Khả dẫn khơng thay đổi d Ngưng dẫn Câu 6: Thời gian chuyển mạch chuyển tiếp p-n chủ yếu tính là: a Thời gian chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái tắt b Thời gian chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái tắt sang trạng thái dẫn c Cả a b d a b sai Câu 7: Các thông số sau thông thông số giới hạn diode: a PIV b IDmax c PDmax d 𝑉𝛾 Câu 8: Cấu trúc diode chỉnh lưu gồm: a Một chuyển tiếp p-n tiếp xúc bán dẫn tiếp xúc mặt b Một chuyển tiếp p-n tiếp xúc bán dẫn tiếp xúc điểm c Một chuyển tiếp p-n d Hai chuyển tiếp p-n Câu 9: Cấu trúc diode cao tầng: a Một chuyển tiếp p-n tiếp xúc bán dẫn tiếp xúc mặt b Một chuyển tiếp p-n tiếp xúc bán dẫn tiếp xúc điểm c Một chuyển tiếp p-n d Một tiếp xúc shottky VẤN ĐỀ : ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR Câu 1: Transistor lưỡng cực (BJT) đặc điểm sau: a gồm hai chuyển tiếp p-n b Có ba điện cực c Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ d Gồm chuyển tiếp p-n Câu 2: Transistor lưỡng cực (BJT) transistor có dịng ra: a Được điều khiển áp vào b Được điều khiển dòng vào c Được điều khiển điện trường ngồi d Khơng điều khiển Câu 3: Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ khuếch đại : a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Câu 4: Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ tắt : a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Câu 5: Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động chế độ bão hịa : a Mối nối B-E B-C phải phân cực nghịch b Mối nối B-E B-C phải phân cực thuận c Mối nối B-E phải phân cực thuận B-C phải phân cực nghịch d Mối nối B-E phân cực nghịch B-C phải phân cực thuận Câu 6: Khi transistor lưỡng cực hoạt động chế độ khuếch đại : a IC= 𝛽𝐼𝐵 b 𝑉𝐶𝐸 = c 𝐼𝐶 = d 𝐼𝐶 ≤ 𝛽𝐼𝐵 Câu 7: Khi transistor lưỡng cực hoạt động chế độ tắt : a IC= 𝛽𝐼𝐵 b 𝑉𝐶𝐸 = c 𝐼𝐶 = d 𝐼𝐶 ≤ 𝛽𝐼𝐵 Câu 8: Dòng ICBO dòng rỉ : a Của mối nối CB cực E hở mạch b Của mối nối CE cực B hở mạch c Của mối nối BE cực C hở mạch d Của transistor Câu 9: Dòng ICEO dòng rỉ : a Của mối nối CB cực E hở mạch b Của mối nối CE cực B hở mạch c Của mối nối BE cực C hở mạch d Của transistor Câu 10: Dòng điện chạy transistor lưỡng cực dòng : a Qua chuyển tiếp p-n b Qua kênh dẫn c Qua bán dẫn d Qua hai chuyển tiếp p-n Câu 11: Dòng điện chạy transistor lưỡng cực dòng tham gia hạt tải : a Đa số b Thiểu số c Đa số thiểu số d Electron Câu 12: Khi nhiệt độ làm việc transistor thay đổi : a Dịng điện chạy transistor bị thay đổi b Dịng điện chạy transistor khơng bị thay đổi c Dòng điện chạy transistor tăng nhiệt độ tăng d Dòng điện chạy transistor giảm nhiệt độ tăng Câu 13: Hình bên cách mắc transistor : a Theo kiểu CE b Theo kiểu CB c Theo kiểu CC d a, b c Câu 14: Để transistor lưỡng cực hoạt động có : a cách mắc b cách mắc c cách mắc d cách mắc Câu 15: Đường đặc tuyến vôn –ampe bên : a Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CE b Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CE c Đường đặc tuyến ngõ vào transistor npn mắc CB d Đường đặc tuyến ngõ vào transistor pnp mắc CB Câu 16: Đường đặc tuyến vôn –ampe bên : Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CE Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CE Đường đặc tuyến ngõ transistor npn mắc CB Đường đặc tuyến ngõ transistor pnp mắc CB Câu 17: Cấu trúc JFET khơng có đặc điểm sau : a Có điện cực b Có kênh dẫn c Có chuyển tiếp p-n d Có hai chuyển tiếp p-n Câu 18: Transistor trường (FET) transistor có dịng : a Được điều khiển áp vào b Được điều khiển dòng vào c Được điều khiển ánh sáng d Không điều khiển Câu 19: JFET kênh n có đặc điểm : a Điện trở kênh dẫn thay đổi điện áp VGS thay đổi b Điện trở kênh dẫn tăng điện áp VGS âm c Điện trở kênh dẫn giảm điện áp VGS âm d Điện trở kênh dẫn không thay đổi điện áp VGS thay đổi Câu 20: JFET kênh p hoạt động : a VGS ≥ VDS > a b c d b VGS ≤ VDS < c VGS ≥ VDS < d VGS ≤ VDS > Câu 21: Các điện cực MOSFET gồm cực : a B, C, E b D, S, G c D, S, G, Sub d D, S, B Câu 22: Dòng điện chạy FET chủ yếu dòng : a Hạt tải đa số b Hạt tải thiểu số c Electron d Hole Câu 23: Transistor trường có đặc điểm sau : a Dòng vào b Dòng vào khác c Quan hệ dòng dòng vào hoạt động chế độ tuyến tính theo phương trình Shockley 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑝 ) d Quan hệ dòng dòng vào hoạt động chế độ tuyến tính theo phương trình IC= 𝛽𝐼𝐵 Câu 24: D_MOSFET FET khơng có đặc điểm sau: a Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn lớp điện môi SiO2 b Cực cổng G cách ly với kênh dẫn chuyển tiếp p-n c Kênh dẫn thiết lập sẵn, nối cực D với S d Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm Câu 25: E_MOSFET FET có đặc điểm sau : a Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn lớp điện môi SiO2 b Cực cổng G cách ly với kênh dẫn chuyển tiếp p-n c Kênh dẫn thiết lập sẵn, nối cực D với S d Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm Câu 26: Công thức sau biểu diễn quan hệ ngõ với ngõ vào D_MOSFET : a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝐺𝑆 ) 𝑉𝑝 b IC= 𝛽𝐼𝐵 c ID= K( VGS−Vth)2 d 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝛾 𝑉𝑝 ) Câu 27: Thông số thông số giới hạn BJT : a ICmax b VCEmax c PCmax d ICEO Câu 28: Thông số thông số giới hạn FET : a IDmax b VDSmax c PCmax d PDmax Câu 29: Dòng điện chạy transistor trường dòng : a Qua chuyển tiếp p-n b Qua kênh dẫn c Qua bán dẫn d Qua hai chuyển tiếp p-n VẤN ĐỀ 4: MẠCH PHÂN CỰC TRANSITOR: Câu : Điện trở RE mạch phân cực transistor lưỡng cực (BJT) có chức : a Phân cực cho cực E b Ổn định nhiệt cho trnasistor c a b d a b sai Câu : Tụ CE mạch có chức năng: a ngắn mạch RE nguồn tín hiệu b hở mạch RE nguồn tín hiệu c ngắn mạch RE nguồn phân cực d Giảm hệ số khuếch đại mạch Câu : Trong mạch phân cực transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất ổn định nhiệt là: a mạch phân cực theo kiểu định dòng b mạch phân cực theo kiểu phân áp c mạch phân cực có hồi tiếp từ collector d mạch phân cực theo kiểu định dịng có RE Câu : Hệ số bất ổn định nhiệt dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn : a RB/RE > ( 𝛽 + 1) b RB/RE < ( 𝛽 + 1) c RB/RE < d RB/RE = ( 𝛽 + 1) Câu : Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ khi: a RB/RE > ( 𝛽 + 1) b RB/RE < ( 𝛽 + 1) c RB/RE < d RB/RE = ( 𝛽 + 1) Câu : Sự bất ổn định nhiệt dịng IC thơng số bị thay đổi BJT theo nhiệt độ: a V𝛾 b 𝛽 c ICBO d Cả a b c Câu : Điện trở RS mạch phân cực transistor trường có chức năng: a Phân cực cho cực S b Ổn định nhiệt cho transistor c a b d a b sai Câu : Trong dạng mạch phân cực sau dạng dạng mạch phân cực cho transistor trường: a mạch phân cực theo kiểu định dòng b mạch phân cực theo kiểu phân áp c mạch tự phân cực d mạch phân cực cố định Câu : Để phân cực cho E_MOSFET kênh n sử dụng dạng mạch phân cực đây: a mạch phân cực hồi tiếp b mạch phân cực theo kiểu phân áp c mạch tự phân cực d mạch phân cực cố định VẤN ĐỀ 5: PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ: Câu : BJT có mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ a b c d Câu : Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ BJT sử dụng a BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ b BJT hoạt động với tín hiệu lớn c BJT hoạt động với tín hiệu trung bình d Cả a, b c Câu : Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ BJT mắc theo kiểu CE sử dụng mạch khuếch đại dùng BJT a Mắc theo kiểu CE b Mắc theo kiểu CB c Mắc theo kiểu CC d A, b, c Câu : Thông số hib BJT tính theo cơng thức a ℎ𝑖𝑏 = b ℎ𝑖𝑏 = c ℎ𝑖𝑏 = d ℎ𝑖𝑏 = ∆𝑉𝐵𝐸 ∆𝐼𝐸 ∆𝑉𝐵𝐸 ∆𝐼𝐵 ∆𝑉𝐵𝐸 ∆𝐼𝐸 ∆𝑉𝐵𝐸 ∆𝐼𝐵 ≅ 𝑟𝑒 ≅ 𝛽𝑟𝑒 ≅ 𝛽𝑟𝑒 ≅ 𝑟𝑒 Câu : Thông số hfe hệ số khuếch đại BJT a Dòng điện xoay chiều b Dòng điện chiều c Điện áp xoay chiều d Điện áp chiều Câu 6: Phương trình mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số h biểu diễn a Áp vào dòng theo dòng vào áp b Áp vào áp theo dòng vào dòng c Dòng vào dòng theo áp vào áp d Dòng vào áp theo áp vào dòng Câu : Trong mạch khuếch đại sau mạch có hệ số khuếch đại áp lớn a Mạch khuếch đại mắc kiểu CE b Mạch khuếch đại mắc kiểu CB c Mạch khuếch đại mắc kiểu CC d Câu a b Câu : Mạch khuếch đại có điện trở vào bé mạch khuếch đại mắc kiểu a CE b CB c CC d Cả có tổng trở vào Câu : Mạch khuếch đại có điện trở nhỏ mạch khuếch đại mắc kiểu a CE b CB c CC d CE CB Câu 10 : Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn mạch khuếch đại mắc kiểu a CE b CB c CC d CC CE Câu 11 : Mạch khuếch đại có điện áp pha với áp vào mạch a CE b CB c CC d CC CB Câu 12 : Phương trình mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số y biểu diễn a Áp vào dòng theo dòng vào áp b Áp vào áp theo dòng vào dòng c Dòng vào dòng theo áp vào áp d Dòng vào áp theo áp vào dòng Câu 13 : JFET có mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ a b c d Câu 14 : Thông số gm JFET tính theo cơng thức a 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 − b 𝑔𝑚 = − c 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝑃 𝑔𝑚= 𝑔𝑚𝑜 √𝐼 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑃 (1 − 𝐼𝐷 ) 𝑉𝐺𝑆 ) 𝑉𝑃 𝐷𝑆𝑆 d Cả a, b c Câu 15 : Trong mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch có hệ số khuếch đại áp nhỏ a Mạch khuếch đại mắc kiểu CD b Mạch khuếch đại mắc kiểu CS c Mạch khuếch đại mắc kiểu CG d b v c Câu 16 : Mạch khuếch đại có điện trở ngõ nhỏ mạch khuếch đại mắc kiểu a CD b CS c CG d CD v CS Câu 17 : Mạch khuếch đại có điện áp ngược pha với áp vào mạch a CD b CS c CG d CC v CG Câu 18 : Mơ hình tương đương gần tín hiệu nhỏ hình bên mơ hình a JFET b D_MOSFET c E_MOSFET d a,b, c VẤN ĐỀ 6: CÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠI Câu : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có hệ số khuếch đại áp tồn mạch a 𝐴𝑉 = ∏𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖 b 𝐴𝑉 = ∑𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖 c 𝐴𝑉 = ⋃ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖 d 𝐴𝑉 = ⋂ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖 Câu : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có hệ số khuếch đại dịng tồn mạch a 𝐴𝑖 = ∏ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖 b 𝐴𝑖 = ∑ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖 c 𝐴𝑖 = ⋃𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖 d 𝐴𝑖 = ⋂𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖 Câu : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có tổng trở ngõ vào mạch a Zi= Zi1 b Zi= Zin c Zi= ∑𝑛𝑖=1 𝑍𝑖𝑖 d Zi= ∏𝑛𝑖=1 𝑍𝑖𝑖 Câu : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với có tổng trở ngõ mạch a Zo= Zo1 b Zo= Zon c Zo= Zo( n+1) d Zo= Zo( n-1) Câu : Có cách ghép tầng khuếch đại a b c d Câu : Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm a Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua tụ điện b Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua điện trở c Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với trực tiếp d Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua máy biến áp Câu : Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm a Khuếch đại tín hiệu DC AC b Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua điện trở c Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với trực tiếp d Các tầng khuếch đại mạch liên lạc với thông qua máy biến áp Câu : Mạch khuếch đại ghép trực tiếp khơng có đặc điểm a Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp b Các tầng khuếch đại không cách ly DC c Khuếch đại tín hiệu DC AC d Ổn định nhiệt Câu : Dạng ghép trực tiếp đặc biệt cho hệ số khuếch đại dòng lớn a Darlington b Vi sai c Cascode d a, b, c sai Câu 10 : Mạch khuếch đại vi sai khơng có đặc điểm a Có hai ngõ vào b Ngõ vi sai khuếch đại tín hiệu vi sai c Ngõ vi sai khuếch đại tín hiệu cách chung (cộng sai) d Triệt nhiễu đồng pha tốt Câu 11 : Mạch khuếch đại ghép cascode thường sử dụng a Mạch khuếch đại tần số thấp b Mạch khuếch đại tần số cao c Mạch khuếch đại tín hiệu d Làm mạch khuếch đại đệm Câu 12 : Mạch khuếch đại ghép cascode đặc điểm sau a Có ngõ vào b Có hai ngõ vào c Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB d Hệ số khuếch đại tầng khuếch đại Câu 13 : Mạch khuếch đại ghép Darlington khơng có đặc điểm a Gồm hai transistor ghép trực tiếp b Có hệ số khuếch đại dịng điện transistor tương đương tích hệ số khuếch đại dòng điện hai transistor thành ph ần c Có hệ số khuếch đại dịng điện transistor tương đương tổng hệ số khuếch đại dòng điện hai transistor thành phần d Có tổng trở vào lớn Câu 14 : Có cách ghép Darlington? a b c d Câu 15 : Mạch hình bên mạch khuếch đại ghép a Darlington b Vi sai c Cascode d a, b, c sai Câu 16 : Tại mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay cho điện trở RE a Ổn định dòng điện cực E b Tăng hệ số khuếch đại dòng điện c Tăng hệ số khuếch đại tín hiệu vi sai d Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung Câu 17 : Tỉ số nén tín hiệu cách chung tính cơng thức: 𝐴 a CMRR= 𝐴𝑉𝐷 𝑉𝐶 𝐴 b CMNRdB= 20.log𝐴𝑉𝐷 c CMRR= 𝐴𝑉𝐶 𝑉𝐶 𝐴𝑉𝐷 d Cả a b VẤN ĐỀ 7: THYRISTOR VÀ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TRỞ Câu : Cấu trúc SCR gồm a Bốn lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ b chuyển tiếp p-n c điện cực d Cả a, b c Câu : SCR linh kiện a Chỉnh lưu b Chỉnh lưu có điều khiển c Khuếch đại d Nghịch lưu Câu : Để mở SCR a Phân cực thuận A K, kích xung dương G b Phân cực thuận A K, kích xung âm G c Phân cực nghịch A K, kích xung dương G d Phân cực nghịch A K, kích xung âm G Câu : Để tắt SCR dùng phương pháp a Ngắt nguồn b Phân cực ngược AK c Giảm dòng qua SCR nhỏ IH d Kích xung âm vào G Câu : Kí hiệu bên kí hiệu a SCS b GTO c SCR d LASCR Câu : Diac linh kiện khơng có đặc điểm a Có hai điện cực b Có lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ c Dẫn điện theo hai chiều điện áp đạt tới VBO hay -VBO d Chỉ dẫn điện theo chiều phân cực thuận Câu : Triac linh kiện có đặc điểm a Có hai điện cực A K b Có ba điện cực A, K G c Có ba điện cực A1, A2 G d Có điện cực A1, A2 GA, GK Câu : Để mở triac a VA1A2> kích xung dương G b VA1A2 >0 kích xung âm G c VA1A2 kích xung