1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn

15 19 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Khảo Sát Đặc Trưng Của Diode Và Transistor Bán Dẫn
Tác giả Họ Và Tên: ………………………………………., MSSV: …………………………………………..
Người hướng dẫn Bộ Môn Kỹ Thuật Hạt Nhân Và Vật Lý Môi Trường
Chuyên ngành Kỹ Thuật Điện Tử
Thể loại Báo cáo thí nghiệm
Định dạng
Số trang 15
Dung lượng 2,53 MB

Nội dung

Phân cực thuận diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi V VD V ID mA RD Ω... Phân cực ngược diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi V VD V ID mA RD Ω... Phân cực thuận diode chỉnh lưu STT Đ

Trang 1

BÀI 1 KHẢO SÁT ĐẶC TRUNG CỦA DIODE VÀ TRANSISTOR BÁN DẪN

Họ và tên: ………

MSSV: ………

I Mục đích thí nghiệm

………

………

………

II Kết quả thí nghiệm

1 Xây dựng đường đặc tuyến của diode chỉnh lưu

a Phân cực thuận

Bảng 1 Phân cực thuận diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi (V) VD (V) ID (mA) RD (Ω)

Trang 2

a Phân cực ngược

Bảng 2 Phân cực ngược diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi (V) VD (V) ID (mA) RD (Ω)

Vẽ đường đặc tuyến V-A

t

U Rt

Trang 3

Nhận xét kết quả thu được

………

………

………

………

………

2 Xây dựng đường đặc tuyến của diode Zener

b Phân cực thuận

Bảng 3 Phân cực thuận diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi (V) VD (V) ID (mA) RD (Ω)

b Phân cực ngược

Bảng 4 Phân cực ngược diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi (V) VD (V) ID (mA) RD (Ω)

Trang 4

6 6

Vẽ đường đặc tuyến V-A

Nhận xét kết quả thu được ………

………

………

………

………

t

U Rt

Trang 5

3 Đặc trưng của transistor

a Xác định hệ số khuếch đại dòng điện của transistor

Bảng 5 Kết quả đo đặc trưng transistor STT Giá trị biến trở (kΩ) IC (mA) IE (mA) IB (µA)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

Vẽ mỗi quan hệ I - IC B

I B

I C

Trang 6

Nhận xét kết quả thu được

………

………

………

………

………

b Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor Bảng 6 Kết quả điểm làm việc tĩnh của transistor Kết quả thực nghiệm Tính toán lý thuyết IC (mA) I (mA) C UCE (V) U (V) CE Nhận xét kết quả thu được ………

………

………

………

………

Trang 7

BÀI 2 KHẢO SÁT SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR

Họ và tên: ………

MSSV: ………

III Mục đích thí nghiệm

………

………

………

IV Kết quả thí nghiệm

1 Sơ đồ khuếch đại E chung

a Xác định hệ số khuếch đại của sơ đồ

Bảng 1 Kết quả điểm làm việc tĩnh của transistor Kết quả thực nghiệm Tính toán lý thuyết

Bảng 2 Kết quả khảo sát sơ đồ khuếch đại E chung

STT Khi không có tụ thoát Ce Khi có tụ thoát Ce Tín hiệu lối

vào (mV) Tín hiệu lối ra (V) Hệ số KĐ Tín hiệu lối vào (mV) lối ra (V) Tín hiệu Hệ số KĐ

Trang 8

Nhận xét sự ảnh hưởng của tụ C tới kết quả thu được, so sánh với kết quả lý thuyết e

………

………

………

………

………

b Xác định băng thông của sơ đồ khuếch đại Bảng 3 Kết quả khảo sát hệ số khuếch đại theo tần số xung vào fin (kHz) Vout (V) K Vẽ mỗi quan hệ K-fin

Nhận xét kết quả thu được ………

………

………

………

………

f in K

Trang 9

2 Sơ đồ khuếch đại C chung

c Xác định hệ số khuếch đại của sơ đồ

Bảng 4 Kết quả khảo sát sơ đồ khuếch đại E chung

STT Tín hiệu lối

vào (mV)

Tín hiệu lối

ra (V)

Hệ số

Hệ số KĐ

lý thuyết

1 100

2 200

3 500

4 1000

5 1500

6 2000

7 2500

8 3000

9 4000

10 5000

Nhận xét kết quả thu được

………

………

………

………

………

d Xác định băng thông của sơ đồ khuếch đại

Bảng 5 Kết quả khảo sát hệ số khuếch đại theo tần số xung vào

fin (kHz)

Vout (V)

K

Trang 10

Vẽ mỗi quan hệ K-fin

Nhận xét kết quả thu được ………

………

………

………

………

f in K

Trang 11

BÀI 2 KHẢO SÁT CÁC SƠ ĐỒ DAO ĐỘNG

Họ và tên: ………

MSSV: ………

I Mục đích thí nghiệm ………

………

………

II Kết quả thí nghiệm 1 Sơ đồ dao động Hartley Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor U (V) BE U (V) V (V) CE C V (V) E Khi chưa gắn biến trở Giá trị biến trở bằng 100kΩ Khi xuất hiện xung ra Vẽ dạng xung tại vị trí B và C

t V

Trang 12

Nhận xét kết quả thu được

………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

2 Sơ đồ dao động RC

Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor

U (V) BE U (V) V (V) CE C V (V) E Khi chưa gắn biến trở

Giá trị biến trở bằng 100kΩ

Khi xuất hiện xung ra

Kết quả khảo sát sơ đồ khi thay đổi giá trị biến trở

STT R (Ω) f Hệ số KĐ Biên độ xung ra Tần số xung ra

Trang 13

Vẽ dạng xung tại vị trí B và C

Nhận xét kết quả thu được ………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

t V

Trang 14

3 Sơ đồ phát xung phi tuyến

a Sơ đồ phát xung cổng NAND

Kết quả khảo sát sơ đồ phát xung cổng NAND

R (kΩ)

SW2

C (pF)

SW3

R (kΩ)

SW4

C (pF)

Tần số xung (lý thuyết)

(Tần số xung (thực nghiệm)

1

2

3

4

5

6

7

8

Nhận xét kết quả thu được

………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

………

Trang 15

b Sơ đồ phát xung NE 555

Kết quả khảo sát sơ đồ phát xung NE 555

STT R (kΩ) C (pF) Tần số xung (lý thuyết)

(Hz)

Tần số xung (thực nghiệm)

(Hz)

Nhận xét kết quả thu được

………

………

………

………

………

Ngày đăng: 11/06/2024, 18:08

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 1. Phân cực thuận diode chỉnh lưu - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 1. Phân cực thuận diode chỉnh lưu (Trang 1)
Bảng 2. Phân cực ngược diode chỉnh lưu - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 2. Phân cực ngược diode chỉnh lưu (Trang 2)
Bảng 3. Phân cực thuận diode chỉnh lưu  STT  Điện áp nguồn nuôi (V)  V D  (V)  I D  (mA)  R D  (Ω) - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 3. Phân cực thuận diode chỉnh lưu STT Điện áp nguồn nuôi (V) V D (V) I D (mA) R D (Ω) (Trang 3)
Bảng 5. Kết quả đo đặc trưng transistor  STT  Giá trị biến trở (kΩ)  I C  (mA)  I E  (mA)  I B  (àA) - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 5. Kết quả đo đặc trưng transistor STT Giá trị biến trở (kΩ) I C (mA) I E (mA) I B (àA) (Trang 5)
Bảng 6. Kết quả điểm làm việc tĩnh của transistor  Kết quả thực nghiệm  Tính toán lý thuyết - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 6. Kết quả điểm làm việc tĩnh của transistor Kết quả thực nghiệm Tính toán lý thuyết (Trang 6)
1. Sơ đồ khuếch đại E chung - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
1. Sơ đồ khuếch đại E chung (Trang 7)
Bảng 3. Kết quả khảo sát hệ số khuếch đại theo tần số xung vào - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 3. Kết quả khảo sát hệ số khuếch đại theo tần số xung vào (Trang 8)
2. Sơ đồ khuếch đại C chung - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
2. Sơ đồ khuếch đại C chung (Trang 9)
Bảng 4. Kết quả khảo sát sơ đồ khuếch đại E chung - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
Bảng 4. Kết quả khảo sát sơ đồ khuếch đại E chung (Trang 9)
1. Sơ đồ dao động Hartley - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
1. Sơ đồ dao động Hartley (Trang 11)
2. Sơ đồ dao động RC - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
2. Sơ đồ dao động RC (Trang 12)
3. Sơ đồ phát xung phi tuyến - báo cáo thí nghiệm kỹ thuật điện tử khảo sát đặc trung của diode và transistor bán dẫn
3. Sơ đồ phát xung phi tuyến (Trang 14)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w