(LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu về vacancy trong vật liệu vô định hình

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRUỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  NGUN THÞ hiỊn NGHI£N CøU vỊ vacancy vËt liƯu vô định hình Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết vËt lý to¸n M· sè : 60.44.01 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Ng-êi h-íng dÉn khoa häc PGS.TSKH Ph¹m khắc hùng Hà nội- 2011 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 MỤC LỤC Trang MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU .4 DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Mục đích, đối tượng phạm vi nghiên cứu .6 Phương pháp nghiên cứu .7 Cấu trúc luận văn CHƢƠNG TỔNG QUAN .8 1.1 Cơ chế khuếch tán kim loại hợp kim vơ định hình .8 1.2 Mô kim loại hợp kim VĐH 11 1.3 Mô chế khuếch tán kim loại hợp kim VĐH .17 CHƢƠNG PHƢƠNG PHÁP TÍNH 21 2.1 Xây dựng mơ hình kim loại Fe VĐH 21 2.1.1 Thế tương tác .21 2.1.2 Mơ hình thống kê hồi phục (TKHP) 25 2.1.4 Xác định đặc trưng vi cấu trúc .28 2.2 Simplex phân tích simplex 34 2.2.1 Định nghĩa simplex 34 2.2.2 Phân tích simplex 35 2.3 Mô chế khuếch tán vacancy-simplex (bong bóng) 36 2.3.1 Định nghĩa bong bóng .36 2.3.2 Cơ chế khuếch tán bong bóng 37 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 39 3.1 Mơ hình Fe VĐH với nhúng 39 3.2 Nghiên cứu chế khuếch tán vacancy Fe VĐH 43 3.2.1 Khảo sát đặc trưng vi cấu trúc mơ hình mơ TKHP ĐLHPT 43 3.2.2 Thống kê simplex Fe VĐH .45 3.2.3 Cơ chế khuếch tán thông qua vacancy-simplex Fe VĐH .51 KẾT LUẬN 56 TÀI LIỆU THAM KHẢO 57 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT DA Nguyên tử khuếch tán (diffusion-atom) ĐLHPT Động lực học phân tử PEP Đường đặc trưng lượng (Propertial energy profile) TKHP Thống kê hồi phục VĐH Vơ định hình VS Vacancy-simplex TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU Bảng 3.1 Vị trí số đỉnh HPBXT Fe mơ hình có mật độ khác mơ hình ĐLHPT Bảng 3.2 Vị trí số đỉnh TSCT có mật độ hạt đơn vị thể tích lượng nguyên tử khác mô hình TKHP Fe VĐH (mơ hình 1, 2, có mật độ khác 82.01, 83.09, 84 mơ hình 4, có lượng -2.3116 eV/nguyên tử, -2.2948 eV/nguyên tử) Bảng 3.3 Số lượng loại simplex tương ứng với mật độ khác nhau, ε lượng nguyên tử, n-simp tổng số simplex mơ hình Bảng 3.4 Phân bố số lượng simplex theo bán kính cầu simplex Bảng 3.5 Số lượng loại simplex theo mức độ hồi phục, ε lượng nguyên tử, n-simp tổng số simplex mơ hình Bảng 3.6 Phân bố số lượng simplex theo bán kính cầu simplex (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1 Cơ chế khuếch tán tập thể hợp kim Ni-Zr VĐH Hình Các loại simplex a) 4- simplex ; b) 5- simplex ; c) –simplex Hình 2.2 Biểu diễn nguyên tử nhảy vào cầu simplex (simplex-vacancy) Hình 3.1 HPBXT mơ hình ĐLHPT so với thực nghiệm Hình 3.2 Hàm phân bố xuyên tâm kim loại Fe VĐH với mật độ phù hợp 77.9 nguyên tử/nm3 Hình 3.3 Hàm phân bố xuyên tâm kim loại Fe VĐH với mật độ 77.9 nguyên tử/nm3 có số ngun tử khác Hình 3.4 Hàm phân bố xuyên tâm TKHP, MD thực nghiệm Hình 3.5 Phân bố 4-,5-, 6-simplex mơ hình 1,2 mơ hình (với mật độ khác nhau) Hình 3.6 Phân bố 4-simplex, 5-simplex 6-simplex mô hình 1,2 (với lượng nguyên tử khác nhau) Hình 3.7 Dạng đường cong đặc trưng nguyên tử lân cận dịch chuyển vào tâm simplex Hình 3.8 Mơ 3D số loại vacancy-simplex tìm thấy mơ hình Fe VĐH Hình 3.9 Sự phụ thuộc rào vào độ dịch chuyển nguyên tử ( chế simp3 simp4) Hình 3.10 Độ cao rào tương ứng với chế simp2, simp3 simp4 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Ngày nay, với phát triển khoa học cơng nghệ đại việc tìm loại vật liệu vô quan trọng Kim loại vô định hình (VĐH) nói riêng vật liệu vơ định hình nói chung có tính chất hóa lý, đặc biệt tính chất từ mền mang lại ứng dụng cao khoa học thực tiễn [11,25,31,34,38] Do đó, vật liệu VĐH đối tượng quan tâm ngành khoa học [8,12] Vì vậy, hiểu rõ cấu trúc vật liệu VĐH bước quan trọng để phát triển hồn thiện cơng nghệ chế tạo vật liệu công nghệ ứng dụng Khuếch tán đóng vai trị quan trọng nhiều trình vật lý xảy vật liệu, đặc biệt vật liệu VĐH Tuy nhiên, chế khuếch tán vật liệu VĐH chưa khảo sát hiểu cách tường tận [12,39-40] Trong vật liệu VĐH không tồn nút mạng, khái niệm vacancy, khuyết tật điểm trở nên khó định nghĩa cách tường minh Hơn nữa, trình khuếch tán diễn chậm dịch chuyển nguyên tử VĐH sinh nhiều hiệu ứng đặc biệt như: hiệu ứng tương quan lượng, tương quan hình học Do đó, để trả lời cho câu hỏi bị bỏ nghỏ cần phải có cơng trình nghiên cứu Do vậy, xuất phát từ vấn đề kể chọn đề tài nghiên cứu “Nghiên cứu vacancy vật liệu VĐH” nhằm nâng cao hiểu biết vật liệu VĐH chế khuếch tán vật liệu VĐH thực nghiệm mô Mục đích, đối tƣợng phạm vi nghiên cứu Mục đích nghiên cứu: + Xây dựng mơ hình sắt (Fe) VĐH phương pháp động lực học phân tử (ĐLHPT) phương pháp thống kê hồi phục (TKHP) + Khảo sát vi cấu trúc chế khuếch tán mơ hình xây dựng Đối tượng nghiên cứu: vật liệu vơ định hình hệ ngun, cụ thể sắt (Fe) VĐH (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 Phƣơng pháp nghiên cứu Luận văn sử dụng phương pháp ĐLHPT phương pháp TKHP Cấu trúc luận văn Luận văn gồm trang chia làm phần: Mở đầu, nội dung kết luận Chương 1: Lý thuyết chế khuếch, mô kim loại hợp kim VĐH, mô chế khuếch tán vật liệu VĐH số cơng trình mơ Chương 2: Trình bày hai phương pháp mô ĐLHPT TKHP, mô chế khuếch tán theo quan điểm simplex va bong bóng vi mơ Chương 3: Kết mơ thảo luận chi tiết kèm theo so sánh thực nghiệm Đây kết trình bày 02 báo cáo Hội nghị Vật lý lý thuyết lần thứ 36 Quy Nhơn (8/2011), Hội nghị Việt Hàn (11/2011) Đại học Bách Khoa Hà Nội “Tracer- diffusion mechanism in amorphous iron”, Nguyễn Thị Thanh Hà, Nguyễn Thị Hiền Phạm Khắc Hùng “The microscopic bubbles for tracer-diffusion in amorphous iron”, Nguyễn Thị Thanh Hà, Nguyễn Thị Hiền Phạm Khắc Hùng Phần cuối phụ lục tài liệu tham khảo (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 CHƢƠNG TỔNG QUAN Hiện nay, mơ q trình vật lý trở thành công cụ nghiên cứu quan trọng, ứng dụng rộng rãi xem nhánh thứ ba đóng vai trò liên kết chặt chẽ hai phương pháp lý thuyết thực nghiệm Các mơ hình ngun tử xây dựng cho phép nhận nhiều thông tin vật liệu, dự báo tính chất vật lý từ hỗ trợ cho q trình cơng nghệ So với phương pháp nghiên cứu thực nghiệm truyền thống, phương pháp mơ có ưu điểm rẻ tiền đòi hỏi thời gian thực ngắn Do vậy, loạt nghiên cứu mô vật liệu vô định hình tiến hành, mở nhiều vấn đề cần tiếp tục nghiên cứu Một vấn để nhận quan tâm nỗ lực nghiên cứu lớn chế khuếch tán vật rắn vơ định hình (VĐH) tính ứng dụng rỗng rãi khoa học đời sống[1,3,7,33,35-36] Trong chương tổng quan, chúng tơi trình bày tổng quan lý thuyết chế khuếch tán xảy vật liệu VĐH, phương pháp mô kim loại hợp kim VĐH, kết nghiên cứu mô chế khuếch tán thông qua kim loại hợp kim VĐH sắt (Fe) 1.1 Cơ chế khuếch tán kim loại hợp kim vơ định hình Khuế ch tán đóng vai trò quan tro ̣ng công nghiê ̣p , công nghê ̣ chế ta ̣o vâ ̣t liê ̣u kế t tinh , thêu dê ̣t, tạo lớp bán dẫn Trong công nghê ̣ ủ nhiê ̣t ủ đồ ng đề u thành phầ n , làm nguội, hóa già, hóa nhiệt luyện Và q trình sử dụng vâ ̣t liê ̣u là oxy hóa, trình dão Cơ chế khuế ch t án vacancy (nút khuyết mạng): Trong tinh thể kim loại hợp kim chế khuếch tán vacancy nghiên cứu từ lâu Quá trình khuếch tán theo chế trao đổi vị tr í nguyên tử nằm nút mạng với vacancy bên cạnh , ̣ số khuế ch tán đươ ̣c tính sẽ tỉ lê ̣ với nồ n g đô ̣ cân bằ ng vacancy Vì thế, trình khuếch tán tinh thể xảy mạnh hay yếu, nhanh hay chậm phụ thuộc chủ yếu vào nồng độ cân vacancy hệ độ linh động chúng Theo nghiên cứu lươ ̣ng kić h hoa ̣t bằ ng tổ ng lươ ̣ng ta ̣o (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 thành “vacancy” và lươ ̣ng dich ̣ chuyể n “vacancy” Đối với vật liệu VĐH khơng có khái niệm nút mạng nên khơng có định nghĩa tường minh vacancy Do đó, vật liệu VĐH có khái niệm chế khuếch tán giả vacancy, “vacancy” VĐH giố ng mô ̣t lỗ trố ng Thực nghiệm nhiễu xạ tia X, electron tìm thấy phân bố bán kính lỗ trống, lỗ trống có liên quan đến dịch chuyển nguyên tử VĐH [1314] Lý thuyết chế khuếch tán giả vacancy dịch chuyển nguyên tử bên cạnh vào lỗ trống (“vacancy”), lỗ trống tạo thành VĐH Quá trình lặp lặp lại lỗ trống không đủ khả tham gia trao đổi vị trí với nguyên tử bên cạnh Công nghệ khoa học quan tâm lớn đến lỗ trống (thể tích tự do) chất rắn VĐH SiO2, Al2O3 FexB100-x [6,19-20,28,39] Rất nhiều liệu thực nghiệm lỗ trống liên quan trực tiếp đến dịch chuyển nguyên tử VĐH, ổn định nhiệt khả hịa tan khí Nghiên cứu hiệu ứng áp suất tĩnh chế khuếch tán cho thấy thể tích kích hoạt gần nguyên tử, điều chứng tỏ chế giả vacancy VĐH thôgn qua lỗ trống Trong VĐH “vacancy” xem lỗ trống có kích thước cỡ bán kính ngun tử Tuy nhiên, chế không mô tả dịch chuyển nguyên tử gần “vacancy” hay vị trí tồn “vacancy” hay “chuẩn vacancy” (quasivacancy) Bên cạnh chế khuếch tán giả vacancy cịn có chế khuếch tán xen kẽ chế tập thể xem xét Hai chế có đóng góp lớn việc giải thích tượng xảy mơ q trình khuếch tán vật liệu VĐH Cơ chế khuếch tán xen kẽ: Cơ chế xen kẽ dịch chuyển nguyên tử khuếch tán thông qua kẽ hở cấu trúc vật liệu Sự dịch chuyển bước nhảy từ vị trí xen kẽ đến vị trí xen kẽ nguyên tử lân cận Do q trình xem khuếch tán chế xen kẽ [9] Trong tinh thể có khái niệm nút khuyết, nên chế xen kẽ xảy dễ dàng khuếch tán có (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 Bảng kết Bảng 3.2 cho thấy, mơ hình 1, 2, 3, 4, có vị trí đỉnh tương đối trùng với đường thực nghiệm Ở vi trí đỉnh thư gần trùng khít, mơ hình có r1 = 3.05 Å hoăc r1 = 3.1 Å thực nghiệm 3.04 Å, có độ cao đỉnh thứ lệch nằm sai số cho phép Cịn vị trí đỉnh cịn lại chêng lệch xoay quanh giá trị thực nghiệm không đáng kể, độ cao đỉnh tương đối Ở tất mơ hình có tượng tách thành hai đỉnh nhỏ đỉnh thứ hai, đỉnh nhỏ bên trái cao đỉnh nhỏ bên phải, điều khẳng định phù hợp mơ hình với thực nghiệm Kết luận: HPBXT TSCT hai mô hình xây dựng hai phương pháp ĐLHPT TKHP trùng khớp với phù hợp với đường thực nghiệm, đỉnh thứ hai chia đôi liên quan đến tồn khối đa diện vật liệu VĐH Từ phân tích chúng tơi khẳng định mơ hình TKHP 20000 ngun tử mà chúng tơi dựng xác, thực tế phù hợp với thực nghiệm Nhưng thấy dựa vào HPBXT TSCT khơng thể phân biệt khác mơ hình Do đó, để khảo sát đặc trưng vi cấu trúc tìm đặc trưng vật lý vật liệu, chúng tơi sử dụng phương pháp phân tích, thống kê simplex nghiên cứu chế khuếch tán mơ hình thơng qua vai trị vacancy-simplex (bubble- bong bóng) Nội dung trình bày chi tiết phần 3.2.2 Thống kê simplex Fe VĐH Thống kê simplex thông số quan trọng đặc trưng cho cấu trúc địa phương vật liệu VĐH Chi tiết phương pháp phân tích tính simplex trình bày chi tiết chương Trong phần đưa kết phân tích kết thu từ mơ hình xây dựng tương ứng với mật độ mức lượng khác 45 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 Bảng 3.3 Số lượng loại simplex tương ứng với mật độ khác nhau, ε lượng nguyên tử, n-simp tổng số simplex mô hình Mơ hình n-simp  (eV) Mật độ -2.3427 82.01 0.900461 0.089836 0.009686 1.66E-05 120375 -2.3339 83.09 0.9001 0.090832 0.00906 8.3E-06 120420 -2.3266 84.00 0.89863 0.090995 0.010333 4.15E-05 120391 -2.3116 85.61 0.901708 0.092008 0.008867 120337 -2.3067 86.12 0.898402 0.091604 0.00997 2.49E-05 120366 -2.2948 87.10 0.897494 0.093162 0.009344 120403 -2.286 87.81 0.896269 0.09197 0.011761 120398 Bảng 3.3 thống kê số lượng loại simplex theo mật độ nguyên tử đơn vị Như thấy, mơ hình với mật độ ban đầu 85.61 ngun tử/nm3 có số lượng 4-simplex, 5-simplex, 6-simplex, 7-simplex 0.901708, 0.092008, 0.0008867, (số lượng trung bình loại simplex/tổng số nguyên tử) Khi mật độ giảm xuống mơ hình 1, 2, (mật độ 84.00, 83.09, 82.01 nguyên tử/nm3) số lượng 4-simplex, 5-simplex giảm, simplex-6 simplex-7 tăng lên đáng kể Đặc biệt, mơ hình 7-simplex khơng tồn tại, mơ hình 1, 2, số 7-simplex xuất Cịn mơ hình 5, 6, với mật độ tăng đến 86.12, 87.10, 87.81 nguyên tử/nm3 số lượng 4-simplex, 5-simplex giảm 6Simplex tăng nhanh Riêng với 7-simplex xuất mơ hình 2.49 × 10-5, với mơ hình 6, có mật độ lớn số 7-simplex 0, tức khơng tồn 7-simplex mơ hình có mật độ lớn Trong bảng 3.4 dễ dàng thấy phân bố bán kính simplex tập trung khoảng 1.5 Å ÷ 1.7 Å Khi tăng mật độ từ mơ hình đến mơ hình số lượng simplex có bán kính 1.4 Å, 1.5 Å tăng nhanh, từ 0÷123 với simplex có bán kính 1.4 Å, bán kính 1.5 Å tăng từ 23186 ÷ 42674 Nhưng số lượng simplex có bán kính từ lớn 1.5 Å giảm nhanh, đặc biệt simplex bán kính lớn Bán kính 1.6 Å có 48684 ÷46691 simplex từ mơ hình đến mơ hình Ở bán kính 1.7 Å số lượng simplex giảm nhanh, mơ hình có 40449 xuống 28637 simplex mơ hình Tương tự cho bán kính lớn khác 1.8 Å 1.9 Å, 2.0 Å giảm nhanh Đặc 46 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 biệt số bán kính 2.0 Å tăng mật độ đến mơ hình cịn simplex Giải thích cho tượng mật độ hạt tăng, tức mơ hình bị nén lại dẫn đến bán kính simplex bi co lại, simplex có bán kính lớn bị phá vỡ Bảng 3.4 Phân bố số lượng simplex theo bán kính cầu simplex Mơ hình  (eV) Mật độ 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 -2.3427 -2.3339 -2.3266 -2.3116 -2.3067 -2.2948 -2.286 0.082011 0.083088 0.084008 0.085605 0.08612 0.087104 0.087807 0 15 54 123 23186 26855 30364 35840 37575 40847 42674 48684 48334 48043 47579 46815 46484 46691 40449 38972 36831 33612 32784 30472 28637 7444 5817 4755 3078 2933 2419 2112 592 431 383 213 235 125 160 20 11 14 Các mơ hình mật độ 85.61 nguyên tử/nm3 tương ứng mức độ hồi phục khác có lượng nguyên tử từ 2.3028 eV; 2.3074 eV -2.3116 eV Phân tích simplex cho thấy: Trong mơ hình tồn lượng lớn loại simplex Số lượng giảm dần theo mức độ hồi phục, hồi phục tốt số lượng loại simplex giảm Đối với mơ hình hồi phục tốt, số lượng simplex nhỏ Bảng 3.5 Số lượng loại simplex theo mức độ hồi phục, ε lượng nguyên tử, n-simp tổng số simplex mơ hình Mơ hình  (eV) n-simp -2.3028 0.899158 0.091159 0.00905 3.31E-05 120668 -2.3074 0.899897 0.091622 0.009018 1.66E-05 120430 -2.3116 0.901708 0.092008 0.008867 120337 Số lượng 4-, 5-simplex tăng dần mơ hình đến mơ hình Ngược lại số 6simplex 7-simplex lại giảm dần Đặc biệt, 7-simplex mơ hình 0, tồn mơ hình 1,2 Ngun nhân n-simplex lớn bị phá vỡ chuyển n-simplex nhỏ Như vậy, số lượng loại simplex phụ thuộc lớn vào mức độ hồi phục 47 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 Bảng 3.6 Phân bố số lượng simplex theo bán kính cầu simplex Mơ hình  (eV) Mật độ 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 -2.3028 0.085605 28 34743 47686 33552 4270 376 13 -2.3074 0.085605 10 35270 47608 33830 3416 201 -2.3116 0.085605 35840 47579 33612 3078 213 Bảng 3.6 cho thấy phân bố phân bố số simplex theo bán kính RS (bán kính simplex) mơ hình xây dựng Phân bố simplex rộng dải 1.4 ÷ 2.0 Å, tập trung khoảng 1.5 Å ÷ 1.7 Å Số simplex bán kính nhỏ 1.8 Å chiếm chủ yếu tất mô hình Tuy nhiên, có lượng đáng kể simplex có bán kính lớn 1.7 Å Số loại simplex giảm nhanh bán kính chúng tăng dần Và số simplex có bán kính lớn 1.7 Å giảm theo mức độ hồi phục mật độ nguyên tử Như vậy, mơ hình hồi phục tốt (3) số lượng simplex có bán kính lớn giảm đáng kể Kết luận: Như vậy, mơ hình ứng với mật độ mức độ hồi phục khác ta thấy tồn lượng lớn loại simplex, số lượng 4-,5simplex chiếm ưu lớn nhất, số 7-simplex nhỏ Đối với mô hình hồi phục tốt, số lượng simplex giảm Cịn với mơ hình có mật độ tăng hay giảm so với mơ hình ban đầu số lượng simplex tăng lên Có thay đổi loại simplex theo bán kính q trình hồi phục tăng giảm mật độ, mơ hình có mức hồi phục tốt mật độ cao số simplex có bán kính lớn giảm đi, simplex có bán kính nhỏ lại tăng lên Ngun nhân mơ hình bị co lại làm vỡ nhũng simplex bán kính lớn chúng trở thành simplex bán kính nhỏ 48 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 50000 30000 600 sè l-ỵng simplex 40000 sè l-ỵng simplex simplex-6(model 1) simplex-6(model 2) simplex-6(model 4) 800 simplex-4(model 1) simplex-4(model 2) simplex-4(model 4) simplex-5(model 1) simplex-5(model 2) simplex-5(model 4) 20000 400 200 10000 0 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.4 2.0 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 B¸n kÝnh, angstron B¸n kÝnh, Angstron a) b) Hình 3.5 Phân bố 4-,5-, 6-simplex mơ hình 1,2 mơ hình (với mật độ khác nhau) Ở Hình 3.5a phân bố 4-simplex 5-simplex ba mơ hình nằm giải rộng từ 1.4 ÷ 2.0 Å Với 4-simplex ba mơ hình, độ cao cực đại nằm bán kính 1.6 Å, có nghĩa phân bố 4-simplex chủ yếu tập trung bán kính 1.6 Å Số lượng 4-simplex giảm nhanh bán kính tăng từ 1.6 ÷ Å Còn 5-simplex số lượng nhỏ 4-simplex nên độ cao cực đại hàm phân bố 5-simplex thấp hơn, phân bố chủ yếu tập trung bán kính 1.7 Å giảm nhanh bán kính tăng từ 1.7 ÷ Å Hầu 4-simplex 5-simplex có bán kính nhỏ nhỏ 1.9 Å, số lượng đáng kể simplex có bán kính nằm giải 1.9 ÷ Å, 5-simplex số lượng simplex có bán kính1.9 ÷ Å nhiều 4simplex, bán kính Å khơng tồn 4-simplex mơ hình Đặc biệt, bán kính 4simplex mơ hình bị co lại so với mơ hình 1, Tương tự, Hình 3.5b phân bố 6-simplex, mơ hình mơ hình 6-simplex chủ yếu tập trung bán kính 1.8 Å, từ bán kính 1.4 ÷ 1.6 Å khơng tồn 6-simplex, số lượng simplex giảm nhanh bán kính tăng từ 1.8 ÷ Å Mơ hình (mật độ lớn 49 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 mơ hình 1, 2) khơng tồn simplex-6 giải bán kính 1.4 ÷ 1.6 Å, phân bố tập trung 6-simplex nằm bán kính 1.7 Å, 6-số simplex giảm nhanh sau vị trí bán kính cực đại 1.7 Å Mơ hình bán kính 6-simplex bị co lại nhiều 700 50000 P h © n b è 4-s i m p l e x (mÉu 1) P h © n b è 4-s i m p l e x (mÉu 2) P h © n b è 5-s i m p l e x (mÉu 1) P h © n b è 5-s i m p l e x (mÉu 2) 40000 Ph©n bè 6-simplex (mÉu 1) Ph©n bè 6-simplex (mÉu 2) 600 Sèl-ỵng simplex sèl-ỵng simplex 500 30000 20000 10000 400 300 200 100 0 1.4 1.6 1.8 1.4 2.0 B ¸ n k Ý n h, A n g s t r o m 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 B ¸ n k Ý n h, A n g s t r o m a) b) Hình 3.6 Phân bố 4-simplex, 5-simplex 6-simplex mô hình 1,2 (với lượng nguyên tử khác nhau) Nhìn Hình 3.6 phân bố simplex nằm khoảng rộng từ bán kính 1.4 ÷ 2.1 Å, đường biểu diễn phân bố 4-simplex 5-simplex hai mơ hình gần trùng khít nhau, điều chứng tỏ số 4-simplex 5-simplex thay đổi không đáng kể hồi phục mơ hình Riêng 6-simplex có thay đổi rõ rệt số lượng simplex Ở hình a) số lượng 4-simplex phân bố tập trung bán kính 1.5 Å giảm nhanh bán kính tăng từ 1.5 ÷ 2.1 Å Với 5-simplex tập trung bán kính 1.6 Å giảm nhanh sau bán kính tăng đến 2.1 Å Hình b) cho thấy phân bố 6-simplex tập trung bán kính 1.8 Å, số 6-simplex mơ hình lớn so với mơ hình Kết luận: Sau khảo sát vi cấu trúc số mơ hình thơng qua thống kê simplex, nhận thấy với n-simplex mà n lớn (ở n số nguyên tử simplex) bán kính simplex lớn Cụ thể, 6-simplex, 7-simplex có bán kính lớn 4-simplex 5-simplex 50 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 Mơ hình hồi phục tốt có tổng số simplex nhỏ mơ hình hồi phục kém, số simplex có bán kính lớn mơ hình nhỏ Cịn mơ hình với mật độ khác số simplex tăng thay đổi mật độ, simplex có bán kính lớn mơ hình mật độ thấp lớn mơ hính có mật độ cao Nhìn chung mơ hình có lượng ngun tử mơ hình có mật độ hạt đơn vị thể tích khác có số lượng giảm bán kính tăng Đặc biệt bán kính lớn số lượng simplex ít, điều ảnh hưởng nhiều đến trình khuếch tán simplex có bán kính lớn khả đóng góp cho trình khuếch tán cao 3.2.3 Cơ chế khuếch tán thông qua vacancy-simplex Fe VĐH Như trình bày chương hai, để khảo sát khả ngyên tử tham gia vào trình khuếch tán xem xét đường đặc trưng lượng (PEP-propertial energy profile) ngun tử mơ hình xây đựng PEP đường biểu diễn lượng nguyên tử dịch vào tâm simplex PEP vài nguyên tử dịch chuyển mơ tả hình 3.7 Đường PEP f cho thấy, tăng tuyến tính theo khoảng cách dịch chuyển, nghĩa nguyên tử dịch chuyển khơng thể nhảy vào tâm simplex độ cao rào lượng Các đường đặc trưng lượng a, b, c, d, e xuất cực đại chúng có dạng giống đường PEP nguyên tử nhảy vào nút khuyết tinh thể Nghĩa là, nguyên tử dịch chuyển nhảy vào tâm simplex chức simplex tương tự kẽ hở khuếch tán (diffusion vehicle) Những simplex gọi vacancy-simplex (VS) a b c d e f N ă n g l - ợ n g,e V -1 -2 -3 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 K h o ¶ n g c¸ c h , a n g s t r o m Hình 3.7 Dạng đường cong đặc trưng nguyên tử lân cận dịch chuyển vào tâm simplex 51 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 Như vậy, chúng tơi tìm số lượng VS ( vacancy-simplex), có bán kính hay số nguyên tử lân cận VS đa dạng phong phú Những VS chứa khoảng lớn thể tích tự đáng kể Chính khoảng trống đóng vai trị quan trọng cho khuếch tán nguyên tử Khoảng trống (thể tích tự do) lớn khuếch tán VĐH dễ dàng Chúng tơi cịn nhận thấy VS khơng tồn riêng biệt mà tạo thành đám VS, đámVS có khoảng trống lớn nhiều so với VS tồn mình, chế hình thành đám VS phụ thuộc mạnh vào vi trí số lượng VS tồn điểm Điều đám VS giúp DA dễ dàng khuếch tán VĐH Sự nhảy vào simplex nguyên tử khuếch tán giống phá vỡ bong bóng Sau có VS hình thành xếp lại cấu trúc VĐH Ngoài chúng tơi cịn thấy số lượng VS đám VS thay đổi mạnh theo mật độ hạt đơn vị thể tích lượng nguyên tử ( mức độ hồi phục) Cụ thể, mơ hình hồi phục tốt mơ hình có mật độ hạt lớn có số VS đám VS nhỏ đáng kể so với mơ hình hồi phục mật độ hạt nhỏ Điều giải thích số simplex bán kính lớn giảm dần theo mức độ hồi phục tăng mật độ hạt mơ hình Dưới mơ 3D số VS tìm thấy mơ hình dựng Hình 3.8 Mơ 3D số loại vacancy-simplex tìm thấy mơ hình Fe VĐH Chúng tiến hành khảo sát khuếch tán Fe VĐH theo ban chế: chế simp2 (một nguyên tử nhảy vào simplex), chế simp3 (một nguyên tử nhảy vào tâm simplex ba nguyên tử dịch đoạn dr theo hướng 52 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 ngược lại), chế simp4 (một nguyên tử nhảy vào tâm simplex tất nguyên tử lân cận simplex dịch đoạn dr theo hướng ngược lại) Ứng với chế simp simp lại khảo sát với độ dịch chuyển nguyên tử dr = dd = 0.1 Å dr = dd = 0.2 Å 0.2 0.1 §é cao rµo thÕ, eV 1.85 1.90 1.95 B¸n kÝnh, angstron 2.00 2.05 2.10 Hình 3.9 Sự phụ thuộc rào vào độ dịch chuyển nguyên tử ( chế simp3 simp4) Hình 3.9 độ cao rào phụ thuộc nhiều vào độ dịch chuyển nguyên tử, với độ dịch chuyển 0.1 Å độ cao rào lớn độ dịch chuyển 0.2 Å Độ cao rào xác định từ DA bắt đầu dịch chuyển cực đại PEP Mặt khác bán kính simplex khác cao rào khác nhau, với bán kính lớn độ cao rào thấp bán kính nhỏ Điều chứng tỏ simplex có bán kính lớn khả ngun tử nhảy vào tâm simplex cao Từ hình vẽ cho thấy chế khuếch tán xảy dễ dàng với độ dịch chuyển nguyên tử 0.2 Å 53 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 simp2 Đ ộ c a o r o t h Õ, eV simp3 simp4 1.85 1.90 1.95 2.00 2.05 2.10 B ¸ n k Ý n h, a n g s t o m Hình 3.10 Độ cao rào tương ứng với chế simp2, simp3 simp4 Nhìn Hình 3.10 chúng tơi thấy với chế khuếch tán khác độ cao rào khác rõ rệt Với chế simp2, độ cao rào lớn bán kính lớn, điều có nghĩa số nguyên tử tham gia khuếch tán chế nguyên tử nhảy vào simplex nhỏ Cơ chế simp3 độ cao rào giảm, ỏ bán kính lớn độ cao giảm nhiều Đến chế simp4 độ cao rào lại tăng lên, tức khả để nguyên tử nhảy vào simplex so với chế simp3 Như chưa tính đến hệ số khuếch tán chúng tơi khẳng định chế simp3 chế có đóng góp chủ yếu trình khuếch tán Một đặc trưng quan trọng trình khuếch tán hệ số khuếch tán, luận văn tơi trình bày chế khuếch tán theo quan điểm vacancy-simplex, vị hệ số khuếch tán xác định theo công thức sau: D S   nvac  f  N atom  d (3.1) Với nva số vacancy-simplex tìm thấy mơ hình Fe VĐH; Natom tổng số ngun tử mơ hình mơ phỏng; f thơng số tương quan hình học nhảy liên tiếp; độ dịch chuyển bình phương trung bình; tần số nguyên tử khuếch tán hoàn thành bước nhảy vào tâm vacancy-simplex xác định bởi: 54 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009   U    S   exp           exp  (3.2) Giả sử exp( S )  1;   K n n i 1 i 1  i    exp( U i ) KT (3.3) Ở đây,  tần số vượt qua (~ 1012s-1 hệ kim loại hợp kim VĐH); T nhiệt độ Kenvin; K số Boltzmann; ∆Ui độ cao rào trung bình Chúng tơi tính hệ số khuếch tán theo cơng thức (3.1) , (3.2) (3.3) ; lấy giá trị 100 Å; nva xác định thông file qua kết chế simp2, simp3 simp4 Từ chúng tơi xác đinh hệ số khuếch tán chế simp2, simp3 simp4 sau: chế simp2 có Ds= ×10-26- 3.31 × 10-24 m2s-1, chế simp3 Ds=4.2 × 10-19 – 9.12 × 10-17 m2s-1, chế simp4, Ds=4.03 × 10-20- 1.23 × 10-17 m2s-1 Trong ba chế thấy chế simp3 có hệ số khuếch tán phù hợp với hệ số khuếch tán tính mẫu hợp kim Fe VĐH Fe40 N40 B20 cỡ 10 -21 m2s-1[2,10,37] hay Fe91 Zr9, Fe78 Si9 B13 cỡ 10 -17−1019 m2s-1 [12-40] Tổng hợp từ kết thu hệ số khuếch tán Hình 3.9 chứng tỏ chế khuếch tán simp3 (một nguyên tử nhảy vào ba nguyên tử nhảy ra) đóng góp chủ yếu trình khuếch tán Và chế xảy mạnh với độ dịch chuyển nguyên tử 0.2 Å, chương hai chúng tơi xét nguyên tử nằm lân cận nhỏ lớn bán kính simplex 0.1 Å Điều phù hợp số lượng 4-simplex chiếm ưu mơ hình 55 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 KẾT LUẬN Bằng việc sử dụng phương pháp ĐLHPT TKHP chúng tơi xây dựng mơ hình kim loại Fe VĐH, từ khảo sát vi cấu trúc thơng qua HPBXT, TSCT, kèm theo phân tích đơn vị, thống kê simplex, VS nghiên cứu chế khuếch tán, xác định hệ số khuếch tán theo chế vacancy-simplex.Qua q trình nghiên cứu chúng tơi rút số kết luận sau: - Khẳng định nhúng nguyên tử phù hợp với mô mơ hình sắt (Fe) VĐH, giải vấn đề tương tác mô vật liệu VĐH Các mơ hình với lượng mật độ khác cho HPBXT TSCT phù hợp tốt với thực nghiệm số cơng trình mơ tác giả khác - Chúng tơi tìm thấy số lượng lớn simplex vacancy-simplex mơ hình VĐH Fe Khảo sát cho thấy phân bố theo bán kính n-simplex chủ yếu tập trung khoảng 1.6 ÷ 1.8 Å, số nguyên tử lân cận lớn bán kính simplex lớn Số lượng giảm trình hồi phục tăng mật độ, tượng giải thích hợp lí mơ hình bị co lại simplex hay VS có bán kính lớn bị phá vỡ trở thành simplex VS có bán kính nhỏ - Đưa chế khuếch tán mới, q trình khếch tán bao gồm: nhảy nguyên tử khuếch tán vào VS dịch chuyển nguyên tử lân cận theo hướng ngược lại Nguyên tử nhảy (nguyên tử khuếch tán) làm vỡ VS giống vỡ bong bóng, VS tạo thành VĐH xếp lại cấu trúc mơ hình Độ cao rào thế, hệ số khuếch tán xác định phù hợp với quan sát thực nghiệm số kim loại VĐH thực 56 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] B Sasa, T Keménya, J Tótha and F.I.B Williams†, a, “Scattering mechanisms and transport properties of iron-transition metal-boron amorphous alloys”, Materials Science and Engineering,Volume 99, Issues 1-2, March 1988, Pages 223-225 [2] Calm R W, Evetts J E, Patterson J, Somekh R E and Kenway Jackson C 1980 J Mater Sci 15 702 [3] D K Belashchenko (1985), “Structure of liquid and amorphous metals”, Mosscow, Metalurgy 185 [4] D Leon et al (1997), “Evidence for two-level states and cooperative atomic jumps in a computer model of amorphous Ni81B19”, Materials Science and Engineering A226-228, 296-300 [5] D S Boudreaux, J M Gregor (1977), J App Phys 48, 152-158, 5057-5061 [6] F Machizaud, F.A Kuhnast, J Flechon, J Non-Cryst Solids 68 (1984) 271 [7] F Molnár Jr.a, T.Szakálya, R Mészárosa, I.Lagzia,b,*, “Air pollution modelling using a Graphics Processing Unit with CUDA”, Computer Physics Communications 181 (2010) 105–112 [8] H Kromuller (1983), “Theory of magnetic affter – effect in ferromagnetic amorphous alloys”, Phil Mag 48, 127-150 [9] Helmut, “Diffusion in Solids”, springer Series in Solid state Science 155 [10] Horvath J and Mehrer H 1986 Cryst Latt Deft Amorph Mater 13 [11] J E Sadoc, J Dixmier, Aguinier (1973), J Non – Crystalline solids 12, 46 [12] J Horvath, J Ott, K Pfahler, W Ulfert, Mater Sci Eng., 409 (1988) [13] J.F Shackelford, J Non-Cryst Solids 253 (1999) 231 [14] K Maruyama, H Endo, H Hoshino, Y Kawakita, S Kohara, M Itou, J Phys Conf Ser 98 (2008) 012019 [15] K Ratzke, A Heesemann, F Faupel (1995), “Pressure and mass dependence of diffusion in metallic glasses”, J Phys Condens Matter 7, 7663 [16] K Ratzke, F Faupel (1995), “Pressure dependence of cobalt diffusion in amorphous Fe39Ni40B21”, Journal of Non-Crystalline Solids 181, 261-265 57 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh Nguyễn Thị Hiền Cao học Vật lý 2009 [17] L K Hoang et al (2001), “Parallel simulation of microstructure of the liquid”, Proceeding of scientific conference Hanoi university of technology 19, 72-78 [18] L Koči ,A B Belonoshko, and R Ahuja, Molecular dynamics study of liquid iron under high pressure and high temperature, Physical review B 73, 224113 (2006) [19] Liu Rang-Su, Mater Sci Eng 100 (1988) L1 [20] M Aykol, A.O Mekhrabov, M.V Akdeniz, Acta Mater 57 (2009) 171 [21] P A Duine, S K Wonnell and J Sietsma (1994), “A study the pressure dependence of the diffusion of Au in amorphous Pd40Ni40P20”, Mat Sci Eng Al79/A180, 270 [22] P K Hung and P.H Kien, “New model for tracer-difusion in amorphous solid”, Eur Phys.J.B (2010) [23] P K Hung*, L T Vinh, P H Kien, “About the diffusion mechanism in amorphous alloys”, Journal of Non-Crystalline Solids, 2010 [24] P K Hung, D K Belashchenko, V M Chieu, N T Duong, V V Hoang and T B Van (1999), “Local structure of amorphous canonical systems”, Journal of metastable and nanocystalline material 2-6, 393 [25] P K Hung, H V Hue, L T Vinh (2006), “Simulation study of pores and pore cluster in amorphous alloys Co100-xBx and Fe100-yPy”, J Non-Cryst Sol 352, 3332-3338 [26] P K Leung, J G Wright (1974), “Structural investigions of amorphous transition element films”, Phil Mag 1, 995-1008 [27] P K Leung, J G Wright (1974), “Structural investigions of amorphous transition element films”, Phil Mag 30, 185-194 [28] P Lamparter, S Steeb (1995), “Structure of amorphous Al2O3”, Physsical B 234, 405-406 [29] P.H Gaskell, J Non-Cryst Solids 32 (1979) 207 [30] R A Johnson (1989), :Alloy models with the embedded atom method”, Phys Rev B 39, 12554-12559 [31] R Yamamoto, H Matsuoka, M Doyama (1977), J Phys V.F 7, 243-246 [32] S K Sharma, M P Macht and V Naundorf (1993), “Some correlations observed for diffusion in amorphous Ti60Ni40 and Fe40Ni40B20 alloys”, Journal of Non-Crystalline Solids 156, 437-440 58 (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh (LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh(LUAN.van.THAC.si).nghien.cuu.ve.vacancy.trong.vat.lieu.vo.dinh.hinh