Sơ đồ tự phân cực sẽ loại trừ yêu cầu 2 nguồn 1 chiều Điện áp điều khiển Uas bây giờ được xác định bởi điện áp đặt trên điện trở R¿ đưa vào cực S như ở hình 1.90
Ở chế độ tinh (1 chiều), tụ điện có thể thay thé bằng hở mạch và điện trở Rạ được ngắn mạch vì lạ¿= 0A Kết quả ta có sơ đồ tương đương như hình 1.91
Dòngchạy qua R; là dòng l¿ nhưng Is= I; nên; Urs = Rs
Chọn chiều của vòng như hình 1.91, ta có: Ugs-Ups= 0 hay Uss = - Ure Suy ra phương trình tai tinh:
Ucs = -IpRs (2.10)
Lưu ý ở đây Ugs 1a ham ca dong dién ra 1p va khong c6 dinh nhu so dé phan cuc cé dinh
Tù (2.//)), thay vào phương trình Shockley ta cé:
Ty = Ings 1- Ups /Up ¥ = Ings f1- CIpRs/Up Ỷ
=>lạ =_ lw(l+ I,RyU; }
Trang 2KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ
Nối 2 điểm này sẽ được đường tải tĩnh Giao điểm của đường này với đường cong đặc trưng của linh kiện- đường đặc tuyến tĩnh, chính là điểm làm việc tĩnh
Miic Ups có thể được xác định bởi định luật Kirchoff: Urs + Ups + Uppy ~ Upp= OV
va Urs =IsRs Urn=IpRp In=Is
> Ups =Upp-Ip (Rs + Rp) (2.11)
> Us =IpRs (2.12)
U, =0V (2.13)
Up = Ups + Us = Upp — Urn (2.14)
Vi du 13: Cho các giá trị biểu diễn ở hinh 1.93 Tinh: Ugs, Inq Ups: Us, Ug Up 1)=8MA,Ugg=-8V Giai: Dima) Lo 6 — 4 2 U¿s=0V, Ip=0mA Uss(V) 2 Hình 1.94: Cách tính dùng đồ thị Ta có:
Ugs= -IpRs (phương trình đường tải tĩnh)
Chọn Iy= 4mA —= Uạ =(- 4mA) (KO) =- 4V
Ta vẽ được đường tải tĩnh như hình 1.94
Với phương trình Shockley (phương trình đặc tuyến tĩnh (hình 1.101) Giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến tĩnh là điểm làm việc tinh Q, toa độ của điểm này là: Ugsg= -2,6V,Io= 2,6 mA,
Ups = Upp-Ip (Rs +Rp)
Trang 3abo! mA) Iy(mA) 8v) 4 | 2 0x4) Ị To” 6 3! Uy Up2 Hình 1.95: Cách tính dùng đồ thị Hình 1.96: Xúc định diểm O = 20V- (2,6 mA ) (IKQ + 3,3KQ) =8.82VU, =l,R, =(2,6mA).(IKO ) Uy = Uy tly = 8.82 V 42.6 V= 11,42V
1.4.3 So do phan cuc phan ap:
Ở sơ đồ phân cực phân ấp đối với transistor FET (hành 1.97), các linh kiên
Hinh 1.97: Mach phan cue phan ap Hình I.98: Sơ đồ tương đương
Trang 4KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ
lý của sơ đó chúng Emiter đối với BỊT lại ảnh hướng đến cả dòng và áp ở đầu vào và đầu ra của mạch
Đồng Ty trong xơ đỏ phản cực phân áp đối với BỊT chính là đại lượng liên kết giữa ngõ vào và ngõ ra, còn đối với LIET thì vai trò này lại là Duy Ở chế độ tĩnh ta có sơ đó tương đương nhu hinht.98
Khi lụ¿ = 0A thì lặ¡= lạ; và điện áp chính là điện ấp dat trên R;: Ril yy, Ui, = eee Ri +R, (2.14) Ug -Ues-Uny= 0 ma Uy = [JÑy = T)R, > Ves = Uú- lạRy (2.16) Phuong trinh (2.16) chính là phương trình đường Lams tải tữnh.biểu điễn mối quan Tuy hệ giữa Ú,„ và l¡; nó cũng là một đường thắng Để xác định đường thải @ nay trên 5 nầy tre 200 yet, Ry đặc tuyển truyền đạt tì công xác định 2 điểm như hình 1.99 Giao điểm của đường tải nh AMAL =U! ———, —< + * tụ 4h, Hình 1.99: Xúc dịnh điềm lắm view với đặc tuyến tĩnh (đặc tuyến truyén dat)
chính là điểm làm việc tĩnh Q các giá trị tĩnh tương ứng của nó là l¿, và Du, Khi các giá trị này được xác định thì tạ có:
Ujs= Uno- ly (Rp + Ry) (2.19) Uy = Upp- IpRo (2.20) Us = IpRs (2.21) LH tee Upp ARR» (2.22) Ví dụ 2.3: Cho sơ đồ hình 2.17, tính: lpg va Vase: b)U, : Us: HU ys gs Giai:
a) DOi voi dac tuyén truyén đạt
Nếu ly = Ings/4 = 8mAH = 2mA thi Ups = b)p/2 = -2V
Trang 5Ta vẽ được đặc tuyến này như hình 1.101 Ta có: ¿= R;Uu,/(R,+R;) = (270 KO)(16V)/2.1IMO+0.27MO) =1.28V Ugs = Us — IpRg = 1.28V ~ 1, 5KQ) +16V | Iptm.\) abe t s Ỉ 270K | — t > Uagoe = bSY { lọ U e182 soy — (ly=0mA)
Hình 1.100: Sơ do cho ví dụ 14 Hình 1.101: Minh hoa cho vi du
Khi l, = OmA: Ucgs = +1.28V
Khi Ugs = OV: I) = 1.28/15 = 1.21 mA
Ta xae dinh duge duong tai tinh nhu hinh 1.101va diém lam viéc tinh c6 gia tri: Ing = 2.4mA_ Ugsy = -1.8V
b) Uy = Upp- IpRp = 16 - 2.4.2.4 = 10.24V c) Us =1)Ro = (2.4mA).(1.5kQ) = 3,.6V
d) Ups = Upy — Ip(RytRs) = 16 — 2.4 (2.4 +1,5) = 6.64V €) Ung = Up-Ug = 10.24 — 1,82 = 8.42V
1.4.3.5 Cac loai MOSFET kénh dat san:
Đặc tuyến truyền đạt của các loại MOSEFET kênh đặt sản cũng tương tự như đối với JFET nên ở chế độ tĩnh các phân tích cũng tương tự Chỉ khác là đối với đặc tuyến truyền đạt, khi Ứ¿¿> 0 thì l¡, vượt quá giá trị bão hoà
Trang 6KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỪ 100A) ‘ Ñ sv Ị Ị ¬ ro | 2 Sisko 6 fa MQ $ ! too +, na, A S£ » Ing=ä.lm « =| |s Uy = 23 $ ƯỜNG wus ko L Tt ¬ “lt ay 2 I U ‘ Vey a my Logg O84 Hình 1.102: Sơ đã cho ví dụ Huth 1.10359 ae oven tinh va 25 cách xúc định dis Q Vi du 15: Cho so a6 phan cue cla MOSFET kénh N dat sẵn với các giá trị như hinh 1.102 Tinh: a fy va Ups b Ups Giai: a, Dé vé dac tuyến truyền dẫn tì xác định điểm: hy = 1„4= 6mA/+= 1.5 mA Ugs = Up/2 =-3V/2 = -1.5V Tạ cần xác định điểm nữa khi Ugg > 0 cho Ugg= LV =>lý = lu„(1- Ces Up y = 6mA [†- (+IV)4-3V)J = 10.67 mA
Tạ xác định được đặc tuyến truyền đạt như đình 7.193 Ấp dụng các công thức tương tự như JIFẾT tạ có:
A£ 7 -
Tu cong thite (2.15): Uy = 194/618! z = l5
1041/2 + 1101/0
Tu cong thuty (2.16): Ugs = Ug- IpRy = 1.5 — 15.750 I, =OmA > Loe = Ups LSVv
Ugs= OV 1,= Ug/Rs = 1.5/750 =2 mA
Từ đó ta xác định được đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh: =3 mA,
Trang 7bố Ủy = Unp— Ip (Rpt Rg) = 18 V- (3,1mA)(1.8kQ.750Q) x 10.1 V Ví âm 16: nhất ví dụ LŠ nhưng với Rs =150.Q
Giai:
a Phương trình đường tải tĩnh: ỨG@y= Ủ@- IpRš = 1.5 V- Tp (1500) Cho lj=0mA = U@¿y= 1.5 V
Ugs =0V = Ip= Ug/Ry = 1.5/150 = 10 mA
Ta vé duoe dudng tai tinh nhu hinh 1.103 chi ý ở đây điểm làm việc tĩnh với dòng cực máng đã vượt quá le
Ing= 7.6mA + Ugsg= +0.35 V b Ups = Upp- Ip (Ry + Rs)
= I8V-(7,6mA) (1.8kQ +1500) = 3,18V 1.4.3.6 Cac loai MOSFET kénh cam ung:
Đặc tuyến truyền đạt của các loại MOSEET kênh cảm ứng thì hầu hết đều khác với JFET và MOSEET kênh đặt sẵn
Đầu tiên cần nhắc lại rằng đối với MOSEET kênh N thì dòng l„= 0 Khi Ugs < Ủq¿s„„ (điện áp ngưỡng- Threshold)
Khi Ugs > Ussern) thi [y= kK(Ugs- Ves erm)? (1.23)
Khi đã xác định được rõ điện áp ngưỡng và Ï mức của dòng cực máng (l„„„,) và ỨGs,„„, tương ứng thì ta sẽ xác định được hệ số k: 1 Phản cực bằng hồi tiếp: Uy, ® Gy | h QR Ry : Ry = —] D AANA —— b —+ h | + ee €, gal c al - .Ñ —#dR 1 G ` = : Was 1 `
Hình 1.104 (Phản cực hỏi tiếp cho th 1.105: Sơ đồ tương
Trang 8KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ
Một cách phân cực cho MOSFET kênh cảm ứng như hình1.104 Ở chế độ tĩnh, khi Ig=0mA va Up = OV ta vẽ lại sơ đồ như hình 105
Một sự kết nối giữa cực D và G sẽ được tạo ra, kết quả là Up= Ug va Ups = Uses (1.24)
Ở dau ra: Ups = Upp - IsRp
=> U@s = Upp — IpRp (1.25)
Trang 91, 2„=10V, Iy=L1,76mA 10 10 Voss Liêu .——— j 1 ' ! lyy=2.75 1 yo =P -2 1 i Lode 6V, Iy=2.L6mA ! LÍ Li d 3 6 8 ol 2 6 8 l2 bes
Laser Casio Lusg=64¥
Hình 1.198:Xáe định đặc tuyển Hình 1.109: Xác định điểm làm
truyền dan vie
* Cho Ugs= 10V ( >Ugs em) Ip = 0.24 x 103 (OV - 3V) = 11.76 mA * Đường tải tĩnh: Ủ&s = Upp- EpRp = 12V- Ip(2k©) Ứœ = Upp= 12V ly = Upp/Rp = 12V/2KQ = 6mMA | Ugy = OV I= uma
Ta vẽ được đường tải nh đường tải này cát đặc tính truyền đạt tại điểm Q chính
là điểm làm việc tĩnh (hình I.109).với:
Thg = 2.75 MA Ugsy = 6.4V = Uqse
2 Phản cục bằng điện áp phản áp: (hình 1.110) Với lạ= 0 mA ta có:
®; Tu
Us = G Re Rs oo" (1.26) 1.26
Ucs = Uc- InRs
=> Ugs = Ug- IpRs (1.27)
Ups = Upp—Ups- Urn
Trang 10KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ 40V Hình rio So do Hình 1.111: Sơ do phản cực phân áp cho ví dụ I7 => Ups = Upp- Ip (RgtRp) (1.28) Vi du 17: Tinh Ing, Ugsg Va Ups với các số liệu 6 hinh L111 Giải Uy= Ue = gv RR, = Ug- IpRy = 18 ~ Ip (0.82kQ) Khi lp = 0 mA = Uge = 18V Khi Ugg = OV => Ip = 18/0,82 = 21,95 mA =>Vẽ được đường tải tĩnh như hình 1.1114
Trang 11= 012 x Loe ASP
IpSK UGS User) = O12 * LO (Ue 5 F
=2 Ta về được đặc tuyến đạt như ñình 1.1114
Giao của đặc tuyến với đường tái tĩnh chính là điểm làm việc tĩnh Q với: Ing ® 6.7 MA Ussy = 12.5V
Uns = Upp = Iy(RytRy)
= 40V —(6,7 mA) (0,82kQ +3,0kQ) = 144V
1.4.3.7 CÁC LOẠI FET KENH P:
Ở các phản trên tà mới chỉ xét sự phân cực cho các loại JFET kênh N Đối với các loại FẾT Kênh P thì đặc tuyến truyền đạt sẽ nằm đối xứng sơ với loại Kênh N qua trục l¡ như hình £,112
Trang 12KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ è tạ ot $ R: < R, | in = tụ Hinh 1.112b) om $ : R, —+ Co» Ussern: Hình L.£120) Vi du 18: Tinh Ing, Ugs d6i voi JFET cho 6 hink 1.113 Giai: Ug = [20kQ (-20V)] /[20kQ + 68kQ) = -4,55V C6 Ups = Ug t IpRs - Chon I) = O mA = Ugs = Up = -4,55V Ugs = OV = Ip = -Ug/Ry = -4.55/1,8 kKQ =2,53 mA Kết quả ta vẽ được dường tái tính như ñành 1.114
Từ đó ta xác định được toa độ điểm làm việc tĩnh;
Ing= 3.4 mA Uesg = 1.4 V
Theo Kirchoff: -IpRg + Ups — IpRp + Upp = 0 = Uns =-Upp + Ip( Rut Rs)
Trang 13= -20V + (3.4 mA)(2.7kQ + 18kOQ) ATV — —w# 2 - 20% O8kQ tu Tuy, Fa 6+ tụ ở — t bs i 20kO 8 t 4h 18kOQ - 0 ' + Ả Hình 1.119:lình mình hoa ví dụ 2À Hình 1.120: Xác dụth diêm Q 1.5 Phan tich ché do tin hiệu nhỏ dùng FET 1.5.1 Gidi thiéu:
Khuếch đại dùng FET có độ lợi điện áp tốt với đặc trưng trở kháng đầu vào cao Chúng cũng được sử dung trong các sơ đồ có tiêu hao năng lượng thấp với giải tần số thích hợp và kích thước trọng lượng nhó Cả hai loại JFET và MOSEFLET kénh dat san đều được thiết kế để dàng với độ lợi điện áp như vậy, Tuy nhiên mạch dùng MOSFET kênh đặt sẵn thường có trở kháng vào cao hơn so với sơ đồ sử dung JFET tương ứng
Trong khí ở BJT dòng điện đầu ra (dòng collector) được điều khiển bằng một dòng điện ở đầu vào (dòng base) thì ở FẾT dòng điện đầu ra (dòng cực máng) lại được điều khiến bằng điện áp ở đầu vào (điện áp cổng) Nói chung BỊT là một linh kiện được điều khiến bằng một đồng điện và EET là linh kiện được điều khiển bằng điện áp Ở cá hai trường hợp chú ý rằng dòng điện là đại lượng biến thiên được điều khiến Do FET có đặc trưng đầu vào lớn nên các sơ đồ tương đương của nó ớ chế độ xoay chiều đù sao cũng đơn giản hơn so với BỊT
Trong khi hệ số đặc trưng cho chế độ khuéch dai cla BJT la B thi 6 FET là độ hỗ dân g,,
FET có thể được sử dụng như một bộ khuếch đại tuyến tính hoặc một linh kiện số trong các mạch logic Thực tế MOSFET kênh cảm ứng xuất hiện khá phổ
Trang 14KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ biến trong các mạch số đặc biệt là trong các mạch CMOS yêu cầu lượng tiêu thụ nắng lượng rất thấp
Cũng như BỊT các thông số đặc trưng cho sự khuếch đại của FIÝT được phân tích trong chương này bao gdm độ lợi (hệ số khuếch đại) điện áp trở kháng vào và trở kháng ra
1.5.2 Mỏ hình của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ :
Trong chế độ tín hiệu nhỏ, một tính chất của FET được ứng dụng là dùng điện áp dat giữa cực công và cực nguồn để điểu khiển dòng điện chạy từ cực máng vẻ cực nguồn (dòng điện trong kênh dân )
Ta đã biết rằng ở chế độ tnh điện áp Uy điều khiển đồng một chiều lị, thông qua quan hệ được biểu diễn theo phuong tinh Shockley: l=lu»(1-U¿v/VU¿)° <l.26> Khi thay đổi điện áp Uạs làm thay đổi dòng cực máng l¡„ sự thay đổi này được đặc trưng bởi độ hỗ dẫn g„: 2n=Al AU Es <1.27> 1.5.2.1 Cách xác định g„ bằng phương pháp hình học: (hình 1.115)
Xét đặc tuyến truyền đạt trên bình 1.121 ta thay rang g., chính là độ dốc của đặc tuyến tại
điểm làm việc Đó là: ty
&m =m = Ay/Ax = Aly /AUgs <1.28> Hình 1.115: Xác định gạ„ nhờ đặc tuyến traven dat
Trên đường cong đặc tuyến truyền đạt, rõ ràng là độ đốc của nó (chính là g„) tảng lên khi điểm làm việc thay đối từ điểm Uy đến I„;; hay nói theo cách khác, khi Ugs tang dan dén OV thi độ lớn của g„ cũng tăng lên
Ví dụ 19: Xúc dink g,, cia mot JFET voi Ips =8mA va Up = - 4V tại cúc diểm phản cực:
ap Uses = - OSV
Trang 15a) ics - 7S)
BJ tu = 25 Giữi :
Trước tiên tá phải về đặc tuyến truyền đạt của JFET, phương trình của đặc tuyến là: hy = Inset LLP? hay: T;= ÑmA(1-U ¿(1V (hình I.116) 1=ä mAÁI TT TS { đụ, äL~0,5 V, Tà xác định được 3 điểm trên đặc tuyển ứng với V¿¿ = - 05V , - L5V và - 2,5V, Wg SAL /AU =? 1mA/0.6V=3.5ms bj g,=1.8mA/0.7V= +) 8, =l.3mA/10V=l.5ms 3.57ms lov Minh 1.122: Nae dink g,, cho ve du 9 1.5.2.2 Tính g„ bằng biểu thúc toán học:
Phương pháp dùng đạc tuyển truyền đạt để xác định g, có ưu điểm là trực quan, đơn giản nhưng thường cho giá trị không chính xác một cách tuyệt đối Vì VẬY HgưỜI ta có thể xác định ø„ từ các biểu thức toán học dưa vào tính chất: + hàn tại một diem chính là dé doc (he sở góc] của tiếp thuyền tại điềm đó _ẠI, | dhy | - XU lo des le Wes dl, Tass(1-Ugs/Up) = Bays H-Upy Up] [dds -1/Up.dUgydugs] Tass Ges :—] l—— <1.29> lu, | U; ` 1 at z + ` R
O day up| biết thị giá trị của g„ là liõn đương
Từ Cóng thức 1.29 ta thay g,, dat giá trị max tai Ugs=OV Khi dé :
Trang 16KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ Sin = u, " <1.30> Gid wi g,.,, biu thi gid tng, tai diém c6 Ul = OV Ta co: 9 8m =m Lad Up) <1.31>
Vi da 20: Cho JEET 06 dae ten truyền dạt như ví dụ 19 a) Tim gid of man cid đụ,
bị Tính g,, tat cde điểm trong ví dụ 19, vò xánh kết qua Giải:
2/,
a) Bao = Le = 2(ŠmAHlA\ `) = dans
Ă€) Ti Ly = {025V g=4mnfEx(<l.SV S4”) = 2 Sã{(xo với 257019) Ups - 23V 2 gu= 4ngs(-(-2.5V)J0<4A21=L.Xnsfxo với | Sms) 1.5.2.3 Ảnh hướng của lạ tối g„:
Mới quan hệ toán học giữa g„ và đồng phản cực tĩnh lL„, sẽ được xác định từ phương trình Shockley và được viết dưới dang sau :
[U/l p = vi, Tage <l.32>
Soy = Si UG SUD) = Say Ls Fans < 1.33>
Tủ sẽ dùng 3.7 để xác định g„, ở một số giá trị đặc biệt của lj; +)neu l=lz» Em Emi o =o +)nếu l=liyJ2: — g„= g,/v2 = 0.707 g g mt) tyncul yal gu= gu2 = Ôi gu 1.5.2.4 Trở kháng vào Z, của È
Trở kháng vào của EET là rất lớn và có thể coi gần đúng nó là trở Kháng ở cửa vào của một hơ mạch
Z@ET=z@ <l.34>
Trang 171.5.2 ở kháng ra lim.)
Tro khang ra cua FET thường được biểu diễn với tham
số đặc trưng là hôn hợp ra vụ (o là biểu thị đầu ra output, s biểu thị lấy ra ở cực nguồn) đơn vị của vụ thường là ttS Z4ŒET) = tạ = Ủy, Tro kháng ra được <1.35> os tc định Hình 1.117:Xác định trỏ kháng ra tren đạc tuyển hinh 7.117, nó chính là
độ đốc của đặc tuyến so với đường năm ngàng tại điểm làm việc đặc tuyến càng nằm ngang thì trở kháng ra càng lớn Ta có:
AU DS
tạ = AM, | Ugy= constant <l.36>
Điện trở máng rạ biếu thị sự anh hưởng của điện áp cực máng Ủy tới dòng điện cực máng Ij khi điện áp trên cực công không đổi Như vậy, điện trở máng rạ chính là trở kháng ra của FET ở chế độ xoay chiều trên cực máng
Hình [ 118: Sơ đồ tương đương
1.52.6 Mạch tương đương của FET ở chế độ xoay chiều : (hinh 1.118)
Trang 18KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ Trong những trường hợp khi rạ không được nhắc đến (giá sử đủ lớn tương ứng với hở mạch) thì sơ đồ tương đương sẽ đơn giản là một nguồn dòng mà độ lớn của nó được điều khiển bảng điện áp Ủy và tham số 8ạ,
1.5.3 Sơ đồ phản cực cố định của JFET : von Rog c, l— U, — ee t | a | 3 : etc fh Fs Rk ¬ Sh + | ttm L — | Hinh 1.121; Tinh Z,
Hinh 1.119: So do phan cuc co dinh cho
Sơ đồ phân cực cố định đối với JFET được biểu diễn trên hình 1.125 sơ đồ tương đương hình 1.119
Khi các giá trị ø„ và rạ được xác định từ sự phân cực thì mạch thay thế tương đương với ngắn mạch vì điện kháng Xe =1/(2IIfC)là rất nhỏ so với các trở kháng khác cua mach, đồng thời các nguồn một chiều Ugg va Uppy déu duoe dat 6 gia tri
Hinh 1.120: So do tong duong ctia mach hinh LLY
OV bằng ngắn mạch tương ứng Chiều phân cực của Ứ@¿ xác định chiều của nguồn dong g,,Ugs, néu Ugs là âm thì chiều của nguén dong là chiều ngược lại Tín hiệu vào ký hiệu là U, và tín hiệu ra đạt trên rạ ký hiệu làU,
+) Z,: hinh I.126 đã chỉ rõ rằng: Zy=Re <1.37>
Trang 19+)Z„: cho U, =0V như định nghĩa của Z„ sẽ cho Ugs= OV
Ket qua 1a: g,,Ugs =OmA , do đó nguồn dòng có thể được thay thế bằng một
hở mạch tương đương như hinh 1.121 + — + —U, *U Uy ^4 Ry ⁄“ - | - Hinh 1.131: Vé lai hinh 1.130 Trở kháng ra khi này sẽ là : Z4 =RWm, <l.38> Nếu r,> I0RÑ,=> rạ„/R› x Rụ khi đó : 2= Rp <1.39> +) Ky: U, = - gUes(t//Rp) mà Ugs = U, = U,=-g,U//R,) = K=U,/U,=-g„r//Rj,) <l1.40> Néu ry210Rp: K,=U/U,= - g,Rp <1.41> Giá trị âm của biểu thức A, chỉ rõ rằng điện áp vào và ra lệch pha nhau 180"
Trang 20KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ 1.5.4 Sơ đô tự phân cực JEET : oe : ' *) Trường hợp có mắc tụ Cs: (hinh 1.23) | : Sơ đồ phân cực cố định có bất lợi là cần phải có hai nguồn cung cấp một chiều để thiết : $ lập điểm làm việc mong muốn Tụ C; sẽ làm 2 Ry! ¿ " , “9 Cy
ngăn mạch ở chế độ một chiều, cho phép Rs R, ;
ác định điểm làm việc Ở chế độ xoay chiều, + — Ì
á S LẠ 3 TA s Hình 1.124: Sơ đỏ tự phải (c JFET
tụ coi như ngắn mạch và kết qua 1a ngan mach Rg „ OPN
Mạch tương duong JFET duoc thiét lap nhu hinh 1.124 va duoc vé lai chi tiết ở hinh 1.125
Vì sơ đồ tương đương có dạng như hình 1.125 nên các công thức của Z„ Z„ và K,„ cũng tương tự +) Z 2Z22E=RG <1.42> +) Z4 Z,=t//R› <1.43> nếu rạ >I0R› thì : Z, ® Rp <1.44> +) Ky: K, = - &n(td//Rp) <1.45> nếu rạ >I0R,, : K,= -g„Rb <1.46>
Dấu âm của biểu thức K, chi ra rang tin hiéu vao U, va tin hiệu ra U, lệch pha nhau 180”
*) Néu khong mac tu Cg: Nếu bỏ tụ Cy ở hình 1.123 thì điện trở R„ sẽ là một phần của mạch hình 1.126 Hình 1.124: Sơ đồ thay thế tương đương hình 1.139 Trong trường hợp này, để xác định Z, , Z,
và K„, một cách đơn giản nhất với chú ý về sự
Trang 21Trong trường hợp này, để xác định Z„„Z„„ và K„„ một cách đơn giản nhất với chú ý về sự phân cực và chiều của chúng, trước tiên rạ sẽ được bỏ qua để hình thành một trường hợp cơ bản để phân tích
+) Z, : dựa vào điều kiện hở mạch giữa cực G và mạch đầu ra thì đầu vào còn lại như sau Z,= Ze <1.47> +) Z„: trở kháng ra Z=U/U, lU,=0V
Hình 1.125: Sơ đồ tương dương khi không có tụ C¿
Với Uy=0V ở hình 1.126 thì cực G coi như được nối dat (OV) dién ap trén Rg sé là 0V và R¿ coi như được ngắn mạch Ta có: l,+lp=gmUÙs Voi Ugs= -U+h))Rs => IL+lj=-g„(IL#+l,)Rs = -g„LRs - g„l; R; hay: L(1+gmR;)= -Ip(l+gmRs) =l;=-ly; (do g„ Rs=0A) => U,= -Ip Rp=l, Rp => Z4= U/I,=Rp <1.48> Néu tinh dén ~
cả ry trong mach thi md