Nghiên cứu hưởng bức xạ hạt nhân trên linh kiện bán dẫn điện tử qua việc đánh giá đặc tính

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH Nguyễn Thanh Thùy NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG BỨC XẠ HẠT NHÂN TRÊN LINH KIỆN BÁN DẪN ĐIỆN TỬ QUA VIỆC ĐÁNH GIÁ ĐẶC TÍNH LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Thành phố Hồ Chí Minh – 2021 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH Nguyễn Thanh Thùy NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG BỨC XẠ HẠT NHÂN TRÊN LINH KIỆN BÁN DẪN ĐIỆN TỬ QUA VIỆC ĐÁNH GIÁ ĐẶC TÍNH Chuyên ngành : Vật lý nguyên tử hạt nhân Mã số : 8440106 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC TS HOÀNG SỸ MINH TUẤN Thành phố Hồ Chí Minh – 2021 Lời cam đoan Tơi cam đoan luận văn cơng trình nghiên cứu tơi Các số liệu kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình khác Tác giả Nguyễn Thanh Thùy Lời cám ơn Trong trình nghiên cứu đề tài: "Nghiên cứu ảnh hưởng xạ hạt nhân linh kiện bán dẫn điện tử qua việc đánh giá đặc tính", tơi gặp phải nhiều khó khăn, xong nhờ có giúp đỡ thầy giáo bạn bè, tơi hồn thành đề tài theo kế hoạch đặt Trước tiên, xin gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc đến giáo viên hướng dẫn, TS Hoàng Sỹ Minh Tuấn, tận tình hướng dẫn, dạy suốt trình thực đề tài Đồng thời, tơi xin gửi lời cảm ơn đến thầy cô môn khoa Vật lý khoa Sau Đại học trường Đại học Sư phạm Thành phố Hồ Chí Minh giúp đỡ, tạo điều kiện cho tơi q trình viết luận văn thạc sĩ Xin chân thành cảm ơn Trung tâm Nghiên cứu triển khai Khu Công nghệ cao thuộc Ban Quản lý Khu Công nghệ cao Tp Hồ Chí Minh tạo điều kiện cho tơi tìm hiểu nghiên cứu trung tâm Một lời cảm ơn gửi đến anh chị nghiên cứu viên giúp đỡ, hướng dẫn cung cấp tài liệu nghiên cứu, trao đổi giải đáp vướng mắc trình nghiên cứu đề tài Trong luận văn hẳn tránh khỏi hạn chế thiếu sót Tơi mong muốn nhận nhiều đóng góp quý báu đến từ quý thầy cô, ban cố vấn bạn đọc để đề tài hoàn thiện có ý nghĩa thiết thực áp dụng thực tiễn sống Xin chân thành cảm ơn! Mục lục Lời cam đoan Lời cám ơn Danh mục chữ viết tắt Danh mục hình vẽ Danh mục bảng biểu MỞ ĐẦU Chương 1: TỔNG QUAN 1.1 Các nguồn xạ 1.2 Tương tác xạ ion hóa chất bán dẫn 1.2.1 Hiệu ứng ion hóa 1.2.2 Hiệu ứng chất cách điện 1.2.3 Tán xạ hạt 1.2.4 Sai hỏng dịch chuyển 10 1.2.6 Sai hỏng dịch chuyển proton ion nặng 13 1.3 Ảnh hưởng sai hỏng xạ tính chất bán dẫn 16 1.3.1 Thời gian sống sai hỏng (lifetime damage) 16 1.3.2 Loại bỏ hạt tải điện (carrier removal) 18 1.3.3 Độ linh động (mobility) 19 1.3.4 Hiệu ứng xạ cấu trúc dị thường 21 1.3.5 Phụ thuộc lượng sai hỏng dịch chuyển 21 Chương 2: MÔ PHỎNG SRIM/TRIM VÀ CẤU TẠO ĐIỐT PIN 24 2.1 Tổng quan SRIM/TRIM 25 2.1.1 Thực thi SRIM/TRIM 26 2.1.2 Cài đặt nguồn ion 26 2.1.3 Thiết lập mục tiêu 27 2.1.4 Cài đặt thông số đặc biệt 27 2.1.5 Thực phép tính 28 2.1.6 Kiểm tra kết 29 2.1.7 Tóm tắt kết SRIM 30 2.2 Chuyển tiếp PN 32 ii 2.2.1 Chuyển tiếp PN trạng thái cân nhiệt 33 2.2.2 Chuyển tiếp PN có điện áp phân cực 34 2.2.3 Đặc tuyến I-V chuyển tiếp PN 36 2.2.4 Cơ chế đánh thủng chuyển tiếp PN 37 2.3 Điốt PIN 39 2.3.1 Đặc điểm Điốt PIN 39 2.3.2 Ứng dụng điốt PIN 40 2.4 Thiết kế đặt sản xuất điốt PIN 41 2.5 Máy gia tốc tĩnh điện 5SDH-2 Pelletron 42 2.5.1 Buồng gia tốc 43 2.5.2 Các kênh chùm ion 44 2.6 Hệ đo đặc tuyến I-V 44 Chương 3: THỰC NGHIỆM 46 3.1 Thiết kế Điốt PIN 46 3.2 Chiếu xạ lên mẫu điốt PIN 46 3.3 Tính giá trị PKA DPA 46 3.4 Đo thông số đường đặc tuyến I-V, C-V 46 Chương 4: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 47 4.1 Sử dụng phần mềm SRIM/TRIM để tính giá trị PKA DPA cho điốt PIN với mức lượng thông lượng proton 47 4.1.1 Kết tính tốn phân tán lượng bị chùm proton tới chiếu điốt PIN với bề dày 400 µm 48 4.1.2 Số DPA tạo PKA tính TRIM với lượng Ed 15 eV (hình 3.4): 50 4.1.3 Kết tính phân bố sai hỏng điốt PIN chùm proton lượng 5,26; 7,2 8,67 MeV (hình 3.5 3.6): 50 4.1.4 Sự phân bố DPA điốt PIN tính mơ qua phần mềm TRIM (hình 3.7): 51 4.2 Đặc tuyến I-V điốt PIN 51 3.2.1 Đường đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 (hình 3.8): 52 3.2.2 Đường đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 (hình 3.9): 52 iii 3.2.3 Đường đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 (hình 3.10): 53 4.3 Dòng rò IL (Leakage current) điốt PIN 54 4.4 Đặc tuyến C-V điốt PIN 56 3.4.1 Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 (hình 3.14): 56 3.4.2 Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 (hình 3.15): 57 3.4.3 Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 (hình 3.16): 57 KẾT LUẬN 58 TÀI LIỆU THAM KHẢO 59 Danh mục chữ viết tắt NIEL : Mất lượng không ion hoá PKA : Nguyên tử va chạm sơ cấp RF : Sóng siêu âm vơ tuyến điện SRIM : Chương trình máy tính tốn tương tác ion vật chất TRIM : Chương trình máy tính Monte Carlo tính tốn tương tác ion lượng với mục tiêu vơ định hình Danh mục hình vẽ Hình 1.1: Cấu tạo cặp điện tử – lỗ trống ion hóa chất bán đẫn cách điện Hình 1.2: Giản đồ trình tán xạ Rutherford 10 Hình 1.3: Đồ thị tương quan hệ số sai hỏng lượng điện tử GaN 12 Hình 1.4: Giản đồ hình thành cặp lỗ trống khe 13 Hình 1.5: Sai hỏng thay Si trường hợp lượng chuyển cho vị trí mạng lớn 1000 lần ngưỡng lượng thay 15 Hình 1.6: Sự giảm thời gian sống phần tử tải thứ cấp, nồng độ tải độ linh động điốt phát quang GaAs sau chiếu proton lượng 50 MeV 21 Hình 1.7: Năng lượng khơng ion hóa tính cho ptoton điện tử GaAs 22 Hình 2.1: Cửa sổ khởi động SRIM/TRIM 26 Hình 2.2: Màn hình ban đầu cửa sổ thiết lập TRIM 26 Hình 2.3: Cửa sổ thiết lập TRIM với cài đặt chiếu xạ ion hoàn thành 28 Hình 2.4: Màn hình tính tốn SRIM tiến trình 28 Hình 2.5: Biểu đồ ION RANGES hiển thị cách chọn Phân bố Ion 29 Hình 2.6: Biểu đồ “COLLISION EVENTS” hiển thị cách click vào “Damage Events” 30 Hình 2.7: file RANGE.txt 31 Hình 2.8: File VACANCY.txt 32 Hình 2.9: Sự phân bố DPA ion Fe tính SRIM 32 Hình 2.10: Cấu tạo chuyển tiếp PN 33 Hình 2.11: Phân bố nồng độ hạt tải điện bán dẫn P N chưa tiếp xúc 33 Hình 2.12: Sự hình thành chuyển tiếp PN 34 Hình 2.13: Đặt điện áp phân cực cho chuyển tiếp PN 35 Hình 2.14: Dịng dịch chuyển hạt tải điện qua chuyển tiếp PN 36 Hình 2.15: Đặc tuyến I-V chuyển tiếp PN 37 Hình 2.16: Cơ chế đánh thủng chuyển tiếp PN 38 Hình 2.17: Cấu trúc điển hình điốt PIN 39 Hình 2.18: Các đường đặc tuyến điển hình điốt PIN 40 Hình 2.19: Cấu trúc thiết kế kích thước điốt PIN 41 Hình 2.20: Hình thực tế điốt PIN đặt chế tạo viện ETRI 42 Hình 2.21: Hình ảnh tổng thể máy gia tốc 5SDH-2 Pelletron 43 ii Hình 2.22: Hình ảnh bên buồng gia tốc 43 Hình 2.23: Nguyên tắc tạo cao buồng gia tốc 43 Hình 2.24: Hệ đo đặc tuyến I-V model 4200 SCS V Trung tâm Nghiên cứu triển khai Khu Công nghệ cao 45 Hình 4.1: Hình mơ tả hướng chiếu proton cho điốt PIN với mức lượng liệu lượng khác 47 Hình 4.2: Mơ chùm proton tới chương trình TRIM kết hợp với SSSM: (a) Mô TRIM tiêu chuẩn, (b) Sơ đồ phát xạ chùm tia tạo ra; (c) Mơ kích thước thực chùm tia; (d) Mơ hiệu ứng nửa cung (chromatic effect) 48 Hình 4.3: Sự phân bố lượng proton điốt PIN với mức lượng khảo sát 49 Hình 4.4: Tương quan DPA PKA với lượng Ed 15 eV 50 Hình 4.5: Phân bố sai hỏng điốt PIN chùm proton lượng 5,26; 7,2 8,67 MeV 50 Hình 4.6: Phân bố sai hỏng điốt PIN dạng 3D lượng proton tới 5,26 7,20 MeV Đồ thị vẽ phần mềm TRIM 51 Hình 4.7: Phân bố DPA điốt PIN tính phần mềm TRIM 51 Hình 4.8: Đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 52 Hình 4.9: Đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 52 Hình 4.10: Đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 53 Hình 4.11: Dịng rị IL điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 54 Hình 4.12: Dòng rò IL điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 55 Hình 4.13: Dịng rò IL điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 55 Hình 3.14: Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 56 Hình 3.15: Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1014 cm-2 57 Hình 3.16: Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 57 48 trình có khả tạo chùm ion với thơng số đặc trưng (hình 4.2) Hình 4.2: Mơ chùm proton tới chương trình TRIM kết hợp với SSSM: (a) Mô TRIM tiêu chuẩn, (b) Sơ đồ phát xạ chùm tia tạo ra; (c) Mơ kích thước thực chùm tia; (d) Mô hiệu ứng nửa cung (chromatic effect) 4.1.1 Kết tính tốn phân tán lượng bị chùm proton tới chiếu điốt PIN với bề dày 400 µm Để hiểu suy thối điốt PIN chiếu proton cần phải phân tích ảnh hưởng chiếu proton cấu trúc thiết bị vai trò chế lượng liên quan Các va chạm đàn hồi với hạt nhân gọi lượng hạt nhân Sn, chiếm ưu với lượng khoảng keV/amu; va chạm không đàn hồi proton với điện tử nguyên tử điốt gọi lượng điện tử Se, chiếm ưu lượng khoảng MeV/amu trở lên Trong va chạm không đàn hồi (tiết diện ~ 10-16 cm2), lượng chuyển từ proton sang nguyên tử Si điốt thông qua kích thích ion hóa điện tử xung quanh Lượng lượng điện tử va chạm thay đổi từ hàng chục eV đến vài keV Angstrom [27] Tổn thất lượng proton nhỏ nhiều so với tổn thất lượng điện tử điện tử vật liệu Si điốt tiết diện tán xạ đàn hồi nhỏ Do đó, lượng tối đa tích lũy cho vật liệu chủ yếu lượng điện tử trình qua vật liệu Si [28] 49 Hình 4.3: Sự phân bố lượng proton điốt PIN với mức lượng khảo sát Hình 4.3 mô tả mức lượng proton 5,26; 7,2 8,67 MeV lựa chọn để chiếu xạ dựa kết mô phần mềm TRIM, phân tán lượng bị nằm bề dày điốt PIN dừng lại vùng P+, vùng P, vùng giao P-N+ điốt PIN (Bảng 4.1) Các điốt chiếu xạ chùm proton với lượng (Ep) 5,26, 7,2, 8,67 MeV liều lượng proton thay đổi từ 1×1010, 1×1011 , 1×1012 cm−2 cho giá trị lượng Bảng 4.1: Vùng phân tán lượng proton điốt PIN với mức lượng khác Năng lượng Độ sâu (MeV) (µm) 5,26 230 7,20 320 8,67 400 Vị trí Hướng chiếu Vùng P+ Mặt sau Trung tâm điốt (vùng P) Tiếp giáp N+-P- Mặt sau Mặt sau 50 4.1.2 Số DPA tạo PKA tính TRIM với lượng Ed 15 eV (hình 4.4): Hình 4.4: Tương quan DPA PKA với lượng Ed 15 eV 4.1.3 Kết tính phân bố sai hỏng điốt PIN chùm proton lượng 5,26; 7,2 8,67 MeV (hình 4.5 4.6): Hình 4.5: Phân bố sai hỏng điốt PIN chùm proton lượng 5,26; 7,2 8,67 MeV 51 Hình 4.6: Phân bố sai hỏng điốt PIN dạng 3D lượng proton tới 5,26 7,20 MeV Đồ thị vẽ phần mềm TRIM 4.1.4 Sự phân bố DPA điốt PIN tính mơ qua phần mềm TRIM (hình 4.7): Hình 4.7: Phân bố DPA điốt PIN tính phần mềm TRIM 4.2 Đặc tuyến I-V điốt PIN Đặc tuyến I-V đo hệ Keithley 4200 kết nối với máy tính qua phần mềm KEI dùng để đo mẫu điốt PIN trước sau chiếu proton Đặc tuyến I-V trước sau chiếu xạ đo cách thay đổi điện áp V từ giá trị đến 1,2 V 52 4.2.1 Đường đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm- (hình 4.8): Hình 4.8: Đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 4.2.2 Đường đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm- (hình 4.9): Hình 4.9: Đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 53 Đường đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm- 4.2.3 (hình 4.10): Hình 4.10: Đặc tuyến I-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 Hình 4.8; 4.9 4.10 cho thấy với mức lượng thấp, đường đặc tuyến IV điốt PIN cao Với mức lượng chiếu 7,2 8,67 liều chiếu 1012, đường đặc tuyến nằm ngang, điốt PIN bị phá huỷ Điện áp ngưỡng (Vth) xác định cường độ dòng I mA dùng để đặc trưng cho điốt PIN trước sau chiếu proton Ta có kết Vth trước sau chiếu xạ (Bảng 4.2) Bảng 4.2: Điện áp ngưỡng (Vth) trước sau chiếu proton với mức liều chiếu khác Năng lượng Vth (V) 1011 cm-2 1012 cm-2 0,9 0,9 0,9 5,26 0,84 0,84 0,84 7.2 0,85 1,00 phá hủy 8.67 0,88 1,04 phá hủy proton (MeV) không chiếu xạ 1010 cm2 Dựa vào kết thu (Bảng 3.2) đo đặc tuyến I-V với liều chiếu proton khác với mức lượng proton 5,26; 7,2 8,67 MeV 54 Ta thấy với liều chiếu proton 1010 cm-2 giá trị Vth trước chiếu proton 0,9 V, cịn sau chiếu Vth giảm cịn 0,84; 0,85 0,88 V tương ứng cho lượng chiếu 5,26; 7,2 8,67 MeV Đối với liều chiếu proton 1011 cm-2 giá trị Vth trước chiếu proton 0,9 V, cịn sau chiếu Vth giảm 0,84 V với lượng 5,26 MeV lại tăng lên 1,04 V tương ứng với lượng chiếu 7,2 8,67 MeV Đối với liều chiếu proton 1012 cm-2 giá trị Vth trước chiếu proton 0,9 V, sau chiếu Vth giảm cịn 0,89 V với lượng 5,26 MeV Với mức lượng chiếu 7,2 8,67 MeV điốt PIN bị phá hủy Sự thay đổi điện áp ngưỡng Vth giải thích xuất bẫy lớp tiếp giáp SiO2 Si sinh sau chiếu proton Các bẫy hình thành vùng lượng Si suy giảm độ linh động Si [29] làm thay đổi trở kháng điốt 4.3 Dòng rò IL (Leakage current) điốt PIN Dòng rò điện áp ngược -2 V đo cách thiên áp ngược cho điốt PIN Kết thu IL tăng lên tăng lượng liều chiếu proton 4.3.1 Dòng rò IL điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 (hình 4.11): Hình 4.11: Dịng rị IL điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 55 4.3.2 Dòng rò IL điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 (hình 4.12): Hình 4.12: Dòng rò IL điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm-2 4.3.3 Dòng rò IL điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 (hình 4.13): Hình 4.13: Dịng rị IL điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 Các Hình 4.11; 4.12 4.13 cho thấy lượng cao, dòng rò với tính chất âm xuất lớn Bảng 4.3: Dịng rò IL điốt PIN trước sau chiếu proton với mức liều chiếu khác IL (nA) Năng lượng proton (MeV) 1010 cm-2 không chiếu xạ 0,25 1011 cm-2 0,25 1012 cm-2 0,25 56 5,26 3,2 3,29 3,97 7.2 3,26 4,29 4,95 8.67 4,59 4,98 7,58 Các kết Bảng 4.3 quan sát xạ proton gây lớp SiO2 vùng tiếp giáp làm tăng vận tốc tái tổ hợp bề mặt Điện tích oxit làm tăng điện bề mặt điốt khiến tốc độ tái tổ hợp điốt tăng lên nồng độ điện tử lỗ trở nên tương đương [30] Vì vậy, tốc độ chuyển mạch điốt PIN giảm sụt giảm điện áp với dòng rò rỉ tăng lên 4.4 Đặc tuyến C-V điốt PIN 4.4.1 Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm- (hình 3.14): Hình 4.14: Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1010 cm-2 57 4.4.2 Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1011 cm- (hình 3.15): Hình 4.15: Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1014 cm-2 4.4.3 Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm- (hình 3.16): Hình 4.16: Đường đặc tuyến C-V điốt PIN với liều chiếu proton 1012 cm-2 Đặc tuyến C-V phân tích để kiểm tra thay đổi nồng độ pha tạp theo mức lượng liều lượng proton chiếu Khoảng điện áp dùng để đo C từ -5  V với băng tần 1kHz Từ kết đo đặc tuyến C-V, ta thấy với lượng proton 8,67 MeV đường đặc tuyến C-V khác biệt so với mức lượng chiếu lại 58 KẾT LUẬN Sau khoảng năm thực hiện, đề tài “Nghiên cứu ảnh hưởng xạ hạt nhân linh kiện bán dẫn điện tử qua việc đánh giá đặc tính” hồn thành mục tiêu đề với kết đề tài tóm tắt sau: Thu thập tài liệu, tìm hiểu, tổng hợp số vấn đề có liên quan đến nội dung nghiên cứu đề tài để giải tốn đặt chi tiết hơn, gồm: (1) Tổng quan tình hình nghiên cứu chiếu xạ linh kiện bán dẫn điện tử giới; (2) trình bày tóm tắt lý thuyết tương tác xạ với chất bán dẫn; (3) nghiên cứu sử dụng phần mềm mơ SRIM/TRIM tính tốn sai hỏng chiếu xạ chất bán dẫn Đã mô thông số sai hỏng chiếu proton lên điốt PIN với mức lượng proton 5,26, 7,2, 8,67 MeV liều lượng proton thay đổi từ 1×1010, 1×1011, 1×1012 cm−2 cho giá trị lượng Đã đo đường đặc tuyến I-V, C-V giá trị IL Vth, qua giá trị thu đánh giá ảnh hưởng chùm proton lên điốt PIN với mức lượng liều lượng khác Các kết thu luận giải phù hợp với nghiên cứu công bố chứng tỏ độ tin cậy kết nghiên cứu Qua việc thực luận văn thu số liệu thực nghiệm ảnh hưởng chùm proton lên điốt PIN Kết thực nghiệm tảng cho đề tài thực mô tính tốn đường đặc tuyến chương trình TCAD hay COMSOL Multiphysics sau Có thể khẳng định hướng nghiên cứu ảnh hưởng xạ lên linh kiện bán dẫn xem hướng nghiên cứu mẻ tràn đầy hứa hẹn mang tính ứng dụng cao 59 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] J R Srour, C J Marshall, and P W Marshall, “Review of displacement damage effects in silicon devices,” IEEE Trans Nucl Sci., vol 50, no 3, pp 653–670, Jun 2003 [2] M Lannoo and J Bourgoin, Point Defects in Semiconductors I: Theoretical Aspects, ser Springer Series in Solid-State Sciences, M Cardona, P Fulde, and H J Queisser, Eds New York, NY, USA: Springer-Verlag, 1981, vol 22 [3] R J.Walters, “Solar cell technologies, modeling, and testing,” in IEEE Nucl and Space Radiation Effects Conf Short Course Notes, Jul 2004, pp V-1–V85 [4] W H Brattain and G L Pearson, “Changes in conductivity of germanium induced by alpha-particle bombardment,” Phys Rev., vol 80, no 5, pp 846– 850, Dec 1950 [5] O L Curtis, Jr, J W Cleland, J H Crawford, Jr, and J C Pigg, “Effect of irradiation on the hole lifetime in n-type germanium,” J Appl Phys., vol 28, no 10, pp 1161–1165, Oct 1957 [6] J R Bilinski, E H Brooks, U Cocca, and R J.Maier, “Proton-neutron damage equivalence in Si and Ge semiconductors,” IEEE Trans Nucl Sci., vol NS-10, no 5, pp 71–86, Nov 1963 [7] http://www.nsrec.com/ [8] P W Marshall, C J Dale, G P Summers, E A Burke, and E A Wolicki, “Proton, neutron and điện tử-induced displacement damage in germanium,” IEEE Trans Nucl Sci., vol 36, no 6, pp 1882–1888, Dec 1989 [9] Bussolati, C., Fiorentini, A., & Fabri, G (1964) Energy for điện tử-hole pair 60 generation in silicon by điện tửs and α particles Physical Review, 136(6A), A1756 [10] Ausman Jr, G A., & McLean, F B (1975) Điện tử− hole pair creation energy in SiO2 Applied Physics Letters, 26(4), 173-175 [11] Dressendorfer, P V., & Ma, T P (1989) Ionizing radiation effects in mos devices and circuits Wiley [12] Kinchin, G H., & Pease, R S (1955) The displacement of atoms in solids by radiation Reports on progress in physics, 18(1), [13] Van Lint, V A J., Leadon, R E., & Colwell, J F (1972) Energy dependence of displacement effects in semiconductors IEEE Transactions on Nuclear Science, 19(6), 181-185 [14] Curtis Jr, O L., Cleland, J W., Crawford Jr, J H., & Pigg, J C (1957) Effect of Irradiation on the Hole Lifetime of N‐Type Germanium Journal of Applied Physics, 28(10), 1161-1165 [15] Messenger, G C., & Spratt, J P (1958) The effects of neutron irradiation on germanium and silicon Proceedings of the IRE, 46(6), 1038-1044 [16] Srour, J R., Marshall, C J., & Marshall, P W (2003) Review of displacement damage effects in silicon devices IEEE transactions on nuclear science, 50(3), 653-670 [17] Williams, J G., Patel, J U., Ougouag, A M., & Yang, S Y (1991) Carrier removal and changes in electrical properties of neutron irradiated GaAs Journal of applied physics, 70(9), 4931-4937 [18] Lai, S T., Alexiev, D., & Nener, B D (1995) Comparison between deep level defects in GaAs induced by gamma, MeV điện tử, and neutron irradiation 61 Journal of applied physics, 78(6), 3686-3690 [19] Marcus, G H., & Bruemmer, H P (1970) Radiation damage in GaAs Gunn diodes IEEE Transactions on Nuclear Science, 17(6), 230-232 [20] Buchanan, B., Dolan, R., & Roosild, S (1967) Comparison of the neutron radiation tolerance of bipolar and junction field effect transistors Proceedings of the IEEE, 55(12), 2188-2189 [21] McGarrity, J M., McLean, F B., DeLancey, W M., Palmour, J., Carter, C., Edmond, J., & Oakley, R E (1992) Silicon carbide JFET radiation response IEEE transactions on nuclear science, 39(6), 1974-1981 [22] Summers, G P., Burke, E A., Shapiro, P., Messenger, S R., & Walters, R J (1993) Damage correlations in semiconductors exposed to gamma, điện tử and proton radiations IEEE Transactions on Nuclear Science, 40(6), 1372-1379 [23] Barry, A L., Houdayer, A J., Hinrichsen, P F., Letourneau, W G., & Vincent, J (1995) The energy dependence of lifetime damage constants in GaAs LEDs for 1-500 MeV protons IEEE Transactions on Nuclear Science, 42(6), 21042107 [24] http://www.srim.org/ (truy cập 03/2021) [25] Stoller, R E., Toloczko, M B., Was, G S., Certain, A G., Dwaraknath, S., & Garner, F A (2013) On the use of SRIM for computing radiation damage exposure Nuclear instruments and methods in physics research section B: beam interactions with materials and atoms, 310, 75-80 [26] https://www.etri.re.kr/eng/main/main.etri (truy cập 03/2021) [27] http://www.ujfi.fei.stuba.sk/srim_support/ (truy cập 03/2021) 62 [28] Kanjilal, D (2001) Swift heavy ion-induced modification and track formation in materials Current Science, 1560-1566 [29] Codegoni, D., Colder, A., Croitoru, N., D’Angelo, P., DeMarchi, M., Fallica, G., & Seidman, A (2004) Investigation of irradiated monolithic transistors for space applications Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 217(1), 65-76 [30] Tong, Z H., Ang, S S., & Brown, W D (1996) Effects of gamma irradiation on the insulated-gate bipolar transistor Microđiện tửics Reliability, 36(10), 1489-1498