Đánh giá ảnh hưởng các lớp che chắn tinh thể đầu dò hpge đối với hệ số hiệu chỉnh trùng phùng trong phép đo nguồn điểm chuẩn

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA VẬT LÝ NGUYỄN NGỌC HÂN KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐÁNH GIÁ ẢNH HƯỞNG CÁC LỚP CHE CHẮN TINH THỂ ĐẦU DÒ HPGe ĐỐI VỚI HỆ SỐ HIỆU CHỈNH TRÙNG PHÙNG TRONG PHÉP ĐO NGUỒN ĐIỂM CHUẨN Thành phố Hồ Chí Minh – Năm 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA VẬT LÝ ĐÁNH GIÁ ẢNH HƯỞNG CÁC LỚP CHE CHẮN TINH THỂ ĐẦU DÒ HPGe ĐỐI VỚI HỆ SỐ HIỆU CHỈNH TRÙNG PHÙNG TRONG PHÉP ĐO NGUỒN ĐIỂM CHUẨN Sinh viên thực hiện: Nguyễn Ngọc Hân Cán hướng dẫn: ThS Lê Quang Vương Chuyên ngành: Sư phạm Vật lý Thành phố Hồ Chí Minh – Năm 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA VẬT LÝ KHĨA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐÁNH GIÁ ẢNH HƯỞNG CÁC LỚP CHE CHẮN TINH THỂ ĐẦU DÒ HPGe ĐỐI VỚI HỆ SỐ HIỆU CHỈNH TRÙNG PHÙNG TRONG PHÉP ĐO NGUỒN ĐIỂM CHUẨN Chuyên ngành: Sư phạm Vật lý Sinh viên thực hiện: Nguyễn Ngọc Hân Mã số sinh viên: 43.01.105.011 Chủ tịch hội đồng Cán hướng dẫn (Kí ghi rõ họ tên) (Kí ghi rõ họ tên) Thành phố Hồ Chí Minh – Năm 2022 LỜI CẢM ƠN Trong suốt trình thực khóa luận, tơi nhận nhiều giúp đỡ từ Q Thầy/Cơ, Anh Chị, Bạn bè Gia đình Vì vậy, tơi xin gửi lời cảm ơn chân thành đến với người đồng hành q trình thực khóa luận Đặc biệt nhất, xin gửi lời tri ân sâu sắc đến Thầy Lê Quang Vương – người hướng dẫn khoa học, Thầy tận tình hướng dẫn, ln khuyến khích đồng hành tơi suốt thời gian hồn thành khóa luận o Tôi xin phép gửi lời cảm ơn đến Thầy/Cơ Hội đồng chấm khóa luận Bộ mơn Vật lý Hạt nhân Trường Đại học Sư phạm Thành phố Hồ Chí Minh góp ý chỉnh sửa để tơi hồn thiện khóa luận tốt o Tơi xin gửi lời cảm ơn đến quý Thầy/Cô khoa Vật lý, Trường Đại học Sư Phạm Thành phố Hồ Chí Minh truyền đạt vốn kiến thức quý báu để tơi có đủ tảng kiến thức để thực đề tài o Tôi xin phép gửi lời cảm ơn đến Anh Chị, Bạn bè Phòng Thí nghiệm Vật lý Hạt nhân, Trường Đại học Sư phạm Thành phố Hồ Chí Minh đồng hành, giúp đỡ động viên để tơi hồn thành khóa luận tốt nghiệp o Sau cùng, xin gửi lời cảm ơn đến Ba Mẹ Anh Chị Gia đình tạo điều kiện tốt để hồn thành khóa luận i DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT Chữ viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt HPGe High Purity Germanium Đầu dò bán dẫn siêu tinh khiết MCNP6 Monte Carlo N – Particle TCS ENSDF True Coincidence Summing factors Evaluated Nuclear Structure Data File ii Chương trình mơ Monte Carlo Hệ số trùng phùng thực Cơ sở liệu cấu trúc hạt nhân DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1 Thơng số cấu hình đầu dị HPGe GEM50P4-83 11 Bảng 2.2 Thông tin nguồn chuẩn phát gamma mô 12 Bảng 3.1 Hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm từ chương trình MCNP6 15 Bảng 3.2 Hiệu suất tổng với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm từ chương trình MCNP6 17 Bảng 3.3 Hệ số trùng phùng từ chương trình MCNP-CP độ sai biệt hai cấu hình đầu dị khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm 18 Bảng 3.4 Hệ số trùng phùng từ chương trình MCNP-CP độ sai biệt hai cấu hình đầu dị khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm, cm 19 Bảng 3.5 Hệ số trùng phùng từ chương trình MCNP-CP độ sai biệt hai cấu hình đầu dị khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm, cm 20 Bảng 3.6 Hệ số trùng phùng từ chương trình MCNP-CP độ sai biệt hai cấu hình đầu dị khơng góc bo có góc bo khoảng cách 10 cm 20 Bảng 3.6 Hệ số trùng phùng từ chương trình MCNP-CP độ sai biệt hai cấu hình đầu dị khơng góc bo có góc bo khoảng cách 10 cm (tiếp theo) 21 iii DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1 Đường cong hiệu suất ghi đỉnh lượng toàn phần đầu dò đồng trục loại p Hình 2.1 Cấu hình đầu dị mơ đầu dị HPGe (2.1a) khơng bo góc (2.1b) có bo góc sử dụng chương trình MCNP6 10 Hình 3.1 Hiệu suất ghi đỉnh từ mơ MCNP6 với cấu hình khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm 14 Hình 3.2 Hiệu suất tổng từ mơ MCNP6 với cấu hình khơng góc bo có góc bo khoảng cách cm 16 iv MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT ii DANH MỤC BẢNG iii DANH MỤC HÌNH ẢNH iv LỜI MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN .3 1.1 Tình hình nghiên cứu vấn đề liên quan đến khóa luận 1.1.1 Tình hình nghiên cứu giới 1.1.2 Tình hình nghiên cứu Việt Nam .4 1.2 Cơ sở lý thuyết tương tác xạ gamma với vật chất .5 1.3 Hiệu suất ghi đỉnh lượng toàn phần 1.4 Hiệu suất tổng 1.5 Hiệu ứng trùng phùng 1.6 Tóm tắt chương CHƯƠNG ĐỐI TƯỢNG VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 10 2.1 Đầu dò HPGe .10 2.2 Nguồn chuẩn mô 11 2.3 Chương trình MCNP-CP 12 2.4 Tóm tắt chương .13 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 14 3.1 Hiệu suất ghi đỉnh lượng toàn phần hiệu suất tổng mô MCNP6 14 3.2 Hệ số trùng phùng (TCS) hai cấu hình đầu dị 18 3.3 Đánh giá ảnh hưởng cấu hình đầu dị hệ số hiệu chỉnh trùng phùng 21 3.4 Tóm tắt chương .22 KẾT LUẬN 23 KIẾN NGHỊ .23 TÀI LIỆU THAM KHẢO 25 PHỤ LỤC 27 LỜI MỞ ĐẦU Hệ phổ kế gamma với đầu dò bán dẫn Germanium siêu tinh khiết (HPGe) sử dụng rộng rãi nghiên cứu để xác định hoạt độ đồng vị phóng xạ nhờ vào số ưu điểm như: độ phân giải cao, độ nhạy tốt vùng lượng từ 60 keV đến 2000 keV, … [6] Điều cần thiết việc xử lý phổ gamma xác định hiệu suất đỉnh lượng toàn phần ứng với cấu hình đo thực nghiệm Từ đó, phân tích đặc điểm, tính chất thơng số cấu hình đầu dị dựa vào đường cong hiệu suất xây dựng [2] Tuy nhiên, tiến hành thực nghiệm giá trị hiệu suất đỉnh lượng tồn phần thường bị sai lệch so với giá trị thật ảnh hưởng từ phơng mơi trường từ hiệu ứng hiệu ứng tự hấp thụ, hiệu ứng trùng phùng [5] Hiệu ứng trùng phùng xảy hai hay nhiều photon phát từ đồng vị phóng xạ đầu dị ghi nhận đồng thời thời gian đáp ứng đầu dò kết đầu dị ghi nhận thành xung nhất, loại hiệu ứng khóa luận quan tâm Vì vậy, để hiệu chỉnh giá trị hiệu suất ghi đỉnh lượng toàn phần cần xác định hệ số trùng phùng Hiệu ứng trùng phùng phụ thuộc vào yếu tố như: hình học nguồn đầu dị, khoảng cách nguồn đầu dò, lượng xạ gamma phát từ nguồn phụ thuộc vào lớp che chắn tinh thể đầu dò HPGe cấu hình mơ khác Phương pháp mơ Monte Carlo với chương trình mơ MCNP6 thu kết độ cao xung, sở để tính tốn hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần hiệu suất tổng ứng với mức lượng quan tâm biết đặc trưng chi tiết cấu hình đầu dị, mẫu đo bố trí chúng Để khảo sát ảnh hưởng hiệu ứng trùng phùng với cấu hình mơ có lớp che chắn, khóa luận thực với tên đề tài “Đánh giá ảnh hưởng lớp che chắn tinh thể đầu dò HPGe hệ số hiệu chỉnh trùng phùng phép đo nguồn điểm chuẩn” Nội dung khóa luận thực chia thành ba chương: Chương 1: Tổng quan Trong chương này, tơi trình bày số cơng trình nghiên cứu liên quan đến đề tài khóa luận; sở lý thuyết tương tác xạ gamma với vật chất; hiệu suất ghi đỉnh lượng toàn phần; hiệu suất tổng; hiệu ứng trùng phùng PHỤ LỤC PHỤ LỤC A A.1 Dữ liệu đầu vào mơ MCNP6 khơng bo góc đồng vị 60Co C CELL CARDS 1 -5.323 (5 -2 -8 7):(-2 -7) IMP:P=1 $Ge -5.323 (5 -9 -2):(-1 -9) IMP:P=1 $DEAD LAYER OUT Ge/Li -5.323 (5 -4 -7):(-3 -7) IMP:P=1 $DEAD LAYER IN Ge/Boron -2.6989 (15 -14 17 -18):(-15 16 -18):(-13 14 -18) IMP:P=1 $Al -2.6989 (-19 20 -24):(21 23 -24 -20):(-21 22 -24 6) IMP:P=1 $Al (-14 -17 19):(-19 24 -17 15):(15 -22 -24 6)& :(9 -1 -23 21):(21 -5 -9 6)& :(5 -4 -6):(-5 -6 21):(-21 22 -6)& :(-6 -22 15) IMP:P=1 $AIR -0.001205 (-99(13:18:-16)) IMP:P=1 $Space (99) IMP:P=0 $SPACE C SURFACE CARDS C Goc nam tren be mat vo Al C - Ge Det va DEAD LAYER -1 PZ -0.503 PZ -0.573 PZ -1.71297 PZ -1.713 PZ -8.203 CZ 0.575 CZ 0.57503 CZ 3.225 CZ 3.295 C - Source -10 PZ 0.1 11 PZ 0.2 12 CZ 0.25 $BAN KINH NGUON C - Al Housing (I va L) -13 PZ 0.0 14 PZ -0.1 15 PZ -14.003 16 PZ -14.103 17 CZ 4.05 27 18 CZ 4.15 C - Al Housing (H va K - Al/Mylar) -19 PZ -0.5 20 PZ -0.503 21 PZ -10.7 22 PZ -11 23 CZ 3.495 24 CZ 3.595 C World -99 SO 50.0 C DATA CARDS MODE P M1 32070 -0.2052 32072 -0.2745 32073 -0.0776 32074 -0.3652 32076 -0.0775 $Ge DENSITY=5.323 G/CM^3 M2 13000 -1.000000 $Al DENSITY=2.6989 G/CM^3 M3 6000 -0.000124 7000 -0.755268 8000 -0.231781& 18000 -0.012827 $AIR DENSITY=0.001205 G/CM3 SDEF ERG=1.1732 PAR=2 POS=0 RAD=D1 EXT=D2 AXS=0 $Co-60 VA KHOANG CACH 4CM SI1 0.25 $BAN KINH NGUON SP1 -21 SI2 0.1 $CHIEU CAO NGUON SP2 -21 F8:P E0 0.00001 0.01 8190I 2.0 NPS 1E9 A.2 Dữ liệu đầu vào mơ MCNP6 có bo góc đồng vị 60Co C HPGe GEM50P4-83 C MANUFACTURER with Toruz 25-26 C ****************** BLOCK 1: CELL CARDS ******** C Cell HPGe -1 -5.323 (6 -25 28):(6 -27 -28):(7 -6 30 -17):(8 -7 16 -17) IMP:P,E=1 $Ge -5.323 (27 -4 -28):(28 25 -26):(-6 17 -18) IMP:P,E=1 $DEADLAYER OUT Ge/Li -5.323 (7 29 -30):(8 -7 15 -16) IMP:P,E=1 $DEADLAYER IN Ge/Boron -2.6989 (4 -3 -20):(10 -4 19 -20):(10 -9 15 -19) IMP:P,E=1 $AL -2.6989 (2 -1 -22):(11 -2 21 -22):(12 -11 21 -24)& :(14 -12 23 -24):(14 -13 -23) IMP:P,E=1 $Al (12 -10 -21):(13 -12 -23):(3 -2 -21):(10 -3 20 -21)& 28 :(6 -4 26 28 -19):(8 -6 18 -19):(9 -8 15 -19)& :(7 -29):(10 -7 -15) IMP:P,E=1 $SPACE IN -0.001205 (-95((1:22)(11:24):(-14))) IMP:P,E=1 $Space C SPHERE WORK -22 95 IMP:P,E=0 $VACUUM C *************BLOCK 2: SURFACE CARDS******* C -HPGe C PLANE PZ 0.0 PZ -0.1 PZ -0.5 PZ -0.503 $AL PZ -1.303 PZ -2.21 PZ -8.203 PZ -10.7 10 PZ -11.0 11 PZ -16.8 12 PZ -16.9 13 PZ -28.1 14 PZ -28.2 C CYLINDER 15 CZ 0.575 16 CZ 0.57503 17 CZ 3.225 18 CZ 3.295 19 CZ 3.57 20 CZ 3.65 21 CZ 4.05 22 CZ 4.15 23 CZ 4.3 24 CZ 4.4 C -CIRCULAR TORUS -25 TZ 0 -1.303 2.495 0.73 0.73 26 TZ 0 -1.303 2.495 0.8 0.8 27 PZ -0.573 28 CZ 2.495 C -SPHERE -29 29 SZ -2.21 0.5 30 SZ -2.21 0.50003 C -SHIELDING LEADS 31 PZ -17.0 32 PZ -17.16 33 pz -17.21 34 pz -25.86 35 PZ -27.16 C -PLANE TOP 36 PZ -16.84 37 PZ -16.79 38 PZ 25.79 39 PZ 25.84 40 PZ 26.0 41 PZ 26.16 42 PZ 26.21 43 PZ 34.94 44 PZ 36.24 C -CYLINDER -45 CZ 4.445 46 CZ 14.0 47 CZ 14.16 48 CZ 14.21 49 CZ 24.2 50 CZ 25.5 C POINT SOURCE ECKERT & ZIEGLER 51 PZ 24.723 52 PZ 25 53 PZ 25.318 54 PZ 25.635 55 CZ 0.25 56 CZ 1.27 C -SPHERE WORK -95 so 50.0 C *************BLOCK 3: DATA CARDS********* MODE P SDEF ERG=1.1732 PAR=2 POS=0 RAD=D1 EXT=D2 AXS=0 $Co-60 & khoang cach 4cm 30 SI1 0.25 $BAN KINH NGUON SP1 -21 SI2 0.1 $CHIEU CAO NGUON SP2 -21 C -MATERIAL CARDS -M1 32070 -0.2052 32072 -0.2745 32073 -0.0776 32074 -0.3652 32076 -0.0775 $Ge 5.323g/cm3 M2 13000 -1.00000 $Al density 2.6989 M3 6000 -0.000124 7000 -0.755268 8000 -0.231781 18000 -0.012827 $AIR C -SOURCE CARDS F8:P E0 0.00001 0.01 8190I 2.0 NPS 1E9 31 PHỤ LỤC B (PB.1a) cm (PB.1b) cm 32 (PB.1c) cm (PB.1d) cm 33 (PB.1e) 10 cm Hình PB.1 Hiệu suất ghi đỉnh từ mơ MCNP6 với cấu hình khơng góc bo có góc bo khoảng cách 0, 4, 6, 8, 10 cm 34 (PB.2a) cm (PB.2b) cm 35 (PB.2c) cm (PB.2d) cm 36 (PB.2e) 10 cm Hình PB.2 Hiệu suất tổng từ mơ MCNP6 với cấu hình khơng góc bo có góc bo khoảng cách 0, 4, 6, 8, 10 cm 37 PHỤ LỤC C Bảng PC.1 Hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 0, cm từ chương trình MCNP6 Hiệu suất ghi đỉnh độ sai biệt Đồng vị 57Co 60Co 88Y 133Ba Năng lượng keV cm cm Không góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 122,1 0,264 0,258 2,35 0,061 0,056 8,43 136,5 0,265 0,259 2,30 0,060 0,056 7,25 1173,2 0,060 0,059 1,07 0,013 0,013 1,80 1332,5 0,054 0,054 1,03 0,012 0,011 1,72 898,0 0,073 0,072 1,15 0,015 0,015 1,98 1836,1 0,042 0,042 0,93 0,009 0,009 1,54 79,6 0,190 0,187 1,62 0,055 0,048 14,76 81,0 0,195 0,192 1,68 0,055 0,048 14,47 160,6 0,257 0,252 2,16 0,056 0,053 5,89 223,2 0,215 0,212 1,85 0,045 0,043 4,16 276,4 0,184 0,181 1,68 0,038 0,037 3,49 302,9 0,171 0,168 1,61 0,036 0,034 3,28 356,0 0,149 0,147 1,52 0,031 0,030 2,96 383,9 0,141 0,138 1,48 0,029 0,029 2,84 Bảng PC.2 Hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 6, cm từ chương trình MCNP6 Hiệu suất ghi đỉnh độ sai biệt Đồng vị 57Co 60Co 88Y Năng lượng keV cm cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 122,1 0,035 0,033 8,13 0,023 0,021 7,59 136,5 0,034 0,032 7,00 0,022 0,021 6,56 1173,2 0,008 0,008 1,73 0,005 0,005 1,66 1332,5 0,007 0,007 1,65 0,005 0,005 1,60 898,0 0,009 0,009 1,91 0,006 0,006 1,84 1836,1 0,006 0,006 1,50 0,004 0,004 1,44 38 Bảng PC.2 Hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 6, cm từ chương trình MCNP6 (tiếp theo) Hiệu suất ghi đỉnh độ sai biệt Đồng vị 133Ba Năng lượng keV cm cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 79,6 0,031 0,027 14,29 0,020 0,018 13,30 81,0 0,032 0,028 13,99 0,020 0,018 13,01 160,6 0,032 0,031 5,71 0,021 0,020 5,38 223,2 0,027 0,026 4,03 0,017 0,017 3,83 276,4 0,023 0,022 3,39 0,015 0,015 3,22 302,9 0,021 0,021 3,18 0,014 0,014 3,02 356,0 0,019 0,018 2,87 0,012 0,012 2,74 383,9 0,018 0,017 2,75 0,012 0,011 2,63 Bảng PC.3 Hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 10 cm từ chương trình MCNP6 Hiệu suất ghi đỉnh độ sai biệt Đồng vị 57Co 60Co 88Y 133Ba Năng lượng keV 10 cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 122,1 0,016 0,015 7,08 136,5 0,015 0,014 6,14 1173,2 0,004 0,004 1,58 1332,5 0,003 0,003 1,51 898,0 0,005 0,004 1,74 1836,1 0,003 0,003 1,37 79,6 0,014 0,012 12,34 81,0 0,014 0,012 12,06 160,6 0,015 0,014 5,04 223,2 0,012 0,012 3,61 276,4 0,011 0,010 3,03 302,9 0,010 0,010 2,85 356,0 0,009 0,009 2,59 383,9 0,008 0,008 2,47 39 Bảng PC.4 Hiệu suất tổng với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 0, cm từ chương trình MCNP6 Hiệu suất tổng độ sai biệt Đồng vị 57Co 60Co 88Y 133Ba Năng lượng keV cm cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 122,1 0,312 0,304 2,64 0,070 0,064 8,71 136,5 0,321 0,313 2,63 0,070 0,065 7,72 1173,2 0,226 0,222 1,82 0,047 0,045 3,25 1332,5 0,218 0,214 1,79 0,045 0,044 3,16 898,0 0,242 0,238 1,89 0,050 0,048 3,45 1836,1 0,200 0,197 1,71 0,042 0,041 2,98 79,6 0,215 0,211 1,82 0,059 0,051 14,41 81,0 0,221 0,216 1,88 0,060 0,052 14,14 160,6 0,326 0,318 2,56 0,069 0,064 6,62 223,2 0,317 0,309 2,37 0,065 0,062 5,28 276,4 0,306 0,299 2,27 0,062 0,060 4,78 302,9 0,301 0,295 2,23 0,061 0,059 4,61 356,0 0,293 0,286 2,17 0,060 0,057 4,37 383,9 0,289 0,283 2,14 0,059 0,056 4,27 Bảng PC.5 Hiệu suất tổng với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 6, cm từ chương trình MCNP6 Hiệu suất tổng độ sai biệt Đồng vị 57Co 60Co 88Y Năng lượng keV cm cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 122,1 0,040 0,037 8,23 0,026 0,024 7,56 136,5 0,040 0,038 7,30 0,026 0,024 6,72 1173,2 0,028 0,028 3,08 0,019 0,018 2,89 1332,5 0,028 0,027 3,00 0,018 0,018 2,81 898,0 0,030 0,029 3,29 0,020 0,019 3,07 1836,1 0,026 0,025 2,81 0,017 0,017 2,63 40 Bảng PC.5 Hiệu suất tổng với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 6, cm từ chương trình MCNP6 (tiếp theo) Hiệu suất tổng độ sai biệt Đồng vị 133Ba Năng lượng keV cm cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 79,6 0,034 0,030 13,78 0,022 0,019 12,69 81,0 0,034 0,030 13,49 0,022 0,019 12,42 160,6 0,040 0,038 6,27 0,026 0,024 5,79 223,2 0,038 0,036 5,00 0,025 0,024 4,64 276,4 0,037 0,035 4,54 0,024 0,023 4,22 302,9 0,036 0,035 4,38 0,024 0,023 4,08 356,0 0,035 0,034 4,15 0,023 0,023 3,87 383,9 0,035 0,034 4,06 0,023 0,022 3,79 Bảng PC.6 Hiệu suất tổng với cấu hình đầu dị HPGe khơng góc bo có góc bo khoảng cách 10 cm từ chương trình MCNP6 Hiệu suất tổng độ sai biệt Đồng vị 57Co 60Co 88Y 133Ba Năng lượng keV 10 cm Khơng góc bo (ɛ2) Có góc bo (ɛ1) RD (%) 122,1 0,016 0,015 7,08 136,5 0,015 0,014 6,14 1173,2 0,004 0,004 1,58 1332,5 0,003 0,003 1,51 898,0 0,005 0,004 1,74 1836,1 0,003 0,003 1,37 79,6 0,014 0,012 12,34 81,0 0,014 0,012 12,06 160,6 0,015 0,014 5,04 223,2 0,012 0,012 3,61 276,4 0,011 0,010 3,03 302,9 0,010 0,010 2,85 356,0 0,009 0,009 2,59 383,9 0,008 0,008 2,47 41