(Luận văn) khảo sát tính chất quang và điện của màng a1n được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng dc

lu an va n t to ng ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC –––––––––––––––––––––– hi ep w nl oa d lu an va NGUYỄN THỊ KHÁNH LINH ul nf oi lm nh at z z KHẢO SÁT TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA MÀNG AlN ĐƢỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHÚN XẠ PHẢN ỨNG DC om l.c gm @ an Lu n va ac th LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ si Thái Nguyên - 2019 lu an va n t to ng ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC –––––––––––––––––––––– hi ep w nl oa d lu an va NGUYỄN THỊ KHÁNH LINH ul nf oi lm nh at z z KHẢO SÁT TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA MÀNG AlN ĐƢỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHÚN XẠ PHẢN ỨNG DC an Lu Mã số: 8.44.01.10 om l.c gm @ Ngành: Quang học n va ac th NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: TS ĐẶNG VĂN SƠN Thái Nguyên - 2019 si LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ lu an va n t to ỜI CAM ĐOAN ng hi ep g T i i w g h lu gi h h h i g ghi g i h h i ghi g h i i i i h h h h h hi oi g h h lm h hi g i h ul nf h i g S g h i va h g an Nh N n i d h gi TS Đ g V oa g a h nl h h ghi nh at z th ng n m z Thái Nguyên ng @ om l.c gm Họ vi an Lu n va ac th si i lu an va n t to ỜI CẢM ƠN ng hi g ep T i g i i h TS Đ g V g i ul nf g i va h g gh - S g - N i g Th g ĐH Kh h h h H h h g ĐH Th i Ng i g nh i V X oi i h lm i i an g g g lu T i V h ĐHKHTN - ĐHQG H N i Th h T h h h d g N oa g h h nl ih ih w g i h h h h g h at z z om l.c gm @ an Lu n va ac th si ii lu an va n t to MỤC LỤC ng hi ep L I AM ĐOAN i w M ƠN ii nl L I oa K HI U VI T T T v lu NG vi an ANH M H NH H NH V NH H P Đ TH vii va ANH M ul nf ĐẦU lm M H d ANH M oi CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN nh i n at g 1.1 Hi u i n 1.3 V t li i n khơng ch a chì z 1.2 V t li z gm @ i n 14 om ng pháp phún x 17 Lu 1.6 Ph g l.c 1.5 Ứng d ng c a hi u 1.4 Aluminium Nitride – Nhôm Nitride 11 an CHƢƠNG 2: QUY TRÌNH VÀ THỰC NGHIỆM 19 va 2.1 Ti n hành ch t o màng m ng AlN ph ng pháp phún x ph n n 2.1.2 Lắ g 19 ng màng m ng AlN ph g h ng phún x ph n ng DC 19 2.2 Các ph ng pháp kh o sát v t li u 20 2.2.1 Phổ truy n qua – h p th quang h c UV-Vis 21 2 Phé 2 Phé hiễu x tia X – XRD 25 R 2.2.4 Kính hi 2.2.5 Phổ tán x 27 i i n t quét (SEM) 28 g ng tia X – EDX 29 iii si 2.1.1 Quy trình làm s h ac th ng DC 19 lu an va n t to 2.2.6 Hi u ng Hall 30 ng hi CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 33 ep 3.1 K t qu w 3.1.1 Kh o sát s hổ nhiễu x tia X 33 nh h ng c a áp su t 33 nl oa 3.1.2 Kh o sát s nh h d nh h ng c a n g lu 3.1.3 Kh o sát s ng c a công su t 35 khí N2 37 an va 3.2 Tính ch t quang c a màng m ng AlN 38 ul nf hổ h p th UV-Vis 38 3.2.2 Các k t qu hổ truy n qua 41 hổ Raman 43 nh X a màng m ng AlN 44 z S M at 3.3 K t qu oi 3.2.3 K t qu lm 3.2.1 Các k t qu z @ 3.3.1 nh SEM c a màng m ng AlN 44 i n c a màng m ng AlN 46 om l.c 3.4 Tính ch gm 3.3.2 K t qu phân tích EDX c a màng m ng AlN 45 KẾT LUẬN 47 Lu an TÀI LIỆU THAM KHẢO 49 n va PHỤ ỤC 52 ac th si iv lu an va n t to ANH MỤC CÁC HIỆU CÁC CH VIẾT TẮT ng hi ep i MEMS Microelectromechanical systems (H i nt ) w nl Aluminium nitride Ar Argon DC Direct current PZT Lead Zirconate Titanate (Chì Zeconi Titan Oxit _ PbZrTiO3) DI Deionized Water Ion – N SEM Scanning Electron Microscope (Kính hi XRD X-ray diffraction (Nhiễu x tia X) MFC Mass flow controller (B EDS Energy dispersive spectroscopy (Phổ tán sắ oa AlN d lu an va g i n chi u) ul nf lm oi c kh ion nh at i i n t quét) z z ng) g ng) om l.c FWHM Full Width at Half Maximum Đ bán r ng) gm @ i u an Lu n va ac th si v lu an va n t to ANH MỤC CÁC ẢNG ng hi ep i n c a m t s v t li B ng 1.1 Tính ch w i m nh i m c a m t s ph nl B ng 1.2 Ư i n 11 ng pháp lắ g ng oa d màng m ng 17 lu an B ng 3.1 D li u chuẩn JCPDS (s 08-0262) c a AlN 35 va ul nf oi lm nh at z z om l.c gm @ an Lu n va ac th si vi lu an va n t to DANH MỤC CÁC H NH H NH V ng g mô t Hi u hi Hình 1 S ep g i n i n khơng ch a chì có c u trúc peroveskite w Hình 1.3 Ơ m ng c a g nl oa Hình 1.4 Ơ m ng c s ki u l p ph ng c a PZT ng b bi n d ng d c s ki u t ph nhi d i nhi Curie (1) Ô m ng Curie (2) lu i n c a ZnO A) Mơ hình ngun t c a ZnO có c u trúc an Hình 1.5 C ch zi e Đi n th Piezo khác tr va W THỊ i n tinh th th ch anh Hình 1.2 Hi u ẢNH CHỤP Đ ul nf kéo dãn hay nén C) Tính tốn s l ng phân b lm dây nano ZnO d ng h p l c tác d ng i n th ú i d ng bi n d ng tr c c D) C i n g g ng 10 oi nh Hình 1.6 (a) C u trúc tinh th ; (b) Liên k t B1 B2; (c) C u trúc tinh th v i liên k t at B1 B2; (d) Các m t phẳng khác c a AlN 12 g c t c th ng ng, nh ng s gm i n d ng cantilever PZT i n [26] 16 Lu ng cỡ mm g m l om g g i n b) s d ng m t l d ng l h g l.c ổi i g ú i ho ng trung bình 14 Hình 1.9 C u trúc thi t b chuy Hình 1.8 C @ h ng có th cl ng c a AlN 13 z H h 18 N g g z ú Hình 1.7 C c bẻ cong c y vào an gót gi y 16 va n Hình 1.9 Nguyên lý c a trình phún x 18 ac th Hình 2.1 S nguyên lý phún x ph n ng DC 20 chùm tia 22 hổ h p th 22 Hình 2.3 S g h Hình 2.4 Ph T P h r ng vùng c m 24 c a v t li u bán d n 24 Hình 2.5 M g hổ h p th UV-Vis UV 2450 t i Trung tâm Khoa h c V t li u – Đ i h c Khoa h c T nhiên Hà N i 25 Hình 2.6 Minh h nh lu t Vulf-Bragg 26 Hình 2.7 H XRD D8 Advance–Bruker t i Đ i h c Khoa h c T nhiên Hà N i 26 Hình 2.8 Kính hi tr i i n t quét (SEM), vi n tiên ti n Khoa h c Công ngh g Đ i h c Bách Khoa Hà N i 29 vii si Hình 2.2 a) Máy quang phổ h p th m t chùm tia, b) Máy quang phổ h p th hai lu an va n t to Hình 2.9 S hi u ng Hall 31 ng n 1,5.10-3 hi Hình 3.1 Phổ nhiễu x tia X c a màng m ng AlN v i áp su t t 6.10-3 ep Torr 33 Hình 3.2 (a) FWHM c nh AlN (002) (b) kích th w gAN c lắ g nl màng m c tinh th AlN c a ng v i áp su t phún x khác 34 oa d Hình 3.3 Phổ XRD c a màng m ng AlN v i i u ki n công su c lắ g ổi 36 c tinh th AlN c a màng ng v i công su t phún x khác 37 va gAN an m nh AlN (002) (b) kích th lu Hình 3.4 (a) FWHM c h g khí N2 23% 33% 38 Hình 3.6 Phổ h p th c a màng m ng AlN v i công su h ổi t 60W ul nf Hình 3.5 Phổ XRD c a màng m ng AlN v i i u ki n n lm oi Hình 3.7 Phổ h p th c a màng m ng AlN v i i u ki n áp su nh g at Hình 3.8 Phổ h p th c a màng m ng AlN v i n N2 h h ổi 40 ổi 40 h z Hình 3.8 Phổ truy n qua c a màng m ng AlN v i công su t ngu ổi t z n 120W 41 khí N2 h ổi t l.c g n 7,510-3 Torr 42 Hình 3.10 Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có n ổi t gm h Hình 3.9 Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có áp su @ 60W n 120W 38 g silicon 43 Lu Hình 3.11 Phổ Raman c a màng m ng AlN lắ g om 23% 33% 42 an Hình 3.12 nh SEM b m t c a màng m ng AlN 44 công su t khác (a) 60W, (b) n va H h 13 Đ dày c a màng m ng AlN phún x Hình 3.14 S ph thu c c ac th 80W, (c) 100W (d) 120W 44 dày màng m ng AlN v i công su t phún x 45 i u ki n phún v i công su t 100W, th i gian phún x 60 phút áp su t phún x 6.10-3 Torr 46 viii si Hình 3.15 Phổ EDS c a màng m ng AlN lu an va n hổ h p th c a m u AlN phún x K t qu t to h công su t phún x ổi t 60W 120W ng g hi r ng vùng c m quang h c c ep Tauc Plot [5] h w nl oa 60W 80W 100W d 120 W g lu c m c a màng ch t o g r ng vùng c m quang c ch t o 120W Ri g an g va h r ng vùng c m c a màng AlN c u tr c nano v i r ng vùng c công b khác v r ng vùng c ul nf ng lm n 6.5 eV oi ổi m t chút v i r ng vùng c nh h g t lên 4.65 eV K t qu tính tốn trùng kh p v i k t qu tính tốn c S g c vẽ l i hình theo công th c ổi t 4.5 eV, 4.39 eV 4.35 eV v i g công su t eV H h36 c vẽ g H h K t qu cho th g h h cc th y tinh v i th c a màng, khuy t t t, l tr g n c u trúc tinh g at x pc hh u g z Hình 3.1 cho th y, m u z r ng vùng c m c a màng So sánh v i k t qu XRD g ng v i n 4.35 eV K t qu r t phù h p v i k t l.c c xu t b n v i c u trúc nano AlN d ng l c giác om qu nghiên c 100W r ng vùng c m kho ng 4.39 eV công su t t 80W gm c ch t o @ hi có c u trúc t an Lu 3.2.1.2 Sự thay đổi áp suất vào độ rộng vùng cấm quang màng Đ th s ph thu c c a phổ h p th c a m u vào áp su t trình Hình 3.7, bên Hình 3.7 s ph thu c c i hi nh h p th c a m u có s gi 6.10-3 Torr lên 7,5.10-3 Torr Cùng v i g x h c tính tốn t cơng th c nh h p th v h nh h p th , ta có th c sóng ngắ h h T t phún chuy n d i nhẹ c a g g i s d ch chuy n g r ng vùng c m c a m n t 4.22, 4.24, 4.35 4.51 eV áp su t phún x gi m t 7.5, 7, 6.5 6.10-3 Torr Nh n ch ph 312 gi i thích, cơng su t phún x ng màng b i n g ion phún x v i plasma, nhi ch hh ng tr c ti p khí phù h p gi m thi u s va ch m c a h gi h u h ng màng m ng Không gi ng FWHM c a màng, s ph thu c c r ng vùng c m t l ngh ch v i áp su t phún x 39 ổi si T ’ H h37 h ac th r ng vùng c m quang vào áp su t ch t o m n c ch va ch t o m lu an va n t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf oi lm nh h at Hình 3.7 Phổ h p th c a màng m ng AlN v i i u ki n áp su ổi z z 3.2.1.3.Ả h hƣởng tỷ lệ khí đến phổ hấp thụ màng 23% N2 T g ng v i g 33% 23% N2 V i m u r ng vùng c m g n v i giá tr tham va N2 33% h r ng vùng an ch t o n N2 Lu c m c a m u 4.35 eV 4.03 eV v i m u ch t o om a m u ch t o l.c h 3 Đ nh h p th c a m u ch t o v i n g 33% m khí N2 vào phổ h p th c a m u gm hổ XRD @ Hình 3.8 mơ t s ph thu c c a n g n kh o kho ng 4.35 eV ac th si Hình 3.8 Phổ h p th c a màng m ng AlN v i n g 40 N2 h ổi lu an va n 3.2.2 Các kết đo phổ truyền qua t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf oi lm nh at z z gm ổi t 60W @ Hình 3.8 Phổ truy n qua c a màng m ng AlN v i công su t ngu n DC thay n 120W i 200-700 nm v i công su ổi t 60W truy n qua cao (80 – 98%) ph m vùng nhìn th y g su t phún x ng n gi công su t 120W su t c công su t 120W su t so v i 41 c sóng ~ su t c a màng m g công su t th g t g g si h n th y, r t có th , phún x nhi u khuy t t h lắ g g g ac th g T h g hi n truy n qua cao nh t t i 98% Đ truy va t ngo i có c nh h p th d c t i 250 400nm, bằ g truy n qua c a an h g 120W Lu h m h c sóng om l.c Hình 3.9 phổ truy n qua c a màng m ng AlN ph h g ng i u ki n công su t khác lu an va n t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf oi lm nh h Hình 3.9 Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có áp su ổi t n at z 7,510-3 Torr z Torr th hi n Hình 3.10 cho ta th y, mà g hh g h hi n áp su t phún x khác truy n qua c a màng om không truy n qua cao l.c i u (>85% vùng kh ki n 7,510-3 ổi t g h gm @ Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có áp su an Lu n va ac th si Hình 3.10 Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có n g 23% 33% 42 khí N2 h ổi t lu an va n Chúng nh n th hi h ổi tỷ l khí ph n g truy n qua c a g g h ổi Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có n g khí N2 h ổi t 23% 33% th hi n hình 3.11 cho th y, lắ g ng màng v i tỷ l N2 th 23% g h truy n qua th p (60%), nguyên + nhân n g khí Ar g i ng phún x l n, bắn phá bia t t nên gây th A g L gA h g h p th d n gi truy n qua c g Khi g ỷ l khí lên, n g N2 33%, t phún x Al gi i g i ng N2 g gi m d gA h a màng, k t qu truy n qua c g g Chúng nh n th y, ch t o màng tỷ l khí 33% N2 cho k t qu màng su truy n qua cao (>90% vùng kh ki n) t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf lm oi 3.2.3 Kết đo phổ Raman Hình 2.12 cho th y phổ R i n hình c a màng m ng AlN lắ g ng silicon (100) Hai c i g rõ ràng có th c quan sát t -1 phổ, m t 519 cm bắt ngu n t ch t n n silicon, m t c i khác 656 cm-1 g ng v i ch AlN c g n s th h n s chuẩn c a E2 657,4 cm-1 [7] Đi u cho th y có ng su é h màng AlN, có th gây b i s khác bi t c a h s co kéo hay giãn n nhi t gi a g Si nh at z z om l.c gm @ an Lu n va ac th si Hình 3.11 Phổ Raman c a màng m ng AlN lắ g 43 g silicon lu an va n 3.3 Kết đo SEM E X màng mỏng AlN t to 3.3.1 Ảnh SEM màng mỏng AlN ng hi Hình 3.13 th hi n nh SEM quan sát b m t màng m ng AlN cho ep th h h c h t l n (t 200 300 x p ch t cao l tr ng w nl oa d lu an va ul nf oi lm nh at z Hình 3.12 nh SEM b m t c a màng m ng AlN z om l.c gm @ an Lu n va ac th si Hình 3.13 Đ dày c a màng m ng AlN phún x công su t khác (a) 60W, (b) 80W, (c) 100W (d) 120W 44 lu an va n t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf oi lm nh at z z @ dày màng m ng AlN v i cơng su t phún x nh tính thành ph n hóa h c c a m u màng m ng nh phổ tán sắ g g an Lu công su t 100W, th i gian phún x 60 phút áp su t phún x 6.10-3 T X h h va Hình 3.14 n bày h om AlN phún x h l.c K t qu 3.3.2 Kết phân tích EDX màng mỏng AlN gm Hình 3.14 S ph thu c c ac th Phổ EDX cho th y m u ch t n t i nguyên t c u thành nên m u :A N t p ch h O gAN ắ g g g c ghi nh n Các m nguyên t mong mu n 45 c khơng có ch a ngun t c ch t ú g i thành ph n si g lu an va n t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf lm oi Hình 3.15 Phổ EDS c a màng m ng AlN i u ki n phún v i công su t 100W, nh th i gian phún x 60 phút áp su t phún x 6.10-3 Torr z z ng, n g c th c tiễn om l.c g ng d ng c a m u ch t công ngh linh ki n bán d n giú h i n tr su t, n g silic lắ g ng nhi phòng n va ng Hall c a màng m g A N h tt i an i h gH Lu Hi u h t t i có th h i h gm d n, tùy theo thông s : i n tr su @ i n m t tính ch t quan tr ng nh t m t màng m ng bán Tính ch h gi at 3.4 Tính chất điện màng mỏng AlN th i gian lắ g Phé g i h bán d n lo i N 46 dày 1,35  Đi n tr su t c a si màng  = 8,4.10-3  g 60 hú ac th Các thông s ch t o màng AlN là: áp su t 6.10-3 Torr, công su t phún x 100W ng Hall cho th y, màng m ng AlN lu an va n KẾT LUẬN t to ng hi ú ep M g gAN nl g hi h g ú hú i h h g h g g ú hh g i h h i g h i h h an g h h h h h hú hi hh g gi gh g h g g g ẽ g g h g g g ú i h h d V i g g N2 hú e g i i 100 W h i g h h h g ỷ i g h h N2 h g h ỡ 10-3 T i g gAN h i g 80 - 23% ú g eV T h i hi hú f V i i 33% N2 33% g i g g i n g i hú g g g i ẽ i ằ g i h h 47 h h ghi ổi i i i h h hằ si g g ac th h ắ g ổi n c Th va g h g Lu g gh om g l.c g hh g ổi ổi g h g h FHWM h gm ổi g g @ 80 - 100 W Khi h g h ắ g z hú g 002 002 ằ g h z ổi he h i at h N2: i g i h h nh i i hh oi ỷ i lm i g hi a Khi h h ú ổi i g i ul nf i hh h ổ gh va gAN h Khi h he h an M g g hú lu g g h g h d hi gAN oa M g ằ g h g w g : h g h g lu an va n g i t to i h i ng i g oa h i g g g g gh nl g i g g g g g w h gh h g hi i i h h g g h ep g hi hi g Đ g h i hi h ghi g hi ĩ h i i g i g hi h i hh hi gi ẻ V h i hi h h i g g g d lu an va ul nf oi lm nh at z z om l.c gm @ an Lu n va ac th si 48 lu an va n TÀI LIỆU THAM KHẢO t to ng hi [1] Navaratna D.,Guo S Z., K Hayakawa,Wang X., Gerhardinger C., and Lo ep H 2011 “Decreased cerebrovascular brain-derived neurotrophic w factor-mediated neuroprotection in the diabetic brain” nl oa 1789–1796 i e e 60 d lu [2] https://www.ossila.com/pages/sheet-resistance-measurements-thin-films an I R H S M “Method of Experimental Physics: h 16 ul nf Polymers ” i va [3] J I W g 128 1980 lm [4] Mitcheson P D., Yeatman E M., Rao G K, Holmes A S.,Green T C oi nh ,(2008), Proc IEEE, 96, 1457 at [5] Beeby S P., Tudor M J., White N M.,(2006), Meas Sci Technol 17, z z R175 @ gm [6] Honda W., Harada S., Arie T., Akita S., Takei K.,(2014), Adv Funct l.c Mater, 24,3299 om [7] Williams C B., Shearwood C., Harradine M A., Mellor P H., Birch T e Pie e ie 1880 “Dévelopment par compression de ac th l’électricité polaire dans les cristaux hémièdres n [9] J va [8] Kim S G., Priya S ,Kanno I., (2012) MRS Bull., 37, 1039 an Lu S , Yates R B.,(2001), IEE Proc.-Circuit Device Syst.,148, 337 faces inclinées” Bulletin si de la Société minérologique de France, 3, pp 90–93 [10] Li G 1881 “Principe de la conservation de l'électricité” A e de chimie et de physique, 24, pp 145 [11] Kao K C., (1960), "Dielectric phenomena in solids", Oxford University Pres.s [12] Tecnology Tired Tires, http://dev.nsta.org/evwebs/2014102/news/default.html [13] Nye J F (1960)," Physical Properties of Crystals", Oxford University Press, Oxford [14] Wang J.J, Meng F Y, Ma XingQiao (2010), " Lattice, elastic, plariation, 49 lu an va n and electrostrictive properties of BaTiO3 from first principles", Juarnal of t to Applied Physics ,108(3), pp 1-5 ng L W L Zh hi [15] L Y G W g M L X J P 2009 “Tantalum ep influence on ph sical properties of (K 5Na 5)(Nb −xTax)O ceramics” w Materials Research Bulletin, 44, pp 284-287 nl oa [16] Europe Union, Restriction of Hazardous Substances Directive, có hi u l c lu 2006 d t an va [17] https://www.physikinstrumente.com/en/primages/pi_pztcell_d4c_O.jpg ul nf [18] Zeng Q., Shi B., Li Z and Wang Z.L ( 2017), " Recent progress on lm Piezoelectric and Triboelectric Energy Harvesters in Biomedical Systems", oi nh Advanced Science, (7), pp 1-23 at [19] Fraga M.A., Furlan H., Pessoa R.S.,Massi M., (2013), " Wide bandgap z z semiconductor thin films for piezoelectric ans piezoresistive MEMs sensors @ gm appled at high temperatures: an overview", Microsystem Technologies, 20 l.c (9), pp 10-21 om [20] Mylvaganam K., Chen Y., Liu W., Liu M Zhang L., (2015), " Hard thin an Lu films: Applications and challenges", Anti-Abrasive Nanocoatings, pp 543- va 567 n [21] Iqbal A., Yasin F., (2018), " Reactive Sputtering of Aluminum Nitride (002) ac th Thin Films for Piezoelectric Applications: A review", Sensors, 18 (1789), si pp 1-2 [22] Yeh C.-Y , Lu Z W., Froyen S , Zunger A.,(1992), "Zinc-Blende– Wurtzite Polytypism in Semiconductors", Phys Rev B, 46 [23] Vurgaftman I., and Meyer J R ,(2003), "Band Parameters for NitrogenContaining Semiconductors", J Appl Phys 94, pp.3675-3696 [24] Xu X H., Wu H S.,Zang C J., Jin Z H.,(2001), "Morphological properties of AlN piezoelectric thin films deposited by dc reactive magnetron sputtering", Thin Solid Films, 388, pp 62-67 [25] Christensen, N.E., Gorczyca I.,(1994), "Optical and structural properties of III-V nitrides under pressure", Phys Rev B, 50,pp 4397-4415 50 lu an va n [26] Khảo s t v chế tạo thiết bị chu ển hóa điện n ng từ vật liệu p điện dựa N t to cấu trúc vi điện (MEMS) M ng hi h 103 99-2015 81 Q ỹ h ep Đ gV T g N h h N g g gh VN - TS g Đ ih Kh h T H N i) (2017) w hi S i 02 37/2014/TT-BKHCN Mã nl oa [27] Shenck N S , Paradiso J A.,(2001), Ieee Micro, 21, 30 Đ ih an va gi H N i 2003 Vật liệu từ liên kim loại Nhà x lu Q Đ d [28] Ng ễ H ul nf oi lm nh at z z om l.c gm @ an Lu n va ac th si 51 lu an va n PHỤ ỤC t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf oi lm nh at z z om l.c gm @ an Lu n va ac th si 52 lu an va n t to ng hi ep w nl oa d lu an va ul nf oi lm Súng bia nh at Đ th y tinh Si giá teflon z z om l.c gm @ an Lu Si i va th y tinh n M gAN ac th si gAN h 53 g i