Luận văn từ trường của vi cấu trúc từ với biến thiên từ trường lớn

MỤC LỤC MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Từ trường đại lượng 1.2 Các phương trình từ trường tĩnh 1.3 Phân loại số vật liệu từ 1.3.1 Vật liệu nghịch từ 1.3.2 Vật liệu thuận từ 1.4 Đường cong từ trễ 1.5 Mục tiêu luận văn 11 CHƯƠNG MƠ HÌNH LÝ THUYẾT VÀ PHẦN MỀM MƠ PHỎNG 2.1 Mơ hình lý thuyết 13 13 2.1.1 Mơ hình dịng tương đương 13 2.1.2 Mơ hình từ tích 18 2.2 Phần mềm mơ 21 2.2.1 Phần mềm MacMMems 22 2.2.2 Phần mềm Ansys Maxwell 23 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 25 3.1 Kết khảo sát từ trường phần mềm MacMMems 25 3.1.1 Cấu hình 11 nam châm 25 3.1.2 Cấu hình 22 nam châm 32 3.1.3 Cấu hình 33 nam châm 37 3.1.4 Cấu hình 44 5×5 nam châm 41 a) Cấu hình 4×4 nam châm 41 b) Cấu hình 5×5 nam châm 45 3.2 So sánh từ trường biến thiên từ trường bề mặt số cấu hình nam châm mơ phần mềm mơ tính tốn lý thuyết 48 3.2.1 Cấu hình 11 nam châm 48 3.2.2 Cấu hình 22 nam châm 52 KẾT LUẬN 55 TÀI LIỆU THAM KHẢO 56 MỞ ĐẦU Nam châm từ trường thành phần quan trọng nhiều thiết bị kỹ thuật Ngày nay, nam châm sử dụng nhiều động ô tô, đầu đọc ghi thơng tin lĩnh vực máy tính Với phát triển công nghệ nano, nhu cầu nam châm mạnh tạo từ trường không đồng (biến thiên) lớn không gian nhỏ ngày nhiều Cho đến việc phân tách đối tượng từ tính phi từ tính truyền động sử dụng lực từ thông thường sử dụng từ trường tạo cuộn solenoid, nam châm điện nam châm siêu dẫn Gần đây, số nhóm nghiên cứu thành công việc sử dụng nam châm vĩnh cửu để tạo từ trường lớn thay nam châm truyền thống Từ trường lớn tạo phù hợp với đặc điểm dị hướng từ mạnh vật liệu sử dụng để làm nam châm vĩnh cửu, thường hợp chất vật liệu đất kim loại chuyển tiếp Tuy nhiên, từ trường đồng khơng phải thuận lợi phân tách sử dụng từ tính địi hỏi nguồn từ trường có cường độ lớn biến thiên mạnh Bởi lực từ tác dụng lên đối tượng tỉ lệ thuận với độ cảm từ đối tượng, cảm ứng từ độ biến thiên cảm ứng từ Cụ thể, phần tử (đối tượng) từ tính đặt môi trường từ không đồng chịu tác dụng lực từ cho công thức sau: với V thể tích phần tử từ, ∆χ chênh lệch độ thẩm từ phần tử từ (χp) môi trường (χm), B độ lớn từ trường Tùy thuộc vào giá trị ∆χ mà phần tử từ chịu tác dụng lực hút hay lực đẩy từ trường tác động Nếu ∆χ > phần tử chịu tác động lực hút bị hút vị trí có lực hút mạnh (thường cạnh nam châm), phần tử bị đẩy xa khỏi nguồn từ trường tới vị trí có lực đẩy nhỏ ∆χ < Ngoài ra, dung dịch nhỏ lên cấu trúc từ, phần tử chịu tác động lực khác như: trọng lực (Fg), lực đẩy Archimedes (FA), lực kéo dòng chất lỏng… phần tử thường có xu hướng di chuyển (magnetophoresis) tới vị trí ổn định nơi mà tổng lực tác động lên phần tử có xu hướng cân Việc tính tốn lực tác dụng lên phần tử từ cho phép xác định tiên đoán cách mà phần tử từ di chuyển 10 vị trí ổn định chúng đặt vào mơi trường từ Do đó, để tăng hiệu phân tách từ tính, bên cạnh yêu cầu khác giá trị tích cao u cầu Theo dự đốn với kỹ thuật chế tạo hệ thống vi điện tử vi nam châm ngày nay, cấu trúc từ vĩnh cửu tích hợp hệ thống phân tích vi lưu, mở rộng khả ứng dụng nam châm Một thực tế rõ ràng hệ thống phân tách từ phức tạp, đắt tiền cần nhiều công đoạn thời gian để chế tạo Do đó, phương pháp thiết kế lý thuyết sử dụng để thu mơ hình hệ thống tối ưu trước chế tạo Công việc quan trọng trình thiết kế lý thuyết mơ từ trường Vì luận văn này, nghiên cứu lý thuyết mô từ trường số cấu trúc từ kích thước micro-nano, có tính từ cứng dị hướng từ lớn theo trục Tại viền nam châm, từ trường (B) mạnh biến thiên (B) lớn tạo ra, với tích giá trị (BB) đạt 103 – 105 T2/m 11 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Từ trường đại lượng Từ trường môi trường vật chất đặc biệt bao quanh điện tích chuyển động tác dụng lực lên điện tích chuyển động Từ trường sinh hai cách: sử dụng cuộn dây có dịng điện chạy dây dẫn nam châm vĩnh cửu Trong nam châm vĩnh cửu khơng có dịng điện theo nghĩa thơng thường mà có chuyển động quỹ đạo chuyển động spin điện tử Đó nguồn gốc tượng từ vật liệu Cảm ứng từ đại lượng véctơ, đặc trưng cho từ trường phương diện tác dụng lực Cường độ từ trường hay gọi véctơ cường độ từ trường đặc trưng cho độ mạnh yếu từ trường Trong chân khơng khơng khí, cường độ từ trường H có chiều giống chiều cảm ứng từ B Chúng liên kết với phương trình [1, 2]: (1 1) vi à0 = 4ì10-7 N.A-2 l t thm chân không Trong vật liệu từ, vật liệu từ có từ trường nội (từ độ) nên đặt từ trường , cảm ứng từ B bao gồm thành phần từ trường , từ độ bên vật liệu: (1 2) Độ cảm từ  thiết lập mối quan hệ M H theo phương trình sau: (1 3) Từ phương trình trên, thấy: (1 4) với µr độ từ thẩm tương đối vật liệu so với chân không 1.2 Các phương trình từ trường tĩnh Như biết điện trường từ trường đồng thời tồn không gian tạo thành trường thống gọi trường điện từ Vì để mô tả trường điện từ, Maxwell nêu hệ thống phương trình sau [20]: - Dạng vi phân: Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 12 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an (1 5) (1 6) (1 7) (1 8) - Dạng tích phân: (1 9) (1 10) (1 11) (1 12) (1 13) (1 14) đó: véc tơ cường độ điện trường, có đơn vị (V/m) véctơ cường độ từ trường, có đơn vị (A/m) độ điện cảm, có đơn vị (C/m2)  mật độ điện tích, có đơn vị (C/m3) véctơ cảm ứng từ, có đơn vị (T) d véctơ vi phân diện tích có hướng vng góc với mặt S có đơn vị (m2) dV vi phân thể tích V bao bọc diện tích S, có đơn vị (m3) d véctơ vi phân đường cong tiếp tuyến với đường cong (C) bao quanh diện tích S, có đơn vị (m) , µ số điện môi từ thẩm môi trường Hệ phương trình Maxwell viết áp dụng điều kiện sau: Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 13 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an - Các vật thể đứng yên chuyển động chậm điện từ trường - Các đại lượng đặc trưng cho tính chất điện từ mơi trường khơng phụ thuộc thời gian không phụ thuộc véctơ đặc trưng cho điện từ trường Như vậy, hệ phương trình Maxwell cho phép ta xác định trạng thái điện từ trường cách đơn giản Khi áp dụng hệ phương trình Maxwell cho từ trường tĩnh, ta phải cho đạo hàm theo thời gian cho (khơng có mật độ dịng) phương trình Maxwell đơn giản nhiều Từ điều kiện trên, ta viết lại hệ phương trình Maxwell cho trường tĩnh từ gồm phương trình sau đây: (1 15) (1 16) (1 17) (1 18) 1.3 Phân loại số vật liệu từ Từ trường định nghĩa đường sức từ, từ trường tương tác với loại vật liệu đó, số đường sức từ tăng giảm Nguồn từ trường theo khuếch đại hay giảm vật liệu kết tương tác Các chất khác tương tác với từ trường mức độ khác Để biểu diễn mức độ tương tác vật liệu với từ trường ngồi, người ta dựa vào cơng thức 1.3 Thơng qua công thức người ta đưa khái niệm hệ số từ hóa  đại lượng đặc trưng cho mức độ bị từ hóa vật liệu Dựa vào giá trị hệ số này, vật liệu từ thường chia làm ba nhóm, bao gồm vật liệu nghịch từ, thuận từ sắt từ Nhóm vật liệu sắt từ coi lớp thuận từ tách riêng có tính chất từ quan trọng [1, 2, 20] 1.3.1 Vật liệu nghịch từ Như ta biết, hiệu ứng nghịch từ có nguyên tử đặt từ trường ngồi Do tính chất nghịch từ có chất Tuy nhiên, tính chất nghịch từ thể rõ chủ yếu chất mà chưa đặt từ trường ngồi, tổng mơ-men từ ngun tử (hay phân tử) chúng 0, nghĩa mơ-men từ quỹ đạo mơ-men từ spin hồn tồn triệt tiêu lẫn Đó chất khí (He, Ne, Ar, Kr, Ze, Rn) ion (Na+, Cl-) có lớp điện tử giống Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 14 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an khí Tính chất nghịch từ thể số chất có mơ-men từ nguyên tử chiếm ưu so với hiệu ứng thuận từ Cu, Ag, Sb, Bi Ngoài ra, chất Pb, Zn, Si, Ge, S, CO2, H2O, thủy tinh đa số hợp chất hữu chất nghịch từ Khi đặt từ trường ngoài, từ độ vật liệu yếu ngược hướng với từ trường Độ cảm từ có giá trị âm nằm khoảng từ -10-6 tới -10-4 không thay đổi theo nhiệt độ 1.3.2 Vật liệu thuận từ Khác với chất nghịch từ, chất thuận từ bị từ hóa sinh từ trường phụ hướng chiều với từ trường Tính chất thể chất mà chưa có từ trường ngồi, mơmen từ ngun tử (hay phân tử) chúng khác Đó chất kim loại kiềm (Na, K,…), Al, NO, Pt, O2, N2, nguyên tố đất hiếm,… Khi chưa đặt khối vật liệu thuận từ vào từ trường ngoài, theo lý thuyết Langevin, chuyển động nhiệt, mô-men từ nguyên tử xếp hoàn toàn hỗn loạn nên tổng mô-men từ khối thuận từ Khi đặt khối vật liệu thuận từ vào từ trường ngồi, mơ-men từ ngun tử có xu hướng xếp theo hướng từ trường Tuy nhiên chuyển động nhiệt lại có xu hướng làm cho chúng xếp hỗn loạn Dưới tác dụng đồng thời hai nguyên nhân trên, mô-men từ nguyên tử xếp có thứ tự theo hướng từ trường ngồi, tạo mơ-men từ tổng khối vật liệu thuận từ, mô-men từ tổng biến từ trường loại bỏ Độ cảm từ vật liệu thuận từ có giá trị khoảng từ 10-4 tới 10-3 phụ thuộc vào nhiệt độ, độ cảm từ lớn nhiệt độ thấp giảm dần nhiệt độ tăng dao động nhiệt mô-men từ 1.3.3 Vật liệu sắt từ Nghịch từ thuận từ vật liệu từ yếu Sắt từ loại vật liệu từ mạnh Độ cảm từ vật liệu sắt từ lớn độ cảm từ cùa vật liệu nghịch từ thuận từ hàng trăm triệu lần Độ cảm từ vật liệu sắt từ có giá trị khoảng từ 102 tới 105 [3, 4, 6, 9-11, 14-16, 20-26] Các ngun tố hóa học có tính chất sắt từ Fe, Ni, Co, Gd, số nguyên tố đất nhiệt độ thấp,… Ngồi cịn số lượng lớn chất sắt từ hợp kim nguyên tố sắt từ với nhau, hợp kim nguyên tố sắt Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 15 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an từ với nguyên tố không sắt từ (như Fe-Ni, Fe-Ni-Al,…) số hợp kim nguyên tố không sắt từ với (như Cu-Mn-Al),… Giống vật liệu thuận từ chỗ có mơ-men từ tĩnh, mơ-men từ liên kết chặt chẽ với Các mô-men từ nguyên tử liên kết xếp song song chiều với qua vùng không gian gọi miền Weiss (domain) Nhiệt độ tăng chất sắt từ làm giảm mô-men từ tổng vật liệu dao động nhiệt mô-men từ riêng rẽ Các chất sắt từ có từ độ tự phát mơ-men từ tổng cộng mơ-men từ tổng miền Weiss liên kết ngẫu nhiên với khơng có định hướng ưu tiên Khi vật liệu đặt từ trường ngồi với cường độ tăng dần, mơ-men từ nguyên tử xếp hướng với từ trường đạt trạng thái bão hòa từ (MS) Khi vật liệu đạt trạng thái bão hịa từ, từ trường ngồi loại bỏ vật liệu sắt từ tồn mơ-men từ tổng tương ứng với định hướng ưu tiên mơ-men thành phần sau từ hóa, gọi từ độ dư (MR) Lúc này, từ trường đưa vào theo hướng ngược lại tăng dần cường độ để mô-men từ vật liệu đạt trạng thái bão hịa lần từ độ vật liệu hàm từ trường ngồi có đường khác đường Đồ thị phụ thuộc từ độ vật liệu sắt từ vào từ trường gọi đường cong từ trễ Đường cong từ trễ tính chất quan trọng vật liệu sắt từ làm cho vật liệu sắt từ có nhiều tiềm ứng dụng mà ứng dụng điển hình chúng dùng để chế tạo nam châm 1.4 Đường cong từ trễ Từ trễ (magnetic hysteresis) tượng bất thuận nghịch q trình từ hóa đảo từ vật liệu sắt từ khả giữ lại từ tính vật liệu sắt từ Hiện tượng từ trễ biểu thông qua đường cong từ trễ (từ độ - từ trường M(H), hay cảm ứng từ - từ trường B(H)), mô tả sau: sau từ hóa vật sắt từ đến từ trường bất kỳ, ta giảm dần từ trường quay lại theo chiều ngược, khơng quay trở đường cong từ hóa ban đầu nữa, mà theo đường khác, ta đảo từ theo chu trình kín (thay đổi từ trường ngồi theo hướng ngược lại), ta có đường cong kín gọi đường cong từ trễ hay chu trình từ trễ [1, 15] (hình 1.1) Tính chất từ trễ tính chất nội đặc trưng vật liệu sắt từ, tượng trễ biểu khả từ tính của chất sắt từ [20] Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 16 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Hình 1 Đường cong từ trễ M(H) vật liệu sắt từ với lực kháng từ HC, độ từ dư MR, từ độ bão hòa MS Trên đường cong từ trễ, ta xác định đại lượng đặc trưng chất sắt từ như: - Từ độ bão hòa (MS): từ độ đạt trạng thái bão hịa từ, có nghĩa tất mơmen từ chất sắt từ song song với - Từ dư (MR): giá trị từ độ từ trường khử - Lực kháng từ (HC): từ trường cần thiết để khử hoàn tồn mơ men từ vật liệu, giá trị để từ độ đổi chiều Đôi lực kháng từ gọi trường đảo từ Nguyên nhân tượng từ trễ tương tác mơ men từ có tác dụng ngăn cản chúng quay theo từ trường ngồi Có nhiều chế khác tạo nên tượng từ trễ dạng đường cong từ trễ khác nhau: chế quay mô men từ, chế hãm dịch chuyển vách đô men, chế hãm phát triển mầm đảo từ Việc phân tích đường cong từ trễ vật liệu sắt từ dẫn tới khái niệm vật liệu từ cứng vật liệu từ mềm (hình 1.2) Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 17 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an (a) (b) (c) Hình 16 Sự biến thiên thành phần từ trường Bz theo z (dBz/dz) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 51 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an b) Cấu hình 5×5 nam châm (a) (b) (c) Hình 17 Từ trường thành phần Bz mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 52 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an (a) (b) (c) Hình 18 Sự biến thiên thành phần từ trường Bz theo y (dBz/dy) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 53 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an (a) (b) (c) Hình 19 Sự biến thiên thành phần từ trường Bz theo z (dBz/dz) mô dọc theo đường quét x1 (a), x2 (b) x3 (c) độ cao d khác Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 54 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Các kết mô thu cho thấy, việc tăng số lượng nam châm mà khơng thay đổi thơng số hình dạng, kích thước thuộc tính từ nam châm góp phần giúp cho khơng gian từ trường xung quanh nam châm có thêm nhiều vùng từ trường biến thiên qua làm tăng thêm vị trí làm vị trí ổn định cho đối tượng từ tính khơng gian xung quanh nam châm 3.2 So sánh từ trường biến thiên từ trường bề mặt số cấu hình nam châm mơ phần mềm mơ tính tốn lý thuyết 3.2.1 Cấu hình 11 nam châm Hình 20 Cấu hình 1×1 nam châm vị trí khảo sát từ trường phần mềm Ansys Maxwell Trước hết, thực mô lại từ trường xung quanh cấu hình 11 nam châm hình trụ phần 3.1.1 phần mềm mô Ansys Maxwell sử dụng mơ hình từ tích Trong phần chúng tơi khảo sát thành phần từ trường Bz số điểm đặc trưng nằm trục nam châm (x = µm), nằm đường thẳng song song với trục nam châm mép nam châm (x = 25 µm) nằm đường thẳng song song với trục nam châm, cách nam châm khoảng 2R (x = 50 µm) theo khoảng cách d khác (hình 3.20) Kết thu được biểu diễn đồ thị hình 3.21 Đồ thị hình 3.21a cho thấy giá trị từ trường Bz điểm nằm trục nam châm giảm khoảng cách với bề mặt nam châm tăng Giá trị từ trường Bz điểm đường tiếp tuyến với nam châm song song với trục nam châm có điểm cực đại (Bz max ~ 75 mT) độ cao ~ 2.5 µm so với bề mặt nam châm (hình 3.21b) Giá trị từ trường Bz điểm đường Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 55 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an (a) (b) (c) Hình 21 Thành phần từ trường Bz mô điểm nằm trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d (a), điểm nằm đường thẳng qua mép nam châm song song với trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d (b), điểm nằm đường thẳng song song với trục nam châm cách trục nam châm khoảng 2R (c) Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 56 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an x = 50 µm tăng dần dải khoảng cách d xét Có thể thấy rằng, kết mô thu phần hoàn toàn tương đồng với kết mơ vị trí tương đương cấu hình 11 nam châm phần 3.1.1 Bảng So sánh giá trị từ trường Bz tính tốn mơ hình dịng mơ hình từ tích với giá trị Bz mô phần mềm số điểm nằm trục nam châm hình trụ dầy µm, đường kính 50 µm độ từ dư 1.2 T dọc theo trục nam châm d (µm) Bz tính tốn lý thuyết (mT) Bz mơ phần mềm (mT) Mơ hình từ tích MacMMems Mơ hình dịng Ansys Maxwell 117.66 117.66 117.53 111.85 10 85.43 85.43 85.45 81.00 20 49.15 49.15 49.15 46.42 Để so sánh kết mô thu với kết tính tốn lý thuyết mơ hình từ tích chúng tơi sử dụng cơng thức 2.31 để tính giá trị từ trường thành phần Bz số điểm nằm trục nam châm cách mặt nam châm khoảng d Áp dụng công thức vào cấu hình nam châm chúng tơi, với µ0M cảm ứng từ dư BR theo trục z nam châm, L chiều cao nam châm (z + 5) khoảng cách d tính từ mặt nam châm (vì mơ hình 3.20 gốc tọa độ O nằm tâm mặt nam châm) Như vậy, từ trường thành phần Bz tính số điểm nằm trục nam châm là: + d = µm, tức z = µm: + d = 10 µm, tức z = 15 µm: + d = 20 µm, tức z = 25 µm: Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 57 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Bảng 3 So sánh giá trị Bz số điểm bề mặt nam châm thu phần mềm mơ Tọa độ x (µm) 25 50 Độ cao d (µm) Từ trường Bz (mT) Ansys Maxwell MacMMems Sai số (%) 111.85 117.53 4.8 10 81.00 85.45 5.2 20 46.42 49.15 5.5 40 14.60 15.61 6.5 100 1.13 1.59 29 -99.69 68.43 245 10 30.71 32.60 5.8 20 19.76 20.49 3.5 40 8.03 9.00 10.7 100 0.94 1.36 30.8 -10.24 -10.06 1.7 10 -6.75 -6.31 6.9 20 -2.50 -1.99 25.6 40 0.87 1.47 40.8 100 0.43 0.87 50.5 Như vậy, thấy kết tính tốn hồn tồn phù hợp với kết tính tốn mơ hình dịng tương đương kết mô phần mềm MacMMems (bảng 3.2) Từ bảng 3.2 thấy kết mô phần mềm Ansys Maxwell sai số trung bình khoảng 5.9% trừ số vị trí đặc biệt so Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 58 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an với kết mô phần mềm MacMMems kết tính từ mơ hình lý thuyết Sự sai khác khơng việc quy định thuộc tính vật lý cho nam châm phần mềm chưa thực xác, khoảng chia lưới phần mềm chưa phù hợp tốt Bảng 3.3 cho thấy hầu hết giá trị Bz thu phần mềm mơ sai khác trung bình 5.9% Điều cho thấy phần mềm có sai khác định phù hợp với thực tế phần mềm mô xây dựng mơ hình lý thuyết khác Tuy nhiên sai khác hồn tồn thu hẹp lại cách điều chỉnh thơng số tính tốn phù hợp cho q trình mơ Như nhờ có phần mềm mơ giá trị tính tốn lý thuyết hồn thể xác định từ trường, biến thiên từ trường nam châm sinh điểm xác định với độ xác cao 3.2.2 Cấu hình 22 nam châm Tiếp theo sử dụng phần mềm mô Ansys Maxwell để mô từ trường không gian xung quanh cấu hình 2×2 nam châm phần 3.1.2 Các kết thu được thể dạng hình ảnh 3D hình 3.22 Hình 3.22a mơ không gian từ trường sát bề mặt nam châm (khoảng cách d = µm) Hình 3.22b mơ mắt cắt không gian từ trường theo mặt phẳng Oyz Từ hình ảnh thu được, thấy từ trường chủ yếu tập trung mép nam châm nhanh chóng suy giảm xa nam châm theo hướng Trong không gian xung quanh nam châm (d = µm) tồn vùng từ trường ổn định (Bz ~ T) khu vực bốn nam châm, phù hợp với thực tế đường sức từ đường cong khép kín sát bề mặt nam châm nên đường sức xa mép nam châm Từ kết mô thu được, rút giá trị từ trường Bz số điểm cấu hình để so sánh với kết tương ứng phần 3.1.2 Kết so sánh trình bày bảng 3.3 cho thấy phù hợp kết mô hai phần mềm Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 59 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an (a) (b) Hình 22 Khơng gian từ trường sát bề mặt nam châm (a), mặt cắt không gian từ trường dọc theo khoảng cách d từ bề mặt nam châm (b) Bảng So sánh giá trị Bz số điểm bề mặt nam châm cấu hình 2×2 nam châm thu phần mềm mơ Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 60 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Từ trường Bz (mT) Tọa độ x (µm) 25 Độ cao d (µm) Sai số (%) MacMMems 108.27 115.18 10 78.97 83.27 5.2 20 45.04 47.30 4.8 40 13.75 14.63 6.1 100 1.38 1.97 30 -109.07 64.51 170 10 29.08 29.11 0.1 20 17.22 17.84 3.5 40 7.31 8.08 9.5 100 1.41 2.02 30.1 -21.34 -21.54 0.93 -13.92 -13.96 -5.27 -5.14 1.57 2.27 1.29 1.97 10 50 Ansys Maxwell 20 40 100 KẾT LUẬN 61 Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 0.3 2.5 30.9 4.6 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Trong luận văn thu số kết nghiên cứu sau: - Nghiên cứu mơ hình lý thuyết dịng tương đương mơ hình từ tích để tính tốn từ trường bề mặt vật liệu từ nghiên cứu phần mềm mô từ trường tương ứng - Mô phân bố từ trường bề mặt nam châm từ cứng dạng trụ NdFeB có cấu trúc micro-nano, khảo sát ảnh hưởng số lượng vi nam châm, so sánh kết mô sử dụng mơ kiểm tra việc tính tốn lý thuyết - Khi tăng số lượng nam châm có thêm vùng từ trường biến thiên với giá trị cực tiểu giảm giá trị cực đại thay đổi, giúp cho biến thiên từ trường, cụ thể số hạng (trong công thức tính lực từ) tăng lên Kết nghiên cứu cho thấy đạt giá trị ~ 6×105 T2/m vị trí sát mép vi nam châm Thành phần Bz từ trường biến thiên thành phần theo phương song song với bề mặt nam châm (dBz/dy) giảm mạnh độ cao cách bề mặt nam châm (d) lớn, biến thiên Bz theo phương vng góc với bề mặt nam châm (dBz/dz) thay đổi độ cao d khác Như việc tăng số lượng nam châm cho phép thành phần lực từ tạo theo phương vng góc với bề mặt nam châm trì độ cao cách bề mặt nam châm lớn, điều kiện cần để hút đẩy đối tượng từ tính đối tượng xa bề mặt nam châm Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 62 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Nguyễn Phú Thùy, Vật lý tượng từ, NXB Đại học Quốc gia Hà Nội, 2003 [2] Thân Đức Hiền, Lưu Tuấn Tài, Từ học vật liệu từ, NXB Đại học Bách khoa Hà Nội, 2006 Tiếng Anh [3] O Akdogan , W Li and G Hadjipanayis, “High coercivity of Alnico thin films: effect of Si substrate and the emergence of a novel magnetic phase”, Journal of Nanoparticle Research, Vol 14, 2012, pp 891 [4] G Allaedinil, S M Tasirinl, P Aminayi, “Magnetic properties of cobalt ferrite synthesized by hydrothermal method”, Int Nano Lett, Vol 5, 2015, pp 183–186 [5] H Allag, J Yonnet, M E H Latreche, H Bouchekara, “Coulombian model for 3D analytical calculation of the torque exerted on cuboidal permanent magnets with arbitrarly oriented polarizations”, International Conference on Linear Drives for Industry Applications, Vol 8, 2011, pp 102-108 [6] L Castaldi, H A Davies, M R J Gibbs, “Growth and characterization of NdFeB thin films”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Vol 242-245, 2002, pp 1284-1286 [7] O Chadebec, J L Coulomb, F Janet, “A review of magnetostatic moment method”, IEEE Transactions on magnetics, Vol 42, 2006, pp 515-520 [8] S Chigirinsky, M Kustov, N Dempsey, C Ndao and R Grechishkin, “Calculations and measurements of the magnetic field of patterned permanent magnetic films for lab on chip applications”, Rev Adv Mater Sci., Vol 20, 2009, pp 85-91 [9] J A Christodoulides, Y Zhang, G C Hadjipanayis, I Panagiotopoulos and D Niarchos, “CoPt and FePt Thin Films For High Density Record Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 63 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Media”, NATO Advanced Research Workshop on Nanostructured Films and Coatings, Series 3, Vol 78, 2004, pp 1326-1348 [10] A Itabashi, M Ohtake, S Ouchi, F Kirino and M Futamoto, “FePd, FePt, and CoPt alloy epitaxial thin films with flat surface grown on MgO(111) substrate”, EPJ Web of Conferences, Vol 75, 2014, pp 6008 [11] S Jeong, Y Hsu, D E Laughlin, and M E McHenry, “Magnetic Properties of Nanostructured CoPt and FePt Thin Films”, IEEE Transactions On Magnetic, Vol 36, 2000, pp 2336-2338 [12] A L Gassner, M Abonnenc, H X Chen, J Morandini, J Josserand, J S Rossier, J M Busnel and H H Girault, “Magnetic forces produced by rectangular permanent magnets in static microsystem”, Lab Chip, Vol 9, 2009, pp 2356-2363 [13] T Mikolanda, M Kosek, A Richter, “3D magnetic field measurement, visulisation and modeling”, Proceeding of the 7th International Conference, Slovakia, 2009, pp 306-309 [14] F Mohseni, M J Pereira, N M Fortunato, J S Amaral, “Magnetic and morphologic properties of Alnico-based rare-earth free permanent magnets”, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol 46, 2013, pp 23 [15] V Neu, S Melcher, U Hannemann, S Fähler and L Schultz, “Growth, microstructure and magnetic properties of highly textured and highly coercive Nd-Fe-B films”, Phys Rev, Vol 70, 2009, pp 144418 [16] D Pătroi, M M Codescu, E A Pătroi, V Marinescu, “Structural and magnetic behaviour of DC sputtered Alnico type thin films”, Optoelectronics and Advanced Materials – Rapid Communications, Vol 5, 2011, p 1130-1133 [17] H L Rakotoarison, J P Yonnet, “Using Coulombian Approach for Modeling Scalar Potential and Magnetic Field of a Permanent Magnet With Radial Polarization’’, IEEE Transactions On Magnetics, Vol 43, 2007, pp 1261-1264 [18] R Ravaud and G Lemarquand, “Synthesis about Analytical Approaches for Calculating the Magnetic Field Produced by Permanent Magnets of Various Topologies”, PIERS Proceedings, Cambridge, Vol 11, 2010, pp.281-297 Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn 64 C.vT.Bg.Jy.Lj.Tai lieu Luan vT.Bg.Jy.Lj van Luan an.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an.Tai lieu Luan van Luan an Do an Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhd.vT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.LjvT.Bg.Jy.Lj.dtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn.Stt.010.Mssv.BKD002ac.email.ninhddtt@edu.gmail.com.vn.bkc19134.hmu.edu.vn