NORME INTERNATIONALE INTERNATIONAL STANDARD CEI I EC 748-2-9 QC 790106 Première édition First edition 1994-12 Partie 2: Circuits intégrés numériques — Section 9: Spécification particulière cadre pour les mémoires mortes MOS effaỗables aux UV et programmables ộlectriquement Semiconductor devices Integrated circuits — Part 2: Digital integrated circuits — Section 9: Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories IEC• Numéro de référence Reference number CEI/IEC 748-2-9: 1994 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Dispositifs semiconducteurs — Circuits intégrés — Numbering Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CE! sont numérotées partir de 60000 As from January 1997 all IEC publications are issued with a designation in the 60000 series Publications consolidées Consolidated publications Les versions consolidées de certaines publications de la CEI incorporant les amendements sont disponibles Par exemple, les numéros d'édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent respectivement la publication de base, la publication de base incorporant l'amendement 1, et la publication de base incorporant les amendements et Consolidated versions of some IEC publications including amendments are available For example, edition numbers 1.0, 1.1 and 1.2 refer, respectively, to the base publication, the base publication incorporating amendment and the base publication incorporating amendments and Validité de la présente publication Validity of this publication Le contenu technique des publications de la CEI est constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état actuel de la technique The technical content of IEC publications is kept under constant review by the IEC, thus ensuring that the content reflects current technology Des renseignements relatifs la date de reconfirmation de la publication sont disponibles dans le Catalogue de la CEI Information relating to the date of the reconfirmation of the publication is available in the IEC catalogue Les renseignements relatifs des questions l'étude et des travaux en c-urs entrepris par le comité technique qui a établi cette publication, ainsi que la liste des publications établies, se trouvent dans les documents cidessous: Information on the subjects under consideration and work in progress undertaken by the technical committee which has prepared this publication, as well as the list of publications issued, is to be found at the following IEC sources: ã ôSite webằ de la CEI* ã IEC web site* • Catalogue des publications de la CEI Publié annuellement et mis jour régulièrement (Catalogue en ligne)* • Catalogue of IEC publications Published yearly with regular updates • Bulletin de la CEI Disponible la fois au «site web» de la CEI* et comme périodique imprimé • IEC Bulletin Available both at the IEC web site* and as a printed periodical (On-line catalogue)* Terminologie, symboles graphiques et littéraux Terminology, graphical and letter symbols En ce qui concerne la terminologie générale, le lecteur se reportera la CEI 60050: Vocabulaire Electrotechnique International (VEI) For general terminology, readers are referred to IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary (IEV) Pour les symboles graphiques, les symboles littéraux et les signes d' 'sage générai approuvés par la CEI, le lecteur consùlter4 la CEI 60027: Symboles littéraux utiliser en électrotechnique, la CEI 60417: Symboles graphiques utilisables sur le matériel Index, relevé et compilation des feuilles individuelles, et la CEI 60617: Symboles graphiques pour schémas For graphical symbols, and letter symbols and signs approved by the IEC for general use, readers are referred to publications IEC 60027: Letter symbols to be used in electrical technology, IEC 60417: Graphical symbols for use on equipment Index, survey and compilation of the single sheets and IEC 60617: Graphical symbols for diagrams * Voir adresse «site web» sur la page de titre * See web site address on title page LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Numéros des publications NORME INTERNATIONALE INTERNATIONAL STANDARD CEI I EC 748-2-9 QC 790106 Première édition First edition 1994-12 Partie 2: Circuits intégrés numériques – Section 9: Spécification particulière cadre pour les mộmoires mortes MOS effaỗables aux UV et programmables ộlectriquement Semiconductor devices — Integrated circuits — Part 2: Digital integrated circuits — Section 9: Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories © CEI 1994 Droits de reproduction réservés — Copyright — all rights reserved Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun procédé, électronique ou mécanique, y compris la photocopie et les microfilms, sans raccord écrit de réditeur No part of this publication may be reproduced or utilized in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying and microfilm, without permission in writing from the publisher Bureau central de la Commission Electrotechnique Internationale 3, rue de Varembé Genève Suisse e-mail: inmall t^ leC.ch IEC web site http://www.iec.ch Téléfax: +41 22 919 0300 IEC • Commission Electrotechnique Internationale CODE PRIX International Electrotechnical Commission PRICE CODE MerH,nyHapoAHan 3neKrpoTexHH4ecKas HOMHCCHR Pour prix, voir catalogue en vigueur For price, see current catalogue LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Dispositifs semiconducteurs — Circuits intégrés — 748-2-9 © C E I :1994 -2- COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS Circuits intégrés Partie 2: Circuits intégrés numériques Section - Spécification particulière cadre pour les mộmoires mortes MOS effaỗables aux UV et programmables ộlectriquement 1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI) La CEI a pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de l'électricité et de l'électronique A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes internationales Leur élaboration est confiée des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le sujet traité peut participer Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux travaux La CEI collabore étroitement avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations 2) Les décisions ou accords officiels de la CEI en ce qui concerne les questions techniques, préparés par les comités d'études où sont représentés tous les Comités nationaux s'intéressant ces questions, expriment dans la plus grande mesure possible un accord international sur les sujets examinés 3) Ces décisions constituent des recommandations internationales publiées sous forme de normes, de rapports techniques ou de guides et agréées comme telles par les Comités nationaux 4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent appliquer de faỗon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes nationales et régionales Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière 5) La CEI n'a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d'approbation et sa responsabilité n'est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme l'une de ses normes La présente norme a été établie par le sous-comité 47a: Circuits intégrés, et par le comité d'études 47 de la CEI: Dispositifs semiconducteurs Cette norme est une spécification particulière cadre pour les mộmoires mortes effaỗables aux UV et programmables ộlectriquement Le texte de cette norme est issu des documents suivants: DIS 47A(BC)296 Rappo rt de vote 47A(BC)299 Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant abouti l'approbation de cette norme Le numéro QC qui figure sur la page de couverture de la présente publication est le numéro de la spécification dans le système CEI d'assurance de la qualité des composants électroniques (IECQ) L'annexe A fait partie intégrante de cette norme LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU AVANT- PROPOS 748-2-9 © I EC:1994 –3– INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION SEMICONDUCTOR DEVICES Integrated circuits Part 2: Digital integrated circuits Section - Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories 1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising all national electrotechnical committees (IEC National Committees) The object of the IEC is to promote international cooperation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields To this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards Their preparation is entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may participate in this preparatory work International, governmental and non-governmental organizations liaising with the IEC also participate in this preparation The IEC collaborates closely with the International Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the two organizations 2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters, prepared by technical committees on which all the National Committees having a special interest therein are represented, express, as nearly as possible, an international consensus of opinion on the subjects dealt with 3) They have the form of recommendations for international use published in the form of standards, technical repo rts or guides and they are accepted by the National Committees in that sense 4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards Any divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly indicated in the latter 5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any equipment declared to be in conformity with one of its standards This standard has been prepared by sub-committee 47A: Integrated circuits, and IEC technical committee 47: Semiconductor devices This standard is a blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories The text of this standard is based on the following documents: DIS Repo rt on voting 47A(CO)296 47A(CO)299 Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on voting indicated in the above table The QC number that appears on the front cover of this publication is the specification number in the IEC Quality Assessment System for Electronic Components (IECQ) Annex A forms an integral part of this standard LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU FOREWORD -4- 748-2-9 © CEI:1994 Les publications suivantes sont citées dans la présente norme: 68-2-17 (1978): CEI Essais d'environnement - Deuxième partie: Essais - Essai Q: Etanchéité Systèmes de valeurs limites pour les tubes électroniques et les dispositifs semiconducteurs analogues CEI 617-12 (1991): Symboles graphiques pour schémas - Douzième partie: Opérateurs logiques binaires CEI 747-10 (1991): Dispositifs semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés Dixième partie: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés 748-2 (1985): Dispositifs semiconducteurs - Circuits intégrés - Deuxième partie: Circuits intégrés digitaux Amendement n° (1991) 748-11 (1990): Dispositifs semiconducteurs - Circuits intégrés - Onzième partie: Spécification intermédiaire pour les circuits intégrés semiconducteurs l'exclusion des circuits hybrides CEI CEI CEI 749 (1984): Dispositifs semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques Amendement n° (1991) Amendement n° (1993) LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU 134 (1961): CEI 748-2-9 © IEC:1994 - 5- The following publications are quoted in this standard: IEC 68-2-17 (1978): IEC 134 (1961): Environmental testing - Part 2: Tests - Test Q: Sealing Rating systems for electronic tubes and valves and analogous semiconductor devices IEC 617-12 (1991): Graphical symbols for diagrams - Part 12: Binary logic elements IEC 747-10 (1991): Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits Part 10: Generic specification for discrete devices and integrated circuits IEC 748-2 (1985): Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2: Digital integrated circuits Amendment No (1991) IEC 748-11 (1990): Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU IEC 749 (1984): Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods Amendment No (1991) Amendment No (1993) –6– 748-2-9 © CEI:1994 DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS Circuits intégrés Partie 2: Circuits intégrés numériques Section - Spécification particulière cadre pour les mộmoires mortes MOS effaỗables aux UV et programmables ộlectriquement INTRODUCTION Cette spécification particulière cadre fait partie d'une série de spécifications particulières cadres concernant les dispositifs semiconducteurs; elle doit être utilisée avec les publications suivantes: CEI 747-10/QC 700000: Dispositifs semiconducteurs – Dispositifs discrets et circuits intégrés – Dixième partie: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés CEI 748-11/QC 790100: Dispositifs semiconducteurs – Circuits intégrés – Onzième partie: Spécification intermédiaire pour les circuits intégrés semiconducteurs l'exclusion des hybrides Renseignements nécessaires Les nombres placés entre crochets sur cette page et les pages suivantes correspondent aux indications suivantes qui doivent être portées dans les cases prévues cet effet la page suivante de cette spécification Identification de la spécification particulière [1] Nom de l'Organisme National de Normalisation sous l'autorité duquel la spécification particulière est établie [2] Numéro IECQ de la spécification particulière [3] [4] Numéros de référence et d'édition des spécifications générique et intermédiaire Numéro national de la spécification particulière, date d'édition et toute autre information requise par le système national Identification du composant [5] [6] Fonction principale et numéro de type Renseignements sur la construction typique (matériaux, technologie principale) et le btier Si les produits ont des variantes, elles doivent être indiquées ainsi que leurs caractéristiques LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Le système CEI d'assurance de la qualité des composants électroniques fonctionne conformément aux statuts de la CEI et sous son autorité Le but de ce système est de définir les procộdures d'assurance de la qualitộ de telle faỗon que les composants électroniques livrés par un pays participant comme étant conformes aux exigences d'une spécification applicable soient également acceptables dans les autres pays participants sans nécessiter d'autres essais -7- 748-2-9 © IEC:1994 SEMICONDUCTOR DEVICES Integrated circuits Part 2: Digital integrated circuits Section - Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories INTRODUCTION This blank detail specification is one of a series of blank detail specifications for semiconductor devices and shall be used with the following publications: IEC 747-10/QC 700000: Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits Part 10: Generic specification for discrete devices and integrated circuits IEC 748-11/QC 790100: Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits Required information Numbers shown in brackets on this page and the following pages correspond to the following items of required information, which should be entered in the spaces provided on the next page of this specification Identification of the detail specification [1] The name of the National Standards Organization under whose authority the detail specification is issued [2] The IECQ number of the detail specification [3] [4] The numbers and issue numbers of the generic and sectional specifications The national number of the detail specification, date of issue and any further information, if required by the national system Identification of the component [5] Main function and type number [6] Information on typical construction (materials, the main technology) and the package If applicable, variants of the products shall be given here together with the variant characteristics LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU The IEC Quality Assessment System for Electronic Components is operated in accordance with the statutes of the IEC and under the authority of the IEC The object of this system is to define quality assessment procedures in such a manner that electronic components released by one participating count ry as conforming with the requirements of an applicable specification are equally acceptable in all other participating countries without the need for further testing –8– 748-2-9 © CEI:1994 La spécification particulière doit fournir une description brève comprenant les renseignements suivants: – technologie (N MOS, etc.); – organisation (mots x bits); – configuration des étages de sortie (par exemple: trois états); – fonctions essentielles [7] Dessin d'encombrement, identification des bornes, marquage et/ou référence aux documents correspondants pour les encombrements [8] Catégorie d'assurance de la qualité conformément 2.6 de la spécification générique [9] Données de référence [Lorsqu'il existe un risque d'ambiguïté quant savoir si un paragraphe est uniquement destiné guider le rédacteur ou non, il doit être indiqué entre crochets.] LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU [Les articles indiqués entre crochets sur la page suivante de cette norme qui constitue la première page de la spécification particulière, sont destinés guider le rédacteur de la spécification; ils ne doivent pas figurer dans la spécification particulière.] 748-2-9 © IEC:1994 - 35 Table - Group B: Lot-by-lot (in the case of category 1, see 2.6 of the generic specification) Subgroup Examination or test Dimensions B2c Electrical ratings verification B4 (D) Solderability B5 Rapid change of temperature: programmed devices (ND) a) Cavity devices Rapid change of temperature, followed by: 747-10, 4.2.2 and appendix B (D) CRRL See page of this standard 749, II, 2.1 As specified 749, III, 1.1 and A.1 10 cycles As in A2, A3 and A4 749, III, 7.3 (and A.1) or 7.4 As specified 68-2-17, test Dc As specified Rapid change of temperaLure, followed by: 749, III, 1.1 (and A.1) 10 cycles • External visual examination 747-10, 4.2.1.1 • Damp heat, steady state 749, (A.1) Ill, 5B Good wetting As in A2, A3 and A4 b) Non-cavity and epoxysealed cavity devices Electrical tests selected from A2, A3 and A4 B8b (ND) Limits Not applicable Electrical tests selected from A2 and A3 Sealing, fine leak detection and Sealing, gross leak detection Details and conditions Electrical endurance, programmed devices See 12.3 of the sectional specification Attributes information for B4, B5 and B8 Severity 1, 24 h As in A2, A3 and A4 As in A2, A3 and A4 168 h, conditions specified in 12.3 and, if applicable, 12.4 of the sectional specification See 12.3 of the sectional specification LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU B1 (ND) IEC publication 748-2-9 © CEI:1994 - 36 Tableau - Groupe C: Contrôles périodiques Sousgroupe Examen ou essai Publication de la CEI Détails et conditions Dimensions 747-10, 4.2.2 et annexe B C2c (D) Valeur limite d'énergie transitoire A spécifier A spécifier C3 (D) Robustesse des sorties 749, II, Comme spécifié s'il y a lieu pour le bottier C4 (D) Résistance la chaleur de soudage 749, II, 2.2 Comme spécifié C5 Variations rapides de température: dispositifs programmés a) Dispositifs cavité Variations rapides de température suivies de: Essais électriques choisis en A2, A3 et A4 Etanchéité, détection des microfuites et • Etanchéité, détection des fuites franches b) Dispositifs sans cavité et avec cavité scellement époxyde Variations rapides de température, suivies de: • Examen visuel externe • Essai continu de chaleur humide Essais électriques choisis en A2, A3 et A4 749, III, 1.1 et A.1 10 cycles (ND) (D) Comme en A2, A3 et A4 749, Ill, 7.3 (et A.1) ou 7.4 Comme spécifié 68-2-17, essai Oc Comme spécifié 749, III, 1.1 (et A.1) 500 cycles 747-10, 4.2.1.1 749 (A.1), Ill, 5B Sévérité 1, 24 h Comme en A2, A3 et A4 C5a (D) Brouillard salin (si approprié) 749, III, C6 (D) Accélération constante (pour les dispositifs cavité) 749, II, (et A.1) Comme spécifié C7 (D) Essai continu de chaleur humide: dispositifs programmés a) Dispositifs cavité 749 (A.1), Ill, 5.A Sévérité: 56 jours pour les catégories II et Ill, 21 jours pour la catégorie I Sévérité: Polarisation: comme spécifié dans la spécification particulière Durée: 000 h pour les catégories II et Ill, 500 h pour la catégorie I b) Dispositifs sans cavité et avec cavité scellement époxyde 749 (A.1), Ill, 5.B Suivi de: Essais électriques des sousgroupes A2, A3 et A4 Comme en A2, A3 et A4 Comme en A2, A3 et A4 Comme en A2, A3 et A4 Voir 12.3 de la spécification intermédiaire C8 (D) Endurance électrique: dispositifs programmés Voir 12.3 de la spécification intermédiaire Durée: 000 h, conditions spécifiées en 12.3 et 12.4 et, si applicable, de la spécification intermédiaire C9 (D) Stockage haute température: dispositifs programmés 749, Ill, 000 h, Tstg max Cl1 (ND) Permanence du marquage 749 (A.1), ch IV, art Méthode RCLA Comme en A2, A3 et A4 Informations par attributs pour C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9 et Cl LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Cl (ND) Limites 748-2-9 © IEC:1994 - 37 Table - Group C: Periodic Subgroup Examination or test IEC publication Details and conditions Dimensions 747-10, 4.2.2 and appendix B C2c (D) Transient energy rating To be specified To be specified C3 (D) Robustness of terminations 749, II, As specified where appropriate for the package C4 (D) Resistance to soldering heat 749, II, 2.2 As specified C5 Rapid change of temperature: 749, III, 1.1 and A.1 10 cycles (ND) (D) a) Cavity devices Rapid change of temperature, followed by: • Electrical tests selected from A2, A3 and A4 • Sealing, fine leak detection and • Sealing, gross teak detection b) Non-cavity and epoxysealed cavity devices Rapid change of temperature, followed by: • External visual examination Damp heat, steady state Electrical tests selected from A2, A3 and A4 As in A2, A3 and A4 749,111, 7.3 (and A.1) or 7.4 As specified 68-2-17, test Oc As specified 749, Ill, 1.1 (and A.1) 500 cycles 747-10, 42.1.1 749 (A.1) III, 58 Severity 1, 24 h As in A2, A3 and A4 C5a (D) Salt mist (where appropriate) 749, Ill, C6 (D) Acceleration steady state (for cavity devices) 749, II, (and A.1) As specified C7 (D) Damp heat, steady state: programmed devices a) Cavity devices 749 (A.1) , Ill, 5.A Severity: 56 days for categories II and III, 21 days for category I Severity Bias: as specified in the detail specification Duration: 000 h for categories II and III, 500 h for category I b) Non-cavity and epoxy-sealed cavity devices 749 (A.1), Ill, 5.B Followed by: Electrical tests of sub-groups A2, A.3 and A4 As in A2, A3 and A4 See 12.3 of the sectional specification Electrical endurance: programmed devices See 12.3 of the sectional specification Duration: 000 h, conditions as specified in 12.3 and, if applicable 12.4 of the sectional specification C9 (D) Storage at high temperature programmed devices 749, III, 000 h, at Ts^9 max C11 (ND) Permanence of marking 749 (A.1), IV, Method Attributes information for C3, C4, C5, C6, C7, C8, C9 and Cl As in A2, A3 and A4 As in A2, A3 and A4 C8 (D) CRRL As in A2, A3 and A4 LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Cl (ND) Limits – 38 – 748-2-9 © CEI:1994 Tableau – Groupe D Sousgroupe Publication de la CEI Examen ou essai Détails et conditions Limites Endurance électrique (voir note 1) : dispositifs programmés Voir 12.3 de la spécification intermédiaire Catégorie I: non applicable Catégorie II: 000 h Catégorie III: 000 h Conditions: voir 12.3 et 12.4, si applicable, la spécification intermédiaire Voir 12.3 de la spécification intermédiaire D8b (D) Endurance l'opération d'écriture/effacement Voir 12.3 de la spécification intermédiaire et 14.2 de la présente spécification Catégorie II: 50 cycles Catégorie III: 100 cycles Voir 12.3 de la spécification intermédiaire D8c (D) Essai de rétention Voir 14.1 de la présente spécification Voir 14.1 de la présente spécification Voir 14.1 de la présente spécification D12 (ND) Capacité d'entrée Voir 6.4 de cette spécification Voir 6.4 de cette spécification Voir 6.4 de cette spécification D13 (ND) Capacité de sortie (si applicable) Voir 6.4 de cette spécification Voir 6.4 de cette spécification Voir 6.4 de cette spécification D14 (D) Essai de verrouillage (si applicable) 748-2, IV, 2.8 748-2, IV, 2.8 Comme spécifié en spécification particulière NOTE – Les essais du groupe D doivent être initialement effectués immédiatement après l'homologation et annuellement par la suite 13.4 Livraisons différées Voir 3.6.7 de la CEI 747-10 14 Méthode de mesure supplémentaire 14.1 Essai de rétention (essai destructif) Essai effectuer en sous-groupe D8c avec n = 8, c = – Inscription de la totalité de la mémoire - A effectuer sans tension en statique, fenêtre masquée - Durée et température: 000 h 150 °C – Mesures finales: vérification du contenu de la mémoire, et mesure des caractéristiques dynamiques Les conditions d'exécution de cet essai doivent être précisées dans la spécification particulière LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU D8a (D) 748-2-9 © IEC:1994 – 39 – Table – Group D Sub group Examination or test IEC publication Details and conditions Limits Electrical endurance (see note 1) : programmed devices See 12.3 of the sectional specification Category I: not applicable Category II: 000 h Category III: 000 h Conditions: see 12.3 and, if applicable, 12.4 of the sectional specification See 12.3 of the sectional specification D8b (D) Write/erase endurance See 12.3 of the sectional specification and 14.2 of this specification Category II: 50 cycles Category Ill: 100 cycles See 12.3 of the sectional specification D8c (D) Data retention test See 14.1 of this specification See 14.1 of this specification See 14.1 of this specification D12 (ND) Input capacitance See 6.4 of this specification See 6.4 of this specification See 6.4 of this specification D13 (ND) Output capacitance (if applicable) See 6.4 of this specification See 6.4 of this specification See 6.4 of this specification D14 (D) Latch up (if applicable) 748-2, IV, 2.8 748-2, IV, 2.8 As specified in the detail specification NOTE – Group D tests shall be initially performed immediately following qualification approval and annually thereafter 13.4 Delayed deliveries See 3.6.7 of IEC 747-10 14 Additional measurement method 14.1 Data retention test (destructive test) This test is to be carried out under sub-group D8c with n = 8, c = – Write a test pattern in the whole memory – Test to be done with static conditions, device powered, with covered window – Duration and temperature: 000 h at 150 °C – Final measurements: memory content to be verified, and dynamic characteristics to be measured These test conditions shall be described in the detail specification LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU D8a (D) - 40 - 748-2-9 © CEI:1994 14.2 Endurance l'opération d'écriture/effacement: nombre de cycles de programmation (essai destructif) Essai effectuer en sous-groupe D8b avec n = 8, c - Exécution Inscription de la totalité de la mémoire (par exemple configuration aléatoire) Effacement de la totalité de la mémoire Répéter ces opérations n fois, selon la spécification particulière (voir 7.3 de cette spécification particulière cadre) alternativement avec configuration inversée - Mesures après chaque cycle: vérification de la fonction (selon sous-groupe A2) et des caractéristiques statiques et dynamiques (sous -groupes A3 et A4) LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU 748-2-9 © I EC:1994 - 41 - 14.2 Write/erase endurance: number of programming cycles (destructive test) This test is to be done under sub-group D8b with n = 8, c = - Procedure • Write a test pattern in the whole memory (e.g random pattern) • Erase the memory • Repeat these operations n times according to the detail specification (see 7.3 of this blank detail specification) alternatively with inverse pattern - Measurements after each cycle: verification of the function (under sub-group A2 ) and static and dynamic characteristics (sub-groups A3 and A4) to be verified LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU - 42 - 748-2-9 © C E I :1994 Annexe A (normative) Programmation et effacement A.1 Programmation a) La méthode de programmation utilisée (organigramme, etc.) doit être indiquée b) Il convient d'établir le tableau des caractéristiques de programmation appliquer (les caractéristiques) préciser pourront différer selon le type de produit considéré) Tableau A.1 Symboles Min Max Unité Tension de programmation VPP x x V Courant de programmatio l'entrée de lecture lPP(1) x x mA Courant de programmatio l'entrée de lecture pendant l'impulsion de programmation /PP! ^ ) Tension d'alimentation pour vérifier (si applicable) Vccv x x V VIH x x V VIL X X V tsu( )PR x Tension d'entrée l'état haut Tension d'entrée l'état bas Temps d'établissement pou l'opération de programmation (si applicable) - adressage avant l'impulsion de programmation ou d'autorisation du programme - autorisation avant l'impulsion de programmation ou l'autorisation du programme - introduction de données avant l'impulsion de programmation ou l'autorisation du programme - autorisation du programme avant l'impulsion de programme ou impulsion d'alimentation avant l'impulsion de programmation Conditions mA ns LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Caractéristiques 748-2-9 © IEC:1994 - 43 - Annex A (normative) Programming and erasing A.1 Programming a) The programming method used (organigram, etc) shall be given b) The table of the programming conditions that apply should be given (the characteristics to be given may be different depending on the type of memory) Table A.1 Conditions Symbols Min Max Unit VPP x x V Programming curren (read input) IPP(l) x x mA Programming curren (read input) during programming pulse /PP(2) Power supply voltage to verify (if applicable) Vccv x x V Input high voltage VIH X X V Input low voltage VIL X X V Programming supply voltage Programming operatio set-up times (if applicable) - address before programme pulse or programme enable - enable before programme pulse or programme enable - data before programme pulse or programme enable - programme enable before programme pulse or pulsed supply before programme pulse ts u( )PR mA x ns LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU Characteristics - 44 - 748-2-9 © CEI:1994 Tableau A.1 (fin) Caractéristiques Temps de maintien pou l'opération de programmation (si applicable) Conditions Symboles Min Max Unité x ns tut RPR x ns twpR x Tamb x - adressage après la fin de l'impulsion de programmation ou de l'autorisation du programme - autorisation après la fin de l'impulsion de programmation ou de l'autorisation du programme - introduction de données après la fin de l'impulsion de programmation ou de l'autorisation du programme - adressage après la fin de l'introduction de données - alimentation par impulsion après la fin de l'impulsion de programmation Temps de maintien de validit des données (si applicable) - après la fin d'autorisation - après la fin de validité de l'adresse - après la fin de l'autorisation de sortie - après l'entrée du mode attente Durée d'impulsion de programmation ou d'autorisation du programme Cycle maximal d'impulsion de programmation ou d'autorisation du programme (sauf quand cette information peut être dérivée d'autres paramètres donnés) Temps total de programmation pour chaque adresse Nombre maximal de tentatives nécessaires pour obtenir une programmation satisfaisante Température ambiante de programmation X °C LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU )PR th( 748-2-9 © IEC:1994 - 45 Table A.1 (concluded) Characteristics Programming operatio hold times (if applicable) Conditions Symbols Min Max Unit th( )PR x ns tv( )PR x ns tWPR X Tamb x - address after end of programme pulse or programme enable - data after end of programme pulse or programme enable - address after end of data input - pulsed supply after end of programme pulse Times for which data remain valid (if applicable) - after end of enable - after address is no longer valid - after end of output enable - after entering stand-by mode Programming pulse or programme enable duration Maximum duty cycle of programming or programme enable pulse (except where this information can be derived for other given parameters) Total programming time for each location Maximum number of attempts which may be necessary for successful programming Programming ambient temperature X °C LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU - enable after end of programme pulse or programme enable - 46 - 748-2-9 © CEI:1994 A.2 Effacement a) Procédure b) Conditions et paramètres: - longueur d'onde; - intensité de la lumière la fenêtre; - température; - temps d'exposition; - dose minimale d'irradiation pour l'effacement (l'intensité des UV x temps d'exposition) A.3 Un diagramme des temps décrivant la séquence de programmation A.4 Le schéma de branchement LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU 748-2-9 © IEC:1994 - 47 - A.2 Erasure a) Procedure b) Conditions and parameters: - wavelength; luminous intensity at the window; temperature; exposure time; minimum dose for erasure (UV intensity x exposure time) A.3 A timing diagram which describes programming sequence A.4 Connection diagram LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU LICENSED TO MECON Limited - RANCHI/BANGALORE FOR INTERNAL USE AT THIS LOCATION ONLY, SUPPLIED BY BOOK SUPPLY BUREAU ICS 31.200 Typeset and printed by the IEC Central Office GENEVA, SWITZERLAND