Luận văn quy trình chế tạo vật liệu phát quang zns al cu

Lời cảm ơn Đầu tiên cho phép bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới thầy, giáo Bộ mơn Quang lượng tử nói riêng thầy, cô giáo Khoa Vật lý ‐ Trường Đại học Khoa học Tự nhiên ‐ Đại học Quốc gia Hà nội nói chung Trong q trình học tập nghiên cứu Khoa vật lý nhận quan tâm giúp đỡ nhiệt tình thầy, cô giáo anh chị cán khoa học Bộ môn Quang lượng tử Khoa vật lý Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc tới tất giúp đỡ quý báu Đặc biệt, tơi xin chân thành cảm ơn PGS.TS Phạm Văn Bền người trực tiếp hướng dẫn, giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi cho tơi suốt q trình thực luận văn Cuối tơi xin bày tỏ lịng biết ơn tới gia đình, bạn bè quan tâm, động viên dành nhiều tình cảm tốt đẹp để tơi hoàn thành tốt luận văn Hà nội, ngày 21 tháng 11 năm 2009 Học viên cao học Nguyễn Thị Thanh MỞ ĐẦU Các hợp chất A2B6 bán dẫn vùng cấm thẳng, độ rộng vùng cấm thay đổi từ hẹp (Eg HgTe= 0.12 eV) đến rộng (E g ZnO = 3.4 eV Eg ZnS = 3.67 eV nhiệt độ phịng) thay đổi cách thay đổi tỉ lệ thành phần hợp chất, cho khả chế tạo nguồn phát quang đầu thu quang làm việc vùng phổ rộng từ hồng ngoại gần đến khả kiến Bột ZnS pha chất kích hoạt Ag, Cu, Mn Al loại vật liệu thay để chế tạo huỳnh quang điện tử, hình ti vi ZnS chất bán dẫn vùng cấm rộng tạo bẫy bắt điện tử sâu vùng cấm, tạo điều kiện thuận lợi cho việc đưa tâm tạp (chất kích hoạt) vào để tạo bột phát quang có màu sắc biến đổi Các chất kích hoạt thường sử dụng nguyên tố kim loại chuyển tiếp với lớp vỏ điện tử 3d chưa lấp đầy: Mn, Fe, Ni, Co, Cu… Tùy thuộc vào chất kích hoạt, phương pháp chế tạo mẫu mà phổ phát quang hiệu suất phát quang ZnS bị thay đổi Ngồi ZnS cịn chất tự kích hoạt nghĩa tự khối chất có sẵn ion Zn 2+ Cl+ dư nằm lơ lửng nút mạng nút khuyết Zn (V Zn) S (VS) tạo thành tâm bắt điện tử Có nhiều phương pháp để tổng hợp vật liệu, phương pháp cho phép tổng hợp ưu tiên dạng khác nhau: đơn tinh thể có kích thước lớn, bột đa tinh thể có kích thước hạt cỡ nano, micro, mili…, màng mỏng hay sợi Do xuất phát từ lĩnh vực, yêu cầu sản phẩm điều kiện phịng thí nghiệm mà lựa chọn phương pháp tổng hợp vật liệu thích hơp Trong luận văn chúng tơi trình bày quy trình chế tạo vật liệu phát quang ZnS:Al-Cu phương pháp gốm với nồng độ Al Cu thay đổi khoảng 0÷10 mol%, 0÷0.1 mol%, tương ứng với nhiệt độ nung thay đổi từ 600 oC đến 1200oC Cấu trúc vật liệu xác định thông qua phổ Xray, ảnh SEM phổ tán sắc lượng Các tính chất quang ZnS:Al-Cu nghiên cứu qua phổ kích thích huỳnh quang, phổ phát quang, phổ phát quang phân giải thời gian, phổ tán xạ Raman… Ảnh hưởng nồng độ, nhiệt độ, mật độ cơng suất kích thích lên phổ phát quang ZnS:Al-Cu nghiên cứu Ngoài phần mở đầu, kết luận, tài liệu tham khảo phụ lục, luận văn chia làm chương: Chương I Lý thuyết tổng quan ZnS, cấu trúc tinh thể, cấu trúc vùng lượng tính chất quang ZnS:Al- Cu Chương II Một số phương pháp chế tạo ZnS ZnS:Al-Cu Chương III Thiết bị thực nghiệm Chương IV Kết thực nghiệm biện luận CHƯƠNG I LÝ THUYẾT TỔNG QUAN VỀ ZnS Cấu trúc tinh thể, cấu trúc vùng lượng tính chất quang ZnS:Al- Cu 1.1 Cấu trúc tinh thể ZnS 1.2 Cấu trúc vùng lượng ZnS 1.3 Các chế hấp thụ tinh thể 1.4 Các chế phát quang tinh thể 1.5 Phổ kích thích phổ phát quang ZnS ZnS:Al-Cu 1.6 Phổ tán xạ Raman ZnS ZnS:Al-Cu 1.7 Một số ứng dụng bột phát quang 1.1 Cấu trúc tinh thể ZnS ZnS hợp chất bán dẫn thuộc nhóm A 2B6 Nó có độ rộng vùng cấm tương đối rộng (Eg = 3.67 eV 300K) [8], tạo điều kiện thuận lợi cho việc đưa chất kích hoạt vào để tạo bột phát quang với xạ tạo vùng nhìn thấy vùng hồng ngoại gần Trong ZnS nguyên tử Zn S liên kết dạng hỗn hợp ion (77%) cộng hoá trị (23%) Trong liên kết ion ion Zn 2+ có cấu hình điện tử lớp ngồi 3s2p6d10 S2- có cấu hình điện tử lớp ngồi 2s 2p6 Trong liên kết cộng hoá trị, phải đóng góp chung điện tử nên nguyên tử Zn trở thành Zn 2- có cấu hình điện tử: 4s1p3 S trở thành S2+ có cấu hình : 3s1p3 [12] Các nguyên tử Zn S liên kết với theo cấu trúc tuần hoàn, tạo thành tinh thể Tinh thể ZnS có hai cấu hình mạng tinh thể lập phương sphalerite (hay zinblande) mạng tinh thể lục giác ( hay wurtzite) Tuỳ thuộc vào nhiệt độ nung mà ta thu ZnS có cấu hình sphalerite hay wurtzite Ở nhiệt độ nung từ 9500C ZnS có cấu trúc sphalerite, nhiệt độ từ 950 0C đến 10200C có khoảng 70% ZnS có cấu wurtzite Nhiệt độ từ 1020 0C đến 12000C ZnS hoàn toàn dạng wurtzite Người ta gọi nhiệt độ 1020 0C nhiệt chuyển pha cấu hình mạng tinh thể ZnS nhiệt độ này, chuyển pha từ hai cấu trúc sphalerite wurtzite xảy [18] Nhưng ta xác định khoảng nhiệt độ ổn định cho dạng cấu hình cụ thể tinh thể Dù dạng cấu trúc Sphalerite hay Wurtzite nguyên tử Zn (hoặc S) nằm tâm tứ diện tạo nguyên tử S (hoặc Zn) Cấu trúc vi mơ có ý nghĩa quan trọng việc nghiên cứu tính chất quang tâm 1.1.1 Cấu trúc mạng tinh thể lập phương sphalerite hay zinblande Cấu trúc dạng lập phương xác định sở quy luật xếp cầu hình lập phương với đỉnh nguyên tử B (S) ký hiệu ký hiệu Các nguyên tử A (Zn) định hướng song song với [9] (hình 1.1) Hình 1.1: Cấu trúc dạng lập phương tâm mặt sphalerite hay zinblende tinh thể ZnS Nhóm đối xứng không gian Sphalerite T2dF43m Ở cấu trúc sphalerite (hình 1.1), mạng ngun tố có phân tử A 2B6 (ZnS) Mỗi nguyên tử A(Zn) bao quanh nguyên tử B(S) đặt đỉnh tứ diện khoảng cách a , a số mạng (a = 5.41 A 0) Ngoài nguyên tố thuộc loại bao quanh 12 nguyên tử loại khoảng cách a , nguyên tử đặt lục giác nằm mặt phẳng, nguyên tử lại tạo thành phản lăng kính tam giác Nếu đặt nguyên tử nguyên tố B(S) nút mạng lập phương, tâm mạng có toạ độ cầu  0,0,0 nguyên tử nguyên tố nút mạng tinh thể 1 1 4 4 sphalerite với nút mạng đầu có tọa độ  , ,  Khi đó: + Có ngun tử B (S) vị trí :  0,0,0 ; 1, ,  ;  ,0,  ;  , ,0   2  2 2  + Có nguyên tử A (Zn) vị trí: 1 1  , , ; 4 4 1 3  , , ; 4 4 3 3  , , ; 4 4 3 1  , ,  4 4 1.1.2 Cấu trúc mạng tinh thể lục giác hay wurzite Khi tứ diện cạnh định hướng cho đáy tam giác song song với tạo thành tinh thể có cấu trúc lục giác hay wurtzire (hình 1.2) Cấu trúc dạng wurtzire xây dựng quy luật xếp cầu theo hình cạnh nguyên tử B(S) ký hiệu nguyên tử A(Zn) ký hiệu nửa số hỗng mặt chứa định hướng song song với [9] Nhóm đối xứng khơng gian cấu trúc lục giác C 64-p63mc Ở cấu trúc wurtzite, mạng nguyên tố chứa phân tử A 2B6 (ZnS) Tọa độ nguyên tử A bao quanh nguyên tử B đặt đỉnh tứ diện khoảng cách [a2/3+c2(u-1/2)2]1/2, a số mạng, u số mạng dọc trục z Hình 1.2: Cấu trúc dạng lục giác hay wurtzite tinh thể ZnS Ngoài loại bao bọc 12 nguyên tử loại đó, có nguyên tử đỉnh lục giác nằm mặt phẳng với nguyên tử ban đầu cách khoảng a, nguyên tử đỉnh mặt lăng trụ có đáy tam diện khoảng cách [a2/3+c2/4]1/2 Các tọa độ nguyên tử A(Zn) (0,0,0); (1/3,2/3,1/2) tọa độ nguyên tố B(S) (0,0,4); (1/3,2/3,1/2+u) Bảng 1: Các thông số mạng tinh thể số hợp chất bán dẫn thuộc nhóm A2B6 Hợp chất ZnS ZnO CdS CdTe ZnSe Loại cấu trúc tinh thể Nhóm đối xứng khơng gian F Lập phương ) Lục giác Lục giác Lục giác Lục giác 3.81 4.270 c/a 6.2340 1.636 3.2495 52059 0.345 1.602 3m( 5.835 4.136 6.7134 1.623 7.4370 1.627 6.5400 1.631 3m( 6.478 P63mc( ) F Lập phương ) u (A0) 3m( P63mc( ) F Lập phương ) Lục giác 5.40060 P63mc( ) F Lập phương ) A=b(A0) c(A0) 3m( P63mc( ) F Lập phương ) Hằng số mạng 4.570 3m( 5.667 P63mc( ) 4.010 1.1.3 Ảnh hưởng tạp chất lên cấu trúc tinh thể cấu trúc vùng lượng ZnS 1.1.3.1 Ảnh hưởng tạp chất lên cấu trúc vùng tinh thể ZnS Bằng thực nghiệm người ta thấy đa số hợp chất bán dẫn vùng cấm rộng tăng nồng độ tạp chất khoảng độ rộng vùng cấm chúng tăng [8] Tuy nhiên bán dẫn bán từ ZnS pha tạp Mn, Co, Fe … tăng nồng độ tạp chất độ rộng vùng cấm bị giảm chút xuống cực tiểu, sau tăng tăng tiếp tục nồng độ tạp chất Nguyên nhân tượng tương tác điện tử dẫn điện tử 3d ion từ (gọi tương tác trao đổi s- d) Để giải thích hiệu ứng trật tự từ liên quan đến tương tác trao đổi s-d R.B.Bylsma, W.M.Becker J.Diouri, J.P.Lascarg dùng Hamilton tương tác (1.1) đó: x nồng độ ion từ Hệ số tỉ lệ đặc trưng cho chất ion từ S Spin điện từ dẫn vị trí r Sj Spin ion từ thứ j vị trí Rj J(r-Rj) tích phân trao đổi 10 Ngoài đỉnh đặc trưng ZnS, vạch Raman gần 157, 217, 417 671 cm -1 quan sát Sự xuất phonon đặc biệt hiệu ứng Raman cộng hưởng tăng cường plasmon [21, 22] 4.9 Một số ứng dụng mẫu chế tạo Bước đầu thử nghiệm khả ứng dụng bột phát quang ZnS:Cu, ZnS:Mn in offset chế tạo tem chống hảng giả biển quảng cáo mầu Việc in ấn tem chống hàng giả thực với cộng tác Viện Khoa học Vật liệu, việc chế tạo biển quảng cáo màu thực môn Quang lượng tử - Khoa Vật lý - Trường ĐHKH Tự Nhiên  Tem chống hàng giả Hình 4.36a tem chống hàng giả chưa mã hóa bột phát quang Nó hồn tồn khơng phát sáng tác dụng xạ tử ngoại ( đèn soi tiền) Hình 4.36b tem chống hàng giả mã hóa bột phát quang ZnS:Cu Bột phát quang định vị vị trí tem Khi chưa có xạ tử ngoại, vị trí định vị khơng phát sáng Dưới tác dụng xạ tử ngoại, chúng phát sáng giống màu xanh vị trí mã hóa đồng tiền polime loại 50000 Việt Nam đồng (hình 4.36c)  Biển quảng cáo mầu Các bột phát quang ZnS:Cu, ZnS:Mn trộn với loại keo không phát quang phủ lên mẫu chữ có sẵn: Dịng chữ “Trường ĐHKHTN – ĐHQGHN Khoa Vật Lý” phủ bột phát quang ZnS:Mn, dịng chữ “Bộ 96 mơn QUANG LƯỢNG TỬ” phủ bột phát quang ZnS:Cu (hình 4.36 d) Khi chiếu xạ tử ngoại, bột phủ dòng chữ phát quang mầu da cam – vàng mầu xanh đặc trưng cho ZnS:Mn ZnS:Cu b d c a Hình 4.36: Hình ảnh mẫu tem, đồng tiền polimer biển quảng cáo màu tác dụng xạ tử ngoại a.Tem chưa mã hóa bột phát quang b Tem mã hóa bột phát quang ZnS:Cu c Đồng tiền polimer loại 50 000VNĐ d Biển quảng cáo màu phủ bột phát quang ZnS:Mn ZnS:Cu 4.10 Thảo luận kết 4.10.1 Bản chất đám phát quang ZnS 97 Phổ phát quang ZnS gồm đám màu xanh rộng nằm khoảng từ 400 nm đến 575 nm Đám phát quang gồm nhiều đám thành phần đám 470 nm (2.690 eV) có cường độ lớn Chúng tơi xem đám dịch chuyển điện tử từ mức donor xuống mức acceptor nút khuyết Zn liên kết với Cl [VZn – Cl] có tinh th ể ZnS (hình 4.37) CB 2.696 eV VZn-Cl VS 2.408 eV CuZn VB Hình 4.37: Sơ đồ mức lượng dịch chuyển xạ ZnS Đám xanh 530 nm (2.411 eV) liên quan đến nút khuyết lưu huỳnh tạp chất có mẫu (có thể tạp Cu) 4.10.2 Bản chất đám phát quang ZnS:Al-Cu Các kết nghiên cứu cho thấy phổ phát quang ZnS:Al-Cu phổ gồm hai đám xanh lam 467 nm xanh 530 nm có cường độ độ rộng lớn + Vị trí đám xanh khơng phụ thuộc vào nồng độ Cu mật độ cơng suất kích thích 98 + Vị trí đám xanh lam dịch phía sóng ngắn tăng nồng độ Cu dịch phía sóng dài tăng mật độ cơng suất kích thích CB D Green Blue Cu2+ A t e VB Hình 4.38: Sơ đồ mức lượng dịch chuyển xạ ZnS:Al-Cu Vì chúng tơi xem đám xanh lam (blue) đặc trưng cho chuyển dời xạ điện tử từ vùng dẫn xuống mức acceptor, acceptor nút khuyết Zn liên kết với Al [VZn-Al] Đám xanh (green) đặc trưng cho chuyển dời xạ điện tử từ mức donor Al xuống phân mức cao ion Cu2+ trường tinh thể ZnS 99 (hình 4.38) KẾT LUẬN Thực đề tài : «NGHIÊN CỨU MỘT SỐ TÍNH CHẤT QUANG CỦA ZnS:Al-Cu CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP GỐM» chúng tơi thu số kết sau : Thu thập tài liệu tìm hiểu quy trình chế tạo, cấu trúc tinh thể, phổ phát quang phổ tán xạ Raman vật liệu ZnS:Al-Cu chế tạo nhiều phương pháp khác Nghiên cứu xây dựng quy trình chế tạo bột phát quang ZnS:Al-Cu phương pháp gốm hệ lò nung nhiệt độ cao Khảo sát ảnh hưởng nồng độ Al, nhiệt độ, thời gian nung, mật độ cơng suất kích thích thời gian trễ lên phổ phát quang phổ tán xạ Raman ZnS:Al  + Nồng độ Al tối ưu 1.5 mol% 100 + Điều kiện nhiệt độ thời gian nung tối ưu là: t = 17 phút T= 8500C + Quan sát hiệu ứng dập tắt phát quang theo nồng độ Al, nhiệt độ nung thời gian nung Khảo sát ảnh hưởng nồng độ Cu, nhiệt độ, thời gian nung, mật độ cơng suất kích thích thời gian trễ lên phổ phát quang phổ tán xạ Raman ZnS:Al1.5 -Cu + Nồng độ Cu tối ưu 0.05 mol% + Điều kiện nhiệt độ thời gian nung tối ưu là: t = 15 phút T= 9000C + Quan sát hiệu ứng dập tắt phát quang theo nồng độ Cu, nhiệt độ nung thời gian nung + Tăng nồng độ Cu làm dịch chuyển đỉnh đám phát quang xanh lam ZnS:Al1.5 từ 451 nm sang 461 nm Sự dịch chuyển tăng nồng độ Cu, độ rộng vùng cấm ZnS giảm, dẫn đến bước sóng dịch phía lượng thấp Giải thích làm sáng tỏ vài chế tái hợp xạ ZnS ZnS:Al-Cu - Trong ZnS: Đám vùng xanh gồm nhiều đám thành phần đặc trưng cho chế tái hợp xạ khác nhau, đám 470 nm có cường độ mạnh đặc trưng cho tái hợp xạ cặp donor – acceptor mà donor nút khuyết lưu huỳnh (VS) acceptor nút khuyết kẽm kiên kết với Cl (VZn- Cl) ; đám 530 101 nm đặc trưng cho tái hợp xạ donor - mức tạp chất, donor VS tạp xác định Cu - Trong ZnS:Al-Cu: Sự có mặt Al Cu ZnS tạo nên đám xanh lam đám xanh Đám xanh lam đặc trưng cho chuyển dời xạ điện tử từ vùng dẫn xuống mức acceptor, acceptor nút khuyết Zn liên kết với Al [V Zn-Al] Đám xanh đặc trưng cho chuyển dời xạ điện tử từ mức donor Al xuống phân mức cao ion Cu2+ trường tinh thể ZnS Nghiên cứu ảnh hưởng nhiệt độ đo mẫu lên phổ phát quang ZnS, ZnS:Al, ZnS:Al- Cu Phổ phát quang mẫu có vị trí đỉnh dịch đáng kể đo nhiệt độ đo mẫu khác Cụ thể tăng nhiệt độ mẫu từ 78K đến 300K đỉnh phát quang dịch phía lượng thấp Bước đầu đưa vào thử nghiệm khả ứng dụng bột phát quang ZnS:Mn ZnS:Cu Các bột ứng dụng in offset chế tạo tem chống hàng giả biển quảng cáo -Những kết nghiên cứu luận văn trình bày in kỷ yếu tại: Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 5- Vũng Tàu (11/2007); Hội nghị quang học quang phổ 102 toàn quốc lần thứ – Nha Trang (9/2008); Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 6- Đà Nẵng (11/2009); TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt: 103 Phạm Văn Bền, 2007, “tính chất quang đơm tinh thể ZnS:Al” , Hội nghị vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ 5, Vũng Tàu Nguyễn Quang Liêm, 1995, “chuyển dời điện tử tâm phát tổ hợp bán dẫn AIIBVI”, LA.PTS Nguyễn Ngọc Long, 2007, “Vật lý chất rắn”, NXB ĐHQGHN, Hà nội Nguyễn Đức Nghĩa (2007), Hóa học Nano : Cơng nghệ vật liệu nguồn, NXB Viện Khoa học Việt nam, Hà nội Phan Văn Tường, 2007, “các phương pháp tổng hợp vật liệu gốm”, NXB ĐH Quốc gia hà nội, p 21 Tiếng Anh: Ageeth A Bol, et Al., 2002, Journal of Luminescence 99, p 325- 334 A Fazzio, M J Caldas and Alex Zunger, 1984, Phys Rev B, 30, p 3430-3453 B G Yacobi, 2004, “Semiconductor Materials”, Kluwer Academic Publishers, New York B Martiner, F Sandiumenge, L Balcell, J Fontcuberta, F.Sibieude, C.Monty, 2005, J.M.M.M, No 290-291, p 1012 10 B Martiner, F Sandiumege, 2005, J.M.M.M, No 290 – 291, p 1020 11 B Tripathi , Y K Vijay , S Wate , F Singh , D K Avasthi, 2007, “Solid-State Electronics”, 51, p 81–84 104 12 Claus Clingshirn, 2005, “Semiconductor Optics”, Springer-Verlag, Berlin 13 D Adachi, T Morimoto, T Hama, T Toyama and H Okamoto, 2008, Journal of Non-Crystalline Solids, 354 ,p 2740–2743 14 D N.Talwar and B K Agrawal, 1974, Phys Stat Sol., 64, p 71 15 H C Warad , S C Ghosh , B Hemtanon , C Thanachayanont , J Dutta, 2005, Science and Technology of Advanced Materials, 6, p 296–301 16 H E Gumlich, 1981, J Lumin, 23, p 73-99 17 H Y Lu, S Y Chu, S S Tan, 2004, J Cryst Growth, 269, p 38 18 J N Zeng, J K Low, 2002, Appl Surf Sci., 197-198, p 362 19 J.S Chneider and R.D Kirby, 1972, Phsics review B, 6, p1290 -1294 20 J Serrano, A.Cantarero, 2004, Physical review B 69, 104301-1 – 014301-10 21 J Era, S Shionoya, Y Washizawa, 1969, J.Phys Chem Sol, 29, 1827 22 J A.D Pinle, R.L Morales, P.M.P Merino, (2007), J Appl Phys.101, 13712 23 J Tanaka, 1976, et al., Jpn J Appl Phys., 15, p 2359 24 Kim K J, Park Y R, 2002, Appl Phys Lett., 81, p 1420 – 1422 105 25 K Manzoor, S R Vadera , N Kumar , T R N Kutty, 2003, Mat Chem Phys, 82, p 718–725 26 L Brus, J Phys Chem., 90 (1986) 2555 27 M Cardona (1975), Ligh Scattering in Solids, SpringerVerlag, Berlin 28 O Brafman, S S Mitra, 1968, Phys Rev., 171, p 931-934 29 P Prathap, N Revathi, Y.P.V Subbaiah, K.T Ramakrishna Reddy, R.W Miles, “Preparation and characterization of transparent conducting ZnS:Al films” 30 P Prathapetal et al (2008), Solid State Science, In press 31 S S Kumar , M A Khadar , S K Dhara ,T R Ravindran, K G M Nair, 2006, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 251, p 435–440 32 S Wageh, Z S Ling , X X Rong, 2003, J Cryst Growth, 255, p 332–337 33 T Yasuda, K Hara, H Kukimoto, 1986, J Cryst Growth, 77, p 485 34 W Busse, H E Gumlich, B Meissner, 1976, D Theis, J Lumin, 12/13, 693-700 35 W G Nilsen,1969, Phys Rev., 182, p 838 36 W G Becker, A J Bard,1983, J Phys Chem., 87, p 4888 37 W Q Peng , G W Cong, S C Qu, Z G Wang, 2006, Optical Materials, 29, p 313–317 106 38 Yvonne AXMANN, 2004, Manganese doped ZnS nanoparticles : synthesis, particle sizing and optical properties, PhD Thesis 3029, p 111 39 Y Hattori, T Isobe, H Takahashi, S Itoh,2005, J Lumin, 113, p 69-78 PHỤ LỤC Phần mềm Checkcell dùng để xử lý số liệu từ giản đồ nhiễu xạ tia X, từ cho thơng tin cấu trúc tinh thể 107 mặt phản xạ, nhóm khơng gian, số mạng tinh thể, thể tích sở Bao gồm bước chính: Bước 1: Nhập góc nhiễu xạ Bragg từ giản đồ XRD đo (nhập trực tiếp từ keyboard, nhập từ file đo trực tiếp giản đồ Diagram) Bước 2: Nhập thông số ô sở mẫu chuẩn, bao gồm thông số cấu trúc tinh thể, nhóm khơng gian, số mạng 108 Bước 3: Chọn mặt phẳng phản xạ (ứng với số Miller h, k ,l) để fit số liệu (có thể chọn tự động tất mặt phản xạ chọn cách click vào mặt phản xạ) Cuối hiển thị kết tính tốn bao gồm số Miller mặt phản xạ, số mạng thể tích sở 109 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CƠNG BỐ [1] Đinh Xn Lộc, Nguyễn Thị Thanh Ngân, Nguyễn Vũ, Pham Thị Minh Châu, D T Lịm, P H Dương, Phan Trọng Tuệ, Nguyễn Thị Thanh, Phùng Thị Hảo, Phạm Văn Bền, Kim Anh, “Chế tạo, tính chất quang khả ứng dụng vật liệu phát quang A2B6”, Tuyển tập báo cáo khoa học Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 5, 904-908 (2007) [2] Nguyễn Thị Thanh, Phạm Văn Bền, Phan Trọng Tuệ, “Nghiên cứu chế tạo bột phát quang Zn 1-xAlxS phương pháp gốm khảo sát số tính chất quang chúng”, Tuyển tập báo cáo khoa học Hội nghị Quang học Quang phổ toàn quốc lần thứ 5, 600-603, (2008 ) [3] Bùi Hồng Vân, Phạm Văn Bền, Hoàng Nam Nhật, Nguyễn Thị Thanh, Nguyễn Thành Long, Phạm Văn Thường, Đỗ Xuân Tiến, “Phổ phát quang ZnS:Al0.015-Cu chế tạo phương pháp gốm”, Báo cáo khoa học Hội nghị Vật lý Chất rắn toàn quốc lần thứ 6, (2009) 110 ... lựa chọn phương pháp tổng hợp vật liệu thích hơp Trong luận văn chúng tơi trình bày quy trình chế tạo vật liệu phát quang ZnS: Al- Cu phương pháp gốm với nồng độ Al Cu thay đổi khoảng 0÷10 mol%,... tính chất quang ZnS: Al- Cu 1.1 Cấu trúc tinh thể ZnS 1.2 Cấu trúc vùng lượng ZnS 1.3 Các chế hấp thụ tinh thể 1.4 Các chế phát quang tinh thể 1.5 Phổ kích thích phổ phát quang ZnS ZnS :Al- Cu 1.6... đặc tính quang, ta tổng hợp loại vật liệu có tính chất quang học khác vật liệu phát quang tác dụng dòng điện (chất điện phát quang) , vật liệu phát quang tác dụng ánh sáng (chất lân quang) loại