Luận án nghiên cứu giải pháp đánh giá và đảm bảo tương thích điện từ trường cho các thiết bị vô tuyến điện tử

1 MỞ ĐẦU Tính cấp thiết đề tài luận án Ngày tƣơng thích điện từ trƣờng (EMC: Electromagnetic compatibility) nhanh chóng trở thành lĩnh vực quan trọng ngành kỹ thuật phân tích mạch kỹ thuật điện tử Sự phát triển nhanh chóng mật độ sử dụng thiết bị điện tử ngày cao, thêm vào hầu hết nƣớc giới quy định giới hạn phát xạ nhiễu xạ nhiễu truyền dẫn sản phẩm điện tử Sự xuất nhiễu thiết bị điện, điện tử gây làm giảm hiệu hoạt động thân chúng thiết bị xung quanh, đặc biệt thiết bị quân nhƣ tàu ngầm, tàu chiến, máy bay chiến đấu…, khơng gian hệ thống hạn chế nhƣng số lƣợng thiết bị điện, điện tử tập trung mật độ dày đặc hoạt động đồng thời Chính vậy, đảm bảo tƣơng thích điện từ trƣờng cho thiết bị vơ tuyến điện tử (VTĐT) vấn đề cấp thiết Lĩnh vực khoa học cần đƣợc quan tâm gia tăng mạnh số lƣợng độ phức tạp thiết bị điện - điện tử Có thể tổng kết nguy thực tế đƣợc diễn giải sau đây: - Số lƣợng thiết bị VTĐT tăng lên lớn, đặc biệt thiết bị điện tử đặt phƣơng tiện động; - Công suất máy phát VTĐ tăng lên, số thiết bị có cơng suất phát lên tới vài chục đến hàng trăm MW; - Việc mở rộng dải tần số nhiều thiết bị VTĐT nhƣ liên lạc băng rộng, thông tin di động…; - Sự tải tần số công tác, có phân hoạch tần số; - Tính đa dạng thiết bị VTĐT với nhiều chức khác nhƣ tự động điều khiển, kiểm tra, dự báo, liên lạc….ở dạng tƣơng tự dạng số; - Đặc biệt thiết bị quân thƣờng hệ thống nhiều vị trí nhƣ thơng tin, đa, chế áp điện tử,… làm việc liên tục tạo nguồn nhiễu lớn cho thân chúng thiết bị xung quanh; Mật độ bố trí thiết bị hệ thống dày đặc với không gian hẹp (máy bay; tàu chiến,…) Trên giới, vấn đề tƣơng thích điện từ đƣợc nghiên cứu, thực chuẩn hóa từ sớm, xuất phát từ việc đảm bảo chất lƣợng hoạt động linh kiện bo mạch, khối thiết bị, thiết bị hệ thống hệ thống với Tuy nhiên, phƣơng tiện vô tuyến điện tử phát triển nhanh số lƣợng chất lƣợng với tiến khoa học công nghệ, nên tiêu chuẩn EMC phải tiến hành nghiên cứu bổ sung thêm đáp ứng đƣợc phần nhu cầu thực tế Nội dung nghiên cứu mở rộng cần đƣợc triển khai cách vừa mang tính khoa học, vừa mang tính hệ thống Nhiệm vụ nghiên cứu đề xuất quy định, đƣa điều kiện nguyên tắc chung để đạt đƣợc tƣơng thích điện từ thiết bị điện tử hệ Mặt khác, phải xây dựng quy trình đề xuất giải pháp đánh giá thiết bị công nghệ đảm bảo hoạt động tin cậy tính kỹ thuật Ở Việt Nam khái niệm tƣơng thích điện từ cịn chƣa đƣợc quan tâm đầy đủ xuất số lĩnh vực khoa học kỹ thuật trọng điểm, đời sống xã hội hầu nhƣ chƣa đƣợc phổ biến, tất các thiết bị điện tử dân dụng nhập đến số sản phẩm sản xuất nƣớc đƣợc thử nghiệm EMC phải đạt đƣợc yêu cầu kỹ thuật đề Trong lĩnh vực quân sự, vấn đề EMC đƣợc quan tâm cả, thông tin tác chiến điện tử Đã có phịng thử nghiệm EMC số đơn vị trọng yếu, ban hành tiêu chuẩn quân Việt Nam thử nghiệm tƣơng thích điện từ nhƣ: TCQS 044:2014/TĐC, TCQS 045:2014/TĐC… Tuy nhiên để nghiên cứu vấn đề EMC cách hệ thống, khoa học cần phải đầu tƣ nhiều tiềm lực khoa học, công nghệ sở vật chất đánh giá tồn diện EMC lý thuyết thực nghiệm Chính việc nghiên cứu, xây dựng giải pháp đánh giá, đảm bảo tƣơng thích điện từ cho thiết bị vô tuyến điện tử mô thực nghiệm cần thiết, môi trƣờng quân nơi đòi hỏi yêu cầu khắt khe khả chống nhiễu, độ tin cậy đảm bảo tính kỹ chiến thuật trang bị Xuất phát từ lý trên, nghiên cứu sinh chọn đề tài cho luận án tiến sĩ “Nghiên cứu giải pháp đánh giá đảm bảo tƣơng thích điện từ trƣờng cho thiết bị vô tuyến điện tử” Kết nghiên cứu luận án đóng góp thêm luận khoa học nghiên cứu, đánh giá EMC, làm sở mở hƣớng nghiên cứu tiếp theo, tiến tới làm chủ giải pháp kỹ thuật, hoàn thiện phƣơng pháp đo tham số xạ điện từ trƣờng đảm bảo EMC cho thiết bị VTĐT Mục tiêu nghiên cứu luận án Nghiên cứu hoàn thiện giải pháp đánh giá, đảm bảo EMC thiết kế, chế tạo thiết bị vô tuyến sở che chắn điện từ ƣớc lƣợng khoảng cách khối chức năng; nghiên cứu ảnh hƣởng EMC nguồn nhiễu gần tổng công suất nhiễu hệ thống vô tuyến để xác định phƣơng pháp đánh giá đơn giản, thích hợp Đối tƣợng nghiên cứu luận án Luận án sâu nghiên cứu, phân tích giải pháp đánh giá, đảm bảo EMC cho khối thiết bị vô tuyến, đánh giá tác động nguồn nhiễu gần đến thiết bị vô tuyến hệ thống vô tuyến đƣợc sử dụng phổ biến Phạm vi nghiên cứu luận án Nghiên cứu lý thuyết EMC, phân tích phƣơng pháp áp dụng hệ thống thiết bị VTĐT nƣớc nƣớc ngồi, từ đề xuất giải pháp hoàn thiện lý thuyết thực tế Nghiên cứu EMC hệ thống thiết bị VTĐT cụ thể, tìm liên quan, tƣơng tác điện từ trƣờng thiết bị hệ thống khối chức thiết bị điện tử riêng biệt, mô kết nghiên cứu phần mềm rút kết luận Phƣơng pháp nghiên cứu luận án Phƣơng pháp nghiên cứu dựa sở thu thập thông tin, tài liệu, phân tích tổng hợp cơng trình, báo khoa học công bố giới nƣớc, vận dụng lý thuyết truyền sóng vơ tuyến điện, lý thuyết trƣờng điện từ, xác suất thống kê tính tốn giải tích để xây dựng mối liên hệ tốn học phần tử tồn hệ thống Đánh giá kết phần mềm mô CST Monte-Carlo máy tính thử nghiệm phần cứng Nội dung nghiên cứu luận án Nghiên cứu giải pháp đám bảo tƣơng thích điện từ trƣờng cho thiết bị VTĐT, tập trung vào phƣơng pháp che chắn điện từ ƣớc lƣợng khoảng cách Nghiên cứu đánh giá xác suất gián đoạn hoạt động hệ thống vô tuyến dƣới tác động nguồn nhiễu gần thay cho tác động tổng công suất nhiễu Ý nghĩa khoa học thực tiễn luận án Ý nghĩa khoa học: Các nhận xét kết luận luận án đƣa dựa sở phân tích tốn học, đƣợc kiểm chứng thực nghiệm mô phỏng, đảm bảo độ tin cậy, góp phần hồn thiện phƣơng pháp đảm bảo EMC cho thiết bị VTĐT Phƣơng pháp che chắn điện từ ƣớc lƣợng khoảng cách khối với khuyến nghị rút từ thực nghiệm mô giúp ích cho thiết kế, chế tạo thiết bị VTĐT Phƣơng pháp đánh giá xác suất gián đoạn hoạt động hệ thống VTĐT dƣới tác động nguồn nhiễu gần thay cho tác động tổng công suất nhiễu góp phần đơn giản hóa phƣơng pháp đảm bảo EMC cho thiết bị VTĐT Đây hai nội dung mang tích mới, có ý nghĩa khoa học Ý nghĩa thực tiễn: Kết tính tốn, thực nghiệm mơ kiểm chứng luận án góp phần hồn thiện phƣơng pháp đảm bảo EMC cho thiết bị VTĐT Từ kết này, giúp cho việc thiết kế, chế tạo thiết bị VTĐT đạt đƣợc phù hợp với tiêu chuẩn EMC, nâng cao độ tin cậy thiết bị Bố cục luận án Ngoài phần mở đầu, kết luận, danh mục cơng trình cơng bố luận án, tài liệu tham khảo phụ lục, nội dung luận án gồm chƣơng: Chƣơng Tổng quan giải pháp đánh giá đảm bảo EMC cho thiết bị vơ tuyến Trình bày khái niệm chung EMC, nghiên cứu đặc trƣng EMC thiết bị VTĐT, phân loại nguồn nhiễu Phân tích ƣu, nhƣợc điểm phƣơng pháp đảm bảo EMC cho thiết bị VTĐT tác giả ngồi nƣớc, phân tích mơ hình thống kê nhiễu tác động đến thiết bị VTĐT, rút nhận xét bàn luận, sở lựa chọn phƣơng án nghiên cứu luận án Chƣơng Đề xuất giải pháp đảm bảo EMC thiết kế thiết bị VTĐT Phân tích, đánh giá sở lý thuyết, mơ hình hóa đặc trƣng EMC khối thiết bị vô tuyến, giải pháp che chắn điện từ, giải pháp khoảng cách Tiến hành mô phỏng, đánh giá tác động che chắn, khoảng cách đến EMC khối thiết bị VTĐT Thử nghiệm mạch thực tế phịng thí nghiệm để minh chứng cho kết mơ phỏng, từ đề xuất giải pháp đảm bảo EMC thiết kế khối chức thiết bị vô tuyến Chƣơng Đề xuất giải pháp đánh giá nguồn nhiễu gần thay cho tổng cơng suất nhiễu Phân tích mơ hình thống kê nhiễu mạng vơ tuyến, dựa mơ hình kênh truyền thống mơ hình phân bố Pốt-xơng Đề xuất mơ hình tốn đánh giá cơng suất nguồn nhiễu gần thay cho tổng công suất nhiễu xác suất gián đoạn hoạt động nhỏ Sử dụng công suất nguồn nhiễu gần làm thống kê cho xác suất gián đoạn hoạt động dƣới tác động pha-đinh Tiến hành mô đề xuất phần mềm mô Monte-Carlo để kiểm chứng đánh giá kết nghiên cứu CHƢƠNG I TỔNG QUAN VỀ GIẢI PHÁP ĐÁNH GIÁ VÀ ĐẢM BẢO EMC CHO THIẾT BỊ VÔ TUYẾN 1.1 Khái niệm đặc trƣng EMC thiết bị vô tuyến 1.1.1 Khái niệm chung Tƣơng thích điện từ khả thiết bị (điện, điện tử, vô tuyến điện) vận hành ổn định đảm bảo tham số môi trƣờng điện từ cụ thể không tạo nhiễu vƣợt tiêu chuẩn qui định thiết bị khác [51] Theo tổng kết vấn đề liên quan đến tƣơng thích điện từ trƣờng (EMC) giới [4], [5], [51] cho thấy: khơng có lý thuyết cho EMC kỹ thuật vô tuyến, lý thuyết chung EMC cho mạch vơ tuyến, thiết bị vô tuyến hệ thống vô tuyến, vài nhánh chúng đƣợc dùng chung Cơ sở EMC cho mạch vô tuyến phải dựa kỹ thuật mạch; lý thuyết EMC cho thiết bị vô tuyến phải xuất phát từ lý thuyết thiết bị Việc phân loại toán EMC nằm mức độ khác cần đƣợc nghiên cứu kỹ kỹ thuật vô tuyến Đây lý mà nhà nghiên cứu EMC tiếp tục theo đuổi theo nhiều hƣớng khác đòi hỏi việc phát triển linh kiện điện tử sử dụng công nghệ mới, nguồn ni thấp, kích thƣớc nhỏ, bố trí mật độ cao diện tích hạn chế, vi mạch hóa, mơ đun hóa theo chức năng, mơi trƣờng ứng dụng đa dạng Chính vậy, việc đánh giá thiết bị điện tử quan điểm tƣơng thích điện từ cần thiết hết Các khái niệm EMC bao gồm tác động nhiễu xạ, nhiễu dẫn (vốn truyền lan theo dây dẫn), nhƣ độ nhạy thiết bị điện tử tác động nhiễu Khi đặc trƣng EMC đƣợc xác định dải tần đến 400 GHz Biểu đồ minh họa mối liên kết khái niệm EMC đƣợc trình bày hình 1.1 cho thấy cách trực quan, rõ ràng thành phần EMC thiết bị vô tuyến điện tử, hệ thống thông tin, mạng di động Tƣơng thích điện từ (EMC) Bức xạ điện từ (EMI) Các nhiễu dẫn: - Dòng nhiễu; - Điện áp nhiễu Các nhiễu xạ : - Điện trƣờng; - Từ trƣờng; - Điện từ trƣờng Độ nhạy cảm điện từ (EMS) Tính ổn định với nhiễu dẫn: - Dịng nhiễu; - Điện áp nhiễu Tính ổn định với nhiễu xạ : - Điện trƣờng; - Từ trƣờng; - Điện từ trƣờng Hình 1.1 Các khái niệm tương thích điện từ Trường điện từ Theo định nghĩa [1], trƣờng điện từ trạng thái đặc biệt vật chất, nhờ có mà hạt mang điện tƣơng tác đƣợc với Các nguyên nhân vật lý tồn trƣờng điện từ liên quan đến tƣợng điện trƣờng E thay đổi theo thời gian sinh từ trƣờng H từ trƣờng biến đổi sinh điện trƣờng xoáy; hai thành phần E H thay đổi không ngừng trƣờng sinh trƣờng Trƣờng điện từ liên quan đến hạt mang điện (đứng yên hay chuyển động) Khi hạt tích điện chuyển động nhanh dần trƣờng điện từ 'tách khỏi" chúng tồn độc lập dƣới dạng sóng điện từ, vốn khơng bị khơng cịn nguồn (thí dụ, sóng vơ tuyến khơng dịng anten phát khơng cịn) Các sóng điện từ đƣợc đặc trƣng bƣớc sóng, ký hiệu  Nguồn, vốn phát xạ, tạo dao động điện từ, đƣợc đặc trƣng tần số f Đặc điểm quan trọng trƣờng điện từ phân chia thành hai loại trƣờng vùng "gần" vùng "xa" Trong vùng "gần" (hay gọi vùng cảm ứng), cự ly r  3 trƣờng điện từ đƣợc coi trạng thái tĩnh Tại đó, nhanh chóng suy yếu theo khoảng cách, tỷ lệ nghịch với r hay r Trong vùng gần xạ, sóng điện từ chƣa đƣợc hình thành Để đặc trƣng cho trƣờng điện từ, phép đo điện trƣờng xoay chiều từ trƣờng xoay chiều đƣợc thực cách tách biệt Trƣờng vùng cảm ứng đƣợc dùng để tạo thành phần động trƣờng (sóng điện từ), nguồn gốc sinh xạ Hình 1.2 đƣa trƣờng hợp thay đổi trở kháng sóng Z=E/H theo r, với đƣờng 1, trƣờng vùng gần, đƣờng ứng với trƣờng xa Z, Ω 104 103 377 102 Trƣờng vùng gần Trƣờng vùng xa 10 0,05 0,1 0,2 0,5 (2π/λ)r Hình 1.2 Phân chia trường vùng gần vùng xa Vùng "xa" vùng, tồn sóng điện từ, khoảng cách r  3 Trong vùng "xa" xạ có mối liên hệ E H: E=377H, hệ số 377 trở sóng chân khơng, đơn vị đo Ω Vì thế, theo quy luật, ngƣời ta đo E Đối với trƣờng điện từ tần số 300 MHz, ngƣời ta thƣờng đo mật độ dòng lƣợng điện từ hay vector Poiting (đƣợc ký hiệu chữ S, đơn vị đo W / m2 ) Nhiễu điện từ Các nhiễu điện từ xuất từ tƣợng tự nhiên hay q trình kỹ thuật Ví dụ nhiễu tự nhiên tƣợng phóng điện khí (các xung điện từ xuất va đập chớp) hay phóng điện tĩnh điện (trong bán dẫn) Trong thiết bị công nghiệp, nguồn nhiễu chủ yếu trình đảo mạch mạch điện, vốn liên quan tới thay đổi nhanh dòng điện áp, mà kết xuất nhiễu điện từ tuần hoàn hay ngẫu nhiên Tác động nhiễu có đặc trƣng cảm ứng (dƣới dạng dòng điện hay điện áp dây dẫn) hay đặc trƣng xạ (dƣới tác động điện trƣờng xoay chiều) Các dạng biễu diễn tín hiệu nhiễu: Các nhiễu có đặc trƣng tuần hồn hay khơng tuần hồn khoảng thời gian xác định đƣợc biểu diễn tốn học dƣới dạng tổng tín hiệu hình sin cosin với tần số biên độ khác Trên hình 1.3 trình bày dạng điển hình tín hiệu nhiễu cách thể phổ chúng Các nhiễu tuần hoàn Dải hẹp Dải rộng Các nhiễu khơng tuần hồn Dải hẹp Dải rộng Miền thời gian Miền tần số Hình 1.3 Các dạng nhiễu khác miền tần số miền thời gian 1.1.2 Đặc trƣng EMC thiết bị vô tuyến Khi giải vấn đề liên quan đến tƣơng thích điện từ trƣờng EMC thiết bị vơ tuyến, có nhiều tham số đặc trƣng máy thu vô tuyến (MT), máy phát vô tuyến (MF) ăng-ten đƣợc sử dụng để đánh giá EMC Những đặc trƣng tham số mơ tả tính chất định thiết bị nói trên, xuất 10 phát từ quan điểm nhiễu điện từ khả ngăn chặn chúng Cụ thể, phạm vi luận án xem xét nội dung sau số đặc tính EMC [4], [5], [51] Đặc trưng thống kê phân bố nhiễu điện từ Theo [4], [51] tình điện từ (THĐT) đƣợc hiểu tập hợp tất loại xạ đƣợc tạo thành hoạt động đồng thời phƣơng tiện vô tuyến (PTVT) nguồn nhiễu không cố ý khác điểm đặt thiết bị thu hệ thống vô tuyến (HTVT) xét Các loại nguồn nhiễu đa dạng đặc tính tần số-thời gian-năng lƣợng số lƣợng nguồn nhiễu Việc hiểu tính chất riêng loại nhiễu cần thiết việc đánh giá tác động nhiễu lên thiết bị vô tuyến đặt gần nguồn nhiễu cần thiết việc tìm biện pháp chống nhiễu hiệu Trong cơng trình thứ (bài báo số 1) tác giả đƣa phân tích tác động nhiễu điện từ mạnh đến hoạt động thiết bị vơ tuyến Bài báo đƣa mơ hình đánh giá độ bền máy thu vô tuyến dƣới tác động nhiễu điện từ mạnh, giúp cho việc xác định tác động nhiễu điện từ đƣợc xác Để giải toán EMC cần phải xây dựng mơ hình THĐT áp dụng giải pháp xác suất thống kê để xem xét Mơ hình giúp cho luận án có cách nhìn tổng qt tác động nhiễu điện tử R MT D MP Hình 1.4 Mơ hình tình điện từ khu vực Trên hình 1.4 mơ hình lý thuyết THĐT Mơ hình bao gồm máy phát máy thu đặt cách khoảng D, thiết bị thu nhận tín hiệu có 105 [48] Leland H Hemming,“Architectural Electromagnetic Shielding Handbook: A Design and Specification Guide”, The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 1992 [49] “EMxpert EHX User Manual”, EMSCAN Tiếng Nga: [50] Михайлов, А.С Справочник по расчету электромагнитных экранов / А.С Михайлов – М : Энергоатом изд-во, 1988 – 244 с [51] Апорович А.Ф “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств” Минск “Бестпринт” 2003 [52] Н.А Малков, А.П Пудовкин, “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств”, Тамбов: Изд-во Тамб.гос техн ун-та, 2007 – 88 с – 100 экз – ISBN 978-5-8265-0659-2 [53] С.П Куксенко, А.М Заболоцкий, А.О Мелкозеров, Т.Р Газизов , “Новые Возможности Системымоделирования электромагнитной совместимости TALGAT”, Доклады ТУСУРа, № (36), июнь 2015 [54] Князев А.Д “Элементы Теории и Практики обеспепения Электромагнитной совместимое радиоэлетронных средсть” м, радио и свиязь, 1984 - 336 c [55] Егороь Е И , Калашникоь Н.И; Михайлоь А.С Использование “Радиочастотного спектра и Непреднамеренные Помехи” - М : радио и свиязь, 1983 - 400 с [56] Михайлоь А.С Измерение Параметров ЭМС РЭС - М ; свиязь, 1990 - 200 с [57] Гост 23611-79, “Совместимоеть радиоэлектронных средсть электромагнитная” Термины и определения [58] Волин М.Л “Паразитные професы в радиоэлектронной аппаратуре”, M: радио и свиязь, 1991 106 [59] Волошин В И “Метод приближенной оценки электрон - магнитной совместимоти комплеся радиосредсть”, - радиотехника, 1986, No11 [60] “Рдиотехника”, 2008, No4, 36-47 стр [61] “Радиотехника”, 2010, No6, 19-28 стр [62] “Радиотехника”, 2010, No7, 54-68 стр [63] Иванов, В.А Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств /В.А.Иванов, Л.Я.Ильинский, М.И.Фузик.-К.:Техника, 1983.120с [64] Князев, А.Д Элементы теории и практики электромагнитной местимости радиоэлектронных средств - М.Радио и связь, 1984.336 с PHỤ LỤC Sơ đồ mạch nguồn mạch dao động Hình P1.1 Sơ đồ nguyên lý mạch dao động Hình P1.2 Sơ đồ mạch in mạch dao động Hình P1.3 Sơ đồ mạch in 3D mạch dao động Hình P1.4 Sơ đồ nguyên lý mạch nguồn Hình P1.5 Sơ đồ mạch in mạch nguồn Hình P1.6 Sơ đồ mạch in 3D mạch nguồn PHỤ LỤC Các khối nhôm sử dụng để che chắn PHỤ LỤC Các kết đo thử nghiệm Bảng P3.1 Dữ liệu đo mạch nguồn Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 57 72 10 62 15 55 20 48 27 71 30 74 50 56 Bảng P3.2 Dữ liệu đo mạch dao động Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 70 69 10 75 15 72 20 78 27 80 30 81 50 79 Bảng P3.3 Dữ liệu đo mạch nguồn đƣợc bọc kim Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 48 65 10 57 15 52 20 43 27 65 30 66 50 51 Bảng P3.4 Dữ liệu đo mạch dao động đƣợc bọc kim Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 62 64 10 71 15 66 20 73 27 72 30 75 50 71 Bảng P3.5 Dữ liệu đo mạch nguồn mạch dao động đặt cạnh không che chắn Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 72 84 10 72 15 70 20 78 27 81 30 86 50 73 Bảng P3.6 Dữ liệu đo mạch nguồn mạch dao động đặt cách cm không che chắn Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 69 79 10 70 15 68 20 75 27 76 30 80 50 69 Bảng P3.7 Dữ liệu đo mạch nguồn mạch dao động đặt cách 5cm không che chắn Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 61 69 10 68 15 62 20 66 27 67 30 71 50 63 Bảng P3.8 Dữ liệu đo mạch nguồn mạch dao động đặt cách 10 cm không che chắn Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 55 60 10 56 15 57 20 55 27 58 30 62 50 52 Bảng P3.9 Dữ liệu đo mạch nguồn mạch dao động đƣợc bọc kim đặt cạnh Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 65 74 10 65 15 60 20 68 27 72 30 75 50 65 Bảng P3.10 Dữ liệu đo mạch nguồn mạch dao động đƣợc bọc kim đặt cách 10 cm Tần số (MHz) Biên độ (dbμV) 46 48 10 43 15 41 20 42 27 45 30 46 50 41 PHỤ LỤC Các kết mô Phƣơng pháp bọc kim Bảng P4.1 đến bảng P4.4 thể liệu mô kiểm tra EMC CST với khoảng cách m theo tiêu chuẩn CISPR-22 với tín hiệu xạ điện từ khơng đƣợc che chắn với trƣờng hợp có lỗ hổng có kích thƣớc lần lƣợt cm x 1,5 cm, cm x cm cm x 0,5 cm (Hình 2.9) Bảng P4.1 Khơng che chắn Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 51,917 100 64,166 300 83,089 500 92,196 800 100,988 1000 105,334 Bảng P4.2 Hộp bọc kim có khe hở cm x 1,5 cm Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 7,258 100 27,968 300 56,618 500 69,098 800 79,883 1000 84,702 10 Bảng P4.3 Hộp bọc kim có khe hở cm x cm Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 -4,432 100 16,313 300 44,947 500 57,382 800 68,051 1000 72,732 Bảng P4.4 Hộp bọc kim có khe hở cm x 0,5 cm Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 -26,876 100 -6,135 300 22,484 500 34,891 800 45,493 1000 50,108 Bảng P4.5 đến P4.8 thể kết mô CST cƣờng độ điện trƣờng vị trí cách lớp vỏ hộp bọc kim cm trƣờng hợp khơng có che chắn sử dụng hộp bọc kim có kích thƣớc lỗ hổng cm x 1,5 cm, cm x cm cm x 0,5 cm (Hình 2.10) Bảng P4.5 Không che chắn Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 120,245 100 120,110 300 119,174 500 121,026 800 129,081 1000 133,681 11 Bảng P4.6 Hộp bọc kim có khe hở cm x 1,5 cm Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 69,819 100 76,039 300 87,236 500 93,633 800 99,954 1000 103,100 Bảng P4.7 Hộp bọc kim có khe hở cm x cm Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 58,096 100 64,316 300 75,504 500 81,874 800 88,105 1000 91,056 Bảng P4.8 Hộp bọc kim có khe hở cm x 0,5 cm Tần số (MHz) Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) 50 31,156 100 42,372 300 53,535 500 59,874 800 66,045 1000 69,935 12 Phƣơng pháp ƣớc lƣợng khoảng cách Bảng P4.10 thể liệu mô tín hiệu điện từ theo khoảng cách khác nhau, từ cm, cm, cm,… đến 50 cm (Hình 2.12) Bảng P4.10 Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) theo khoảng cách Khoảng Tần số (MHz) cách (cm) 50 100 300 500 800 1000 156,588 156,585 156,555 156,498 156,386 156,345 148,444 148,434 148,336 148,159 147,881 147,957 142,080 142,061 141,869 141,547 141,330 142,178 136,862 136,831 136,523 136,078 136,520 138,794 132,455 132,409 131,971 131,494 133,360 136,919 128,649 128,586 128,014 127,689 131,517 135,703 125,304 125,222 124,526 124,628 130,150 134,754 122,322 122,219 121,425 122,269 129,213 133,930 10 119,632 119,507 118,661 120,514 128,439 133,180 15 109,101 108,854 109,229 116,302 125,483 130,082 20 101,364 101,055 105,218 114,161 123,258 127,723 30 87,371 90,803 102,522 110,704 119,829 124,743 50 83,610 88,669 98,679 104,756 112,962 118,821 Kết hợp phƣơng pháp Bảng P4.11 thể cƣờng độ điện trƣờng nguồn xạ nằm hộp bọc kim gây đo lớp vỏ hộp bọc kim thứ khoảng cách d 13 thay đổi từ cm, cm, 10 cm 15 cm (với lỗ hổng khe hở vỏ) (Hình 2.14) Bảng P4.11 Cƣờng độ điện trƣờng (dBμV/m) kết hợp phƣơng pháp Khoảng Tần số (MHz) cách (cm) 50 100 300 500 800 1000 57,422 63,699 75,265 81,885 88,360 91,661 52,368 58,654 70,271 76,924 83,430 86,726 10 47,252 53,682 66,116 73,268 79,921 82,874 15 43,011 49,187 61,565 68,863 75,823 78,721 119,174 121,026 129,081 133,681 Không che chắn 120,245 120,110 ... vô tuyến để xác định phƣơng pháp đánh giá đơn giản, thích hợp Đối tƣợng nghiên cứu luận án Luận án sâu nghiên cứu, phân tích giải pháp đánh giá, đảm bảo EMC cho khối thiết bị vô tuyến, đánh giá. .. trên, nghiên cứu sinh chọn đề tài cho luận án tiến sĩ ? ?Nghiên cứu giải pháp đánh giá đảm bảo tƣơng thích điện từ trƣờng cho thiết bị vô tuyến điện tử? ?? Kết nghiên cứu luận án đóng góp thêm luận. .. nghiên cứu luận án Nghiên cứu giải pháp đám bảo tƣơng thích điện từ trƣờng cho thiết bị VTĐT, tập trung vào phƣơng pháp che chắn điện từ ƣớc lƣợng khoảng cách Nghiên cứu đánh giá xác suất gián