Tính toán thiết kế mạch lái Mosfet

11 Chương 10 Mạch lái, mạch hỗ trợ và tản nhiệt 10 1 Giới thiệu Tối thiểu công suất tổn hao trên chuyển mạch điện tử là mục đích quan trọng khi thiết kế điện tử công suất Tổn hao dẫn xảy ra vì luôn tồ.

1 Chương 10 Mạch lái, mạch hỗ trợ tản nhiệt 10.1 Giới thiệu Tối thiểu công suất tổn hao chuyển mạch điện tử mục đích quan trọng thiết kế điện tử công suất Tổn hao dẫn xảy ln tồn điện áp khác khơng đặt ngang quan chuyển mạch dẫn Trong tổn hao chuyển mạch xảy chuyển mạch chuyển tức thời từ trạng thái qua trạng thái khác tổn hao chuyển mạch nhiều chuyển đổi đáng kể so với tổn hao dẫn Bộ chuyển đổi cộng hưởng trình bày chương làm giảm tổn hao chuyển mạch cách cải thiện dao động từ nhiên điện áp dịng điện khơng Chuyển mạch mạch điện chuyển đổi DC/DC thảo luận chương chương ln tồn tổn hao cho phép dẫn dòng điện điện áp khác không Tổn hao chuyển mạch chuyển đổi loại tối thiểu thiết kế mạch lái để trình chuyển mạch diễn nhanh Mạch hỗ trợ thiết kế để cải thiện dạng sóng chuyển mạch, nhờ mà giảm tổn hao cơng suất bảo vệ chuyển mạch Tổn hao công suất chuyển mạch điện tử tỏa nhiệt giới hạn nhiệt độ thiết bị giới hạn thiết kế tất mạch chuyển đổi 10.2 Mạch lái MOSFET IGBT Bộ lái phía MOSFET linh kiện điều khiển điện áp điều khiển tương đối đơn giản, có nhiều ưu điểm so với BJT Trạng thái dẫn xảy điện áp V gs vượt qua điện áp ngưỡng, làm cho MOSFET trở thành đèn cực (cũng gọi trở hay không bão hịa) Thơng thường, điện áp Vgs đủ làm MOSFET chuyển sang trạng thái dẫn vào cỡ 10-20V, có số MOSFET thiết kế để điều khiển theo điện áp mức logic Trạng thái khóa xảy điện áp V gs nhỏ mức điện áp ngưỡng Dòng điện cực cửa hai trạng thái không Tuy nhiên, điện dung ký sinh đầu vào phải nạp để làm thông MOSFET xả để khóa Tốc độ chuyển mạch thường phụ thuộc vào tốc độ nạp dòng cực cửa Tranzistor cực cửa cách ly (IGBT) có mạch lái yêu cầu tương đối giống MOSFET, thảo luận dây áp dụng tốt với chúng Mạch lái MOSFET phải có khả rút dịng/tạo dịng cho chuyển mạch tốc độ cao Mạch lái hình 10-1a lái transistor, thời gian chuyển mạch không phù hợp cho vài ứng dụng Hơn nữa, tín hiệu đầu vào lấy từ thiết bị điện tử điện áp thấp, logic đầu không đủ làm MOSFET thông Một mạch lái tốt hình 10-1b Mạch theo dõi điện áp emitter kép gồm cặp bóng bán dẫn lưỡng cực loại NPN PNP Khi điện áp đầu vào mạch lái mức cao, Q thông Q2 khóa, làm MOSFET thơng Khi tín hiệu đầu vào mạch lái mức thấp, Q khóa, Q2 thơng loại bỏ lượng tích lũy cực cửa, làm MOSFET khóa Tín hiệu đầu vào sử dụng để điều khiển lấy từ TTL collector hở, với mạch theo dõi điện áp emitter sử dụng đệm với dòng cực cửa yêu cầu dạng rút/tạo dòng hình 10-1c Các cách xếp khác cho mạch điều khiển MOSFET thể hình 10-2 Đây mạch tương đương với mạch hình 10-1b Các bóng bán dẫn lái, hỗ trợ cho bóng bán dẫn ngồi, với bán dẫn mắc tạo dịng bóng khác mắc rút dịng cho cực cửa để đóng mở MOSFET Hình 10.2a sử dụng transistor NPN, hình 10-2b sử dụng MOSFET kênh N, hình 10.2c sử dụng hai loại MOSFET kênh P N Ví dụ 10-1 Minh họa ý nghĩa mạch điều khiển MOSFET tốc độ chuyển mạch tổn hao cơng suất Mơ mạch lái MOSFET Một mơ hình PSpice cho MOSFETcơng suất-IRF150 có sẵn phiên demo PSpice tập tin EVAL (a) Sử dụng mô PSpice để xác định thời gian thơng đóng cơng suất tiêu tán MOSFET cho mạch tronh hình 10.1a Sử dụng Vs = 80 V điện trở tải 10  Điện áp điều khiển chuyển mạch vi xung tăng từ đến 15 V, R1 = 100  (b) Lặp lại cho mạch hình 10.1c với R1 = R2 = 1k  Tần số chuyển mạch cho trường hợp 200 kHz, hệ số điền xung điện áp điều khiển chuyển mạch xung 50 phần trăm Giải (a) Mạch lái hình 10-1a sử dụng xung áp để điều khiển chuyển mạch Kết dạng sóng chuyển mạch từ đầu đo thể hình 10.3a Thời gian chuyển mạch thô chuyển mạch khóa thơng 1.7 0.5 us Cơng suất tiêu tán trung bình MOS xác định từ đầu đo enting AVG(W(M1)), kết 38W (b) Mạch lái sử dụng mạch theo dõi điện áp emiter hình 10-1c sử dụng transistor NPN 2N3904 PNP 2N3906 từ thư viện ước tính Kết dạng sóng chuyển mạch thể hình 10.3b Thời gian chuyển mạch khóa dẫn 0.4 0.2 us Công suất tiêu tán 7.8W Chú ý mạch lái loại loại bỏ lượng cực cửa nhanh mạch lái phần (a) Mạch lái kênh (high side) Một vài công nghệ chuyển đổi, chuyển đổi hạ áp sử dụng MOSFET kênh N có chuyển mạch mức cao Nguồn cung cấp MOSFET phía khơng kết nối với đất chuyển mạch phía chuyển đổi mạch tăng áp Chuyển mạch phía yêu cầu mạch lái MOSFET động với điểm đất Mạch lái cho ứng dụng gọi mạch lái phía Để mở MOSFET, điện áp Vgs phải đủ cao Khi MOSFET thông chuyển đổi hạ áp, ví dụ điện áp nguồn terminal MOSFET với điện áp cung cấp V s Vì thế, điện áp cực cửa phải lớn điện áp cung cấp Cách để tạo điện áp cao điện áp nguồn sử dụng bơm nạp (bộ chuyển đổi chuyển mạch tụ điện) mô tả chương Một mạch lái high side kết nối hình 10-4a Hai MOSFET lái điốt đặt tên chuyển mạch S1, S2, S3 Khi tín hiệu điều khiển mức cao, S1 S2 thông tụ điện nạp nhờ nguồn Vs thơng qua đi-ốt (Hình 10-4b) Khi tín hiệu điều khiển mức thấp, S1 S2 khóa điện áp tụ điện đặt ngang qua điện trở cực cửa MOSFET công suất làm MOSFET dẫn Điện áp tải lúc điện áp nguồn Vs, làm cho điện áp cực dương tụ điện tăng lên thành 2Vs Mạch lái gọi mạch boostrap Các mạch lái điều khiển cổng MOSFET có sẵn dạng mạch tích hợp (IC) Một ví dụ mạch lái IR2117 hãng International Rectifier, thể hình 10-5a IC với tụ điện bên diode cung cấp mạch bootstrap cho MOSFET Một ví dụ khác IRS2110 thiết kế để điều khiển hai thiết bị chuyển mạch (Hình 10-5b) Bộ chuyển đổi cầu nửa cầu ứng dụng đòi hỏi mạch lái điều khiển chuyển mạch Người ta mong muốn có cách ly MOSFET mạch điều mức điện áp cao MOSFET, bóng bán dẫn phía mạch cầu chuyển đổi buck Các mạch ghép từ ghép quang học thường sử dụng để cách ly điện Hình 10-6a cho thấy mạch điều khiển mạch công suất cách điện máy biến áp Tụ điện phía mạch điều khiển ngăn cản dịng bù chiều chảy vào biến áp gây bão hịa biến áp Dạng sóng chuyển chuyển mạch điển hình thể hình 10-6b Since the volt-second product must be the same on the transformer primary and secondary, the circuit works best when the duty ratio is around 50 percent Một mạch lái dùng cách ly quang học thể hình 10-6c 10.3 Mạch lái transistor lưỡng cực BJT Các bóng bán dẫn lưỡng cực (BJT) phần lớn thay MOSFET IGBT Tuy nhiên, BJT sử dụng nhiều ứng dụng BJT bóng bán dẫn điều khiển dịng điện, u cầu dịng cực (B) để trì bóng bán dẫn trạng thái thơng Dịng cực chọn để dòng cực thu (C) thỏa mãn nhỏ + Thời gian mở (turn on time) phụ thuộc vào tốc độ chuyển dòng nạp yêu cầu đến cực + Tốc độ chuyển mạch giảm xuống ban đặt dòng cực tăng đột biến sau giảm dịng điện để giữ cho transistor thơng Tương tự, gia tăng dòng điện âm muốn khóa BJT điều mong muốn để loại lượng tích trữ, giảm thời gian chuyển đổi thơng sang khóa Hình 10-7a cho thấy xếp mạch thích hợp cho mạch lái BJT Khi tín hiệu đầu vào mức cao, R2 ban đầu bị bỏ qua dịng tụ bù khơng nạp Dịng cực B ban đầu Khi tụ điện nạp, dòng cực B giảm xuống đạt giá trị cuối Thời gian nạp mong muốn tụ điện xác định nhờ điện dung Thời gian nạp/xả thơng thường vào khoảng đến lần số thời gian Tín hiệu vào dạng âm muốn khóa BJT, tụ nạp cung cấp dòng âm tăng đột biến để rút lượng từ cực B khỏi BJT Hình 10-7b cho thấy dạng sóng cực Ví dụ 10.2 10 Mạch lái BJT Hãy thiết kế mạch lái với cấu trúc hình 10-7a với dịng đỉnh 1A mở giữ ổn định dòng 0.2A trạng thái thông Điện áp v i dạng xung 0-15V với thời gian xung 50% tần số chuyển mạch 100kHz Giả sử vbe = 0.9V transistor thông Giải Giá trị R1 xác định từ dịng nạp đỉnh ban đầu u cầu Tính tốn theo biểu thức 10-1 ta có Dịng điện cực B trạng thái ổn định xác định điện trở R Từ biểu thức 10-2a ta có Giá trị tụ điện C xác định từ số thời gian yêu cầu Với thời gian xung 50% tần số 100kHz transistor thông khoảng thời gian us Nếu chọn số thời gian 1/5 giá trị từ biểu thức 10-3 có Ví dụ 10.3 Dùng PSpice mô mạch lái BJT Sử dụng PSpice để mơ mạch hình 10-8a với V s = 80 V, tải 10  trở, tính tốn giá trị phần tử lấy từ ví dụ 10-2: (a) với thành phần tụ điện bị bỏ qua (b) có sử dụng tụ điện Xác định cơng suất tiêu hao bóng bán dẫn cho trường hợp Sử dụng mơ hình 2p5686 PSpice từ ON Semiconductor Giải 26 độ dòng điện cao khu vực kết nối với cực cổng dòng điện chạy tồn mối nối Mạch hỗ trợ thyristor cho bóng bán dẫn, loại không phân cực thể hình 10-19 Điện cảm nối tiếp hạn chế tốc độ dòng điện di/dt, kết nối RC song song với thiết bị làm giới hạn tốc độ tăng áp dv/dt 27 10.8 Tản nhiệt xử lý nhiệt Nhiệt độ trạng thái ổn định Như thảo luận sách giáo khoa này, tổn hao dẫn chuyển mạch xảy thiết bị điện tử Những tổn hao thể lượng điện chuyển thành lượng nhiệt loại bỏ nhiệt điều cần thiết để giữ nhiệt độ bên thiết bị giá trị định mức lớn Nói chung, chênh lệch nhiệt độ hai điểm hàm công suất nhiệt nhiệt kháng Nhiệt kháng định nghĩa o R nhiệt kháng, C (cũng có đơn vị K/V số datasheet) o T1-T2 chênh lệch nhiệt độ, C P công suất nhiệt, W Một mạch điện analog hữu ích để tính tốn trạng thái nhiệt ổn định mà phù hợp, tương đương với biểu thức 10-16 sử dụng P làm nguồn dòng, R điện trở, chênh lệch điện áp chênh lệch nhiệt độ, minh họa hình 10-20 Nhiệt độ bên thiết bị chuyển mạch điện tử gọi nhiệt độ mối nối Mặc dù thiết bị MOSFET khơng có mối nối dẫn thuật ngữ sử dụng Trong thiết bị điện tử khơng có tản nhiệt, nhiệt độ mối nối xác định công suất nhiệt điện trở nhiệt mối nối với môi R trường xung quanh  ,JA Nhiệt độ môi trường xung quanh nhiệt độ khơng R khí tiếp xúc với tản nhiệt Các nhà sản xuất thường cung cấp giá trị  ,JA datasheet cho thiết bị Công suất tiêu tán cực đại MOSFET Một bảng liệu nhà sản xuất MOSFET liệt kê điện trở nhiệt mối nối với môi trường 62°C/ W Nhiệt độ mối nối tối đa liệt kê ở175 oC, người thiết kế mong muốn khơng vượt q 150 °C để tăng độ tin cậy Nếu nhiệt độ môi trường xung quanh 40oC, xác định công suất cực đại mà MOSFET hấp thụ 28 Giải Từ biểu thức 10-16, Trong nhiều trường hợp, công suất bị tiêu tán thiết bị làm nhiệt độ mối nối tăng cao, tản nhiệt yêu cầu Tản nhiệt làm giảm nhiệt độ mối nối cách giảm điện trở nhiệt từ mối nối đến môi trường Thiết bị thường gắn liền với tản nhiệt với hợp chất nhiệt để lấp đầy khoảng trống nhỏ bề mặt khơng hồn hảo tản nhiệt vỏ thiết bị Tản nhiệt có sẵn thị trường với tất kích cỡ, từ thiết bị nhỏ đến hình nhơm khối ép Tản nhiệt điển hình thể hình 10-21 Đối với thiết bị điện tử với tản nhiệt, công suất nhiệt chảy từ mối nối đến vỏ, từ vỏ đến tản nhiệt, sau từ tản nhiệt tỏa môi trường xung quanh R ,R R Các điện trở nhiệt tương ứng  , JC  ,CS  ,SA thể hình 10-22 Nhiệt độ tản nhiệt gần điểm lắp thiết bị điện tử Nhiệt độ vỏ thiết bị nhiệt độ mối nối Các bảng liệu nhà sản xuất bán dẫn liệt kê tiêu chuẩn điện trở mối nối thường liệt kê điện trở nhiệt vỏ-tản nhiệt với giả định bề mặt bôi trơn Điện trở tản nhiệt với môi trường xác định từ nhà sản xuất tản nhiệt 29 Ví dụ 10.6 Nhiệt độ mối nối có tản nhiệt Các thơng số kỹ thuật cho MOSFET Ví dụ 10-5 danh sách điện trở nhiệt từ mối nối đến vỏ 1,87 °C / W điện trở nhiệt từ vỏ đến tản nhiệt 0,50 °C / W (a) Nếu thiết bị gắn tản nhiệt có nhiệt trở 7.2 °C / W, xác định cơng suất tối đa hấp thụ mà không vượt nhiệt độ mối nối 150 °C nhiệt độ môi trường 40 °C (b) Xác định nhiệt độ mối nối công suất hấp thụ R 15 W (c) Xác định  ,SA tản nhiệt mà hạn chế nhiệt độ mối nối đến 150 °C cho 15 W hấp thụ Giải (a) Từ biểu thức 10-19 30 So sánh với kết từ ví dụ 10-5, bao gồm tản nhiệt giảm điện trở mối nối – môi trường từ 62 cịn 9.57 °C / W cơng suất tiêu tán cho phép thiết bị không vượt giới hạn nhiệt độ Nếu công suất tiêu tán MOSFET 1.77 W ví dụ 10-5, nhiệt độ mối nối với tản nhiệt so sánh với 150 khơng có tản nhiệt (b) Cũng từ biểu thức 10-19, nhiệt độ mối nối cho trương hợp công suất tiêu tán 15 W (c) Giải phương trình 10-19 cho tản nhiệt giới hanh nhiệt độ mối nối tới 150 °C Nhiệt độ biến đổi theo thời gian Nhiệt độ kết từ nguồn lượng nhiệt thay đổi theo thời gian phân tích sử dụng mạch tương đương hình 10-23a Các tụ điện đại diện cho lượng nhiệt lưu trữ, kết nhiệt độ bước theo thay đổi cơng suất nguồn, hình 10-23b c Mơ hình RC đại diện cho tồn thiết bị-vỏ-tản nhiệt với T 1, T2, T3, T4 tương ứng đại diện cho nhiệt độ mối nối, vỏ, tản nhiệt, mơi trường xung quanh Mơ hình đại diện cho thành phần mạch chia thành nhiều phần Ví dụ, đại diện cho trường hợp mối nối-vỏ thiết bị, chia thành ba phần 31 32 Z Trở kháng nhiệt tức thời từ mối nối đến vỏ  ,JC sử dụng để xác định thay đổi nhiệt độ mối nối thay đổi công suất tiêu tán tức thời bóng bán dẫn Các nhà sản xuất thường cung cấp thông tin trở kháng nhiệt tạm thời Z datasheet Hình 10-24 cho thấy biểu diễn đồ họa  ,JC mạch tương đương RC đại diện cho mối nối-vỏ MOSFET IRF4104 Trở kháng nhiệt tức thời biểu diễn nhờ Zth Trước tiên, xem xét gia tăng nhiệt độ mối nối xung công suất đơn kéo dài, biên độ Pdm khoảng thời gian t1, thể hình 10-24b Mơ hình nhiệt hình 10-23a tạo biến đổi nhiệt độ mối nối theo quy luật hàm mũ giống hình 10-23c Sự thay đổi nhiệt độ mối nối khoảng thời gian từ đến t1 xác định từ Z ,JC trở kháng nhiệt tức thời mối nối-vỏ bán dẫn Nhiệt độ mối nối cực đại TJ cộng với nhiệt độ vỏ Ví dụ 10.7 33 Trở kháng nhiệt tức thời Một xung cơng suất đơn có cơng suất 100 W với khoảng thời gian 100 us xuất MOSFET có đặc tính điện trở nhiệt tức thời hình 1024 Xác định thay đổi nhiệt độ cực đại mối nối Giải Đường cong phía thể trở kháng nhiệt cho trường hợp xung đơn Với thời Z gian 100us (0.0001s),  ,JC xấp xỉ 0.11 °C / W Sử dụng biểu thức 10-20 ta có gia tăng nhiệt độ là: Tiếp theo, xem xét dạng sóng xung thể hình 10-25a Nhiệt độ mối nối tăng lên có xung giảm xung Sau khoảng thời gian khởi động ban đầu, nhiệt độ mối nối đạt đến trạng thái cân bằng, lượng nhiệt hấp thụ khoảng thời gian phù hợp với lượng nhiệt chuyển môi trường Nhiệt độ mối nối cực đại T J, max tìm thấy cách sử dụng biểu thức Z 10-21  ,JC từ hình 10-24 Trục ngang t1, thời gian xung chu Z kỳ Giá trị  ,JC đọc từ đường cong tương ứng với hệ số điền xung t / t2 Nhiệt độ vỏ giả định khơng đổi xác định từ phương trình 10-18 sử dụng cơng suất trung bình P Nếu xung cơng suất tần số cao, chẳng hạn tần số chuyển mạch một mạch cơng suất điển hình, dao động dạng sóng nhiệt độ hình R 10-25b trở nên nhỏ, nhiệt độ phân tích cách sử dụng  ,JC biểu thức 10-19 với P cơng suất trung bình Ví dụ 10.8 Nhiệt độ mối nối cực đại với xung cơng suất có chu kỳ Cơng suất tiêu tán MOSFET xung có dạng sóng hình 10-25a với cơng suất Pdm = 100W, t1 = 200us, t2 = 2000us (a) Hãy xác định nhiệt độ cực đại mối nối vỏ, sử dụng trở kháng nhiệt tức thời từ hình 10-24 Giả sử nhiệt độ vỏ không đổi 80 °C (b) Điện trở nhiệt MOSFET 1.05 °C /W So sánh kết phần (a) với tính tốn dựa cơng suất trung bình R MOSFET  ,JC 34 Giải (a) Hệ số điền xung dạng sóng cơng suất Sử dụng đồ họa hình 10-24, trở kháng nhiệt tức thời xác định với t = 200us D = 0.1 xấp xỉ 0.3 °C/W Nhiệt độ cực đại mối nối vỏ xác định từ biểu thức 10-20 sau: Do nhiệt độ cực đại mối nối (b) Chỉ sử dụng cơng suất trung bình, chênh lệch nhiệt độ từ mối nối đến vỏ tính 10.5 °C Do đó, tính tốn nhiệt độ dựa cơng suất trung bình đánh giá sai chênh lệch nhiệt độ tối đa mối nối vỏ Lưu ý khoảng 2000 μs tương ứng với tần số 35 500 Hz Nếu tần số cao nhiều (ví dụ, 50 kHz), chênh lệch nhiệt độ dựa R  ,JC cơng suất trung bình đủ xác 10.9 Tóm tắt Tốc độ chuyển mạch bóng bán dẫn xác định khơng thiết bị mà mạch lái cực cổng cực Mạch theo dõi điện áp emitter kép cho MOSFET (hoặc IGBT) làm giảm đáng kể thời gian chuyển mạch cách tìm cácf tạo/rút dịng cực cổng u cầu để cung cấp loại bỏ nhanh chóng lượng lưu trữ MOSFET Một mạch lái cực bao gồm mạch chuyển dịng lớn cho bóng bán dẫn lưỡng cực làm giảm đáng kể thời gian chuyển mạch Các mạch Snubber làm giảm tổn hao công suất thiết bị trình chuyển mạch bảo vệ thiết bị khỏi stress chuyển mạch điện áp dòng điện cao Tổn hao chuyển mạch bán dẫn giảm nhờ mạch hỗ trợ, tổng tổn hao chuyển mạch giảm khơng có tổn hao công suất mạch hỗ trợ Mạch thu hồi lượng làm giảm tổn thất chuyển mạch cách loại bỏ cần thiết điện trở hỗ trợ Tản nhiệt làm giảm nhiệt độ bên thiết bị điện tử cách giảm tổng nhiệt trở mối nối môi trường xung quanh Tương tự, tản nhiệt cho phép thiết bị hấp thụ nhiều lượng mà không vượt nhiệt độ cực đại 36 cho phép 37 38 PHỤ LỤC Trong viết này, tập trung phân tích hai chế độ hoạt động transistor tương ứng với ứng dụng phổ biến transistor thực tế Đó là: Mạch đóng cắt (switching): transistor hoạt động chế độ bão hòa (saturated transistor circuit)  Mạch Khuếch đại (amplifier): transistor hoạt động chế độ khuếch đại (hay gọi vùng tuyến tính) Ngồi transistor cịn sử dụng mạch dao động  Một điểm mà cần lưu ý transistor thiết bị bán dẫn điều khiển dòng (dòng Ib)[1] khác với MOSFET IGBT mở áp Ý Chính    Chế độ khuếch đại Chế độ bão hịa Một số mạch ứng dụng chế độ đóng cắt 1.   Chế độ khuếch đại Là chế độ mà transistor hoạt động vùng tuyến tính Ic = β Ib Chế độ sử dụng mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ Một ví dụ sơ đồ mạch sau 39 Việc tính tốn điện trở R1,R2,Rc,Re1,Re2 tham khảo tài liệu [2] chương “Review of circuirt theory” 2.   Chế độ bão hòa Chúng ta xem xét mạch Như biết, chế độ khuếch đại dịng Ic = β.Ib Do Ib tăng Ic tăng Khi Ib tăng tới giá trị làm cho transistor dẫn bão hịa( Ic giữ khơng đổi dù ta có tiếp tục tăng Ib) Vậy để xác định thời điểm Ta có cơng thức Do ta thấy Ic tiến dần tới giá trị Vcc/ Rcthì transistor tiến dần tới trạng thái dẫn bão hịa Tình ngược trở lại ta xác định giá trị ngưỡng Ib transistor chuyển sang trạng thái dẫn bão hòa(on) 40 Khi Vin = transistor trạng thái khóa(off) Trong tốn thiết kế mạch ta có trước Vin, Vcc, Vout, dịng Ic u càu Ta tiến hành chọn transistor, tính tốn điện trở Rb, Rc transistor hoạt động chế độ bão hịa( hay cịn gọi chế độ đóng cắt, có trạng thái on off) Một số mạch ứng dụng chế độ đóng cắt ... dụng MOSFET kênh N có chuyển mạch mức cao Nguồn cung cấp MOSFET phía khơng kết nối với đất chuyển mạch phía chuyển đổi mạch tăng áp Chuyển mạch phía yêu cầu mạch lái MOSFET động với điểm đất Mạch. .. ước tính Kết dạng sóng chuyển mạch thể hình 10.3b Thời gian chuyển mạch khóa dẫn 0.4 0.2 us Công suất tiêu tán 7.8W Chú ý mạch lái loại loại bỏ lượng cực cửa nhanh mạch lái phần (a) Mạch lái. .. 10.2c sử dụng hai loại MOSFET kênh P N 3 Ví dụ 10-1 Minh họa ý nghĩa mạch điều khiển MOSFET tốc độ chuyển mạch tổn hao công suất Mô mạch lái MOSFET Một mơ hình PSpice cho MOSFETcơng suất-IRF150