1. Trang chủ
  2. » Cao đẳng - Đại học

đáp án đề thi lí thuyết tốt nghiệp khóa 3-điện tử công nghiệp-mã đề thi dtcn- lt (24)

4 269 2

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 4
Dung lượng 125 KB

Nội dung

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ĐÁP ÁN ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 ) NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐA ĐTCN –LT 24 Câu Nội dung Điểm I. Phần bắt buộc 1 Ta có bảng chân lý: Đầu vào Đầu ra x 0 x 1 x 2 x 3 B A 1 0 0 0 x 1 0 0 x x 1 0 x x x 1 0 0 0 1 1 0 1 1 + Theo bảng Karnaugh, nhận thấy biến x 0 trong bảng chân lý không ảnh hưởng đến kết quả nên ta chỉ vẽ bảng Karnaugh cho 3 biến x 1 , x 2 , x 3 . Bảng Karnaugh đối với hàm A, B như sau: A x 1 x 2 x 3 00 01 11 10 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 Suy ra, hàm số 321 . xxxA += B x 1 x 2 x 3 00 01 11 10 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 Suy ra, hàm số 32 xxB += Ta có mạch điện tương ứng thực hiện mã hoá 4 → 2 dùng mã hoá ưu tiên: 0,5 0,5 0,5 0,5 x 1 x 2 x 3 A B 2 • Biến tần dòng dùng Thyristor oSơ đồ nguyên lý Nguyên tắc hoạt động Cầu chỉnh lưu điểu khiển gồm 6 Thyristor T7-T12 cầu biến tần gồm 6 thyristor T1-T6. Mỗi Thyristor được nối tiếp qua một Diode và trong mỗi nửa cầu có 3 tụ điện. Cầu chỉnh lưu thông qua điện cảm ĐK san bằng cung cấp cho cầu biến tần dòng điện I d . Ở mọi thời điểm có hai Thyristor dẫn điện các Thyristor được điều khiển mở theo thứ tự 1,2, ,6,1, mỗi thyristor dẫn trong khoảng 120 0 . Dạng sóng dòng điện và điện áp ra trên một pha được trình bày như hình sau: 1 0,5 0,5 Ñ K Ñ T 1 T 3 T 5 T 4 T 6 T 2 T 7 T 9 T 1 1 T 1 0 T 1 2 T 8 V 1 ~ D 3 D 5 D 1 D 6D 4 Ñ K D 2 i G1 i G2 i G3 i G4 i G5 i G6 i G1 T 1 T 4 T/2 T t t i A I d -I d i B T 3 T 6 i C T 2 T 5 t 0 1 θ 2 θ 3 θ 4 θ 5 θ 6 θ t 3 2π 3 Trình bày tổ chức bộ nhớ của 128 byte RAM trong 89C51. Vùng RAM đa mục đích : Bytes RAM đa dụng từ 30H đến 7FH. Bất kỳ vị trí nào trong RAM đa dụng cũng có thể truy xuất dùng chế độ địa chỉ trực tiếp hoặc gián tiếp. Vùng RAM định địa chỉ bit: 8051 có chứa 210 vị trí bit có thể địa chỉ hoá trong đó 128 bit ở địa chỉ 20H đến 2FH còn lại nằm trong thanh ghi chức năng đặc biệt. Có 128 vị trí có thể địa chỉ hoá dùng chung từ byte có địa chỉ 20FH đến 2FH (8 bits x 16 bytes = 128 bits). Các địa chỉ được truy xuất khi là byte khi là bit tuỳ thuộc vào lệnh sử dụng. Các dãy thanh ghi: 32 vị trí thấp nhất của bộ nhớ nội chứa các dãy thanh ghi. Tập lệnh của 8051 cung cấp 8 thanh ghi, từ R0 đến R7. Trạng thái mặc định (sau khi hệ thống khởi động) các thanh ghi này ở địa chỉ 00H-07H. Bằng cách thay đổi các bit chọn dãy thanh ghi trong từ trạng thái chương trình ta sẽ thay đổi mức tích cực cho dãy thanh ghi. Viết chương trình xóa 20 ô nhớ liền kề trên RAM nội có địa chỉ bắt đầu là 30H. 0,5 0,5 0,5 0,5 1 MOV R0, #30H MOV R2, #20 LOOP: MOV @R0, #00 INC R0 DJNZ R2, LOOP Cộng ( I ) II. Phần tự chọn, do trường ra đề 3 Cộng ( II ) Tổng cộng ( I + II ) ………… ,Ngày……… tháng…………năm……. Duyệt Hội đồng thi tốt nghiệp Tiểu ban ra đề thi . phúc ĐÁP ÁN ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 ) NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐA ĐTCN LT 24 Câu. chọn, do trường ra đề 3 Cộng ( II ) Tổng cộng ( I + II ) ………… ,Ngày……… tháng…………năm……. Duyệt Hội đồng thi tốt nghiệp Tiểu ban ra đề thi

Ngày đăng: 17/03/2014, 21:38

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w