Bài giảng kỹ thuật điện tử chương 9 ĐHBK

KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 307 CHƯƠNG 09 TRANSISTOR– CÁCPHƯƠNG PHÁP PHÂNCỰC 9.1.TÔN ̉ G QUAN VỀ TRANSISTORS: 9.1.1.CẤU TRÚC CỦA TRANSISTORS: Lớp kim loại tiếp xúc Lớp Oxid BJT (Bipolar Junction Transistor) tạo nên từ ba lớp bán dẫn phân cách hai mối nối pn, xem hình H9.1 Ba vùng bán dẫn transistor gọi : vùng Phát (Emitter) ; Nền (Base) Thu (Collector) Các hình vẽ dùng biểu diễn cấu trúc vật lý loại transistor : pnp npn trình bày hình H9.2 HÌNH H 9.1 Mối nối Nền –Thu (Base –Collector Junction) Mối nối Nền –Phát (Base –Emitter Junction) Transistor npn Transistor pnp HÌNH H 9.2 Mối nối pn vùng vùng thu gọi mối nối nềnthu (Base–Collector Junction) Tương tự mối nối pn vùng vùng phát mối nối phát (Base – Emitter Junction) Các đầu linh kiện đặt vùng ký hiệu ký tự E (Phát) ; B (Nền) C( Thu) Vùng Nền chứa tạp chất mỏng so với vùng Phát có nhiều tạp chất vùng Thu có số lượng tạp chất trung bình Trong hình H9.3, trình bày ký hiệu cho loại transistor npn pnp 9.1.2.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTORS: Muốn transistor hoạt động khuếch đại, hai mối nối pn phải phân cực nguồn DC Trong chương dùng transistor npn khảo sát, nguyên lý hoạt động transistor pnp suy cách tương tự ngoại trừ qui luật điện tử lổ trống, cực tính nguồn áp phân cực hướng dịng qua linh kiện HÌNH H 9.3 Trong hình H9.4 trình bày phương pháp phân cực cho transistor npn pnp để linh kiện tác động khuếch đại (amplifier) Cần nhớ: Mối nối Nền – Phát phân cực thuận Mối nối Nền – Thu phân cực nghịch Để giải thích hoạt động transistor, cần khảo sát kiện xãy bên transistor npn Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 308 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG BC phân cực nghịch BC phân cực nghịch BE phân cực thuận BE phân cực thuận Transistor npn Transistor pnp Trong hình H9.4 trình bày mạch phân cực cho transistor npn pnp Mối nối BC phân cực nghịch mối nối BE phân cực thuận HÌNH H 9.4: Các mạch phân cực transistor Khi phân cực thuận mối nối pn Nền Phát , vùng nghèo mối nối thu hẹp Khi phân cực nghịch mối nối pn Nền Thu , vùng nghèo mối nối mở rộng, hình H9.5 Vì vùng Phát bán dẫn loại n có nồng độ tạp chất cao đẩy ạt điện tử tự (trong dảy dẫn) khuếch tán dễ dàng qua mối nối pn Nền Phát để vào lớp bán dẫn p vùng Thu Tại vùng điện tử trở thành hạt tải thiểu, tương tự trường diode phân cực thuận Vì vùng Nền hẹp bán dẫn cố nồng độ tạp chất thấp , số lượng lỗ trống vùng hữu hạn Như vậy, phần nhỏ điện tử sau qua mối nối Nền Phát tái hợp với số lổ trống hữu hạn cực Một số điện tử khơng tái hợp khỏi cực dòng điện tử hóa trị, hình thành dịng điện nhỏ cực Phần lớn điện tử từ cực phát vào vùng khơng thực q trình tái hợp khuếch tán vào vùng nghèo mối nối pn Nền Thu Ngay đến vùng điện tử kéo qua vùng mối nối phân cực nghịch tác động điện trường tạo lực hấp dẫn ion dương âm Thực thấy điện tử kéo sang vùng nghèo mối nối phân cực nghịch Nền Thu điện áp nguồn đặt cực thu Các điện tử ngang qua vùng Thu đến cực Thu cực dương nguồn áp cấp vào cực thu Điều hình thành dịng cực thu IC Dịng cực thu có giá trị lớn so với dòng qua cực IB Đây lý tạo độ lợi dịng điện (current gain) 9.1.3.CÁC THÀNH PHẦN DÒNG ĐIỆN QUA TRANSISTORS Transistor npn Transistor pnp HÌNH H 9.6: Thành phần dịng điện qua transistor Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 309 Trong hình H9.6 trình bày thành phần dòng điện hướng dòng qua transistor npn pnp Quan hệ thành phần dòng điện thỏa định luật Kirchhoff sau: IE IC IB (9.1) Nên nhớ giá trị dòng qua cực IB nhỏ so với dòng IC Các số dùng ký hiệu dòng điện ghi chữ in hoa để xác định thành phần dòng điện dòng chiều DC Vùng nghèo mối nối Nền Thu (B-C) Phân cực Nghịch mối nối Nền Thu Dòng điện tử cực Thu ( IC ) Dòng điện tử cực Nền ( IB ) Phân cực Thuận mối nối Nền Phát Vùng nghèo mối nối Nền Phát (B-E) Dòng điện tử cực Phát Dòng điện tử cực Nền ( IB ) IE IC IB Dòng điện tử cực Thu ( IC ) HÌNH H 9.5 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 310 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9.1.4.CÁC THÔNG SỐ VÀ ĐẶC TUYẾN CỦA TRANSISTORS: Khi transistor npn hay pnp kết nối với nguồn áp DC phân cực, gọi : VBB nguồn áp DC phân cực thuận mối nối phát VCC nguồn áp DC phân cực nghịch mối nối thu , xem hình H9.7 HÌNH H 9.7 9.1.4.1.HỆ SỐ DC VÀ HỆ SỐ Hệ số DC DC : gọi độ lợi dòng điện DC định nghĩa tỉ số dòng DC qua cực thu IC so với dòng DC qua cực IB Ta có: DC IC (9.2) IB cịn gọi hFE thơng số transistor mạch tương đương tính theo thơng số h thường áp dụng thiết kế mạch khuếch đại dùng transistor Giá trị hệ số DC hFE phạm vi từ 20 đến 200 hay lớn Hệ số DC Hệ số DC định nghĩa tỉ số dòng DC qua cực thu IC so với dịng DC qua cực phát IE Ta có: DC Hệ số Giá trị hệ số DC IC (9.3) IE sử dụng so với hệ số DC DC q trình tính tốn hay thiết kế phạm vi từ 0,95 đến 0,98 hay lớn 9.1.4.2.GIẢI TÍCH ÁP VÀ DỊNG TRONG MẠCH PHÂN CỰC TRANSISTOR: Trong mạch phân cực hình H9.8, gọi: VBE : điện áp DC cực cực phát VCE : điện áp DC cực thu cực phát VCB : điện áp DC cực thu cực nền.2 VBB áp phân cực thuận mối nối phát (BE) VCC áp phân cực ngược mối nối thu (BC) Khi HÌNH H 9.8 mối nối BE phân cực thuận, tương tự diode điện áp mối nối BE là: VBE 0,7 V Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 311 Mặc dù transistor thực sự, áp VBE cao đến mức 0,9 V phụ thuộc vào dòng điện, tài liệu dùng giá trị 0,7 V để đơn giản trình phân tích vấn đề Áp dụng định luật Kirchhoff cho mắt lưới phía cực nền, ta có quan hệ: VBB RB IB VBE (9.4) Suy ra: IB VBB RB VBE (9.5) Áp dụng định luật Kirchhoff cho mắt lưới phía cực thu, ta có quan hệ: VCC RC IC VCE VCC VCE (9.6) Suy ra: RC IC VCC RC I (9.7) DC B THÍ DỤ 9.1: Cho mạch phân cực transistor hình H9.9, biết transistor có hệ số DC 150 Xác định dòng điện: IB ; IC ; IE áp VCE VCB GIẢI: Áp dụng quan hệ (9.5), ta có: HÌNH H 9.9 IB VBB RB VBE V 0,7 V 10 k 0,43mA Áp dụng quan hệ (9.2) suy dòng qua cực thu là: IC I Áp dụng quan hệ (9.1) hay định luật Kirchhoff 1, ta có: IE Áp dụng quan hệ (9.7) để xác định áp VCE , ta có: VCE 10 Áp dụng định luật Kirchhoff2 ta có: VCB VCE DC B IC IB 150 0, 43 64,5 0,43 100 0,0645 VBE 3,55 64,5 mA 64,93 mA 3,55 V 0,7 2, 85 V 9.1.4.3.ĐẶC TUYẾN CỰC THU CỦA TRANSISTOR: Áp dụng mạch điện hình H9.10 để xác định đặc tuyến cực thu thực nghiệm Đặc tuyến cực thu transistor đồ thị mô tả quan hệ áp VCE theo dịng IC , chọn dịng IB làm thơng số Đặc tuyến cực thu transistor trình bày hình H9.11 HÌNH H 9.10 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 312 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG Vùng ngưng dẫn Vùng bảo hòa Vùng hoạt động Vùng BREAK DOWN b Quan hệ dòng IC theo áp VCE thay đổi giá trị dòng IB IB1 < IB2 < IB2 < a Quan hệ dịng IC theo áp VCE mơt giá trị dịng IB HÌNH H 9.11: Đặc tuyến cực thu transistor Giả sử áp VBB chỉnh để tạo giá trị IB áp VCC V Tại điều kiện mối nối BE BC phân cực thuận áp VBE 0,7 V áp VCE V Khi mối nối BE BC phân cực thuận, transistor hoạt động vùng bảo hòa Khi tăng áp VCC , áp VCE tăng dần dịng IC tăng; q trình xác định đoạn đặc tuyến AB hình H9.11a IC tăng VCC tăng VCE trì giá trị nhỏ 0,7 V tùy thuộc vào phân cực thuận mối nối thu Một cách lý tưởng, VCE vượt cao giá trị 0,7 V, mối nối BC bắt đầu phân cực nghịch transistor bắt đầu vào vùng hoạt động hay vùng tuyến tính Khi mối nối BC phân cực nghịch dòng IC ngừng tăng trì giá trị khơng đổi tương ứng với giá trị dòng IB áp VCE tiếp tục gia tăng Thực dịng IC có gia tăng giá trị VCE gia tăng độ rộng vùng nghèo mối nối thu Hệ số lổ trống thực trình tái hợp vùng làm hệ số DC giảm thấp giá trị Quá trình trình bày đoạn BC đặc tuyến cực thu Phần đặc tuyến trình bày quan hệ IC I DC B Khi VCE tăng đến mức đủ lớn, mối nối BC phân cực nghịch đạt đến trạng thái phá phân cực nghịch dòng cực thu gia tăng nhanh Quá trình biểu diễn đoạn đặc tuyến phía phải điển C hình H9.11a Các transistor khơng tính tốn để hoạt động vùng phá phân cực nghịch mối nối thu Họ đặc tuyến cực thu đồ thị trình bày quan hệ dịng IC theo áp VCE thay đổi giá trị IB , hay chọn dòng IB làm thông số Họ đặc tuyến cực thu trình bày hình H9.11b Khi IB transistor hoạt động vùng ngưng dẫn (cut off) ta định giá trị nhỏ dịng IC Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 314 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG Vùng bảo hòa vùng ngưng dẫn đặc tuyến cực thu có quan hệ với đường tải điện DC Khi cấp nguồn cho transistor hoạt động theo mạch hình H9.10 hay H9.14; phương trình cân áp mắt lưới chức cực thu phát transistor viết theo quan hệ (9.6), ta có: VCE VCC RC IC Với giá trị VCC RC cho trước, ta xem áp VCE hàm theo biến số IC Đồ thị mô tả quan hệ VCE f IC có dạng đường thẳng đường tải DC Đường thẳng cắt trục hoành điểm có tọa độ HÌNH H 9.15: Đường tải DC tung điểm có tọa độ VCE ;IC VCC RC VCE VCC ; IC vùng ngưng dẫn Đường tải DC cịn cắt trục ; vị trí nằm sâu trung vùng bảo hịa, xem hình H9.15 Phạm vi lại đường tải DC vùng hoạt động tuyến tính transistor THÍ DỤ 9.3: Cho mạch transistor theo hình H9.16, giả sử áp bảo hịa VCE SAT 0,2 V ; xác định trạng thái hoạt động transistor GIẢI Đầu tiên xác định dòng qua cực transsitor theo điều kiện có mạch điện phân cực theo hình H9.16 HÌNH H 9.16 VBB IB RB VBE 3V 0,7V 10k 0,23 mA Giả sử transistor hoạt động vùng tuyến tính, ta có quan hệ sau: IC I DC B 50 0,23 mA 11,5 mA Muốn biết transistor có hoạt động vùng bảo hịa hay khơng ta cần xác định giá trị dịng IC lúc bảo hịa Ta có quan hệ sau: IC SAT VCC VCE SAT RC 10 V 0,2 V 1k 9,8 mA So sánh kết dòng IC vừa tìm với giá trị dịng IC SAT ta kết luận IC IC SAT nên transistor làm việc trạng thái bảo hòa Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 314 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG Vùng bảo hòa vùng ngưng dẫn đặc tuyến cực thu có quan hệ với đường tải điện DC Khi cấp nguồn cho transistor hoạt động theo mạch hình H9.10 hay H9.14; phương trình cân áp mắt lưới chức cực thu phát transistor viết theo quan hệ (9.6), ta có: VCE VCC RC IC Với giá trị VCC RC cho trước, ta xem áp VCE hàm theo biến số IC Đồ thị mô tả quan hệ VCE f IC có dạng đường thẳng đường tải DC Đường thẳng cắt trục hoành điểm có tọa độ HÌNH H 9.15: Đường tải DC tung điểm có tọa độ VCE ;IC VCC RC VCE VCC ; IC vùng ngưng dẫn Đường tải DC cịn cắt trục ; vị trí nằm sâu trung vùng bảo hịa, xem hình H9.15 Phạm vi lại đường tải DC vùng hoạt động tuyến tính transistor THÍ DỤ 9.3: Cho mạch transistor theo hình H9.16, giả sử áp bảo hịa VCE SAT 0,2 V ; xác định trạng thái hoạt động transistor GIẢI Đầu tiên xác định dòng qua cực transsitor theo điều kiện có mạch điện phân cực theo hình H9.16 HÌNH H 9.16 VBB IB RB VBE 3V 0,7V 10k 0,23 mA Giả sử transistor hoạt động vùng tuyến tính, ta có quan hệ sau: IC I DC B 50 0,23 mA 11,5 mA Muốn biết transistor có hoạt động vùng bảo hịa hay khơng ta cần xác định giá trị dịng IC lúc bảo hịa Ta có quan hệ sau: IC SAT VCC VCE SAT RC 10 V 0,2 V 1k 9,8 mA So sánh kết dòng IC vừa tìm với giá trị dịng IC SAT ta kết luận IC IC SAT nên transistor làm việc trạng thái bảo hòa Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 315 9.1.4.7.ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ LÊN HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI DỊNG HÌNH H 9.17: Ảnh hưởng cũa nhiệt độ lên hệ số khuếch đại DC Hệ số khuếch đại DC DC : DC hay hFE thôngsố quan trọng transistor, phân tích hay thiết kế ta cần khảo sát thơng số cách kỹ lưởng chi tiết Thực DC khơng hồn tồn số, giá trị thay đổi dòng IC nhiệt độ mơi trường thay đổi , xem hình H9.17 Khi trì nhiệt độ mối nối pn ổn định gia tăng dòng IC hệ số mức tối đa Khi trì giá trị IC khơng đổi thay đổi nhiệt độ, đổi: nhiệt độ tăng hệ số DC DC nữa, với giá trị dòng IC nhiệt độ định trước, hệ số DC DC tăng đến thay đổi trực tiếp nhiệt độ thay tăng ngược lại nhiệt độ giảm hệ số Trong tài liệu kỹ thuật thường cho giá trị DC DC giảm hay hFE giá trị dòng IC định trước Hơn thay đổi theo linh kiện linh kiện có mã số; kiện phụ thuộc vào phương thức sản xuất nhà sản xuất Hệ số DC xác định ứng với giá trị dịng IC thường giá trị cực tiểu DCmin giá trị cực đại giá trị mẫu DC đề cập đến tài liệu kỹ thuật 9.1.4.8.CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA TRANSISTOR: Transistor linh kiện điện tử khác có giới hạn phạm vi hoạt động Các giới hạn xác định theo thông số định mức qui định nhà sản xuất trình bày tài liệu kỹ thuật Theo tiêu chuẩn, giá trị tối đa cho phép thông số transistor bao gồm điện áp: VCB ; VCE ; VBE ; dịng IC cơng suất tiêu tán PD Trong đó: PD VCE IC (9.8) Tích số VCE IC khơng vượt q mức công suất tiêu tán cực đại cho phép PD max giá trị VCE IC đạt giá trị tối đa lúc Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 316 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG THÍ DỤ 9.4: Cho Transistor hình H9.18 có giá trị cực đại thông số sau: PD max 800 mW ; VCE max 15 V ; IC max 100 mA áp VCC Xác định giá trị tối đa cho phép nguồn điều chỉnh không vượt qua giới hạn cho phép Thông số vượt giá trị cho phép trước tiên GIẢI Dịng qua cực nền: HÌNH H 9.18 VBB IB RB VBE V 0,7 V 22k 0,195 mA Dòng qua cực thu: IC I DC B 100 0,195 19,5 mA Dịng IC có giá trị nhỏ dịng cực đại cho phép IC max 100 mA , giá trị không phụ thuộc vào áp VCC mà phụ thuộc vào dòng IB hệ số khuếch đại DC Điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC : VR RC IC C 1k 19,5 mA 19,5 V Áp dụng định luật Kirchhoff mắt lưới chứa cực thu phát, ta có: VCC VCE VR VCE Hay: C VCC VR C Khi VCE đạt giá trị tối đa cho phép, ta có quan hệ: VCC max VCE max VR 15 C 19,5 34,5 V Công suất tiêu tán transistor lúc đạt VCE max : PD VCE max IC 15 V 19,5 mA Giá trị PD tìm nhỏ giá trị PD max 292,5 mW 800 mW Tóm lại giá trị VCE max 15 V đạt giới hạn cho phép trước tiên thay đổi áp VCC không vượt giới hạn 34,5 V Tuy nhiên nên nhớ ngừng cấp dòng cực chuyển transistor sang trạng thái ngưng dẫn, áp VCE lúc đạt giá trị với áp VCC max 34,5 V 9.1.4.9.SỰ THAY ĐỔI CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI THEO NHIỆT ĐỘ: Tương tự linh kiện bán dẫn khác, giá trị công suất tiêu tán PD max thường cho điều kiện nhiệt độ 25oC Khi nhiệt độ làm việc môi trường tăng lên giá trị PD max cần hiệu chỉnh giảm thấp xuống Hệ số giảm cơng suất tiêu tán KPD có đơn vị tính theo mW o độ thay đổi công suất tiêu tán nhiệt độ thay đổi khoảng PD KPD T C , gọi PD T , ta có quan hệ sau: (9.9) Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 332 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG THÍ DỤ 9.12: Tính lại điểm làm việc mạchđiện transistor cho thí dụ 9.11 phương pháp áp dụng mạch Thévénin tương đương thay cho mạch phân cực dùng cầu phân áp GIẢI 5,6 k R2 VCC VTH Áp Thévénin tương đương: R1 R2 10 k 10 V 3,5897 5,6 k 3,59 V Điện trở Thévenin cực transistor: RTH R1.R2 R1 R2 10 k 5,6 k 10 k 5,6 k 3,5897 3,59 Dòng qua cực nền: IB VTH RTH VBE RE DC IC Dòng qua cực thu: 3,59 V 3,59 k I DC B Dòng qua cực phát: IE IC IB 0,7 V 100 0,048 mA 560 100 0,048 mA 4,8 mA 4,8 mA 4,848 mA 0,048 Áp cực thu cực transistor: VCE VCC RC IC RE IE 10 1k 4,8 mA 560 4,848mA 2,49 V So sánh kết tính tốn hai thí dụ 9.11 9.12 cho thấy: điểm làm việc có giá trị thơng số chênh lệch nhỏ chấp nhận Kết tính tốn hội tụ 9.4.2.4 KHẢO SÁT TÍNH ỔN ĐỊNH CỦA MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP : Từ phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin, dựa vào quan hệ (9.30) (9.31) ta có: RTH VTH DC VTH IE RTH DC RE VBE RE IE (9.34) quan hệ (9.34) viết lại sau: VBE Trong quan hệ (9.35) cho thấy dịng IE khơng phụ thuộc vào hệ số độ thay đổi, hệ số DC (9.33) RE DC VTH IE VBE RTH Khi ta có RE IE (9.35) DC Như nhiệt thay đổi theo nhiệt độ dịng IE khơng thay đổi Nếu IE IC dịng IB nhỏ; mạch phân cực có tính ổn định nhiệt điểm làm việc khơng phụ thc vào nhiệt độ Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 333 9.4.2.5 GIẢI TÍCH MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP CHO TRANSISTOR PNP : Như biết transistor pnp cần đảo ngược cực tính nguồn phân cực so với mạch phân cực transistor npn Yêu cầu thực với nguồn cung cấp vào cực thu trsnsistor âm so với điểm chung Gnd mạch, xem hình H9.47a; cấp đầu dương nguồn áp phân cực vào cực phát transistor pnp, xem hình H9.47b Thơng thường mạch phân cực cho transistor pnp vẽ lại theo hình H9.48 Phương pháp giải tích thực tương tự phương pháp thực cho transistor npn Tuy nhiên cần ý: a./ Cực âm nguồn cung cấp V CC nối vào cực thu b./ Cực dương nguồn cung cấp V EE nối vào cực phát Transistor pnp dẫn mối nối phát (EB) phân cực thuận Nói khác điện cực phát E cao điện cực B; VE VB HÌNH H 9.47 Mối nối thu (BC) phân cực nghịch, điện cực B cao điện cực thu C; VB VC Để xác định điểm làm việc Q cho transistor pnp, xác định điện trở nhập cực phát nhìn từ ngồi vào hai cực phát Công thức áp dụng tương tự theo (9.20) RIN DC RE (9.36) Suy điện trở tương đương REB cực phát cực dùng cầu phân áp phân cực Điện trở tương tương điện trở R2 ghép song song với RIN Tương tự quan hệ (9.22) ta có: HÌNH H 9.48 REB R2 R2 DC (9.37) RE Áp cấp vào cực xác định theo quan hệ: VB R1.VEE R1 (9.38) REB Áp đặt vào cực phát xác định theo quan hệ: VE VB VEB VB 0,7V (9.39) Dòng qua cực phát xác định theo quan hệ sau: IE VEE RE VE (9.40) Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 334 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG Từ giá trị tìm cho dịng qua cực phát IE ta suy dòng qua cực thu theo quan hệ: DC IC DC IE (9.41) Cuối áp cực phát thu xác định theo quan hệ sau: VEC VE RC IC (9.42) Tương tự trường hợp transistor npn, với transistor pnp ngoại trừ phương pháp dùng tông trở nhập vừa trình bày ta áp dụng phương pháp dùng mạch tương đương Thévénin để xác định điểm phân cực THÍ DỤ 9.13: Áp dụng phương pháp giải tích dùng tổng trở nhập tương đương cực phát cực định điểm làm việc cho transistor pnp mạch phân cực dùng cầu phân áp hình H9.49 GIẢI Đầu tiên xác định điện trở nhập cực phát nền: RIN DC RE 150.1k 150 k Điện trở tương đương hai cực phát có thêm cầu phân áp: R2 REB 10 k R2 1 R DC E HÌNH H 9.49 10 k 150.1k 9,375 k Áp cấp vào cực nền: R1.VEE VB R1 22 k 10 V 22 k 9,375 k REB VE Áp đặt vào cực phát: VB VEB 7,0119 0,7 7V 7,7 V Dòng qua cực phát: VEE IE RE VE 10 V 7,7 V 1k 2,3mA Dòng qua cực thu: IC DC DC IE 150 150 2,3 2,284768 2,285 mA Áp cực phát thu transistor: VEC VE RC IC 7,7 V 2,2 k 2,285 mA Tóm lại điểm làm việc transistor pnp là: IC 2,673 V 2,29 mA ; VEC 2,67 V Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 335 THÍ DỤ 9.14: Tìm lại điểm làm việc transistor cho thí dụ 9.13, áp dụng phương pháp dùng mạch Thévénin thay tương đương cho cầu phân áp VEE VEE R2 IE RE VEB VB VEE VE VC R1 VE VB IB theo quan hệ sau: VTH VC IC RC Trong hình H9.50 trình bày phương pháp thay cầu phân áp dùng mạch tương đương Thévénin Điện áp Thévénin VTH xác định RE VEB VTH RTH GIẢI RC R1.VEE R1 R2 22 k 10 V 22 k 10 k 6,875 V Điện trở tương đương mạch Thévénin xác định theo quan hệ sau: RTH HÌNH H 9.50 R1.R R1 R2 22 k 10 k 22 k 10 k 6,875 k Áp dụng định luật Kirchhoff áp mắt lưới chứa cực phát, ta có: VEE VTH R TH.IB VEE VTH VEB VEB RB.IB Hay Suy ra: IE VEE RTH DC VTH VEB RE RTH DC 10 V IE RE IE 6,875 V 6,875 k 150 0,7 V 1k 2,425 V 1,04553 k 2,319 mA Dòng qua cực thu: IC DC DC IE 150 2,319 mA 150 2,304 2,3mA Điện áp cực phát thu xác định theo quan hệ sau: VCE VEE VCE 10 V RE IE RC IC Suy ra: 1k 2,319 mA 2,2 k Tóm lại điểm làm việc transistor pnp là: IC 2,304 mA 2, 3mA ; VEC 2,612 2,61V 2,61V So sánh kết tìm cho điểm làm việc transistor thí dụ 9.13 9.14 ta nhận thấy kết có sai lệch nhỏ, chấp nhận xem kết tính từ phương pháp hội tụ Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 336 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9.4.3.PHÂN CỰC CỰC NỀN (BASE BIAS): Phương pháp phân cực thường áp dụng mạch điều khiển (hay lái – driver) relay điện từ Mạch phân cực cực trình bày hình H9.51 Phương pháp phân cực transistor hoạt động vùng tuyến tính trình bày sau Áp dụng định lt Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu ta có quan hệ sau: VCC RB IB VBE (9.43) Dịng qua cực xác định theo quan hệ: HÌNH H 9.51 VCC IB RB VBE (9.44) Từ quan hệ (9.44) suy quan hệ dùng xác định dòng qua cực thu : IC VCC I DC B RB VBE (9.45) DC Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu phát ta có quan hệ sau: VCC RC IC VCE VCC VCE Hay: RC IC (9.46) Từ quan hệ (9.45) cho thấy dòng IC phụ thuộc vào hệ số khuếch đại nhiệt độ thay đổi, hệ số DC DC Do thay đổi làm dòng IC thay đổi tương ứng; điểm làm việc transistor thay đổi, mạch phân cực không ổn định nhiệt độ môi trường thay đổi Hơn với transistor có mã số phương thức sản xuất nhà chế tạo, hệ số transistor thay đổi phạm vi rộng làm ảnh hưởng đến mạch phân DC cực Trong trình sửa chửa, với mạch phân cực cực thay transistor bị hư hỏng, nên điều chỉnh lại điện trở cho phù hợp với giá trị DC transistor dùng thay THÍ DỤ 9.15: Xác định điểm làm việc transistor mạch phân cực theo hình H9.52 nhiệt độ thay đổi Biết nhiệt độ thay đổi, hệ số DC tăng từ 85 đến 100 áp VBE giảm từ 0,7 V đến 0,6 V GIẢI Xác định điểm làm việc lúc DC 85 VBE 0, V : Áp dụng quan hệ (9.45) (9.46) ta có: IC HÌNH H 9.52 VCC VCE VCC RB VBE RC IC DC 12V 12 V 0,7 V 85 100 k 560 9,605 mA 9,605 mA 6,62 V Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 337 Xác định điểm làm việc lúc IC VCC VCE RB VBE VCC 12V Phần trăm thay đổi giá trị IC IC IC % IC DC Phần trăm thay đổi giá trị VCE VCE VCE % VCE 560 VCE 11,4 mA 11,4 mA 5,62 V tăng VBE giảm nhiệt độ thay đổi: 11,4 9,605 100 9,605 100 IC 0,6 V : 12 V 0,6 V 100 100 k DC RC IC 100 VBE DC DC 18,69% tăng VBE giảm nhiệt độ thay đổi: 100 5,62 6,62 100 6,62 15,11% 9.4.4.PHÂN CỰC CỰC PHÁT ( EMITTER BIAS): Phương pháp phân cực cực phát dùng nguồn dương nguồn âm để phân cực Trong hình H9.53, nguồn áp VEE dùng phân cực thuận cho mối nối phát Trong hình H9.53a trình bày điện cực E,B,C transistor so với điểm Gnd mạch Trong hình H9.53b mạch điện vẽ lại chi tiết để dễ dàng phân tích xác định điểm làm việc cho transistor HÌNH H 9.53 Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực cực phát, ta có: VEE VBE RB.IB RE IE (9.47) Thay quan hệ dòng IB IE vào (9.47) ta có: VEE RB VBE DC RE IE Hay IE VEE RB DC VBE (9.48) RE Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 338 Dòng qua cực thu là: IC DC DC IE Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu phát ta có quan hệ sau: VCC VEE VCE RC.IC RE.IE (9.49) VCE VCC VEE RC IC RE IE (9.50) Suy ra: Trong quan hệ (9.48) dòng IE phụ thuộc hệ số RE RB DC DC áp VBE Khi chọn giá trị , quan hệ (9.48) viết lại sau: IE VEE RE VBE (9.51) Từ quan hệ (9.51) cho thấy dòng IE độc lập hệ số khuếch đại DC Hơn chọn giá trị VEE lớn so với VBE quan hệ (9.51) viết lại sau: IE VEE (9.52) RE Tóm lại thực điều kiện RE RB DC VEE VBE , dịng IE khơng phụ thuộc vào thay đổi nhiệt độ , suy điểm làm việc ổn định nhiệt độ thay đổi THÍ DỤ 9.16: Xác định điểm làm việc transistor mạch phân cực theo hình H9.54 nhiệt độ thay đổi Biết nhiệt độ thay đổi, hệ số DC tăng từ 85 đến 100 áp VBE giảm từ 0,7 V đến 0,6 V GIẢI Xác định điểm làm việc lúc DC 85 VBE 0, V : Áp dụng quan hệ (9.48) xác định dòng IE : IE VEE RB RE DC HÌNH H 9.54 20 V VBE 0,7 V 100 k 85 1,7289 1,73mA 10 k Dòng qua cực thu là: IC DC DC IE 85 1,7289 85 1,70885 1,71mA Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 339 Áp VCE đặt ngang qua hai cực thu phát xác định theo quan hệ (9.50) VCE 20 V 20 V 4,7k Xác định điểm làm việc lúc IE VEE RB DC VCE DC 20 V 20 V IC % IC IC 4,7 k VCE DC VCE VCE 1,73mA 1,7652 14,663 V 1,765 mA 10 k 1,7477 10 k 1,748 mA 1,765mA 14,134 V tăng VBE giảm nhiệt độ thay đổi: 1,748 1,71 100 1,71 0,6 V 1,748 mA 100 Phần trăm thay đổi giá trị VCE VCE % 0,6 V : 100 1,7652 100 IE Phần trăm thay đổi giá trị IC IC 100 VBE 100 k 100 RE 10 k 20 V VBE DC IC DC 1,71mA DC 100 2,22% tăng VBE giảm nhiệt độ thay đổi: 14,134 14,663 100 14,663 3,61% 9.4.5.PHÂN CỰC HỒI TIẾP CỰC THU (COLLECTOR-FEEDBACK BIAS): Mạch phân cực hồi tiếp cực thu trình bày hình H9.55, điện trở cực nối đến cực thu thay nối nguồn áp VCC theo số mạch phâncực khác trình bày Phương pháp hồi tiếp tạo hiệu ứng “chỉnh cân bằng” (offsetting) để trì ổn định điềm làm việc Q Khi dòng IC gia tăng tạo điện áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC gia tăng tươg ứng; làm điện cực thu VC giảm thấp Khi điện VC giảm, dẫn đến dịng IB giảm kéo theo IC giảm Tóm lại dịng IC cân Quá trình lý luận ngươc lại tương tự dịng IC giảm Q trình giải tích mạch phân cực hồi tiếp cực thu thực HÌNH H 9.55 sau: Áp dụng định luật Kirchhoff áp ta có quan hệ: VCC RC IC IB RB.IB VBE (9.53) Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 342 BÀI TẬP CHƯƠNG BÀI TẬP 9.1 Trong hình H9.57, cho dịng điện IB 50 A áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC 5V Xác định hệ số hệ số DC ĐÁP SỐ: DC 100 ; DC DC 0,99 HÌNH H 9.57 BÀI TẬP 9.2 Cho mạch phân cực transistor hình H9.58 Xác định : a./ Các dịng điện IC ; IB IE b / Hệ số khuếch đại ĐÁP SỐ: a./ IC b./ 34,04 mA ; IB DC DC 702 A ; IE 34,74 mA HÌNH H 9.58 48, 49 BÀI TẬP 9.3 Cho mạch phân cực transistor hình H9.59 Xác định : a./ Các điện áp VCE ; VBE VCB b./ Transistor hoạt động vùng tuyến tính hay vùng bảo hòa ĐÁP SỐ: a./ IB 1,1mA ; IC 55,13 mA VCE 5,1V ; VCB 4,38 V HÌNH H 9.59 BÀI TẬP 9.4 Cho mạch phân cực transistor hình H9.60 Xác định : a./ Các điện áp VEC ; VEB VBC b./ Transistor hoạt động vùng tuyến tính hay vùng bảo hịa ĐÁP SỐ: a./ IB 85,19 A ; IC VEC 3,85 V ; VBC 10,65 mA 3,15 V HÌNH H 9.60 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 341 Áp VCE đặt ngang qua cực thu phát xác định theo quan hệ: VCE VCC RC DC Xác định điểm làm việc lúc IC VCC VCE 10 V RB 10 k RC DC IC IC Phần trăm thay đổi giá trị VCE VCE % VCE IC DC VCE VCE 1 10V 0,769 mA 100 2,233V 0,6 V : 0,864 mA 100 k 125 10 k 1 0,864 mA 125 1,29V tăng VBE giảm nhiệt độ thay đổi: 0,864 0,769 100 0,769 100 IC 0,6V 10 k DC VCC 10 k 125 VBE DC Phần trăm thay đổi giá trị IC IC % 10V VBE RC RC IC DC 100 12,35% tăng VBE giảm nhiệt độ thay đổi: 1,29 2,233 100 2,233 42,23% Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 342 BÀI TẬP CHƯƠNG BÀI TẬP 9.1 Trong hình H9.57, cho dịng điện IB 50 A áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC 5V Xác định hệ số hệ số DC ĐÁP SỐ: DC 100 ; DC DC 0,99 HÌNH H 9.57 BÀI TẬP 9.2 Cho mạch phân cực transistor hình H9.58 Xác định : a./ Các dòng điện IC ; IB IE b / Hệ số khuếch đại ĐÁP SỐ: a./ IC b./ 34,04 mA ; IB DC DC 702 A ; IE 34,74 mA HÌNH H 9.58 48, 49 BÀI TẬP 9.3 Cho mạch phân cực transistor hình H9.59 Xác định : a./ Các điện áp VCE ; VBE VCB b./ Transistor hoạt động vùng tuyến tính hay vùng bảo hòa ĐÁP SỐ: a./ IB 1,1mA ; IC 55,13 mA VCE 5,1V ; VCB 4,38 V HÌNH H 9.59 BÀI TẬP 9.4 Cho mạch phân cực transistor hình H9.60 Xác định : a./ Các điện áp VEC ; VEB VBC b./ Transistor hoạt động vùng tuyến tính hay vùng bảo hòa ĐÁP SỐ: a./ IB 85,19 A ; IC VEC 3,85 V ; VBC 10,65 mA 3,15 V HÌNH H 9.60 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 343 BÀI TẬP 9.5 Cho mạch phân cực transistor hình H9.61 Xác định dòng điện IC ; IB IE , biết 0,98 DC ĐÁP SỐ: IE 1,3 mA ; IC 1,274 mA ; IB 26 A HÌNH H 9.61 BÀI TẬP 9.6 H9.62, cho Cho mạch phân cực transistor hình 100 Xác định : DC a./ Các dịng điện IC ; IB IE b./ Các điện áp VCE ; VBE VCB c./ Khi nhiệt độ gia tăng, hệ số DC thay đổi từ 100 đến 150 VBE thay đổi từ 0,7V đến 0,6 V tìm ĐÁP SỐ: a./ IE 930 A ; IB b./ VCE 10,7 V ; VCB 9,21 A ; IC IC HÌNH H 9.62 921 A 10 V IC c./ IC 150 IC 100 13 A BÀI TẬP 9.7 H9.63, cho Cho mạch phân cực transistor hình 100 Xác định : DC a./ Các dòng điện IC ; IB IE b./ Các điện áp VEC ; VEB VBC c./ Nếu hệ số DC thay đổi từ 100 đến 150 nhiệt độ gia tăng, tìm thay đổi dịng IC ĐÁP SỐ: a./ IE b./ VEC 1,5 mA ; IB 8,7 V ; VBC 14,85 A ; IC 1, 485 mA 8V HÌNH H 9.63 BÀI TẬP 9.8 Cho mạch transistor hình H9.64 a./ Xác định giao điểm đường tải DC với hệ trục tọa độ đặc tuyến cực thu b./ Xác định điểm làm việc transistor, biết hệ số khuếch đại DC 50 c./ Nếu muốn phân cực lại transistor với dòng IB 20 A , ta cần chỉnh nguồn áp VBB có giá trị bao nhiêu? Tính lại điểm làm việc HÌNH H 9.64 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 344 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG BÀI TẬP 9.9 Cho mạch transistor hình H9.65, xác định: a./ Các giao điểm đường tải DC với hệ trục tọa độ đặc tuyến cực thu b./ Điểm làm việc transistor ĐÁP SỐ: a./ IC SAT b./ IC 20,5 mA ; VCE SAT mA ; VCE 8V 5,66 V BÀI TẬP 9.10 Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.66 HÌNH H 9.65 a./ Khi áp dụng phương pháp giải tích mạch dùng điện trở nhận tương đương cực cực phát, muốn RINbase 10.R2 hệ số khuếch đại DC transistor bao nhiêu? b./ Với mạch có hình H9.66, thay điện trở R2 biến trở VR2 15 k , xác định giá trị cực tiểu VR2 làm transistor bảo hòa c./ Theo điều kiện câu b, chỉnh biến trở VR2 có giá trị 2kΩ; HÌNH H 9.66 áp dụng phương pháp phân tích mạch dùng tổng trở nhập phương pháp thay tương đương Thévénin để định điểm làm việc transistor BÀI TẬP 9.11 Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.67, áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin để định điểm làm việc, xác định: a./ Áp VTH điện trở tương đương RTH b./ Điểm làm việc transistor ĐÁP SỐ: a./ VTH b./ IC 2,18 V ; RTH 11, 37 k 1,33 mA ; VCE 4,74 V BÀI TẬP 9.12 HÌNH H 9.67 Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.68, áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin để định điểm làm việc, xác định: a./ Áp VB điện áp cực xuống điểm Gnd chung mạch b./ Điểm làm việc transistor c./ Công suất tiêu tán transistor d./ Nếu tăng giá trị điện trở RE gấp lần giá trị có, định lại điểm làm việc transistor ĐÁP SỐ: a./ VB HÌNH H 9.68 c./ PD 10, 41V b./ IC 1,56 mA ; VEC 8,3 V 13 mW 841 A ; VEC 9,53 V d./ IC Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 345 BÀI TẬP 9.13 Cho mạch transistor phân cực cực theo hình H9.69, biết hệ số khuếch đại transistor DC 110 nhiệt độ 25oC a./ Tính dịng IB , IC áp VCE mơi trường nhiệt độ 25oC b./ Mạch transistor sử dụng mơi trường có nhiệt độ thay đổi từ 0oC đến 70oC Biết hệ số khuếch đại khuếch đại DC giảm 50% 0oC tăng lên 75% 70oC Giả sử áp VBE không thay đổi theo nhiệt độ , khảo sát thay đổi dòng IC áp VCE phạm vi nhiệt độ thay đổi từ 0oC đến 70oC ĐÁP SỐ: a./ IB HÌNH H 9.69 553,3 A ; IC 60,87 mA ; VCE 2,913 V b./ Tại 0oC : IC 30, 43 mA ; VCE 5,957 V Tại 70oC : IC 106,52 mA ; VCE 1,65 V BÀI TẬP 9.14 Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H9.70, biết hệ số khuếch đại transistor DC 100 a./ Tính điện cực transistor so với điểm Gnd mạch b./ Giả sử giá trị VBE 0,7 V cho đầu đề 25oC, nhiệt độ tăng lên 100oC giá trị VBE giảm theo hệ số : 2,5mV / o C Nếu hệ số DC xem không ảnh hưởng thay đổi nhiệt độ, xác định thay đổi dòng IE c./ Khi bỏ qua ảnh hưởng thay đổi DC theo nhiệt độ mạch phân cực cực phát HÌNH H 9.70 ĐÁP IE SỐ: IB a./ 17,6 A ; IC 1,761mA ; 1,779 mA ; VCE 4,327V ; HÌNH H 9.71 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 346 VB KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 0, 387 V ; VE 1,087 V ; VC 3,24 V BÀI TẬP 9.15 Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H9.71, biết hệ số khuếch đại transistor 100 DC a./ Tính điện cực transistor so với điểm Gnd mạch b./ Tính cơng suất tiêu tán transistor theo điều kiện câu a ĐÁP SỐ: a./ IB VCE b./ PD 149,6 A ; IC 6,766 V ; VB 16,455 mA ; IE 1,496 V ; VE 16,605 mA ; 2,196 V ; VC 4,57 V 111,33mW BÀI TẬP 9.16 Cho mạch transistor phân cực cực có hồi hình H9.72, xác định: a./ Điểm làm việc transistor b./ Điện cực transistor so với điểm Gnd mạch c./ Tìm giá trị RC để giảm dịng IC thấp xng 25% d./ Cơng suất tiêu tán transistor tính theo câu a c ĐÁP SỐ: a./ IB 11,7 A ; IC 1,052 mA ; VCE b./ VB 0,7 V ; VE V ; VC c./ RC 2521 d./ PD 1,14 mW ; PD 1,086 V ; 1,086 V 0,78 mW HÌNH H 9.72 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 2009 ... 1, 29 2,233 100 2,233 42,23% Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 20 09 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 342 BÀI TẬP CHƯƠNG BÀI TẬP 9. 1... HÌNH H 9. 64 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 20 09 344 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG BÀI TẬP 9. 9 Cho mạch transistor hình H9.65,... H 9. 60 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phịng Thí Nghiệm Máy Điện Thực Tập Điện- 20 09 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 343 BÀI TẬP 9. 5 Cho mạch phân cực transistor hình H9.61