Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 19 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
19
Dung lượng
1,03 MB
Nội dung
Trường Cao Đẳng Kỹ Thuật Lý Tự Trọng
BÀI 5: ĐÁP ỨNG TẦN SỐ
CỦA BJT VÀ FET
Lớp: 11CĐ-ĐT3.
Nhóm sinh viên thực hiện :
1. Trần Tấn Công
2. Trần Đình Khải
3. Đặng Thành hậu
4. Lê Thiện Quyền
5. Hoàng Minh Hòa
5.5.ÐÁP ỨNG TẦNSỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH
ÐẠI DÙNG FET
•
Việc phân tích một mạch khuếch đại dùng FET ở tầnsố thấp
cũng tương tự như
Mạch khuếch đại dùng BJT ở đoạn trước.
•
Ba tụ điện tạo ảnh hưởng đến độ lợi ở tầnsố thấp là CG , CC và
CS. Ta xem một mạch khuếch đại dùng FET như hình 5.17.
CG:DotụCG nốigiữanguồntínhiệuvàhệthốnglinhkiệnnênmạchtươngđươn
g
nhưhình5.18.TầnsốcắtthấpdoảnhhưởngcủaCGđượcxácđịnhbởi:
CC:TụliênlạcngõraCCđượcnốigiữalinhkiệnvàtảinênmạchtươngđươngngõ
ra nhưhình5.19. TầnsốthấpdoảnhhưởngcủaCCđượcxácđịnhbởi:
Trongđó:R0=RD
//rd.
CS: Tụ cực nguồn CS nhìn hệ thống như hình 5.20. Do đó tầnsố thấp do hiệu
ứng của CS được xác định bởi:
sau:
Ðể xác định Req, ta chú ý mạch tương đương ngõ ra của mạch dùng FET bên trên như
sau.
Tachúýlà:
vgs=vg-vS=viv0.
Tathaynguồndònggmvgs
bằngnguồnđiệnthếvà
đểtínhReqtachongõvào
bằng0 tứcvi=0.
Mạchvẽlạinhưhình5.12b
.
5.6HI U NGMILLER:Ệ Ứ
Ở vùng tầnsố cao, các điện dung lớn (tụ liên lạc, tụ phân dòng), được xem như nối tắt
và không ảnh hưởng đến các thông số của mạch. Ðiện dung ảnh hưởng quan trọng đến hoạt
động của mạch là các điện dung liên cực bên trong linh kiện và điện dung tạo bởi dây nối
bên ngoài linh kiện.
Xem một mạch khuếch đại đảo (dịch pha 1800 giữa ngõ vào và ngõ ra). Ðiện dung ở
ngõ vào và ngõ ra sẽ gia tăng bởi tác dụng của điện dung liên cực giữa ngõ ra và ngõ vào
của linh kiện và nó sẽ làm thay đổi độ khuếch đại của mạch. Trong mô hình 5.22, điện dung
“hồi tiếp” này được định nghĩa là Cf. Áp dụng định luật Kirchoff về dòng điện ta có:
21
iii
i
+=
Từphươngtrìnhnàytavẽlạimạchtươngđươngnhưhình5.23.Cáctụliêncựcở
ngõvàocủamạchđiệnđượcxemnhưmắcsongsongvớiCM.Tổngquát,điệndungngõvào
hiệuứngMillerđượcđịnhnghĩabởi:
CMi=(1-AV)Cf (5.23)
Nhưvậyởtầnsốcao,độlợiđiệnthếAVlàmộthàmsốtheoCMi.Vìđộlợiởtầnsố
giữalàcựcđạinêntacóthểdùngđộlợitốiđanàyđểxácđịnhCMitrongcôngthức(5.23).
HiệuứngMillercũnglàmgiatăngđiệndungởngõra,chúngphảiđượcđểýđếnkhi
xácđịnhtầnsốngắtcao.
[...]... người ta thường dùng mạch tương đương của BJT theo thông số hỗn tạp (lai π) ở tần số cao - Nếu sách tra cứu cho fá thì ta có thể suy ra f β từ công thức liên hệ: fβ = fα (1- α) - Tích số độ lợi-băng tần được định nghĩa cho BJT bởi điều kiện: fT ≈ h fe ( mid ) f β - Chú ý là fβ ≈ BW = băng tần; nên fT chính là tích độ lợi băng tần 5.8 ÐÁP ỨNGTẦNSỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG FET: - Việc phân tích một mạch khuếch đại dùng FET ở tần số cao cũng tương tự như ở... KHUẾCH ÐẠI DÙNG FET: - Việc phân tích một mạch khuếch đại dùng FET ở tần số cao cũng tương tự như ở BJT. Với FET cũng có các điện dung liên cực Cgs, Cds, Cgd và tụ ký sinh ngõ vào C wi, ngõ ra Cw0. Cgs và Cgd khoảng từ 1pF đến 10 pF trong lúc Cds nhỏ hơn nhiều (từ 0.1pF đến 1pF) - Ta xem mạch khuếch đại dùng FET như hình 5.32. Mạch tương đương xoay chiều như hình 5.33 Trong đó: Ci = CWi + CgS + CMi Với CMi = (1-AV)Cgd . MẠCH KHUẾCH ÐẠI
DÙNG FET:
-Việcphântíchmộtmạchkhuếchđạidùng FET ởtầnsốcaocũngtươngtựnhưở
BJT. Với FET cũngcócácđiệndungliêncựcCgs,Cds,CgdvàtụkýsinhngõvàoCwi,
ngõra
Cw0.CgsvàCgdkhoảngtừ1pFđến10pFtronglúcCdsnhỏhơnnhiều(từ0.1pFđến
1pF).
-Taxemmạchkhuếchđạidùng FET nhưhình5.32.Mạchtươngđươngxoaychiều
nhưhình5.33.
Trongđó:Ci=CWi+CgS+CMiVớiCMi=(1-AV)Cgd
Ðể. CỦA MẠCH KHUẾCH
ÐẠI DÙNG FET
•
Việc phân tích một mạch khuếch đại dùng FET ở tần số thấp
cũng tương tự như
Mạch khuếch đại dùng BJT ở đoạn trước.
•
Ba