Luận văn tốt nghiệp thạc sĩ GVHD: PGS TS hoàng trang

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề	Thiết Kế Receiver 7.2 Gbps Trên Công Nghệ 18nm FinFET
Tác giả	Hà Nam Anh
Người hướng dẫn	PGS.TS Hoàng Trang
Trường học	Đại Học Bách Khoa
Chuyên ngành	Kỹ Thuật Điện Tử Viễn Thông
Thể loại	luận văn tốt nghiệp
Năm xuất bản	2022
Thành phố	Tp. HCM

Định dạng
Số trang	93
Dung lượng	2,99 MB

Cấu trúc

I. GI 閏 I THI 烏 U (18)
- 1.1 L 鵜 ch s 穎 phát tri 吋 n CMOS (18)
- 1.2 Nguyên lý ho 衣v"8瓜 ng e挨"d違 n c 栄 a MOSFET (0)
- 1.3 Quy trình s 違 n xu 医v"e挨"d違 n c 栄 a MOSFET (22)
- 2. T 瑛 EOQU"8院 n FinFET (25)
- 3. T 鰻 ng quan v 隠 PHY (26)
  - 3.1 U挨"n逢嬰 c v 隠 PHY (26)
  - 3.2 T 鰻 ng quan v 隠 Receiver (27)
  - 3.3 T 鰻 ng quan v 隠 ADC-based Receiver (28)
  - 3.4 Nguyên lý v 隠 Receiver (29)
  - 3.5 M 瓜 t s 嘘 thông s 嘘 khác c 栄 a Recceiver (30)
    3.5.1 Pseudorandom binary sequence (30)
    3.5.2 Các thông s 嘘 c 栄 a CTLE (30)
    3.5.3 Các thông s 嘘 EYE Diagram (31)
  - 3.6 T 鰻 ng quan v 隠 ADC (32)
    3.6.1 Gi 噂 i thi 羽 u v 隠 ADC (32)
    3.6.2 Phân lo 衣 i ADC (33)
    3.6.3 Các thông s 嘘 ADC (35)
II. NGUYÊN LÝ THI 蔭 T K 蔭 RECEIVER (40)
- 1. Input signal (41)
- 2. Termination block (HSRX_Term) (42)
- 3. Protect block (HSRX_diffbuff) (43)
- 4. Continuous time linear equalization block (HSRX_CTLE) (44)
- 5. Gain buffer block (HSRX_singbuff) (47)
- 6. Cross-coupled block (HSRX_crosscoupled) (48)
III. NGUYÊN LÝ THI 蔭 T K 蔭 ADC (49)
- 1. Nguyên t 逸 c ho 衣v"8瓜 ng (50)
- 2. Sample and hold (51)
- 3. Comparator (53)
- 4. SAR Logic (60)
- 5. Capacitive DAC (62)
- 6. Switch (69)
IV. THI 蔭 T K 蔭 VÀ MÔ PH 碓 NG RECEIVER (71)
- 1. K 鵜 ch b 違 n mô ph 臼 ng (71)
- 2. Input signal (71)
- 6. HSRX_Receiver (76)
- 7. So sánh k 院 t qu 違 v 噂 i MIPI spec (78)
V. THI 蔭 T K 蔭 VÀ MÔ PH 碓 NG SAR_ADC (80)
- 1. Comparator (80)
- 2. Output signal (81)
- 3. FFT plot of the output (84)
- 4. Signal to noise vs Signal to noise and distortion ratio (SNR vs SNDR) (84)
- 5. Spurious free dynamic range (SFDR) (84)
- 6. Effective number of bits (ENOB) (85)
- 7. Differential nonlinearity (DNL) (85)
- 8. Integral Nonlinearity (INL) (85)
- 9. Công su 医 t tiêu tán (86)
- 10. So sánh k 院 t qu 違 v 噂 i m 瓜 t s 嘘 bài báo khác (87)
VI. K 蔭 T LU 一 N XÉ"J姶閏 NG PHÁT TRI 韻 N (88)

Nội dung

GI 閏 I THI 烏 U

L 鵜 ch s 穎 phát tri 吋 n CMOS

OQUHGV"*Ogvcn"Qzkfg"Ugokeqpfwevqt"Hkgnf"Ghhgev"Vtcpukuvqt+"n "eƒe"8挨p"x鵜 m衣ch tích h嬰r"*KE+"8逢嬰c s穎 d映ng trong nhi隠u thi院t b鵜 v造挨pi"v詠 x "m "vjw壱t s嘘.

Transistor là linh kiện quan trọng trong các thiết bị điện tử hiện đại, giúp chuyển đổi và khuếch đại tín hiệu Chúng đóng vai trò then chốt trong việc phát triển công nghệ, từ máy tính đến điện thoại thông minh Sự cải tiến trong thiết kế và sản xuất transistor đã nâng cao hiệu suất và giảm kích thước của các thiết bị điện tử, mang lại nhiều tiện ích cho người dùng.

Xin lỗi, nhưng nội dung bạn cung cấp dường như không rõ ràng và có nhiều ký tự không hợp lệ Bạn có thể cung cấp một đoạn văn khác hoặc làm rõ nội dung cần viết lại không?

P0)

NMOS có ba ch院 8瓜 ho衣v" 8瓜ng: t逸t (cutoff), tuy院n tính (linear) và bão hòa (saturation)

Hình 1 5"A欝 th 鵜 th 吋 hi 羽 n các phân vùng ho 衣v"8瓜 ng c 栄 a NMOS [18]

A¤{" n " vt衣ng thái nMOS b鵜 t逸t, x違y ra khi V GS >V TH vàI D ?0A Trên th詠c t院 thì

I ” pj逢pi"I D ›0 nên còn g丑i là dòng rò

? -C V噂i C D và C Ox n " 8k羽n dung c栄a l噂p depletion và l噂p qzkfg"v逢挨pi"泳ng

Hình 1.4 Mô hình ho 衣v"8瓜 ng ch 院 8瓜 Cutoff c 栄 a NMOS [18]

‚ Ch院8瓜 Triode/linear

X違{"tc"mjk"8k隠u ki羽n V GS @V TH và0>V DS >V DS sat , ?V GS /V TH 0"N¿e"p {"8瓜 d磯n l噂n và t衣o nên m瓜t kênh d磯n v噂k"f”pi"8k羽nI D

Hình 1.5 Mô hình ho 衣v"8瓜 ng ch 院 8瓜 Triode/linear c 栄 a NMOS [18]

X違y ra khi V GS @V TH vàV DS V DS sat , ?V GS /V TH 0"A¤{"n "n¿e""ID b鵜 bão hòa dù e„"vV SG /V TH 0"Mjk"8„"v衣o nên kênh d磯n có dòng

X違y ra khi V SG @ V TH vàV SD @V SG /V TH 0"AÔ{"n "n¿e"ID b鵜dôq"j”c"f́"e„"v