TRANSISTOR_TRUONG

TRANSISTOR TRƯỜNG(FET) JFET-Transistor trường có mặt tiếp giáp JFET- gọi tắt FET chia làm loại là: JFET kênh N JFET kênh P    JFET kênh N: có kênh dẫn điện mơi trường bán dẫn loại N JFET kênh P: có kênh dẫn điện mơi trường bán dẫn loại P Creat by: Nguyễn Hữu Siêu – Nhiệt Lạnh – K55 1.Cấu tạo – ký hiệu Quanh thỏi bán dẫn hình trụ, người ta khuếch tán vòng xuyến bán dẫn khác loại tạo cực: cực nguồn S(source), cực máng D(drain) cực cổng G(gate) 1.Cấu tạo – ký hiệu 1.Cấu tạo – ký hiệu 1.Cấu tạo – ký hiệu 2 Nguyên lý hoạt động Nguyên lý hoạt động JFET kênh N kênh P giống chúng giống chiều nguồn điện cung cấp vào chân cực Để cho JFET làm việc chế độ khuếch đại phải cung cấp nguồn điện UGS có chiều cho hai tiếp xúc P-N phân cực ngược, cịn nguồn điện UDS có chiều cho hạt dẫn đa số chuyển động từ cực nguồn S, qua kênh, cực máng D để tạo nên dòng điện mạch cực máng ID Nguyên lý hoạt động Xét nguyên lý hoạt động JFET kênh N: Để cho hai tiếp xúc P-N phân cực ngược ta phải cung cấp nguồn VGG có cực dương vào chân cực nguồn S, cực âm vào chân cực cửa G hạt dẫn điện tử chuyển động từ cực nguồn cực máng nguồn điện VD có chiều dương vào cực máng chiều âm vào cực nguồn 2 Nguyên lý hoạt động Khi UDS>0 điện điểm dọc theo kênh tăng dần từ cực nguồn S đến cực máng D lớp tiếp xúc P-N bị phân cực ngược mạnh dần phía cực máng Bề dày lớp tiếp xúc tăng dần phía cực máng tiết diện kênh hẹp dần phía cực máng Phân cực JFET a Phân cực cố định: Nguồn điện VGG đặt vào cực cửa mạch gọi phân cực cố định UGS= -UGG có giá cố định Do muốn xác định điểm làm việc Q thích hợp ta phải dùng hai nguồn cung cấp Đây điểm bất lợi phương pháp phân cực Phân cực JFET b Phân cực phân áp Phương pháp hữu hiệu cho transitor lưỡng cực JFET khơng tiện lợi sử dụng Phân cực JFET c Phân áp tự cấp (tự phân áp) Đây cách phân cực không giống BJT cách phân cực hữu hiệu JFET, cách phân cực điện áp UGS = -IDRS Các cách mắc JFET sơ đồ mạch a sơ đồ cực nguồn chung Các cách mắc JFET sơ đồ mạch A, Sơ đồ cực nguồn chung Trong sơ đồ hinh (5-7) , nguông cung cấp chiều VDD, điện trở định thiên RG, tải RD Sơ đồ mắc cực nguồn chung giống sơ đồ mắc cực phát chung tránitor lưỡng cực, có điểm khác dịng vào IG thực tế kháng trở vào lớn Đặc điểm nguồn cực chung: -Tín hiệu vào ngược pha -Trở kháng vào lớn Zvào = RGS ~∞ -Trở kháng Zra = RD //rd Đối với tránitor JFET kênh N hệ số khuếch đại điện áp từ 150 lần đến 300 lần, tránitor JFET kênh P hệ số khuếch đại nửa khoảng từ 75 lần đến 150 lần Các cách mắc JFET sơ đồ mạch b sơ đồ mắc cực máng chung Các cách mắc JFET sơ đồ mạch b, Sơ đồ mắc cực máng chung: Sơ đồ mạch mơ tả hình (5-8) Sơ đồ mắc cực máng chung giống sơ đồ mắc cực góp chung transitor lưỡng cực Tải RS đấu mạch cực nguồn sơ đồ gọi mạch lặp cực nguồn Đặc điiẻm sơ đồ có: - Tín hiệu vào tín hiệu đồng pha - Trở kháng vào lớn : Zvào =RGD =∞ - Trở kháng nhỏ: Zra = RS// - Hệ số khuêhcs đại điện áp < Các cách mắc JFET sơ đồ mạch C.sơ đồ mắc cực cửa chung Sơ đồ theo ngun tắc khơng sử dụng có trở kháng vào nhỏ, trở kháng lớn Sơ đồ nguyên lý hình 5-9: Mạch vào Hình 5-9; Sơ đồ mắc cực chung JFET kênh N Nguyễn Hữu Siêu Kỹ Thuật Nhiệt Lạnh – K55 Kỹ thuật Nhiệt Lạnh – K55