1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

(LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm

72 3 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Nội dung

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGUYỄN MINH TUẤN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN CỦA TAPER LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO VÙNG 670nm LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ THÁI NGUYÊN – 2018 download by : skknchat@gmail.com ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC NGUYỄN MINH TUẤN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN CỦA TAPER LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO VÙNG 670nm Chuyên ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ Ngƣời hƣớng dẫn khoa học: TS Trần Quốc Tiến THÁI NGUYÊN - 2018 download by : skknchat@gmail.com Lời cam đoan Tôi xin cam đoan dƣới khóa luận tốt nghiệp riêng tơi, dƣới hƣớng dẫn TS Trần Quốc Tiến - Phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam Tất kết số liệu khóa luận trung thực có đƣợc từ nghiên cứu mà tơi thực q trình làm luận văn phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam Ngƣời làm luận văn Nguyễn Minh Tuấn download by : skknchat@gmail.com Lời cảm ơn Cuốn luận văn đƣợc hồn thành q trình tơi làm việc phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam Lời xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới TS.Trần Quốc Tiến, ngƣời hƣớng dẫn thực luận văn Trong suốt q trình thực luận văn, thầy ln hƣớng dẫn bảo tận tình, giúp tơi hồn thành luận văn cách tốt Tôi xin chân trọng cảm ơn anh chị phòng Laser bán dẫn - Viện Khoa học vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học công nghệ Việt Nam động viên, giúp đỡ tạo điều kiện thuận lợi cho thực luận văn Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới Ban Giám hiệu, thầy khoa Vật lí - Cơng nghệ, cán phòng Đào tạo trƣờng Đại học Khoa học Đại học Thái Nguyên, cho kiến thức, kinh nghiệm vô quý giá cững nhƣ giúp đỡ, tạo điều kiện thuận lợi cho q trình học tập nghiên cứu Tơi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới Ban Giám hiệu Trƣờng THPT Triệu Quang Phục, anh chị em đồng nghiệp nơi công tác, giúp đỡ, tạo điều kiện thuận lợi cho tơi q trình học tập nghiên cứu Cuối xin gửi lời cảm ơn đến gia đình, bạn bè, ngƣời ln bên tơi, động viên khích lệ tơi q trình thực đề tài nghiên cứu Thái Nguyên, ngày 12 tháng năm 2018 Nguyễn Minh Tuấn download by : skknchat@gmail.com MỤC LỤC DANH MỤC VIẾT TẮT i DANH MỤC HÌNH ii DANH MỤC BẢNG iii MỞ ĐẦU CHƢƠNG I TỔNG QUAN VỀ CÁC LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO PHÁT XẠ VÙNG SÁNG ĐỎ 1.1 Các vấn đề laser bán dẫn 1.1.1 Sự phát xạ hấp thụ bán dẫn 1.1.2 Cấu trúc dị thể thành phần laser bán dẫn 1.1.3 Khuếch đại quang ngƣỡng phát laser 1.1.4 Laser bán dẫn dị thể laser giếng lƣợng tử 11 1.2 Laser bán dẫn công suất cao 13 1.2.1 Laser bán dẫn buồng cộng hƣởng rộng (LOC) 13 1.2.2 Đặc điểm laser bán dẫn hoạt động chế độ công suất cao 13 1.3 Các đặc trƣng laser bán dẫn công suất cao 14 1.3.1 Đặc trƣng quang điện 14 14 1.3.2 Đặc trƣng phổ phát xạ 15 15 1.3.3 Đặc trƣng tính chất chùm tia 17 16 CHƢƠNG KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM 19 19 2.1 Laser bán dẫn taper công suất cao phát xạ vùng sóng 670 nm 19 19 2.1.1 Phƣơng pháp kỹ thuật chế tạo cấu trúc, hình dạng chip laser bán dẫn vùng 670nm 19 19 2.1.2 Phƣơng pháp kỹ thuật đóng gói, chế tạo mẫu laser công suất cao 670 nm 19 19 2.1.3 Các thông số kỹ thuật laser taper đƣợc nghiên cứu 21 21 2.2 Hệ ổn định điều khiển nhiệt độ làm việc cho laser bán dẫn công suất cao 22 2.2.1 Nguồn nuôi điều khiển pin Peltier 22 22 2.2.2 Hệ pin nhiệt điện đế tỏa nhiệt cho laser công suất cao 23 23 2.3 Phƣơng pháp đo đặc trƣng quang điện laser bán dẫn công suất cao 25 25 2.3.1 Đặc trƣng I-V 25 25 2.3.2 Đặc trƣng P-I 26 26 2.4 Kỹ thuật đo phổ phát xạ laser bán dẫn công suất cao 26 26 download by : skknchat@gmail.com 2.5 Phƣơng pháp khảo sát tính chất chùm tia laser taper 27 28 CHƢƠNG KẾT QUẢ KHẢO SÁT CÁC ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN VÀ THẢO LUẬN 30 3.1 Tính chất quang điện laser bán dẫn cơng suất cao taper phát vùng bƣớc sóng 670 nm 30 31 3.1.1 Đặc trƣng dòng (I-V) 30 30 3.1.2 Đặc trƣng công suất phát xạ phụ thuộc dòng bơm (P-I) 31 31 3.1.3 Hiệu suất độ dốc hiệu suất biến đổi điện quang 33 33 3.1.4 Khảo sát ảnh hƣởng nhiệt độ lên đặc trƣng quang điện 34 3.2 Tính chất phổ phát xạ laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng 670nm 36 36 3.2.1 Phổ phát xạ laser 36 36 3.2.2 Sự phụ thuộc vào dòng bơm phổ phát xạ 37 38 3.2.3 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ phổ phát xạ 38 39 3.3 Tính chất chùm tia laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng 670 nm 39 3.3.1 Phân bố trƣờng xa chùm tia 39 3.3.2 Độ rộng cổ chùm tính tốn số truyền M2 41 3.4 Phân tích kết khảo sát đặc trƣng laser bán dẫn công suất cao taper phát vùng 670 nm đánh giá khả ứng dụng làm nguồn bơm hệ laser rắn Cr3+ 43 KẾT LUẬN 46 TÀI LIỆU THAM KHẢO: 47 download by : skknchat@gmail.com i DANH MỤC VIẾT TẮT VIẾT TẮT BA TIẾNG ANH Broad-Area TIẾNG VIỆT Dải rộng Công suất cao CSC DFB Distributed FeedBack Phản xạ hồi tiếp MQW Multi Quantum Well Đa giếng lƣợng tử LOC Large Optical Cavity Buồng cộng hƣởng rộng LED Light Emitting Diode Ánh sáng phát từ diode Separate-Confinement Dị chuyển tiếp giam giữ Heterostructure tách biệt Thermoelectric Cooler Bộ làm lạnh nhiệt điện SCH TEC download by : skknchat@gmail.com ii DANH MỤC HÌNH Hình 1.1: Các q trình quang vật chất Hình 1.2: Chuyển tiếp cấu trúc dị thể kép phân cực thuận Hình 1.3: Sơ đồ cấu tạo(a), giản đồ lượng(b), phân bố chiết suất(c), ánh sáng(d) laser diode dị thể kép Hình 1.4: Sự giam giữ hạt tải điện (điện tử, lỗ trống) điện trường (photon) sử dụng cấu trúc dị thể kép theo trục thẳng đứng x laser bán dẫn phát cạnh Sơ đồ vùng lượng E(x) với vùng dẫn vùng hóa trị (trên), phân bố chiết suất n(x) dẫn sóng điện mơi (giữa), phân bố điện trường  (x ) mode quang chạy dọc theo hướng z Hình 1.5: Một sóng đứng có m = buồng cộng hưởng Fabry-Perot với chiều dài buồng cộng hưởng L Hình 1.6: Độ khuếch đại quang phụ thuộc vào lượng photon tính cho mật độ hạt tải khác tiêm vào lớp tích cực InGaAsP Hình 1.7: Đặc trưng I-V laser bán dẫn 15 Hình 1.8: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser bán dẫn công suất cao 15 Hình 2.1: Cấu trúc epitaxy chip laser bán dẫn 670 nm 19 19 Hình 2.2: Mơ hình chíp laser hàn đế đồng 20 20 Hình 2.3 : Cấu trúc Taper, với L1 độ dài phần tạo dao động, L2 chiều dải Taper, w1 độ rộng vùng tạo dao động .21 21 Hình 2.4 : Một số cấu hình đóng gói laser taper 21 Hình 2.5: Nguồn nuôi laser ITC4005 23 23 Hình 2.6: Pin nhiệt điện 23 Hình 2.7: Hệ thống làm lạnh thiết bị nhiệt điên Peltier 24 24 Hình 2.8: Sơ đồ phương pháp đo đặc trưng I-V Laser 26 26 Hình 2.9: Sơ đồ đo phổ laser 27 27 Hình 2.10: Máy phân tích phổ quang Advantest Q8384 OSA 27 Hình 2.11: Phương pháp đo độ rộng cổ chùm tia, sử dụng kỹ thuật quét khe hẹp 28 Hình 2.12: Dịch chuyển khe để đo phân bố mật độ công suất 28 Hình 2.13: Sơ đồ minh họa phương pháp đo phân bố trường xa 29 Hình 2.14: Minh họa thông số chùm tia 29 29 download by : skknchat@gmail.com Hình 3.1: Đặc trưng I-V laser taper φ = 30 30 30 Hình 3.2: Đặc trưng I-V laser taper φ = 40 .31 31 Hình 3.3: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper o 33 32 Hình 3.4: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper 40 34 33 Hình 3.5: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm nhiệt độ khác laser taper 3o 35 34 Hình 3.6: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dòng bơm nhiệt độ khác laser taper 4o 35 36 Hình 3.7:Phổ quang laser bán dẫn giá trị khác 36 36 Hình 3.8: Phổ quang laser taper 40 giá trị dòng hoạt động khác nhau, nhiệt độ hoạt động 25oC 37 Hình 3.9: Phổ quang laser taper 40 dịng hoạt động 600 mA với giá trị nhiệt độ hoạt động khác 38 Hình 3.10: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper 3o 39 Hình 3.11: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper 3o theo hướng song song với chuyển tiếp dòng bơm khác 40 Hình 3.12: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper 3o nhiệt độ khác 40 Hình 3.13: Phân bố trường xa laser cấu trúc taper 4o 41 Hình 3.14: Phân bố cường độ cơng suất theo vị trí cổ chùm 42 download by : skknchat@gmail.com iii DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1: Giá trị giới hạn laser taper 2121 Bảng 2.2: Thông số hoạt động tối ưu laser taper 2122 Bảng 2.3: thông số kỹ thuật laser teper 250C 2222 Bảng 3.1: Dòng ngưỡng phụ thuộc theo nhiệt độ LD taper 30 34 Bảng 3.2: Hiệu suất độ dốc phụ thuộc theo nhiệt độ LD taper 4o 3637 Bảng 3.3: Các giá trị đỉnh phổ theo dòng hoạt động laser taper 40 37 Bảng 3.4: Sự phụ thuộc đỉnh phổ theo nhiệt độ laser cấu trúc taper 4o 39 Bảng 3.5: Các thông số chùm laser taper cấu trúc 3o 4o 42 download by : skknchat@gmail.com (2003) [13] ISO 11146-1:2004 Lasers and laser-related equipment –Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 1: Stigmatic and simple astigmatic beams International Organization for Standardization, (2004) [14] ISO/FDIS 11146-2:2004 Lasers and laser-related equipment – Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 2:General astigmatic beams International Organization for Standardization, (2004) [15] ISO/TR 11146-3:2004 Lasers and laser-related equipment – Test methods for laser beam widths, divergence angles and beam propagation ratios – Part 3: Intrinsic and geometrical laser beam classification, propagation and details of test methods.International Organization for Standardization, (2004) [16] R Knappe, K J Boller, and R Wallenstein, Opt Lett 20, (1995), pp, (1988) [17] D Kopf, K J Weingarten, G Zhang, M Moser, M A Emanuel, R J Beach, J A Skidmore, and U Keller, “High-average-power diode-pumped femtosecond Cr:LiSAF lasers,” Appl Phys B 65(2), 235–243, (1997) [18] R L McCreery, in Raman Spectroscopy for Chemical Analysis, Chemical Analysis, Wiley, Vol 157, p 128, (2000) [19] G Nemes Intrinsic and geometrical beam classification, and the beam identification after measurement Proceedings of the SPIE 4932, 624, (2002) [20] A E Siegman New Developments in laser resonators Proceedings of the SPIE 1224, 2, (1990) [21] J.E ) Whiteaway, B Garrett, G H B Thompson, A J Collar, C J Armistead, and M J Fice, The static and dynamic characteristics of single and multiple phase-shifted DFB Laser Structures, IEEE Journ Quant.Electr 28 (5), pp 1277, (1992) 48 download by : skknchat@gmail.com BIÊN BẢN HỌP HỘI ĐỒNG ĐÁNH GIÁ LUẬN VĂN THẠC SĨ 49 download by : skknchat@gmail.com 50 download by : skknchat@gmail.com 51 download by : skknchat@gmail.com 52 download by : skknchat@gmail.com 53 download by : skknchat@gmail.com 54 download by : skknchat@gmail.com 55 download by : skknchat@gmail.com 56 download by : skknchat@gmail.com 57 download by : skknchat@gmail.com 58 download by : skknchat@gmail.com BÁO CÁO CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ 59 download by : skknchat@gmail.com 60 download by : skknchat@gmail.com 61 download by : skknchat@gmail.com 62 download by : skknchat@gmail.com ... HỌC KHOA HỌC NGUYỄN MINH TUẤN NGHIÊN CỨU MỘT SỐ ĐẶC TRƢNG CƠ BẢN CỦA TAPER LASER DIODE CÔNG SUẤT CAO VÙNG 670nm Chuyên ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ Ngƣời hƣớng dẫn... laser taper φ = 30 30 30 Hình 3.2: Đặc trưng I-V laser taper φ = 40 .31 31 Hình 3.3: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm laser taper o 33 32 Hình 3.4: Đặc trưng cơng suất phụ... bơm laser taper 40 34 33 Hình 3.5: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dòng bơm nhiệt độ khác laser taper 3o 35 34 Hình 3.6: Đặc trưng cơng suất phụ thuộc dịng bơm nhiệt độ khác laser taper

Ngày đăng: 07/04/2022, 12:33

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 3.1: Đặc trưng I-V của laser taper φ= 30 - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.1 Đặc trưng I-V của laser taper φ= 30 (Trang 9)
Hình 1.1 Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng trong vật liệu bán dẫn - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 1.1 Sự chuyển mức phát xạ vùng – vùng trong vật liệu bán dẫn (Trang 13)
Hình 1.2: Chuyển tiếp cấu trúc dị thể kép được phân cực thuận - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 1.2 Chuyển tiếp cấu trúc dị thể kép được phân cực thuận (Trang 15)
Hình 1.4: Sự giam giữ của các hạt tải điện (điện tử, lỗ trống) và điện trường (photon) sử dụng cấu trúc dị thể kép theo trục thẳng đứng x của laser bán dẫn phát  cạnh - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 1.4 Sự giam giữ của các hạt tải điện (điện tử, lỗ trống) và điện trường (photon) sử dụng cấu trúc dị thể kép theo trục thẳng đứng x của laser bán dẫn phát cạnh (Trang 17)
Hình 1.6: Độ khuếch đại quang phụ thuộc vào năng lượng photon được tính cho các mật độ hạt tải khác nhau tiêm vào lớp tích cực InGaAsP - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 1.6 Độ khuếch đại quang phụ thuộc vào năng lượng photon được tính cho các mật độ hạt tải khác nhau tiêm vào lớp tích cực InGaAsP (Trang 19)
2.1.1. Phương pháp và kỹ thuật chế tạo cấu trúc, hình dạng chip laser bán dẫn vùng 670nm  - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
2.1.1. Phương pháp và kỹ thuật chế tạo cấu trúc, hình dạng chip laser bán dẫn vùng 670nm (Trang 29)
Hình 2.2: Mô hình chíp laser được hàn trên đế đồng - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2.2 Mô hình chíp laser được hàn trên đế đồng (Trang 30)
Hình 2. 4: Một số cấu hình đóng gói laser taper - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2. 4: Một số cấu hình đóng gói laser taper (Trang 31)
Bảng 2.3: thông số kỹ thuật của laser Tepe rở 250C - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Bảng 2.3 thông số kỹ thuật của laser Tepe rở 250C (Trang 32)
Hình 2.6: Pin nhiệt điện Peltier - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2.6 Pin nhiệt điện Peltier (Trang 33)
Pin nhiệt điện (hình 2.6) đƣợc làm từ hai thành phần bán dẫn, cơ bản là Bismuth Telluride, đƣợc pha tạp mạnh để tạo ra hoặc là thừa điện tử (loại n) hoặc là  thiếu điện tử (loại p) - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
in nhiệt điện (hình 2.6) đƣợc làm từ hai thành phần bán dẫn, cơ bản là Bismuth Telluride, đƣợc pha tạp mạnh để tạo ra hoặc là thừa điện tử (loại n) hoặc là thiếu điện tử (loại p) (Trang 34)
Hình 2.8: Sơ đồ phương pháp đo đặc trưng I-V của Laser. - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2.8 Sơ đồ phương pháp đo đặc trưng I-V của Laser (Trang 36)
Hình 2.11: Phương pháp đo độ rộng cổ chùm tia, sử dụng kỹ thuật quét khe hẹp - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2.11 Phương pháp đo độ rộng cổ chùm tia, sử dụng kỹ thuật quét khe hẹp (Trang 38)
Hình 2.12: Dịch chuyển khe để đo phân bố mật độ công suất - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2.12 Dịch chuyển khe để đo phân bố mật độ công suất (Trang 38)
Hình 2.13: Sơ đồ minh họa phương pháp đo phân bố trường xa - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 2.13 Sơ đồ minh họa phương pháp đo phân bố trường xa (Trang 39)
Hình 3.1: Đặc trưng I-V của laser taper φ= 30 .  - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.1 Đặc trưng I-V của laser taper φ= 30 . (Trang 40)
Đồ thị hình 3.2 cũng cho phép ta xác định đƣợc điện trở nối tiếp của laser cấu trúc taper φ = 40, so với laser cấu trúc taper φ = 30 - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
th ị hình 3.2 cũng cho phép ta xác định đƣợc điện trở nối tiếp của laser cấu trúc taper φ = 40, so với laser cấu trúc taper φ = 30 (Trang 41)
Hình 3.3: Đặc trưng công suất phụ thuộc dòng bơm của laser taper 3o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.3 Đặc trưng công suất phụ thuộc dòng bơm của laser taper 3o (Trang 42)
Hình 3.4: Đặc trưng công suất phụ thuộc dòng bơm của laser taper 40 - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.4 Đặc trưng công suất phụ thuộc dòng bơm của laser taper 40 (Trang 43)
đƣợc đo bởi hệ đo mô tả tại sơ đồ hình 2.9 trong chƣơng trƣớc, phép đo thực hiện tại nhiệt độ phòng 20o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
c đo bởi hệ đo mô tả tại sơ đồ hình 2.9 trong chƣơng trƣớc, phép đo thực hiện tại nhiệt độ phòng 20o (Trang 44)
Hình 3.6: Đặc trưng công suất phụ thuộc dòng bơ mở các nhiệt độ khác nhau của laser taper 4o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.6 Đặc trưng công suất phụ thuộc dòng bơ mở các nhiệt độ khác nhau của laser taper 4o (Trang 45)
Bảng 3.2: Hiệu suất độ dốc phụ thuộc theo nhiệt độ của laser taper 4o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Bảng 3.2 Hiệu suất độ dốc phụ thuộc theo nhiệt độ của laser taper 4o (Trang 46)
Hình 3.8: Phổ quang của laser taper 40 tại các giá trị dòng hoạt động khác nhau, nhiệt độ hoạt động 25o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.8 Phổ quang của laser taper 40 tại các giá trị dòng hoạt động khác nhau, nhiệt độ hoạt động 25o (Trang 47)
Hình 3.9: Phổ quang của laser taper 40 - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.9 Phổ quang của laser taper 40 (Trang 48)
Bảng 3.4: Sự phụ thuộc đỉnh phổ theo nhiệt độ của laser cấu trúc taper 4o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Bảng 3.4 Sự phụ thuộc đỉnh phổ theo nhiệt độ của laser cấu trúc taper 4o (Trang 49)
Hình 3.12: Phân bố trường xa của laser cấu trúc taper 3o                                     tại các nhiệt độ khác nhau  - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.12 Phân bố trường xa của laser cấu trúc taper 3o tại các nhiệt độ khác nhau (Trang 50)
Hình 3.11: Phân bố trường xa của laser cấu trúc taper 3o theo hướng song song với chuyển tiếp ở các dòng bơm khác nhau - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.11 Phân bố trường xa của laser cấu trúc taper 3o theo hướng song song với chuyển tiếp ở các dòng bơm khác nhau (Trang 50)
Hình 3.12 là phân bố trƣờng xa của laser cấu trúc taper 30 ở các giá trị nhiệt độ 200 - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.12 là phân bố trƣờng xa của laser cấu trúc taper 30 ở các giá trị nhiệt độ 200 (Trang 51)
Bảng 3.5: Các thông số chùm của laser taper cấu trúc 3o và 4o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Bảng 3.5 Các thông số chùm của laser taper cấu trúc 3o và 4o (Trang 52)
Hình 3.14: Phân bố cường độ công suất theo vị trí cổ chùm a) laser cấu trúc taper 3o - (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu một số đặc trưng cơ bản của taper laser diode công suất cao vùng 670nm
Hình 3.14 Phân bố cường độ công suất theo vị trí cổ chùm a) laser cấu trúc taper 3o (Trang 52)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN