Thiết bị hỗ trợ ( MTD -memory technology devices )

... tiếp thiết bị truy cập vào các thiết bị MTD • NFTL (NAND Flash Dịch Layer) hỗ trợ • Hỗ trợ ghi cho NFTL (BETA) Bạn cần phải tạo mục thiết bị cho thiết bị char và người sử dụng mô-đun NFTL MTD ... hoạt tính năng hỗ trợ hạt nhân cho các tùy chọn sau đây để sử dụng thiết bị DOC của bạn: • Công nghệ bộ nhớ thiết bị (MTD) hỗ trợ • MTD phân vùng, hỗ...

Ngày tải lên: 26/10/2013, 03:20

... QUANG – Cấu tạo Sheath Jacket Core (glass) Jacket (plastic) Core Cladding Cladding (glass) (a) (b) – Đặc tính  Độ suy hao nhỏ. Dùng trong khoảng cách lớn. (a) (b)  Băng thông rất cao.  Chủ yếu ... Internet PSTN PSTN Internet A 1 1 SWITCH UTP Ca t 5e 62 5 / 125 ( indoor ) 62.5/125 (indoor) TT. LHD(C 1) TT. GIS(B 2) TT. EMMC(A 4) • Vùng địa chỉ IP: 172.28.0.0/16 A1_2_SWI...

Ngày tải lên: 18/04/2014, 07:29

... ượ ậ ệ ố ắT ng s m i hai (1 2) bunker than thô s đ c l p đ t, c hai (2 ) bunkerổ ố ườ ẽ ượ ắ ặ ứ cho m t (1 ) máy nghi n.ộ (1 1) H th ng d u đ t lòệ ố ầ ốD u n ng (FO) là nhiên li u ph dùng ... su t.ố ế ằ ộ ộ ề ỉ (1 9) Các thi t b chínhế ịCác s li u sau đây là cho m t (1 ) t máy.ố ệ ộ ổ(a) Lò h iơ- S l ngố ượ : M t (1 ) - Ki uể : K t c u treo, đ t th...

Ngày tải lên: 25/10/2012, 14:37

... nước sunfit magiê. Trong thiết bị hấp thụ xảy ra các phản ứng sau: MgO + SO 2 = MgSO 3 MgO + H 2 O = Mg(OH) 2 MgSO 3 + H 2 O + SO 2 = Mg(HSO 3 ) 2 Mg(OH) 2 + Mg( HSO 3 ) 2 = 2MgSO 3  + 2H ... kích thước: bề mặt riêng a (m2/m 3); thể tích tự do ε (m3/m 3); đường kính tương đương d (t ) = 4r(thủy lực) = 4.S/n = 4 ε/a; tiết diện tự do S (m 2 /m 3 ) .  Khi chọn đệm cần lư...

Ngày tải lên: 22/04/2013, 16:06

... trong thân thiết bị theo công thức (5 .11 sách Tính toán, thiết kế các chi tiết thiết bị hóa chất và dầu kh ) [ P ] = 2. [ σ ] .φ h .(S−C a ) D t +(S−C a ) = 2×140×0.95 (6 − 1) 700 +(6 − 1) =1.9 N /mm ... đáy nón theo công thức (6 -2 4) và (6 -2 5) 19 sách Tính toán, thiết kế các chi tiết thiết bị hóa chất và dầu kh ) [ P ] = 4. [ σ ] . φ...

Ngày tải lên: 15/06/2013, 13:15

... TRẠM ĐA XỬ LÝ ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ PHỤ TRỢ VÀ BÁO HIỆU SỐ 7 (SMA) 4. 1. VAI TRÒ VÀ VỊ TRÍ CỦA TRẠM SMA. Trạm đa xử lý điều khiển thiết bị phụ trợ và báo hiệu số 7 (SMA) thực hiện các chức năng ... hình 4. 1. TMN LR LR LR  CSNL CSED SMT (1 -1 6) X 2 SMA (2 -3 1) SMX (1 TO 8) X 2 SMC ( 2-14 ) STS 1 X 3 SMM 1 X 2 CSND Th«ng b¸o Trung kÕ MAL 1 MIS (1 -4)MAS H×nh...

Ngày tải lên: 06/10/2013, 21:20

... hình 4.1. TMN LR LR LR  CSNL CSED SMT (1 -1 6) X 2 SMA (2 -3 1) SMX (1 TO 8) X 2 SMC ( 2-14 ) STS 1 X 3 SMM 1 X 2 CSND Th«ng b¸o Trung kÕ MAL 1 MIS (1 -4)MAS H×nh 4.1: VÞ trÝ cña tr¹m SMA trong ... lý chính(PUP). - Một bộ nhớ phụ (PUS). -Một bộ nhớ chung (MC).  Có từ 1 tới 12 coupler thực hiện các chức năng như : - Xử lý tín hiệu tiếng (CSTV). - Xử lý báo hiệu đ...

Ngày tải lên: 06/10/2013, 21:26

... cấp ba cho các hộp gió (windbox) để phản ứng cháy xảy ra hoàn toàn  Loại bỏ các sản phẩm cháy khỏi lò, đẩy khí qua thiết bị truyền nhiệt và thiết bị khử lưu huỳnh (FGD)  Đôi khi quạt được dùng ... Hiếu  Vũ Tuấn Đạt  Nguyễn Ngọc Tình  Trần Hùng 1.4. NỒI HƠI VÀ CÁC THIẾT BỊ PHỤ TRỢ Tổng quát  Bao gồm các thiết bị cần thiết để lò hơi hoạt động:  Vòi đốt và bộ đánh lửa.  Các...

Ngày tải lên: 15/10/2013, 16:57

... Ápsuất (Pressure) L: Mức(Level) F: Lưulượng(Flow) T: Nhiệt độ (Temperature) W: Khối lượng(Weight) I: Hiểnthị (Indicator) C: Điềukhiển(Controller) R: Lưu trữ (Recorder) T: Chuyểnthôngtin (Transmitter) V: ... (Transmitter) V: Vanne Y: Bộ chuyển đổi(Converter) hoặc cácphéptínhtoán(Calculation operator) E: Phầntửđầutiên(Primary element) Q: Tíchphân(Integration) Tínhiệu Kýhiệu Điện Ápsuất Số 33...

Ngày tải lên: 29/10/2013, 18:15

... thu được: Hơi: Lỏng: Chọn được áp suất làm việc của tháp là: 12.5bar(ga). 2. Kiểm tra tính chất của nguyên liệu vào. Mô phỏng một bình flash như sau: S4: Là dòng ... nguyên liệu như đầu bài cho. Kết quả: Kết luận:  Bình flash làm việc ở chế độ adiabatic (duty = 0), kết quả thu dược MFL = 1 điều này có nghĩa là nguyên liệu 100% lỏng.  Áp suất của dò...

Ngày tải lên: 15/01/2014, 17:20