p n junction diode fabricated from zno nanorod grown by aqueous solution method
p n junction diode fabricated from zno nanorod grown by aqueous solution method
... n- ZnO /p- ZnO MBE n- ZnO /p- ZnO MOCVD p- ZnO/ MgZnO /ZnO/ MgZnO/nZnO PLD Structure n- MgZnO /p- MgZnO n- ZnO /p- ZnO p- ZnO /n- ZnO substrate n- ZnO /p- ZnO p- ZnO /n- ZnO/ Si n- ZnO /p- ZNO/ GaAs substrate p- ZnO /n- ZnO /n- SiC ... p- ZnO/ MgZnO /ZnO: Ga/MgZnO/nZnO n- ZnO /n- Be0.3Zn0.7O/BeZnO -ZnO MQW /p- Be0.3Zn0.7O /p- ZnO Growth method...
Ngày tải lên: 09/09/2015, 10:14
Báo cáo hóa học: " Improved characteristics of near-band-edge and deep-level emissions from ZnO nanorod arrays by atomic-layer-deposited Al2O3 and ZnO shell layers" potx
... optical characteristics of ZnO/ Al2O3 and ZnO/ ZnO core -shell NRAs The nearband-edge (NBE) emission was significantly enhanced, and the deep-level band was suppressed by the Al2O3 and ZnO shells ... article as: Sun et al.: Improved characteristics of near-band-edge and deep-level emissions from ZnO nanorod arrays by atomic-layerdeposited Al2O3...
Ngày tải lên: 20/06/2014, 22:20
ZnO nanostructures grown by low temperature method
... possible cause of low doping concentration is the low solubility of the dopant in ZnO 1.1.3 Synthesis methods for ZnO nanostructures ZnO nanostructures have been fabricated by various methods Vapor ... 172 Figure 7-14 PL spectra of (a) ZnO nanotube arrays grown by ALD, (b) nanorod arrays grown by ECD, and (c) nanotube arrays grown by ECD and etching .173 17 Figur...
Ngày tải lên: 14/09/2015, 08:50
Nối p n và diode (p n junction và diot)
... mối n i Ge ? = mối n i Si 7/32 N i P- N Diode (P- N junction Diot) N i P- N ph n cực nghịch: Khi n i P- N ph n cực nghịch, rào đi n tăng lượng V Lỗ trống đi n tử khuếch t n ngang qua mối n i Tuy nhi n, ... V0-V, n i P- N thăng Lỗ trống khuếch t n từ vùng P sang vùng N tạo dòng đi n Ip Đi n tử khuếch t n từ vùng N sang vùng P tạo dòng...
Ngày tải lên: 31/12/2015, 17:06
Tài liệu EMICONDUCTOR ( P N JUNCTION ) D IODES ppt
... D( t)=ID+i d( t) where id (t) = ID v (t) nVT d Note that the term ID/nVT has the dimensions of conductance, and hence I g d ≡ D = Small-Signal Conductance nVT and rd ≡ nVT = Small-Signal (or Incremental) ... Consider the following prototype circuit: + vd (t) i D (t) VD v D( t ) = VD + v d (t ) vD (t) - i D( t ) = IS ev D (t )/ nVT The expression for i D( t) can...
Ngày tải lên: 23/12/2013, 14:15
Báo cáo hóa học: " Visible emission from Ce-doped ZnO nanorods grown by hydrothermal method without post thermal annealing process" ppt
... Visible emission from Ce-doped ZnO nanorods grown by hydrothermal method without a post thermal annealing process Yong-Il Jung1,2, Bum-Young Noh1,2, ... light-emitting Ce-doped ZnO NRs by hydrothermal method without a post thermal annealing process Experimental details Growth of undoped and Ce-doped ZnO NRs on Si (100) substrate The Ce-doped...
Ngày tải lên: 20/06/2014, 23:20
Nitrogen doped ZnOfilm grown by the plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition pot
... ZnO film In this paper, a nondoped ZnO film and a nitrogen doped one are deposited by plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) We have investigated their structural and optical ... of group theory imply the better crystal quality of nitrogen doped ZnO film In the Raman spectrum of nitrogen doped ZnO film, other peaks at 274, 508, 641.9, and 857 c...
Ngày tải lên: 05/03/2014, 21:20
Báo cáo toán học: " Interface modification effect between p-type a-SiC:H and ZnO:Al in p-i-n amorphous silicon solar cells" potx
... characteristics of solar cells having (a) AZO /p-type a-SiC:H and AZO/ p+ a-SiC:H /p-type a-SiC:H front interface and (b) AZO/ptype a-SiC:H and AZO/nc-Si /p-type a-SiC:H front interface Figure Dependence ... obtained only by engineering the interface between the p-type a-SiC:H and AZO and shows that a large increase in the solar cell efficiency can be...
Ngày tải lên: 20/06/2014, 20:20
báo cáo hóa học:" Interface modification effect between p-type a-SiC:H and ZnO:Al in p-i-n amorphous silicon solar cells" pot
... characteristics of solar cells having (a) AZO /p-type a-SiC:H and AZO/ p+ a-SiC:H /p-type a-SiC:H front interface and (b) AZO/ptype a-SiC:H and AZO/nc-Si /p-type a-SiC:H front interface Figure Dependence ... Interface modification effect between p-type a-SiC:H and ZnO:Al in p-i-n amorphous silicon solar cells Seungsin Baek*1, Jeong Chul Lee2,...
Ngày tải lên: 21/06/2014, 17:20
Chế tạo và khảo sát tính chất của lớp chuyển tiếp p-n trên cơ sở màng mỏng ZnO và khả năng ứng dụng của chúng
... d6ng c6 hieu qua + Che tao cong cac loai bia ZnO va ZnO pha tap bang phuofng phap gom truy6n thong -h Tim dugc che cong nghe de che tao mang ZnO va mang ZnO pha tap In tren de p-Si va de thuy tinh ... thi ZnO 11 1.3.1 Cau true tinh the ZnO luc giac 11 1.3.2 cau true tinh thi ZnO don gian kidu NaCl 12 1.3.3 Cau true mang lap phuong gia kem (zine blend) 13 1.4 Cau tnic viing nang...
Ngày tải lên: 18/03/2015, 15:24
v p n to n KSTN 1999 2007
... = = an −1 = T ñó hi n nhi n an = Theo nguy n lý quy n p, to n ñư c ch ng minh V Hữu Ti p K52- ĐTVT -KSTN- ĐHBKHN Hà N i, tháng 8/2008 15 ð P N Kỳ thi ch n h K sư tài K sư ch t lư ng cao N m 2001 ... = V y nghi m c a h phương trình x = y = z = t = Bài 4: T : x1 + x2 + + xn = n xn ⇒ n xn + xn +1 = ( n + 1) xn +1 ⇒ n xn = n ( n + ) xn +1 ⇒ xn +1 = ⇒ ⇒ xn +1 = n...
Ngày tải lên: 25/11/2013, 22:46