Khe phĩng đ in (Spark Gap)

Một phần của tài liệu Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện và điện tử bên trong tòa nhà (Trang 36)

Khe phĩng đi n đ c cấu t o b i hai b n kim lo i c ng cố định một kho ng cách định tr c. Một đi n c c đ c nối v i m ng đi n, cịn đi n c c kia

đ c nối v i đất. Khơng khí gi a hai c c sẽ bị ion hĩa t i một đi n áp khe h gi a

hai đi n c c. Hi n t ng khơng khí bị ion hĩa t o ra một tr kháng thấp gi a hai b n c c.

Đi n áp đánh th ng ph thuộc vào độ ẩm c a khơng khí cho nên khe phĩng

đi n đ c sử d ng chính m ng cĩ đi n áp cao mà đĩ khơng địi hỏi độ chính

xác cao. Khe phĩng đi n cĩ vỏ bọc là th y tinh hoặc kim lo i.

B i vì khơng khí bị ion hĩa địi hỏi ph i cĩ th i gian, th c tế đi n áp phĩng

đi n c a khe h ph thuộc vào s biến thiên c a đi n áp. Chẳng h n một thiết bị đ c thiết kế v i cấp đi n áp là 120V thì cĩ thể ho t động đi n áp 2200V. Khe

phĩng đi n cĩ kh năng t n sét cao, đến hàng 100kA.

Khi cĩ xung sét ch y trên đ ng dây gây nên s chênh l ch đi n áp gi a hai

đi n c c đ l n làm cho khe h phĩng đi n ho t động và truyền d n năng l ng xuống đất.

Khe phĩng đi n cĩ u điểm v t trội về kh năng t n sét và giá thành. Tuy

nhiên, nh c điểm chính c a khe phĩng đi n là đi n áp ng ng, đi n áp d cao và

th i gian tác động ch m.

Để tăng c ng kh năng d p tắt hồ quang, tăng kh năng và tốc độ t hồi ph c, khe phĩng đi n c i tiến cĩ cấu t o hỗn h p gồm khe nối tiếp v i đi n tr phi tuyến và đ c đặt trong vỏ kín. Tuy nhiên, do kh năng chịu dịng c a đi n tr phi

tuyến là cĩ h n nên sẽ gi i h n kh năng t n dịng sét biên độ l n, vốn v n là u điểm c a khe phĩng đi n so v i các thiết bị chống sét lo i khác.

Cơng ngh ngày nay cho phép chế t o các khe phĩng đi n, đ t yêu cầu về năng l ng t n sét và đi n áp d thấp khi hồ quang đ c thành l p. Tuy nhiên,

chúng cũng cịn cĩ hai nh c điểm:

Đi n áp kích ho t cao và gi m khơng đáng kể khi thay đổi kho ng cách gi a các đi n c c. Giá trị đi n áp kích ho t c a khe phĩng đi n, vào kho ng 2500  3500V, sẽ gây ra các vấn đề cho các thiết bị b o v th cấp nằm phía t i. Thiết bị b o v th cấp th ng là lo i cĩ đi n áp kẹp thấp hơn đi n áp phĩng đi n c a khe và kh năng t n sét nhỏ. Điều này sẽ gi cho khe phĩng đi n khơng v n hành, thiết bị b o v th cấp nhanh chĩng bị phá h y và hầu hết năng l ng sét đi vào tồ nhà.

Khe phĩng đi n cĩ dịng t duy trì cao, mặc dù điều này đư đ c chú ý và từng b c c i thi n trong t ơng lai. Dịng t duy trì cao gây cho đi n c c mau h hỏng và làm gi m tuổi thọ c a khe h phĩng đi n. Trong thiết kế

các thơng số c a khe phĩng đi n đi n áp thấp, vấn đề tuổi thọ c a đi n c c đ c quan tâm đặc bi t. Khe phĩng đi n đ c thiết kếđể cĩ thể làm vi c từ10 đến 30 lần trong một năm.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện và điện tử bên trong tòa nhà (Trang 36)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(97 trang)