BÀI TẬP CHƯƠNG 9 BÀI TẬP 9

Một phần của tài liệu CHƯƠNG 09 TRANSITOR - CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC (Trang 36)

DC bằng ký hiệu vòng tròn có ghi cực tính nguồn áp phâncực  VC C.

BÀI TẬP CHƯƠNG 9 BÀI TẬP 9

BÀI TẬP 9.1

Trong hình H9.57, cho dòng điện IB50 A

và áp đặt ngang qua hai đầu điện trở RC5V . Xác định hệ số DC và hệ số DC.

ĐÁP SỐ: DC100 ; DC0,99

BÀI TẬP 9.2

Cho mạch phân cực transistor trong hình H9.58. Xác định :

a./ Các dòng điện IC; IBIE. b. / Hệ số khuếch đại DC

ĐÁP SỐ:

a./ IC34,04mA; IB702 A; IE34,74mA

b./ DC48,49

BÀI TẬP 9.3

Cho mạch phân cực transistor trong hình H9.59. Xác định :

a./ Các điện áp VCE; VBEVCB.

b./ Transistor hoạt động trong vùng tuyến tính hay trong vùng bảo hòa.

ĐÁP SỐ: a./ IB1,1mA; IC55,13mA. VCE5,1V; VCB4,38 V.

BÀI TẬP 9.4

Cho mạch phân cực transistor trong hình H9.60. Xác định :

a./ Các điện áp VEC; VEBVBC.

b./ Transistor hoạt động trong vùng tuyến tính hay trong vùng bảo hòa . ĐÁP SỐ: a./ IB85,19 A; IC10,65mA. VEC3,85 V; VBC3,15 V. HÌNH H 9.57 HÌNH H 9.58 HÌNH H 9.59 HÌNH H 9.60

BÀI TẬP 9.5

Cho mạch phân cực transistor trong hình

H9.61. Xác định các dòng điện IC; IBIE, biết

DC 0,98

  .

ĐÁP SỐ: IE1,3mA; IC1,274mA; IB26 A

BÀI TẬP 9.6

Cho mạch phân cực transistor trong hình

H9.62, cho DC100.Xác định : a./ Các dòng điện IC; IBIE. b./ Các điện áp VCE; VBEVCB.

c./ Khi nhiệt độ gia tăng, nếu hệ số DCthay đổi từ 100

đến 150VBE thay đổi từ 0,7Vđến 0,6 V tìm IC. ĐÁP SỐ: a./ IE930 A; IB9,21 A; IC921 Ab./ VCE10,7 V; VCB10 V c./ C C C 150 100 I I I 13 A        BÀI TẬP 9.7

Cho mạch phân cực transistor trong hình

H9.63, cho DC100. Xác định : a./ Các dòng điện IC; IBIE. b./ Các điện áp VEC; VEBVBC.

c./ Nếu hệ số DCthay đổi từ 100 đến 150 khi nhiệt độ gia tăng, tìm sự thay đổi của dòng IC.

ĐÁP SỐ: a./ IE1,5mA; IB14,85 A; IC1,485mA

b./ VEC8,7 V; VBC8 V

BÀI TẬP 9.8

Cho mạch transistor trong hình H9.64.

a./ Xác định các giao điểm của đường tải DC

với hệ trục tọa độ của đặc tuyến cực thu. b./ Xác định điểm làm việc của transistor, biết hệ số khuếch đại DC50. c./ Nếu muốn phân cực lại transistor với dòng B I20 A , ta cần chỉnh nguồn áp VBB có giá trị bao nhiêu? Tính lại điểm làm việc. HÌNH H 9.61 HÌNH H 9.62 HÌNH H 9.63 HÌNH H 9.64

BÀI TẬP 9.9

Cho mạch transistor trong hình H9.65, xác định:

a./ Các giao điểm của đường tải DC với hệ trục tọa độ của đặc tuyến cực thu.

b./ Điểm làm việc của transistor.

ĐÁP SỐ: a./ ICSAT20,5mA; VCE SAT8 V. b./ IC6mA; VCE5,66 V

BÀI TẬP 9.10

Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.66.

a./ Khi áp dụng phương pháp giải tích mạch dùng điện trở nhận tương đương giữa cực nền và cực phát, nếu muốn RINbase10.R2

thì hệ số khuếch đại DC của transistor là bao nhiêu?

b./ Với mạch hiện có trong hình H9.66, khi thay điện trở R2bằng biến trở VR215 k, xác định giá trị cực tiểu của VR2làm transistor bảo hòa.

c./ Theo điều kiện của câu b, khi chỉnh biến trở VR2có giá trị là 2kΩ;

áp dụng các phương pháp phân tích mạch dùng tổng trở nhập và phương pháp thay thế tương đương Thévénin đểđịnh điểm làm việc của transistor.

BÀI TẬP 9.11

Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình

H9.67, khi áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin đểđịnh điểm làm việc, xác định:

a./ Áp VTHvà điện trở tương đương RTH. b./ Điểm làm việc của transistor.

ĐÁP SỐ: a./ VTH2,18 V; RTH11,37 k. b./ IC1,33mA; VCE4,74 V

BÀI TẬP 9.12

Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.68, khi áp

dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin để định điểm làm việc, xác định:

a./ Áp VBđiện áp giữa cực nền xuống điểm Gnd chung của mạch. b./ Điểm làm việc của transistor.

c./ Công suất tiêu tán trên transistor.

d./ Nếu tăng giá trịđiện trở REgấp 2 lần giá trị hiện có, định lại điểm làm việc của transistor. ĐÁP SỐ: a./ VB10,41V b./ IC1,56mA; VEC8,3 V c./ PD13mW d./ IC841 A; VEC9,53 V HÌNH H 9.65 HÌNH H 9.66 HÌNH H 9.67 HÌNH H 9.68

BÀI TẬP 9.13

Cho mạch transistor phân cực cực nền theo hình H9.69, biết hệ số khuếch đại của transistor là DC110 tại nhiệt độ25oC.

a./ Tính dòng IB, IC và áp VCE tại môi trường nhiệt độ25oC.

b./ Mạch transistor trên được sử dụng trong môi trường có nhiệt độ thay đổi từ 0oC đến 70oC. Biết hệ số khuếch đại khuếch đại DC giảm

50% tại 0oC và tăng lên 75% tại 70oC. Giả sử áp VBE không thay đổi theo nhiệt độ , khảo sát sự thay đổi dòng IC và áp VCE trong phạm vi nhiệt độ thay đổi từ0oC đến 70oC. ĐÁP SỐ: a./ IB553,3 A ; IC60,87mA; VCE2,913 V b./ Tại 0oC : IC30,43mA; VCE5,957 V Tại 70o C : IC106,52mA; VCE  1,65 V BÀI TẬP 9.14

Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H9.70, biết hệ số khuếch đại của transistor là DC100 .

a./ Tính điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch. b./ Giả sử giá trị VBE0,7 V cho trong đầu đề ở tại 25oC, khi nhiệt độ tăng lên 100oC giá trị VBE giảm theo hệ số : 2,5mV / Co . Nếu hệ số DC xem như không ảnh hưởng bởi sự thay đổi của nhiệt độ, xác định sự thay đổi dòng IE.

c./ Khi nào có thể bỏ qua ảnh hưởng sự thay đổi DCtheo nhiệt độ trong mạch phân cực cực phát. B I17,6 A ; IC1,761mA; ĐÁP SỐ: a./ E I1,779mA; CE V4,327V; HÌNH H 9.69 HÌNH H 9.70 HÌNH H 9.71

B

V0,387 V;VE1,087 V;VC  3,24 V

BÀI TẬP 9.15

Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H9.71, biết hệ số khuếch đại của transistor là DC100 .

a./ Tính điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch. b./Tính công suất tiêu tán trên transistor theo điều kiện của câu a.

ĐÁP SỐ: a./ IB149,6 A ; IC16,455mA; IE16,605mA; VCE6,766 V; VB1,496 V;VE2,196 V;VC  4,57 V

b./ PD111,33mW

BÀI TẬP 9.16

Cho mạch transistor phân cực cực nền có hồi tiếp theo hình H9.72, xác định:

a./ Điểm làm việc của transistor.

b./ Điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch c./ Tìm giá trị RCđể giảm dòng ICthấp xuông 25%.

d./ Công suất tiêu tán trên transistor tính theo câu a và c.

ĐÁP SỐ: a./IB11,7 A ;IC1,052mA;VCE1,086 V; b./ VB0,7 V;VE0 V;VC1,086 V

c./ RC2521

d./ PD1,14mW ; PD0,78mW

Một phần của tài liệu CHƯƠNG 09 TRANSITOR - CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN CỰC (Trang 36)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(40 trang)