Hệ thống X quang trực tiếp (Direct Radiography).

Một phần của tài liệu Xquang xử lý kỹ thuật số 2 (Trang 51)

X quang từ tấm phosphor

Hệ thống X quang trực tiếp (Direct Radiography).

Radiography).

Định nghĩa: là hệ thống biến đổi trực tiếp hình tạo do tia X chiếu đến thành

Định nghĩa: là hệ thống biến đổi trực tiếp hình tạo do tia X chiếu đến thành

dạng điện tích để công cụ đọc điện tử có chất silicon vô định hình đọc ra

dạng điện tích để công cụ đọc điện tử có chất silicon vô định hình đọc ra

(Readout).

(Readout).

      

       Có 3 phương pháp để tạo ra Bảng Cảm ứng (Sensor Panel):Có 3 phương pháp để tạo ra Bảng Cảm ứng (Sensor Panel):

PP nội tại (Intrinsic method):PP nội tại (Intrinsic method): tự silicon vô định hình hấp thu tia X và tự silicon vô định hình hấp thu tia X và cho tín hiệu. Đắc tiền.

cho tín hiệu. Đắc tiền.

PP quang dẩn (Photoconductor method):PP quang dẩn (Photoconductor method): có collector plate gồm các có collector plate gồm các tụ điện lưu trữ điện tích. Chất quang dẩn Selenium cho ra photon ít, cần tia X

tụ điện lưu trữ điện tích. Chất quang dẩn Selenium cho ra photon ít, cần tia X

nhiều. Bất lợi.

nhiều. Bất lợi.

PP nhấp nháy (Scintillator method):PP nhấp nháy (Scintillator method):

phosphor hạt hay cesium iodide tinh thể, phát quang khi tia X chiếu vào, phosphor hạt hay cesium iodide tinh thể, phát quang khi tia X chiếu vào,

đầu dò (detector) cấu tạo do iode quang silicon vô định hình.đầu dò (detector) cấu tạo do iode quang silicon vô định hình.

Trong phương pháp này, tập hợp Cesium iodide và silicon vô định hình cho Trong phương pháp này, tập hợp Cesium iodide và silicon vô định hình cho

DQE

DQE

The combination of CsI and amorphous silicon has the highest DQE of all materials in production

today.

Một phần của tài liệu Xquang xử lý kỹ thuật số 2 (Trang 51)

Tải bản đầy đủ (PPT)

(63 trang)