Mạch tạo nguồn là mạch chỉnh lưu ba pha, sử dụng Diod. Sau đú ta sử dụng cỏc IC ổn ỏp đề lọc lấy điện ỏp một chiều bằng phẳng cho mạch điện.
1.Dũng điện hiệu dụng đi qua Diod là : IDhd= I2 0,64 0,453
Chọn hệ số dự trữ dũng cho điod là 1,5 ta cú diode phải chịu được dũng điện lớn nhất là :
IDiode =1,5.0,453 = 0,68 A
2.Điện ỏp ngược lớn nhất mà Diod phải chịu : Ungượcmax= 6 U2= 6 .12 = 29,4 V.
Chọn hệ số dự trữ điện ỏp là 2 lần vỡ điện ỏp nguồn cú thể tăng hay giảm theo lưới điện dẫn tới điện ỏp của cuộn thứ cấp U2 cũng cú thể thay đổi nờn ta cú :
UD= 29,4.2 = 58,8V
Căn cứ vàp điện ỏp và dũng điện mà Diod phải chịu ta chọn Diod 1N-5401 Với cỏc thụng số như sau :
=v v U 100 V = v I 3 A 3.Chọn cỏc tụ điện : + Cỏc tụ C1, C2, C3, C4 là cỏc tụ cú giỏ trị 470 àF Vậy ta tớnh song phần nguồn nuụi cho mạch điều khiển.
Khõu chống mất kớch từ
Do yờu cầu của đồ ỏn là khi mất điện phần kớch từ thỡ sẽ ngừng cung cấp điện cho phần ứng nờn ta sẽ sử dụng phần tử ghộp quang để cắt mạch phần ứng khi khụng cú dũng kớch từ Sơ đồ : Mạch chỉnh lưu Kớch từ Cắt Rơle Hoạt động : Phần tử ghộp quang gồm 2 mạch : Mạch phỏt sỏng thường dựng đốn LED
Mạch cảm quang thường là Photpho - Tranzitor
Khi cú dũng kớch từ đi qua làm cho điot quang phỏt sỏng => Tranzitor thụng mạch, nờn điện ỏp đi vào khõu so sỏnh là 5V.
Khi mất điện phần kớch từ => khụng cú dũng đi qua làm điot tắt. Tranzitor ngắt. Điện ỏp đem so sỏnh sẽ giảm từ 5V về 0V, => cú tớn hiệu ra khỏi cổng so sỏnh. Tớn hiệu này được khuyếch đại lờn nhờ tầng khuyếch đại darlington đi vào ngắt Rơle mạch lực và mạch điều khiển làm cắt điện phần ứng bảo vệ hệ thống.
Chương VI
KIỂM CHỨNG MẠCH THIẾT KẾ BẰNG CHƯƠNG TRèNH TINA CHƯƠNG TRèNH TINA
Lời kết
Qua việc thiết kế đồ ỏn đó giỳp em hiểu rừ hơn những gỡ mỡnh đó được học trong mụn Điện tử cụng suất. Hiểu được những ứng dụng thực tế của cỏc thiết bị cụng suất trong đời sống cũng như trong cụng nghiệp. Tuy nhiờn do nội dung mới mẻ tầm hiểu biết hạn chế, hơn nữa đõy là đồ ỏn đầu tiờn nờn khụng trỏnh khỏi sai sút. Em mong cỏc thầy cụ chỉ bảo thờm để hoàn thành tốt hơn nhiệm vụ.
Tài liệu tham khảo1. Nguy n Bớnhễ 1. Nguy n Bớnhễ i n t cụng su t: NXB Khoa H c K Thu t - H N i 1996 Đ ệ ử ấ ọ ỹ ậ à ộ 2. Cyril W.Lander i n t cụng su t & i u khi n ng c i n: Đ ệ ử ấ đ ề ể độ ơ đ ệ
NXB khoa h c v k thu t- H Nọi 1993ọ à ỹ ậ à
3. Phan T Thư ụ
Thi t k Mỏy bi n ỏp i n l cế ế ế đ ệ ự
4. CΠPABO H K Ц И ΠO ΠPO∃KTИЮ ∃ΛEKTPOΠP BO AИ Δ
5. D.A.T.A.DIGEST Power Semiconductors 1998 6. D.A.T.A.DIGEST Thyristors 1999 7. H.Schreiber K thu t i n t qua s ỹ ậ đ ệ ử ơ đồ - H N i 1998à ộ 8. Nguy n Minh Trớễ S ơ đồ chõn linh ki n bỏn d n - H N i 1998ệ ẫ à ộ 9. Ph m Qu c H i ạ ố ả Hướng d n thi t k m ch i n t cụng su tẫ ế ế ạ đ ệ ử ấ 10. Vừ Minh Chớnh - Ph m Qu c H i - Tr n Tr ng Minhạ ố ả ầ ọ i n t cụng su tĐ ệ ử ấ 11.Ph m V n Bỡnh - Lờ V n Doanhạ ă ă