Để nghiên cứu sự phụ thuộc của hiệu suất ghi vào khoảng cách từ nguồn tới đêtectơ, đỉnh 834,848 keV của 54Mn đƣợc chọn để nghiên cứu. Với khoảng cách từ nguồn tới đêtectơ thay đổi, thời gian ghi nhận phổ đƣợc thay đổi tƣơng ứng để sao cho diện tích đỉnh hấp thụ toàn phần đƣợc xác định với sai số nhỏ hơn 1%. Kết quả thực nghiệm đƣợc thể hiện trên đồ thị Hình 3.9. Trên Hình 3.9 trục tung là hiệu suất ghi, trục hoành là khoảng cách từ nguồn đến đêtectơ đơn vị là mm.
Bộ Môn Vật Lý Hạt Nhân 41 0 50 100 150 200 250 0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 H iÖ u s u Ê t g h i
Kho¶ng c¸ ch tõ nguån tí i ®Çu dß (mm)etectơ
Hình 3.9. Đồ thị mô tả sự phụ thuộc của hiệu suất ghi vào khoảng cách giữa nguồn và đetectơ của nguồn 54Mn được ghi nhận bằng hệ phổ kế gamma bán dẫn Canberra.
Chúng ta thấy rằng hiệu suất ghi phụ thuộc rất mạnh vào khoảng cách từ nguồn tới đêtectơ. Khi khoảng cách từ nguồn tới đêtectơ nhỏ, góc đặc mà nguồn nhìn đêtectơ càng lớn, số bức xạ gamma phát ra từ nguồn đi vào vùng nhạy của đêtectơ càng lớn, hay hiệu suất ghi tuyệt đối của nó càng lớn. Khi khoảng cách tăng, góc đặc mà nguồn nhìn đêtectơ giảm dần, số bức xạ gamma phát ra từ nguồn đi vào vùng nhạy của đêtectơ giảm dần, hiệu suất ghi tuyệt đối của đêtectơ giảm.Từ đồ thị nhận thấy rằng với khoảng cách d từ nguồn đến đêtectơ nhỏ hiệu suất ghi phụ thuộc mạnh vào d. Tính chất này cần chú ý đặc biệt khi tiến hành thực nghiệm. Trong khi xác định hoạt độ phóng xạ của các đồng vị trong mẫu cần phải đảm bảo hình học đo giữa mẫu chuẩn và mẫu phân tích là nhƣ nhau. Sự sai khác giữa hình học đo của mẫu phân tích so với mẫu chuẩn cũng sẽ dẫn tới sai số của kết quả phân tích.
Bộ Môn Vật Lý Hạt Nhân 42