lai dinh huynh quang rò nhàt là ò 376 nm \ à 474-584 nm, l u \ iihièm d i n h huynh quang

ròng ò vùng 474-584 nm bao góm 6 dinh nhò. Chùng tói cho ràng càc dinh này có lièn quan dén càc sai hóng nhu nùt khuyét o x y hay kèm dièn kc.

350 400 450- "500 550 600 650 I t i i r k Mine I n i n l I t i i r k Mine I n i n l

Minilọ Phó liuynh qiicuig a nhiét dò phóng cua màng ZnO: In

transparent conducting ZnO:Al films on polymer substrates by rf magnetron sputtering. Applied Surface Science 158

( 2 0 0 0 ) 4 3 - 4 8

[ 4 j B.D.Cullitỵ Elements of X-ray diffractions,

Ldition-Wesloy, Reading, M.Ạ 1978, 102. [5] K, Tominaga, N. Umezu, Ị M o r i , T, Ushiro,

T Moriga, and Ị Nakabayshi, J. Vac,

Properties ofZnO:In prepared by sputtering of facing ZnO:ln and Zn lafgels. Scị

Technol, A 16 (1998) 1213-1217

[6] B. Kothyarchuk, V. Savchuk, and M .

Oszwaldowski, Preparation of undoped and indium doped thin films by pulsed laser deposition method, Cryst. Rcs.Technol,, 40

(2005) 1118-1123

[71 J, F, Chang, M . H. Hon, The effect of deposition temperature on the properties of Al-doped zincọride thin films. T h i n Solid

Fiims 3 8 6 ( 2 0 0 1 ) 74-86.

K É T L U À N

Chùng lòi dà che Uio Ihành cóng màng dàn

ZiiO phu (iip In loai h trèn de Ihù)' l i n h có dp

lru)'èn qua caọ dò bàm d i n h tòt và dièn I r ò suàl tuong dòi thàp, Màng Z n O : I n có di^n Irò suàl thàp nhàt là 4,5x10"" H cm,, nòng do hat.tài !à 3,2x10^" cm:"^ và dò l i n h dgng Hall là 15-,13. cmVVs dugc che tao t ù bia có hàm l u p n g tap In là 2 % và nhiét d p d é ISÔC. '

Ó nhièl dò de cao, trèn 200 °C, su bóc bay

cùa In gay nèn su suy giàm cùa nòng dp hai tài irong màng Z n O : I n .

L ò i t à m o n .

Bài bào này d u g c lai t r g bòi E)è tài khoa hpc v à c ó n g nghC-QT-07-14 - Dai hpc Quòc già Ha N ò i . " • Tà

MI

n:

I,. l\)iUiiuilọ / \ . l ' i m e n l c l . A , (jogaivcs. Ạ

Marques, K, M a r l i n s . High mobility amorphous'nanocryslalline Indium zinc ij.\ide deposited at room le/nperalurẹ T h i n

Solid l-ilms 502 (2006). 140-109

J, I I . Park. J. M Shin, S. Y C h a . J, W Park,

S, Ỵ .leong and H, K, Pak, Deposition temperature effects on ZAZO Thin fdms temperature effects on ZAZO Thin fdms prepared by RF magnetron sputtering,

Journal o f the Korea Physical Society 49 ( 2 0 0 6 ) S 5 8 4 - S 5 8 8