DD D E C UC< UB< UE (+nguồn vào E) C E UE< UB< UC(+nguồn vào C)
Tran Tien Phuc DHNT 9 Vùng giữa AB (đặc tuyến nằm
ngang) gọi là vùng thắt hay vùng bão hoà. Do UDSđủ lớn nên ID phụ thuộc mạnh vào UGS(tiết diện kênh dẫn). Vùng bên phải điểm B gọi là
vùng đánh thủng. UDSlớn đã gây ion hoá thác lũ gần cực D làm mất t/c bán dẫn.
Nếu điểm làm việc đ-ợc chọn là giao giữa đ-ờng tải tĩnh và đặc tuyến lối ra thì thế phân cực UGS phải nhận giá trị âm (đây là điểm khác biệt cần l-u ý so với tranzito bipolar).
Chú ý: Các loại FET khác nhau có mạch phân cực
UDS V
10
UGS= -2V
mạnh JFET giống điện trở thuần
Đặc tuyến truyền đạt ID= f2(UGS)| UDS=CONST
• Khi sử dụng tranzito tr-ờng cần chú ý hai nhóm các tham số:
- Tham số giới hạn: IDmax; UGS max ; UGS0.
- Tham số làm việc: Điện trở tronghay điện trở vi phân đầu ra ri= UDS /IDkhi UGS=const. ri thể hiện độ dốc đặc tuyến trong vùng bão hoà. Độ hỗ dẫncủa đặc tuyến truyền đạt. Điện trở vi phân đầu vào. Khả năng làm việc ở tần sốcao nhất.
ID mA -2 -4 4 8 UGS V UDS = 10V UGS0 Nếu tăng UDS • Đặc tuyến truyền đạt của JFET
có UGS nhận giá trị âm.
• Khi UGS tăng thì ID cũng tăng gần nh- tỉ lệ với độ dẫn điện của kênh
• Nếu tăng UDS sang giá trị lớn hơn thì đ-ờng đặc tuyến dịch trái, UGS0có giá trị âm hơn.
Tran Tien Phuc DHNT 11 hơn. Cực đế Si-p Cực đế Si-p