- Độ dốc tánsắc của DCM không phùhợp hoàn toàn với sợiquang nên tất cả các bướcsóng không được bù hoàn toàn và tán sắc tại đầu thu không đáp ứng được yêu cầu của hệ thống.
e) Bộ phát quangcó cơ cấu điều chỉnh ngoài khoang
Người ta thực hiện mạ trên mặt cắt ở phía sau của khoang cộng hưởng một màng tăng thấu (AR), sau đó ở ngoài đưa vào bộ lọc có thể điều chỉnh để tạo thành bộ phát quang có thể điều chỉnh ở ngoài khoang. Hình 3.8 mô tả cấu tạo bộ phát quang này.
Hình 3.1.8: Bộ phát quang có điều chỉnh ngoài khoang cộng hưởng
Các tia sáng đi qua màng tăng thấu, qua thấu kính biến thành chùm tia sáng song song đập vào cách tử. ở đây cách tử sẽ đóng vai trò gương phản xạ kiêm bộ lọc băng hẹp. Nếu ta quay cách tử thì có thể điều
chỉnh thô bước sóng quang đầu ra. Còn nếu ta điều chỉnh khoảng cách gương thì có thể tinh chỉnh được bước sóng quang đầu ra.
Ưu điểm chính của loại phát quang này là độ rộng phổ phát cực hẹp và có thể điều chỉnh bước sóng trong phạm vi rộng. Còn nhược điểm chính là tốc độ điều chỉnh thấp, thể tích tương đối lớn, độ ổn định về cơ không cao.
3.1.4.2. Bộ thu quang
Hiện nay trong các bộ thu quang đang sử dụng hai loại photodiode là PIN và APD. Nguyên lý cấu tạo chung của các bộ thu quang được mô tả như sau:
Hình 3.1.9: Diode tách quang P-N
Cả hai loại Photodiode đều hoạt động dựa vào tiếp giáp p-n phân cực ngược. Bước sóng cắt của photodiode được xác định theo công thức :
λ (μm) = (3-1-4)
Khi ánh sáng có bước sóng trong không gian tự do bé hơn bước sóng cắt chiếu vào PD thì bán dẫn hấp thụ các photon. Ở công thức (3-4), Eg là độ rộng dải cấm của tiếp giáp p-n.
Khi một photon được hấp thụ trong vùng nghèo, nó sẽ kích thích một điện tử trong dải hoá trị nhảy lên dải dẫn và để lại trong dải hoá trị một lỗ trống. Như vậy mỗi photon được hấp thụ sẽ tạo ra một cặp điện tử - lỗ trống. Điện áp phân cực ngược tạo ra một điện trường mạnh trong vùng nghèo (hình 3.9). Dưới tác dụng của điện trường mạnh, điện tử và lỗ trống bị quét rất nhanh ra khỏi vùng nghèo. Lỗ trống từ vùng nghèo đi vào lớp p, điện tử từ vùng nghèo đi vào lớp n tạo thành dòng khuyếch tán và chúng trở thành các hạt tải điện đa số trong các vùng này. Khi điện tử đi tới điện cực bên phải hình 3.9a, dưới tác dụng của nguồn phân cực ngược buộc nó phải đi qua mạch ngoài để tạo thành dòng tách quang. Các điện tử qua mạch ngoài và đi tới điện cực bên trái hình 3.9a, đi vào vùng p, tái hợp với lỗ trống ở vùng này. Như vậy đã duy trì được trung hoà điện tích