Trường gần

Một phần của tài liệu phân tích, thiết kế, mô phỏng anten cho thẻ rfid hoạt động ở trường xa (Trang 43 - 44)

Trường điện từ tại khu gần có tính chất thụ động và gần như tĩnh. Điện trường sẽ bị thay thế bởi từ trường, và trường nào sẽ tồn tại được quyết định bởi loại anten được sử dụng: Điện trường sẽ tồn tại khi anten dipole được sử dụng; trái lại, với anten vòng nhỏ thì sẽ chỉ có từ trường tồn tại. Sự ghép ứng giữa anten thẻ và đầu đọc có thể nhận được qua giao thoa với từ trường hoặc điện trường. Trong các hệ thống RFID trường gần thì hệ thống ghép cảm ứng được dùng rộng rãi hơn cả so với hệ thống ghép dung ứng.

a) Ghép cảm ứng

Trong một hệ thống RFID ghép cảm ứng, cuộn dây anten đầu đọc sẽ tạo ra một từ trường mạnh cảm ứng vào cuộn anten của thẻ. Khi một phần năng lượng trường tới được hấp thụ vào anten cuộn của thẻ, sẽ tạo ra một điện áp Ui trên anten của thẻ. Điện áp này được chỉnh lưu và làm nguồn nuôi cho microchip trong thẻ. Một tụ CR được mắc song song với anten cuộn của đầu đọc, điện dung được chọn sao cho nó cùng với điện cảm anten cuộn hình thành nên một mạch cộng hưởng song song với tần số cộng hưởng tương ứng với tần số phát đi của đầu đọc. Trên anten của đầu đọc sẽ sinh ra các dòng rất lớn bằng cách thiết lập mạch cộng hưởng song song, có thể dùng để tạo ra từ trường cảm ứng cho hoạt động của thẻ.

Hình 23: Truyền công suất và thông tin giữa thẻ và đầu đọc trong hệ thống RFID ghép cảm ứng.

Hiệu suất truyền giữa anten đầu đọc và thẻ tỷ lệ với tần số hoạt động, số vòng dây, diện tích ghép anten, góc của cuộn dây, và khoảng cách giữa hai cuộn dây.

b) Ghép dung ứng

Trong hệ thống RFID ghép dung ứng, anten sẽ tạo ra và tương tác với điện trường. Trong các hệ thống này, chính phân bố của điện tích chứ không phải dòng điện sẽ quyết định độ lớn của trường và do đó độ lớn ghép ứng (coupling strength). Do độ lớn ghép ứng phụ thuộc vào số lượng các điện tích được gia tốc, nên các hệ thống dựa trên ghép dung ứng sẽ ít được sử dụng hơn nhiều so với các hệ thống ghép cảm ứng.

Dipole là một anten thích hợp đối với các hệ thống ghép dung ứng do điện trường sẽ tồn tại thay vì từ trường. Không chỉ các hệ thống ghép cảm ứng mới cần các mạch cộng hưởng để có hệ số ghép lớn nhất mà các hệ thống ghép dung ứng cũng vậy. Do bản thân anten có điện dung của chính nó, điện cảm được ghép vào song song với thẻ và giao tiếp với đầu đọc. Ngoài ra, cũng như các hệ thống ghép cảm ứng, thẻ có thể liên lạc với đọc bằng cách thay đổi trở kháng của nó.

c) Điều chế tải

Giao tiếp giữa thẻ và đầu đọc trong cả hai hệ thống RFID ghép cảm ứng và dung ứng đều được thực hiện nhờ thay đổi trở kháng tải của thẻ. Khi thẻ nằm trong khoảng đọc của đầu đọc, nó sẽ nhận được năng lượng phát ra từ anten đầu đọc qua từ trường hoặc điện trường. Kết quả phản hồi từ thẻ trên anten đầu đọc cho thấy sự thay đổi của điện và từ trường. Sự thay đổi này sẽ được đầu đọc nhận biết. Dữ liệu được truyền từ thẻ tới đầu đọc trong khoảng thời gian mà trở kháng tải hoặc dung kháng được bật và tắt bị điều khiển theo dữ liệu. Kiểu truyền dữ liệu này được gọi là điều chế tải.

Thẻ thay đổi trở kháng của nó bằng cách bật hoặc tắt trở kháng tải hoặc dung kháng, từ đây đưa ra hai khái niệm điều chế tải điện kháng và điều chế tải dung kháng. Khi điều chế tải điện kháng, trở kháng được tắt hoặc bật trong thời gian tồn tại chuỗi dữ liệu. Tương tự đối với điều chế tải dung kháng. Đầu đọc nhận biết được những sự thay đổi này như một kiểu điều chế kết hợp giữa biên độ và pha.

Một phần của tài liệu phân tích, thiết kế, mô phỏng anten cho thẻ rfid hoạt động ở trường xa (Trang 43 - 44)