4.4.1 Mơ tả chung:
Opto 4N35 là bộ ghép quang được cấu tạo bởi photodiode & phototransistor. Bộ ghép quang dùng để cách điện giữa những mạch điện cĩ sự khác biệt khá lớn về điện thế. Ngồi ra cịn được dùng để tránh các vịng đất gây nhiễu trong mạch điện.
Thơng thường bộ ghép quang gồm 1 diode loại GaAs phát ra tia hồng ngoại và một phototransistor với vật liệu silic. Với dịng điện thuận diode phát ra bức xạ hồng ngoại với bước sĩng khoảng 900nm. Năng lượng bức xạ này được chiếu lên bề mặt của phototransistor hay chiếu gián tiếp qua một mơi trường dẫn quang.
Đầu tiên tín hiệu phần phát (Led hồng ngoại) trong bộ ghép quang biến thành tín hiệu ánh sáng, sau đĩ tín hiệu ánh sáng được phần tiếp nhận (Phototransistor) biến lại thành tín hiệu điện.
Tính chất cách điện: bộ ghép quang thường được dùng để cách điện giữa 2 mạch điện cĩ điện thế cách điện khá lớn. Bộ ghép quang cĩ thể làm việc với dịng điện một chiều hay tín hiệu điện cĩ tần số khá cao.
Điện trở cách điện : đĩ là điện trở với dịng điện một chiều giữa ngõ vào và ngõ
ra của bộ ghép quang cĩ trị số bé nhất là 1011Ω, như thế đủ yêu cầu thơng thường.
Nhưng chúng ta cần chú ý dịng diện rị khoảng nA cĩ thể ảnh hưởng đến hoạt động của mạch điện. Gặp trường hợp này ta cĩ thể tao những khe trống giữa ngõ vào và ngõ ra. Nĩi chung với bộ ghép quang ta cần phải cĩ mạch in tốt.
4.4.2 Hình dạng và mơ tả chân: ANODE E 6 BASE CATHODE 2 5 COLLECTOR NC 3 4 EMITTER Hình 4.16: opto 4N35 4.4.3 Tính chất:
- Nguồn cung cấp Vcc = + 5 V ở chân số 5 - Tín hiệu được đưa vào chân số 1 và 2
- Tín hiệu lấy ra ở chân 4
- Hiệu điện thế cách điện là 3350 V - Hệ số truyền đạt 100%
- Được ứng dụng trong một số mạch cách ly và mạch điều khiển