- Nguyên lý điều khiển vectơ:
3.2.1.Chọn van cho mạch nghịch lƣu.
b) Type B switching sequences
3.2.1.Chọn van cho mạch nghịch lƣu.
- Điện áp ngược đặt lên IGBT:
Vdev (N −1) ≥ 2U phload .k
d
K hệ số dự trữ.
N số mức của bộ nghịch lưu. Ta có N=3. Ta chọn K=1,7
U dev ≥ 2.1,7.6000 3(3 − 1) = 4164V
- Dòng điện qua van IGBT:
I =P max .(1 − cosϕ
2 )1 / 2 / 3.U dm .k1 =2000000.(1 2 − 0,882 )1 /
3.6000
.1,5 = 137,12A
- Điện áp ngược trên diot song song ngược của IGBT: Ta chọn gần đúng như sau:
UD dev=Udev≥4164V
- Dòng điện trên diot song song ngược của IGBT:
Dòng điện trên diot song song ngược của IGBT phụ thuộc nhiều yếu tố như dòng điện pha của tải yêu cầu, góc lệch pha giữa dòng điện và điện áp…Tuy nhiên ta có thể tính gần đúng nó bằng dòng điện pha trên tải hay chính là bằng dòng qua tranzitor:
ID=137,12A - Điện áp ngược trên điốt kẹp:
VD clamp=kD.Ud/(N-1)=1,3.8105/2=5268,25 V
- Dòng điện qua điôt kẹp:
I I dev 137,12 A - Chọn tụ C: Dclamp = = = 34,28 2( N − 1) 2(3 − 1) Ta chọn tụ C có giá trị càng lớn càng tốt.
- Với tính toán như trên ta chọn các van như sau: + Ta chọn và cho mạch nghịch lưu như sau:
Ngày nay các hãng chế tạo thiết bị bán dẫn công suất thường chế tạo IGBT ở dạng module chịu được điện áp cao dòng điện lớn có tích hợp sẵn các diot song song ngược vì vậy ở đây ta chọn IGBT loại này, do đó ta không cần chọn điôt ngược riêng cho IGBT. Ta chọn IGBT dạng module là MBN300E45A của hãng HITACHI có các thông số sau:
Icp=600A
Vces(sat)=ΔU=5,5V
Tj=Tcp=125°C
+ Ta chọn diot kẹp là loại MDM200E45A của hãng HITACHI có các thông số như sau: Imax=200A
Vces=Ungược-max=4500V
Icp=400A
Vces(sat)=ΔU=4,5V
Tj=Tcp=125°C