5.1 Chế tạo cột nano silic với hạt silica 295nm 5.1.1 Khảo sát ảnh hưởng của bề dày lớp Ag
Ban đầu mẫu được phún xạ một lớp Ag 30nm. Tuy nhiên, do Ag bám dính không tốt trên đế nên nhanh chóng bị bong khi đưa vào rung siêu âm (hình 5.1.a). Bên cạnh đó, bề dày lớp Ag quá mỏng tạo ra nhiều vi cấu trúc không mong muốn trong quá trình ăn mòn silic. Để khắc phục điều này, một lớp Cr dày 5nm được dùng làm lớp lót, chiều dày lớp Ag tăng lên70 nm (hình 5.1.b).Với lớp lót Cr, màng mỏng Ag liên kết tốt với đế. Sau khi rung siêu âm để tẩy hạt silica, thu được một lớp lưới Ag trên đế silic (hình 5.1.c).
(a)
Ag Si
(b)
Si
Ag Chân hạt
Hạt silica
(c)
Ag Chân hạt đã đứt
Hình 5.1. Ảnh SEM lớp Ag 30nm không lớp lót bị bong sau khi rung siêu âm(a);mặt cắt ngang mẫu hạt được phún xạ màng mỏng Ag trên đế silic (b); lưới Ag sau khi rung siêu âm (c).
5.1.2 Ăn mòn hóa học tạo cột nano Si
5.1.2.1 Khảo sát ảnh hưởng của thời gian ăn mòn
(a) (b) (c) (d)
Hình 5.2. Ảnh SEM phóng đai 10000 lần chụp mặt cắt ngang mẫu ăn mòn trong HF/H2O2 với các khoảng thời gian 15 phút, 30 phút, 45 phút và 60 phút.
Hình 5.3. Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc
của chiều sâu ăn mòn vào theo thời gian. Hình 5.4. Ảnh SEM cấu trúc cột silic sau 120 phút ăn mòn.
Dung dịch ăn mòn hóa học được pha theo công thức như sau: H2O2(40%):
HF(49%):H2O = 0,5ml:2ml:17,5ml. Mẫu được ăn mòn trong 15 phút, 30 phút, 45 phút và 60 phút. Chiều cao cột nano silic xác định từ ảnh SEM (hình 5.2) lần lượt là 1 àm; 2,1 àm; 3,2 àm và 4.8àm. Kết quả được vẽ lờn đụ̀ thị
21
trên hình 5.3. Đồ thị cho thấy chiều sâu ăn mòn phụ thuộc khá tuyến tính theo thời gian ăn mòn, với tốc độ ăn mòn là 83nm/phút.
Tăng tiếp thời gian ăn mũn lờn 120 phỳt, chiều cao cột đạt 9àm, tốc độ ăn mòn vẫn không thay đổi nhiều nhưng chất lượng cột silic giảm mạnh. Các cột nano có chiều dài lớn bắt đầu tụ lại và trở thành dây nano silic như thể hiện trên hình 5.4.
5.1.2.2 Ảnh hưởng của quá trình ăn mòn ngang 5.2 Chế tạo cột nano silic với hạt silica 235nm 5.2.1 Phún xạ Ag và lift-off
(a) (b) (c)
Hình 5.5. Ảnh SEM đơn lớp hạt sau khi được thu nhỏ và phún xạ Ag (a); sau khi rung siêu âm không bay hết hạt (b) và rung hết hạt (c).
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
(g) (h) (i)
Hình 5.6. Ảnh SEM với độ phóng đại 40000 lần: Hạt silica nung ủ tại nhiệt độ 700oC, 800oC; 900oC trước khi ăn mòn hơi HF (a,d,g); lưới Ag hình thành sau khi lift-off ứng với ba chế độ nung ủ trên (b,e,h); cột nano silic hình thành từ lưới Ag ứng với ba trường hợp trên (c,f,i).
Hai mẫu cùng đượcthu nhỏ bằng hơi HF trong 90s, với nhiệt độ đế 90oC, được phún xạ Ag có chiều dày 100nm và 130nm (hình 5.5a). Lớp lót Cr cùng có chiều dày 5nm. Hai mẫu được rung siêu âm trong 5 phút. Ảnh SEM cho thấy mẫu được phún xạ Ag dày 130 nm không tẩy được hết hạt silica (hình 5.12.b); trong khi mẫu phún xạ 100nm Ag đã tẩy hết (hình 5.12.c). Điều này là do khi lớp Ag đủ dày, lớp kim loại phún xạ lên phần trên hạt bắt đầu gắn với phần Ag phún xạ xuống dưới đế Si, khiến hạt không bay ra khi rung.
22
5.2.1.1 Ảnh hưởng của nhiệt độ nung ủ hạt silica trước khi ăn mòn thu nhỏ bằng hơi HF tới sự tách cột Si
Trong phần khảo sát này, dung dịch ăn mòn hóa học được pha theo tỷ lệ như sau: H2O2(40%): HF(49%):H2O = 0,5ml:2ml:17,5ml. Các mẫu hạt nung ủ tại 700oC, 800oC; 900oC sau khi ăn mòn thu nhỏ bằng hơi HF được thể hiện trên Hình 5.6. (a,d,g). Với nhiệt độ nung ủ tại 700oC, các hạt silica kết đám với nhau khiến cho lưới kim loại Ag được tạo ra sau đó chỉ bao quanh các đám hạt (Hình 5.6. b). Kết quả là cột silic có bề ngang cỡ kích thước đám hạt ban đâu (Hình 5.6. c). Với nhiệt độ nung ủ tại 900oC, các hạt silica tách rời nhau, nhưng vẫn dính với nhau thông qua các cổ liên kết (Hình 5.6. g) khiến cho lưới kim loại Ag có kích thước lớn (Hình 5.6. h). Cột silic được tạo ra vẫn có sự liên kết với nhau (Hình 5.6. i). Cuối cùng, tại nhiệt độ nung ủ 800oC, các hạt silica tách rời nhau sau khi được cho ăn mòn bằng hơi HF (Hình 5.6. d) giúp cho lưới kim loại Ag hoàn toàn bao quanh các hạt (Hình 5.6. e). Và kết quả đáng mong đợi là các cột tách nhau hoàn toàn (hình 5.6f).
5.2.1.2 Ảnh hưởng của kích thước hạt silica sau khi thu nhỏ tới kích thước cột nano Si
Hai mẫu hạt silica xếp khít được nung ủ trong cùng điều kiện và ăn mòn bằng hơi HF trong 120s và 240s với nhiệt độ đế 90oC. Từ ảnh SEM trên Hình 5.7. (a,c) có thể tính ra kích thước hạt tương ứng là 210nm và 190nm tương ứng. Sau khi phún xạ lưới Ag trên bề mặt đế Si, hai mẫu được nhúng vào dung dịch HF/H2O2 trong 5 phút. Từ ảnh SEM trên Hình 5.7. (b,d) có thể rút ra kích thước cột silic cỡ 180 nm với mẫu hạt silica 210nm; và 130nm với hạt 180nm. Như vậy, kích thước cột nano silic tỷ lệ với kích thước hạt silica.
(a) (b) (c) (d)
Hình 5.7. Ảnh SEM chụp góc nghiêng cột nano silic tương ứng với các hạt silica dược ăn mòn thu nhỏ silica trong 180s (a,b) và 240s (c,d).
5.2.1.3 Ảnh hưởng của thời gian ăn mòn
Để khảo sát chiều sâu ăn mòn, mẫu thu nhỏ hạt trong 120s được cho ăn mòn tiếp trong dung dich HF/H2O2 với tổng thời gian là 15 phút và 30 phút.
Ảnh SEM cột nano silic thu được sau khi ăn mòn silic trong 15 phút được thể hiện trên Hình 5.8. cho thấy cấu trúc cột tương đối đều với chiều cao là 1,78 àm,. Sau thời gian ăn mũn 30 phỳt, cột nano silic đo được là 2,87àm. Ảnh SEM trên hình 5.9a cho thấy đỉnh cột nano silic đã bị thu nhỏ nhiều so với chân cột, đồng thời đỉnh bị xốp dẫn đến đỉnh cột bị ăn mòn theo thời gian.
23
5.3 Đặc trưng quang của cột nano silic
Đặc trưng quang đầu tiên được đo là phổ Raman tăng cường. Cột nano silic sau khi được chế tạo thành công bằng hạt nano silica 235nm có cấu trúc khá đồng đều đã được phủ một lớp Ag dày 60 nm lên bề mặt. Thuốc aspirin 50% được hòa tan trong ethanol và rung siêu âm trong 10 phút. Đế silic phẳng và đế có cột nano silic dã phủ Ag được nhúng vào dung dịch thuốc trong 10 phút rồi lấy ra và để khô trong không khí.
(a) (b) (c)
Hình 5.8. Ảnh SEM mặt cắt cột nano silic thu được sau khi ăn mòn 15 phút với độ phóng đại khác nhau.
(a) (b)
Hình 5.9. a) Ảnh SEM một số cấu trúc cột nano silic sau khi ăn mòn 30 phút. b) Phổ tán xạ Raman của aspirin phủ trên với lớp Ag 100nm với cấu trúc cột nano Si(a) và đế silic phẳng (b). Cường độ đã dược nhân lên 10 lần đối với đế phẳng.
Hai mẫu được đo phổ Raman, kết quả chụp phổ được thể hiện trên đồ thị Hình 5.9. . Trong đó cường độ Raman đối với mẫu silic phẳng đã được nhân lên 10 lần. Công suất chùm laser được dùng là 1,25mW (chỉ bằng 5% công suất tối đa của máy là 25mW). Kết quả cho thấy phổ Raman thu được trên đế phẳng có cường độ rất thấp và các đỉnh không lên được hết.Trong khi đó, phổ Raman trên đế có cấu trúc cột nano silic cho cường độ cao hơn 2-3 bậc, với tất cả các đỉnh đều rất sắc nét.
5.4 Kết luận
Như vậy, có thể khẳng định cột nano silic có thể được chế tạo thành công, với phương pháp khắc hạt và ăn mòn điện hóa hỗ trợ kim loại, trong điều kiện trong nước còn nhiều hạn chế. Các bước trong quy trình đã được nghiên cứu một cách có hệ thống, với các mô hình giải thích các hiện tượng gặp phải trong quá trình chế tạo. Cột nano silic cũng đã được ứng dụng làm đế tán xạ Raman và cho thấy khả năng tăng cường tín hiệu lên 2-3 bậc.
KẾT LUẬN CHUNG
1. Trên cơ sở khảo sát các quy trình công nghệ trên thế giới đã thực hiên, hai quy trình công nghệ chế tạo dây nano silic silic đơn tinh thể với tỷ lệ lệ cạnh cao đã được đề xuất và thực hiện thành công trong luận án. Hai quy
24
trình này lần đầu tiên được thực hiện ở Việt Nam và đều dựa trên kỹ thuật quang khắc truyền thống. Trong quy trình thứ nhất, các dây nano silic được tạo ra từ sự kết hợp thu nhỏ chiều rộng đường mặt nạ ôxit từ kích thước micromet thành dây ôxit có tỷ lệ nano. Quy trình thứ 2 ứng dụng hiện tượng dính ướt để tách dây micro SiO2 thành hai dây nano để từ đó chế tạo dây nano silic bằng cách ăn mòn dị hướng ướt trong dung dịch kiềm KOH. Đặc trưng của dây nano silic tạo thành đã được khảo sát dựa trên ảnh hiển vi điện tử quét và đo đặc trưng I-V. Hai quy trình chế tạo này đã được đăng trên hai hai tạp chí quốc tế ISI (Q1, Q2).
2. Luận án đã đưa ra được phương pháp tập hợp đơn lớp hạt nano silica xếp khít với kích thước hạt 50nm, 235nm, 295 nm và 385nm trên đế silic.
Trong nghiên cứu này, phương pháp điều khiển tốc độ di chuyển của đường tiếp xúc giữa dung môi với bề mặt đế dựa trên bức xạ hồng ngoại để tăng diện tích vùng dơn lớp. Sự phụ thuộc của đơn lớp hạt xếp khít vào công suất chiếu xạ hồng ngoại, góc nghiêng mẫu đã được khảo sát. Đơn lớp hạt xếp khít đã được khảo sát bằng ảnh hiển vi điện tử quét và phần mềm phân tích ảnh số. Công nghệ chế tạo đơn lớp hạt xếp khít đã được công bố trong một tạp chí ISI (Q2).
3. Trọng luận án này, công nghệ chế tạo đơn lớp hạt nano silica không xếp khít đã được nghiên cứu và thực hiện theo hướng gián tiếp, bằng cách thu nhỏ các hạt nano silica xếp khít dựa trên kỹ thuật ăn mòn hơi HF. Đơn lớp hạt nano silica không xếp khít đã được chế tạo thành công từ các đơn lớp hạt nano silica xếp khít với kích thước hạt 50nm, 235nm và 295 nm. Dựa trên công nghệ thu nhỏ hạt được đề xuất, các hạt silica có thể được vi chế tạo với độ chính xác ở kích thước nano. Đây là cơ sở cho việc điều khiển chính xác kích thước cột nano silic tạo thành khi sử dụng đơn lớp hạt nano silica không xếp khít như một mặt nạ ăn mòn. Hơn nữa, công nghệ thu nhỏ hạt silica bằng hơi HF với chi phí thấp và thời gian chế tạo ngắn, phù hợp với điều kiện Việt Nam. Công nghệ chế tạo đơn lớp hạt nano silica không xếp khít đã được công bố trên tạp chí ISI (Q3).
4. Sau khi khảo sát các nghiên cứu trong và ngoài nước về công nghệ chế tạo cột nano Si, chúng tôi đã xây dựng và thực hiện thành công một quy trình chế tạo cột dựa trên sự kết hợp của phương pháp ăn mòn hóa học hỗ trợ kim loại với phương pháp khắc hạt nano. Quy trình này lần đầu tiên được thực hiện tại Việt Nam, cho phép điều khiển khoảng cách giữa các cột nano silic dựa trên việc lựa chọn kích thước hạt nano silica ban đầu; điều khiển kích thước cột nano silic dựa trên kích thước hat nano silica sau khi ăn mòn thu nhỏ. Các cấu trúc cột nano silic đã được khảo sát dựa trên ảnh SEM và đo phổ quang học UV-VIS.
25 Tài liệu tham khảo
Nguồn internet:
[1] https://vi.wikipedia.org/wiki/Quang_khắc.
[2] https://en.wikipedia.org/wiki/Nanowire
[3] http://www.allresist.com/interference-lithography/
Tài liệu tiếng anh:
[4] Alfrey, T. Jr, Bradford, E. B. & Vanderhoff, J. W. J. (1956) The use of monodisperse latexes in an electron microscope investigation of the mechanism of emulsion polymerization Opt. Soc. Am., 11.1956,44, 603–609.
[5] Laxmidhar Besra, Meilin Liu, A review on fundamentals and applications of electrophoretic deposition (EPD), Progress in Materials Science 52, 4.2007, 1–61.
[6] Burrow, G.M. and T.K. Gaylord, Multi-beam interference advances and applications: nano-electronics, photonic crystals, metamaterials, subwavelength structures, optical trapping, and biomedical structures.
Micromachines, 11.2011. 2(2): p. 221-257.
[7] Cao Tran Dao, Luong Ngan, Cao Tuan Anh, Tran Van Viet, effect of AgNO3
concentration on structure of aligned silicon nanowire arrays fabricated via silver-assisted chemical etching, International Journal of Nanotechnology 1.2013, 10(3-4):343.
[8] Shih-wei Chang, Jihun Oh, Steven T. Boles, and Carl V. Thompson, (2010).
Fabrication of silicon nanopillar-based nanocapacitor arrays, Appl. Phys.
Lett. 2.2010. 96, 153108.
[9] J.Y. Cheng, A.M. Mayes, and C.A. Ross (2004) Nanostructure engineering by templated self-asSEMbly of block copolymers Nature Materials, 8.2004, 3, 823.
[10] Yu Chen, Xihua Wang, Shyamsunder Erramilli, and Pritiraj Mohanty (2006) Silicon-based nanoelectronic field-effect p H sensor with local gate control Appl. Phys. Lett. 4.2006.8.9, 223512.
[11] W. K. Choi, T. H. Liew, and M. K. Dawood, Synthesis of Silicon Nanowires and Nanofin Arrays Using Interference Lithography and Catalytic Etching, Nano Lett., 2008, 8 (11), pp 3799–3802.
[12] Jea-Young Choi, T. L. Alford, Christiana B. Honsberg, Solvent-Controlled Spin-Coating Method for Large-Scale Area Deposition of Two-Dimensional Silica Nanosphere AsSEMbled Layers, Langmuir, 2014, 30 (20), pp 5732–
5738.
[13] Jea-Young Choi, T. L. Alford, and Christiana B. Honsberg, Fabrication of Periodic Silicon Nanopillars in a Two-Dimensional Hexagonal Array with Enhanced Control on Structural Dimension and Period, Langmuir, 2015, 31 (13), pp 4018–4023.
[14] Jeayoung Choi, Development of Nanosphere Lithography Technique with Enhanced Lithographical Accuracy on Periodic silic Nanostructure for Thin silic Solar Cell Application, PhD thesis, 2015, page 49.
26
[15] Choi, D.-G., Yu, H. K., Jang, S. G., Yang, S.-M. Colloidal lithographic nano patterning via reactive ion etching, J. Am. Chem. Soc., 126 (2004) 7019–
7025.
[16] Pierre Colson, Catherine H enrist, and Rudi C loots, Nanosphere Lithography:
A Powerful Method f or the Controlled Manufacturing of Nanomaterials, Journal of Nanomaterials Volume 2013, Article ID 948510, 19 pages.
[17] N. D. Denkov, O. D. Velev, P. A. Kralchevsky, I. B. Ivanov, H.
Yoshimura, K.Nagayama (1993), Two-dimensional crystallization, Nature volume 361, 1.1993, p 26.
[18] Dzung Viet Dao, Toshiyuki Toriyama, Susumu Sugiyama (2004), Noise and frequency analyses of a miniaturized 3-DOF accelerometer utilizing silicon nanowire piezoresistors, Sensors, 7.2004. Proceedings of IEEE, 1464-1467.
[19] Cong Feng and Hoi Wai Choi (2014) Density-tunable non–close-packed monolayer of silica nanospheres prepared by single-step freeze-drying, Journal of Vacuum Science & Technology B, 32 (051805) (2014).
[20] Bing Jiang, Han Dai, Qiang Zhao, Jun Lin, Lihua Chu, Yingfeng Li, Pengfe Fu, Gaoxiang Wu, Jun Ji, and Meichen Li, The path of mass transfer during Au thinfi lm-assisted chemical etching by designed surface barriers, RSC Adv.
,2017, 7,11522.
[21] Jiang, P., Prasad, T., McFarland, M. J., Colvin, V. L.(2006) Two-dimensional non-close-packed colloidal crystals formed by spin-coating, Appl. Phys. Lett., 89 (2006).
[22] M. Kohler, Trans. by A.Wiegand (1999), Etching in Microsystem Technology, Wiley-VCH, 1999, ISBN 3-527-29561-5.
[23] Garcớa Nỳủez C, Navaraj WT, Liu F, Shakthivel D, Dahiya R. (2018), Large- Area Self-AsSEMbly of Silica Microspheres/Nanospheres by Temperature- Assisted Dip-Coating, ACS Appl Mater Interfaces., 1.2018, 10(3):3058-3068.
[24] Erik C. Garnett and Peidong Yang(2008), Silicon Nanowire Radial p−n Junction Solar Cells, J. Am. Chem. Soc., 3.2008, 130 (29), pp 9224–9225.
[25] M. Grundner and H. Jacob (1986) Investigations on Hydrophilic and Hydrophobic Silicon (100) Wafer Surfaces by X-Ray Photoelectron and High- Resolution Electron Energy Loss-Spectroscopy, Appl. Phys. A, 5.1986, 39, 73-82.
[26] Ron Hanestad and Jeffery W. Butterbaugh, Abdselem ben-Hamida, Ilaria Gelmi,(2001), Stiction-Free Release Etch with Anhydrous HF/Water Vapor Processes, Proceedings of SPIE, 5.2001, Vol. 4557.
[27] Hee Han, Zhipeng Huang, Woo Lee (2014), Metal-assisted chemical etching of silicon and nanotechnology applications, Nano Today, 2.2014, 9, 271—304.
[28] Harada, Y.; Li, X.; Bohn, P. W.; Nuzzo, R. G.(2001), Catalytic amplification of the soft lithographic patterning of Si. Non-electrochemical orthogonal fabrication of photoluminescent porous silic pixel arrays, J. Am. Chem. Soc., 9.2001, 123 (36), 8709− 8717.
27
[29] C. R. Helms and B. E. Deal (1992), Mechanisms of the HF/H2O vapor phase etching of SiO2, Journal of Vacuum Science & Technology A 10, 806, 10.1992.
[30] Hien Duy Tong, Songyue Chen, Wilfred G. van der Wiel, Edwin T. Carlen, Albert Jan van den Berg (2006), Novel Top-Down Wafer-Scale Fabrication of Single Crystal Silicon Nanowires, Nanoletter, 9.2009, 1015-1022.
[31] Huang, Z.; Geyer, N.; Werner, P.; de Boor, J.; Goesele, U., Metal-assisted chemical etching of silicon: A review. Adv. Mater.2011,
[32] P.J.HolmesJ, E.Snell. A vapour etching technique for the photolithography of silicon dioxide, Microelectronics Reliability Volume 5, Issue 4, November 1966, Pages 337-341
[33] Robert Hull, Properties of crystalline silicon the Institution of Electrical Engineers, 1999 - Technology & Engineering, ISBN-13: 978-0863415562, p.
232.
[34] Chang Kun Kang, Sang Min Lee, Im Deok Jung, Phill Gu Jung, Sung Jin Hwang1 and Jong Soo Ko, The fabrication of patternable silicon nanotips using deep reactive ion etching, Journal of Micromechanics and Microengineering, Volume 18, Number 7.
[35] Katherine N. Kanipe, Philip P. F. Chidester, Galen D. Stucky, and Martin Moskovits(2016), Large Format Surface-Enhanced Raman Spectroscopy Substrate Optimized for Enhancement and Uniformity, ACS Nano, 8.2016, 10 (8), pp 7566–7571.
[36] Klaus D. Sattler (2017), Silicon nanomaterials sourcebook: Hybrid Materials, Arrays, Networks, and Devices. volume 2, 2017. CRC Press. ISBN 978149876377. Pages 10-12.
[37] C. Q. Lai, W. Zheng, W. K. Choi and C. V. Thompson,(2015) Metal Assisted Anodic Etching of Silicon, Nanoscale, vol. 7, 11.2015.
[38] Prayudi Lianto (2017), Mechanism and Catalyst Stability of Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon PHD thesis, page 19.
[39] Luping Li, Yin Fang, Cheng Xu, Yang Zhao, Kedi Wu, Connor Limburg, Peng Jiang, and Kirk J. Ziegler (2017), Controlling the Geometries of silic Nanowires through Tunable Nanosphere Lithography, ACS Appl.
Mater. Interfaces, 12.2017, 9 (8), pp 7368–7375.
[40] Hailiang Li, Tianchun Ye, Lina Shi and Changqing Xie (2017), Fabrication of ultra-high aspect ratio (>160:1) silicon nanostructures by using Au metal assisted chemical etching, Journal of Micromechanics and Microengineering, Volume 27, Number 12, 12.2017, 23 (2), 285−308.
[41] T. H. L. Nghiem, T. N. Le, T. H. Do, T. T. Duong, V. Q. Hoa, D. H. N. Tran (2013), Preparation and characterization of silica–gold core–shell nanoparticles, Nanopart Res.15, 2091,4.2013.
[42] Ruiyuan Liu, Fute Zhang, Celal Con, Bo Cui and Baoquan Sun, Lithography- free fabrication of silicon nanowire and nanohole arrays by metal-assisted chemical etching, Nanoscale Research Letters 2013, 8 :155.
28
[43] Lin, S.-P.; Chi, T.-Y.; Lai, T.-Y.; Liu, M.-C (2012) Investigation into the Effect of Varied Functional Biointerfaces on Silicon Nanowire MOSFETs Sensors 1.2012, 12, 16867-16878.
[44] J Llobet, G Rius, A Chuquitarqu, X Borrisé, R Koops, M van Veghel and F Perez-Murano (2018), Arrays of suspended silicon nanowires defined by ion beam implantation: mechanical coupling and combination with CMOS technology, Nanotechnology, 4.2018, 2 ;29(15):155303.
[45] Muhammad M. Mirza, Haiping Zhou, Philippe Velha, Xu Li, Kevin E.
Docherty, Antonio Samarelli, Gary Ternent, and Douglas J. Paul (2012), Nanofabrication of high aspect ratio (∼50:1) sub-10 nm silicon nanowires using inductively coupled plasma etching, Journal of Vacuum Science &
Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 30, 5.2012, 06FF02.
[46] William McSweeney, Hugh Geaney, and Colm O'Dwyer, Metal assisted chemical etching of silicon and the behaviour of nanoscale silicon materials as Li-ion battery anodes, Nano Research, May 2015, Volume 8, Issue 5, pp 1395–1442.
[47] Nagayama, K. Yoshimura, H., Endo, S., Matsumoto, M., Nagayama, K., Kagawa, Y.J. Biochem. (1989), Hexagonal structure of two-dimensional crystals of the alpha 3 beta 3 complex thermophilic ATP synthase, J Biochem., 12.1989; 106(6):958-60.
[48] Woongsik Nam, James I Mitchell, Peide D Ye, Xianfan Xu (2015), Laser direct synthesis of silicon nanowire field effect transistors, Nanotechnology, 26.2015, 055306 (5pp).
[49] Androula Galiouna Nassiopoulou, Violetta Gianneta and Charalambos Katsogridakis (2011), silic nanowires by a single-step metal-assisted chemical etching process on lithographically defined areas: formation kinetics, Nanoscale Research Letters, 1.2011, 6:597.
[50] Truc Quynh Ngan Luong, Tuan Anh Cao, and Tran Cao Dao (2013), Low- concentration organic molecules detection via surface-enhanced Raman spectroscopy effect using Ag nanoparticles-coated silicon nanowire arrays, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol., 4.2013, 015018 (5pp).
[51] Hoang-Phuong Phan, Takahiro Kozeki, Toan Dinh, Tatsuya Fujii, Afzaal Qamar, Yong Zhu, Takahiro Namazu, Nam-Trung Nguyen, Dzung Viet Dao(2015), Piezoresistive effect of p-type silicon nanowires fabricated by a top-down process using FIB implantation and wet etching. RSC Adv. 4.2015 5 (100), 82121.
[52] E. B. Ramayya, D. Vasileska, S. M. Goodnick, and I. Knezevic (2008), Electron transport in silicon nanowires: The role of acoustic phonon confinement and surface roughness scattering, J. Appl.Phys. 7.2008, 104, 063711.
[53] Yu Kyoung Ryu, Pablo Aitor Postigo, Fernando Garcia, and Ricardo Garcia, Fabrication of sub-12nm thick silicon nanowires by processing scanning