Có nhiều kỹ thuật tiếp điện khác nhau như: tiếp điện bằng “đầu dò” (probe feeding), tiếp điện ở cạnh patch (edge feeding), ghép gần patch với một đường truyền vi dải (proximity coupling to a microstrip line), ghép khe patch với một đường tiếp điện vi dải (aperture coupling to a microstrip feed line). Trong đó phương pháp ghép khe (aperture coupling) được sử dụng cho các anten băng rộng trên các chất nền dày. Điều này là do thực tế rằng: kỹ thuật tiếp điện này cho phép một lượng lớn tham số có thể điều chỉnh như độ dài khe, độ rộng khe và hình dạng khe, …. Phương pháp ghép khe khi được điều chỉnh một cách kỹ lưỡng có thể làm tăng băng thông một cách đáng kể. Băng thông khoảng 70% có thể đạt được khi sử dụng kỹ thuật tiếp điện này.
Anten vi dải ghép khe
Anten vi dải ghép khe được thể hiện trong hình 2.5. Nó bao gồm một patch hình chữ nhật có kích thước a x b được in trên chất nền có độ dày h và hằng số điện môi εra. Patch vi dải được tiếp điện bởi đường vi dải thông qua một khe hở hoặc một rãnh rạch trên mặt phẳng đất chung của patch và đường tiếp điện vi dải như trong hình 2.5. Khe có các kích thước là La x Wa và tâm khe tại điểm (x0, y0). Độ rộng của đường vi dải là W và được in trên một chất nền có độ dày t và hằng số điện môi εrf. Trở kháng đặc trưng của đường vi dải được kí hiệu là Z0m và trở kháng đặc trưng của khe được kí hiệu bởi Z0s. Việc ghép khe với giữa patch và đường vi dải xảy ra bởi vì khe “phá vỡ sự liên tục” của dòng điện chạy theo dọc theo patch. Phân tích anten vi dải ghép khe cho thấy: hầu hết các đặc tính đều tương tự với anten khe tiếp điện bằng đường vi dải. Kỹ thuật tiếp điện ghép khe được giới thiệu bởi Pozar và nó có nhiều ưu điểm so với các kỹ thuật tiếp điện khác. Các ưu điểm đó là: bảo vệ được anten khỏi sự bức xạ “giả” từ phần tiếp điện (spurious feed radiation), sử dụng chất nền cho cả cấu trúc tiếp điện và anten, sử dụng chất nền dày để tăng băng thông của anten.
Khóa luận tốt nghiệp đại học Ngành: Thông tin vô tuyến
Hình 2.5. Anten vi dải tiếp điện bằng ghép khe [7]