0
Tải bản đầy đủ (.ppt) (42 trang)

do điện trường tron gở lớp chuyển tiếp thúc đẩy chuyển động của các hạt tải điện thiểu số.

Một phần của tài liệu BÀI 23 DÒNG ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN (Trang 39 -42 )

IV Lớp chuyển tiếp p-n

p, do điện trường tron gở lớp chuyển tiếp thúc đẩy chuyển động của các hạt tải điện thiểu số.

Khi lớp chuyển tiếp p-n được hình thành thì ln có dịng điện từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại

p, do điện trường trong ở lớp chuyển tiếp thúc đẩy chuyển động của các hạt tải điện thiểu số.

Khi lớp chuyển tiếp p-n được hình thành thì ln có dịng điện chạy theo từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n, do sự khuếch tán của các hạt tải điện cơ bản mạnh hơn so với sự khuếch tán của các hạt tải điện không cơ bản.

Khi lớp chuyển tiếp p-n được hình thành thì ln có dịng điện chạy theo từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n, do sự khuếch tán của các hạt tải điện cơ bản mạnh hơn so với sự khuếch tán của các hạt tải điện không cơ bản.

AA A Câu 1: Chọn câu đúng. Câu 1: Chọn câu đúng. B B

Nhiệt độ càng cao, tính chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p-n càng kém

Nhiệt độ càng cao, tính chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p-n càng kém

CC C

Điện trở của lớp chuyển tiếp p-n là nhỏ, khi lớp chuyển tiếp được mắc váo nguồn điện theo chiều ngược.

Điện trở của lớp chuyển tiếp p-n là nhỏ, khi lớp chuyển tiếp được mắc váo nguồn điện theo chiều ngược.

DD D

Khi nhiệt độ thấp, các hạt khơng cơ bản ít nên bán dẫn p-n chỉ dẫn từ p sang n.

Khi nhiệt độ cao các hạt không cơ bản tăng lên rất lớn do khả năng phá vỡ các liên kết giữa electron và nút mạng tinh thể trong bán dẫn tăng lên, nên số cặp electron và lỗ trống tăng lên.

 Dịng điện có thể di chuyển threo chiều ngược lại từ n sang p, nên tính chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p-n càng kém.

Khi nhiệt độ thấp, các hạt khơng cơ bản ít nên bán dẫn p-n chỉ dẫn từ p sang n.

Khi nhiệt độ cao các hạt không cơ bản tăng lên rất lớn do khả năng phá vỡ các liên kết giữa electron và nút mạng tinh thể trong bán dẫn tăng lên, nên số cặp electron và lỗ trống tăng lên.

 Dịng điện có thể di chuyển threo chiều ngược lại từ n sang p, nên tính chỉnh lưu của lớp chuyển

Câu 2: Tìm đáp án đúng.

Câu 2: Tìm đáp án đúng.

Ở nhiệt độ phịng, trong bán dẫn Si tinh khiết, số cặp electron – lỗ trống bằng 10 13 số nguyên tử Si. Nếu ta pha P và Si tỉ lệ một phần triệu, thì số hat tải điện tăng lên bao nhiêu lần

5.10 65.10 6 5.10 6 A A BB 5,3.10 65,3.10 6 6.10 6 6.10 6 C C DD 6,7.10 66,7.10 6

Giả thiết: số cặp electrong – lỗ trống = 1013

Theo cấu tạo hóa học, 2 cặp electron – lỗ trống kết hợp với một nguyên tử Si

nSi = 1013 / 2 = 5.1012 (ngtử Si)

Giả thiết: nP / nSi = 1 / 106

nP = nSi / 106 = 5.1012 / 106 =5.106 (ngtử)

Số nP cũng chính là số electron được tạo thành ne = nP =5.106 (electron) chính là số lần hạt tải điện tăng lên.

Giả thiết: số cặp electrong – lỗ trống = 1013

Theo cấu tạo hóa học, 2 cặp electron – lỗ trống kết hợp với một nguyên tử Si

nSi = 1013 / 2 = 5.1012 (ngtử Si)

Giả thiết: nP / nSi = 1 / 106

nP = nSi / 106 = 5.1012 / 106 =5.106 (ngtử)

Số nP cũng chính là số electron được tạo thành ne = nP =5.106 (electron) chính là số lần hạt tải điện tăng lên.

Câu 3: Tìm đáp án đúng.

Một phần của tài liệu BÀI 23 DÒNG ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN (Trang 39 -42 )

×