Kích thước và vị trí lắp đặt của Bypass Diode VSB2045-MB3

Một phần của tài liệu NGHIÊN cứu về HIỆN TƯỢNG cảm ỨNG SÉTLÊN các hệ THỐNGPIN NĂNG LƯỢNG mặt TRỜI (Trang 92 - 94)

Thông số chi tiết của Bypass Diode VSB2045-MB3 được thể hiện chi tiết trong bảng sau

Bảng 4.1: Thông số Bypass Diode VSB2045-MB3

Thông số cực đại ( Nhiệt độ vận hành TA = 25 °C)

Thông số Ký hiệu VSB2045 Đơn vị

Mã ký hiệu trên Diode V2045

Thông số cực đại ( Nhiệt độ vận hành TA = 25 °C)

Dòng phân cực thuận cực đại IF(AV) 20 A

Dòng xung cực đại IFSM 250 A

Dải nhiệt độ vận hành TOP -40 to +150 °C

Dải nhiệt độ lưu trữ TSTG -40 to +175 °C

Nhiệt độ đảo chiều dẫn tới hạn TJ (3) ≤ 200 °C

Xem xét đặc tính nhiệt độ - hiệu suất và tổn thất – dòng phân cực thuận của Bypass Diode

VSB2045-MB3 chi tiết như hình sau

Hình 4.2: Đặc tính nhiệt độ - hiệu suất và tổn thất – dòng phân cực thuận của Bypass Diode VSB2045-MB3

Dòng xung cực đại chịu đựng của Bypass Diode VSB2045-MB3 lên tới 250A. Từ các kết quả phân tích tính tốn tại chương 3, Bypass Diode VSB2045-MB3 có khả năng đảm bảo vận hành an toàn, tin cậy trong trường hợp cách vị trí sét đánh ≥ 3m.

Tuy nhiên, khi thay thế Bypass Diode cần lưu ý đến tổn thất trên Bypass Diode và hiệu suất của tấm pin khi có hiện tượng bóng che. Sử dụng cơng cụ Simulink của phần mềm Matlab tính tốn. Simulink là một mơi trường lập trình đồ họa dựa trên MATLAB để lập mơ hình, mơ phỏng và phân tích các hệ thống động lực học đa miền. Giao diện chính của nó là một cơng cụ sơ đồ khối đồ họa và một bộ thư viện khối có thể tùy chỉnh.

Matlab Simulink có sẵn các khối PV Cells có thể lựa chọn theo các model từ các nhà sản xuất khác nhau (JA Solar, Canadian Solar, SunPower, Panasonic ...) với ngõ vào bao gồm bức xạ và nhiệt độ tấm pin. Đầu ra của các khối PV Cells bao gồm dịng, áp và cơng suất ngõ ra.

Hình 4.3: Cửa sổ cài đặt đặc tính của các Cells trong module PV Cells – Matlab Simulink

Do tác dụng của Bypass Diode trong việc tăng hiệu suất tấm pin khi có hiệu ứng bóng che, luận văn xây dựng mơ hình trên Matlab Simulink mơ phỏng hiện tượng bóng che trên tấm

pin NLMT. Trong đó, tấm pin NLMT có 3 Bypass Diode riêng biệt cho mỗi chuỗi 20

Cells. Đặc tính của Bypass Diode được cài đặt trong Matlab Simulink theo cửa sổ bên dưới.

Một phần của tài liệu NGHIÊN cứu về HIỆN TƯỢNG cảm ỨNG SÉTLÊN các hệ THỐNGPIN NĂNG LƯỢNG mặt TRỜI (Trang 92 - 94)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(103 trang)