Trong chương này, chúng tôi đã nghiên cứu ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng vô tuyến điện trong các hệ bán dẫn hai chiều, bao gồm: hố lượng tử với thế giam cầm vng góc cao vô hạn và siêu mạng pha tạp. Các kết quả chính thu được là:
1. Tìm được phương trình động lượng tử cho hàm phân bố electron trong hố lượng tử, siêu mạng pha tạp khi có mặt trường sóng điện từ phân cực thẳng, trường bức xạ cao tần (laser) và có kể đến ảnh hưởng của phonon giam cầm.
2. Tính được biểu thức giải tích cho trường vơ tuyến điện trong hố lượng tử và siêu mạng pha tạp khi kể đến ảnh hưởng của sự giam cầm của cả electron và phonon. Trường vô tuyến điện phụ thuộc vào các tham số trường ngoài (tần số và cường độ của bức xạ laser và của sóng điện từ phân cực thẳng), các tham số cấu trúc của các hệ bán dẫn hai chiều (bề rộng hố lượng tử, nồng độ pha tạp và chu kì của siêu mạng), nhiệt độ của hệ và đặc biệt là chỉ số lượng tử m đặc trưng cho sự
thức như trường hợp phonon không giam cầm, thu lại được kết quả giới hạn cho trường hợp phonon không giam cầm trong hố lượng tử và siêu mạng pha tạp.
3. Các kết quả giải tích được tính số cho hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs và siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be. Kết quả cho thấy: phonon giam cầm làm tăng đáng kể cường độ trường vô tuyến điện so với trường hợp phonon khơng giam cầm. Ngồi ra, phonon quang giam cầm còn làm xuất hiện thêm các đỉnh cộng hưởng của trường vô tuyến điện. Cơ chế của hiện tượng này được giải thích qua điều kiện cộng hưởng electron giam cầm – phonon giam cầm thu được trong luận án. Phonon giam cầm làm tăng xác suất chuyển dời của electron, từ đó, mật độ dịng tăng và cường độ trường vơ tuyến điện cũng tăng.
Như vậy, ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng vô tuyến điện trong các hệ bán dẫn hai chiều là đáng kể và không thể bỏ qua.
CHƯƠNG 4: ẢNH HƯỞNG CỦA PHONON GIAM CẦM LÊN HIỆU ỨNG VÔ TUYẾN ĐIỆN TRONG CÁC HỆ BÁN DẪN MỘT CHIỀU
Trong chương này, chúng tôi nghiên cứu hiệu ứng vô tuyến điện trong dây lượng tử dưới ảnh hưởng của phonon giam cầm. Hai trường hợp được xem xét là dây lượng tử hình trụ với thế giam cầm parabol và dây lượng tử hình chữ nhật với thế giam cầm vng góc cao vơ hạn. Chúng tơi tính biểu thức trường vô tuyến điện bằng phương pháp phương trình động lượng tử. Các kết quả giải tích được tiến hành tính số và so sánh với trường hợp phonon không giam cầm để làm rõ sự đóng góp của phonon giam cầm lên hiệu ứng.