Với cấu hình này mỗi bộ khuếch đại không yêu cầu phải có băng tần rộng để điều chỉnh tần số khuếch đại đối với mỗi sóng mang cho trước. Cấu hình này phù hợp với trạm có ít sóng mang.
3.2.4 Méo do xun điều chế.
Bộ khuếch đại công suất cao là bộ khuếch đại tuyến tính nhưng nó sẽ trở thành phi tuyến khi khuếch đại ở vùng bảo hịa. Lúc đó điện áp đầu ra không tỉ lệ với điệp áp đầu vào. Bởi vậy khi nhiều sóng mang được khuếch đại đồng thời thì sẽ phát sinh các tạp âm. Hình 3-6 minh họa vấn đề trên, khi khuếch đại đồng thời ba tín hiệu vào có tần số là f1, f2,f3 thì ở đầu ra ngồi 3 tín hiệu cơ bản trên cịn có các tín hiệu khác co tần số (2f1-f2), (f1+f2-f3), (f1-f2+f3), (2f2-f1), (f2+f3-f1).
Hình 3-6 Méo do xuyên điều chế.
Do đó đối với một bộ khuếch đại công suất cao, khi khuếch đại nhiều sóng mang đồng thời thì điểm làm việc của bộ khuếch đại phải được chọn sao cho mức đầu ra thấp hơn mức bảo hòa khoảng 6 đến 10 dB, nhằm mục đích để triệt tiêu các tín hiệu tạp, điểm làm việc đó được gọi là điểm lùi (back-off).
Ngồi ra cịn có một phương pháp khác để triệt tiêu nhiễu xuyên điều chế được gọi là “ tuyến tính hóa”. Phương pháp này là người ta chèn vào tầng trước một mạch điện có đặc tuyến bù với đặc tuyến của bộ khuếch đại để cải thiện tuyến tính tồn bộ. hình 3-7 minh họa phương pháp trên.
TÌM HIỂU VỀ HỆ THỐNG THÔNG TIN VỆ TINH
GVHD: Th.S LÊ THỊ CẨM HÀ Page 31
3.3 Công nghệ máy thu 3.3.1 Cấu trúc trạm thu 3.3.1 Cấu trúc trạm thu
Cấu trúc trạm thu được mơ tả như ở hình 1-4b thiết bị gồm có: Anten, khối thu tạp âm thấp, khối giải điều chế và thiết bị đa truy nhập.
Trong khối thu tạp âm thấp gồm có: Bộ khuếch đại tạp âm thấp, bộ đổi tần xuống, bộ dao động, bộ khuếch đại trung tần.
3.3.1 Khuếch đại tạp âm thấp
Sóng bức xạ từ vệ tinh đến anten với cơng suất cực kì nhỏ, sau khi được anten khuếch đại nhưng ở mức đó vẫn chưa đủ để thực hiện giải điều chế do đó cần phải khuếch đại chúng lên một mức đủ lớn và tỉ số S/N phải đạt ở ngưỡng cho phép, do đó địi hỏi tầng khuếch đại này phải có hệ số tạp âm nhiệt nhỏ, vì đây là tầng khuếch đại đầu tiên. Hiện nay có hai loại khuếch đại tạp âm thấp thường dùng là khuếch đại dùng GaAs- FET, khuếch đại dùng HEMT.
1. khuếch đại dùng GaAs-FET
khuếch đại dùng GaAs-FET là bộ khuếch đại nhiễu thấp có hệ số tạp âm khoảng 1,2 đến 2dB. Transistor hiệu ứng trường dùng loại bán dẫn hợp chất giữa Gali và Asenic. Bộ khuếch đại này được sử dụng rộng rãi ở tần số cao với các đặc tính băng tần rộng, có hệ số khuếch đại và độ tin cậy cao.
2. khuếch đại dùng HEMT (High Electron Mobility Transistor)
Transistor có độ linh động điện tử cao (HEMT) sử dụng tiếp giáp pha trộn giữa GaAs và AlGaAs (hình 3-8), giữa dải dẫn của AlGaAs có một sai khác năng lượng, dải này được kích thích loại n, cịn GaAs khơng được kích thích. Vì vậy hình thành một lớp giàu điện tử trong AlGaAs gần bề mặt tiếp giáp với GaAs. Khi đặt một điện trường vào