Sơ đồ khuếch đại xung được trình bày trên hình 3.5. Trong đó:
- T1: transistor ngược có tác dụng khuếch đại tắn hiệu.
- Dr: điôt có tác dụng bảo vệ quá áp trên các cực góp và cực phát của T1. - BAX: máy biến áp xung có tác dụng cách ly giữa mạch điều khiển với mạch lực.
- Rg: điện trở hạn chế dòng vào cực điều khiển của thysistor. - D2: điốt có tác dụng ngăn xung áp âm có thể có khi T1 bị khóa. - R2: là điện trở ảnh hưởng đến biên độ và sườn xung ra.
Tắn hiệu vào lấy từ tắn hiệu điều khiển của vi điều khiển Pic 16f877 là một tắn hiệu số. Khi ue bằng mức Ộ1Ợ thì transistor T1 mở bão hòa nhưng do có điện cảm
C
của cuộn dây máy biến áp nên không cho ic đạt ngay giá trị bão hòa và của nó là IC=Ucc/R1.Dòng ic chỉ có thể tăng từ từ theo quy luật hàm mũ.
U −t
ic = iL= cc 1 − e τ , với τ=L/R1
R1
Sau khoảng thời gian 5τ, ic≈ IC=Ucc/R1. Bên thứ cấp của máy biến áp xung xuất hiện một xung điện áp trên R2 để mở thysistor.
Khi ue bằng mức Ộ0Ợ thì T1 khóa lại và bên thứ cấp của máy biến áp xung không có xung điện áp để mở thysistor. Trong trường hợp này nếu không có Dr thì năng lượng W =1 L.I 2 sẽ sinh ra quá điện áp trên các cực C, E của T . Quá điện áp1
2
này có thể đạt tới khoảng 100V, sẽ làm phá hủy transistor T1. Lúc này Dr loại trừ điện áp nói trên, bởi vì vừa khi UCE=VC-VE= 0.8V thì Dr mở cho dòng chạy qua, nó làm ngắn mạch hai điểm C và F, do đó UCE=Ucc+0.8V.
+Ucc BAX D2 DIODE RG 10k R2 TH THYRISTOR DR DIODE R PIN_RCO T1 2N4400
Hình 3.5: Sơ đồ nguyên lý của khâu khuếch đại xung