Chương 5 GIẢM CHẤN MRF TỰ ĐÁP ỨNG
c) Khả năng tự đáp ứng lực giảm chấn
5.2 Giảm chấn MRF tự kích hoạt bằng hành trình
5.2.2 Cấu hình và nguyên lý hoạt động giảm chấn MRF tự kích
hành trình
Hình 5.14 mơ tả kết cấu và ngun lý làm việc của giảm chấn MRF tự kích hoạt bằng hành trình. Giảm chấn gồm một trục chứa các nam châm vĩnh cửu và cực từ lắp xen kẽ nhau và một vỏ ngồi để bao phủ và đóng kín mạch từ. Các nam châm được phân bố trên hai đoạn đầu trục, chừa một đoạn trục trơn ở giữa. MRF được đổ đầy vào khe hở giữa trục và mặt trụ trong của vỏ.
(a) trạng thái nghỉ
(b) trạng thái kích hoạt
Chương 5: Giảm chấn MRF tự đáp ứng
Từ Hình 5.14(a), có thể thấy khi kích thích dao động nhỏ, chưa có nam châm nào tương tác với MRF và vì vậy giảm chấn ở trạng thái nghỉ. Dưới các biên độ dao động lớn hơn, các nam châm bắt đầu di chuyển vào vùng MRF và từ trường được hình thành xuyên qua lưu chất, như Hình 5.14(b). Với từ tính dọc trục, hai nam châm kế tiếp nhau được sắp xếp đối cực sao cho từ thông được dẫn xuyên qua các cực từ và khe hở MRF, đi đến vỏ ngồi và sau đó quay trở về cực nam. Từ thông ưu tiên đi qua thành mỏng giữa lưu chất và nam châm trước, vì vậy bề dày thành mỏng được thiết kế nhỏ nhất có thể để nhanh chóng đạt trạng thái bão hịa từ và buộc từ thông băng qua khe hở lưu chất. Với cấu hình này, biên độ kích thích càng lớn, càng nhiều MRF được kích hoạt và lực giảm chấn càng lớn được sinh ra. Ở tần số tự nhiên của dạng thức dao động cứng (100 – 200 vòng/phút), biên độ dao động của máy giặt lớn và một lực giảm chấn đủ lớn được hình thành để giảm dao động. Tuy nhiên ở các tần số cao (900 vòng/phút hoặc hơn), lực giảm chấn được giảm xuống bởi biên độ kích thích nhỏ và lực truyền dẫn sang nền nhà cũng sẽ được hạn chế. Kết quả là giảm chấn có thể tự đáp ứng với kích thích dao động ngồi mà khơng cần bất kỳ sự điều khiển nào.