SMM, các tính tốn khác và TN Đối với Ta lí tưởng, nhiệt độ nóng chảy Tm tăng rất mạnh theo áp suất do vật liệu bị nén rất chặt. Hơn nữa, năng lượng liên kết cũng tăng mạnh. Trong khoảng áp suất từ 0 đến 80 GPa, Tm theo tính tốn SMM đối với mơ hình Ta lí
tưởng tăng từ 3210 K đến 6772 K. Tốc độ tăng này chênh lệch nhiều so với thực nghiệm DAC [17] và so với các kết quả lý thuyết khác như tính tốn qEAM FF [100], tính tốn ab initio [102] và tính tốn theo định luật Lindermann [114]. Tuy nhiên, Tm theo tính tốn SMM đối với mơ hình Ta có khuyết tật chỉ tăng từ 3031 K
đến 5864 K do các số phối vị nhỏ hơn khi có các nút khuyết. Đường cong nóng chảy của Ta có khuyết tật thu được bởi SMM phù hợp rất tốt với các kết quả lý thuyết khác [100, 102, 114]. Do nv tăng theo hàm mũ theo nhiệt độ nên sự khác biệt giữa đường cong nóng chảy của Ta lí tưởng và đường cong nóng chảy của Ta có khuyết tật càng trở nên rõ nét khi nhiệt độ càng cao. Sai số cực đại có thể lên tới 13,4% trong vùng khảo sát.
Tương tự như Hình 4.1, Hình 4.2 so sánh các tính tốn của SMM với tính tốn của phương pháp nguyên tử nhúng phụ thuộc áp suất của động lực học phân tử (MD-PDEAM) của Liu và cộng sự [57], tính tốn thế Finnis-Sinclair mở rộng của động lực học phân tử (MD-EFS) của Liu và cộng sự [56], lý thuyết lệch mạng của Burakovsky và cộng sự [8] và kết quả thực nghiệm DAC của Errandonea và cộng sự [17] đối với sự nóng chảy của W dưới tác dụng của áp suất. Khi P tăng từ 0 đến 80 GPa, Tm theo tính tốn SMM đối với mơ hình W lí tưởng tăng từ 3810 K đến 6629 K nhưng Tm theo tính tốn SMM đối với mơ hình W có khuyết tật chỉ
tăng từ 3609 K đến 5984 K. Đối với W lí tưởng, có thể thu được cùng đường cong nóng chảy như đã thu được bằng các tính tốn khác [8, 56, 57] mà khơng phải chịu các chi phí tính tốn lớn. Hơn nữa, khi bao hàm các nút khuyết vào trong mơ hình tính tốn, đường cong nóng chảy của W có khuyết tật phù hợp với thực nghiệm [17] tốt hơn so với các tính tốn khác [8, 56, 57]. Sai số cực đại giữa Tm của W có khuyết tật và Tm của W lí tưởng là khoảng 9,7% trong khoảng khảo sát.
0 1 2 3 4 5 6 7 1750 2000 2250 2500 2750 3000 3250 3500 3750 4000 Tm (K) cSi (%)
SMM theo mơ hình lí tưởng SMM theo mơ hình có khuyết tật CALPHAD của Guo(2000)[23]
SMM theo mơ hình lí tưởng SMM theo mơ hình có khuyết tật CALPHAD của Guo(2000)[23]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 2000 2250 2500 2750 3000 3250 3500 3750 4000 Tm (K) cSi (%)