Khối tích hợp triệt nhiễu cộng

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) xây dựng hệ thống neuromorphic dùng memristor trong nhận dạng ảnh (Trang 59 - 60)

Hn :Ý tƣởng hệ thống nhận dạng ảnh

Hn . Khối tích hợp triệt nhiễu cộng

Khối tích hợp triệt nhiễu cộng gồm có một bộ điều khiển chuyển mạch và 10 mạch tích hợp, trong đó bộ điều khiển chuyển mạch sẽ lấy những tín hiệu vào là 10 tín hiệu nút nhấn để biết hiện tại đang muốn huấn luyện ở mạch tích hợp thứ mấy, tín hiệu sig_kiểm_tra để biết hiện tại là q trình huấn luyện hay kiểm tra, tín

hiệu vào trên giúp bộ điều khiển ra quyết định điều khiển 30 chuyển mạch từ SW1, SW2,..., SW30 là đóng hoặc mở. Tƣơng tự nhƣ vậy, khối tích hợp triệt nhiễu trừ gồm có một bộ điều khiển chuyển mạch và 10 mạch tích hợp, trong đó bộ điều khiển chuyển mạch sẽ lấy những tín hiệu vào là 10 tín hiệu nút nhấn, tín hiệu sig_kiểm_tra, và cuối là 10 tín hiệu V_đóng băng, sự kết hợp của những tín hiệu vào giúp bộ điều khiển ra quyết định điều khiển 30 chuyển mạch từ SW31, SW32,..., SW60 là đóng hoặc mở.

Tại t = 0, 10 tín hiệu Vmem có giá trị điện áp là 0 V, bởi vì tại thời điểm t = 0, 300 memristor mảng thứ nhất có trở kháng cao là 21 KΩ, tƣơng tự nhƣ vậy tại t = 0, 10 tín hiệu sig_com có giá trị điện áp là 0 V, bởi vì 300 memristor này cũng đang có trở kháng cao là 21 KΩ, Xem hình 5.9 tại t = 0, SW1 và SW3 đóng, SW2 hở tín hiệu V_vào_1 nối đất do đó tín hiệu V_ra_1 nhận 5 V trong khi ngƣỡng VTH là 2,5

V nên V_đốt_1 là 0 V, tƣơng tự nhƣ vậy tại t = 0, 10 tín hiệu V_đốt là V_đốt_1, V_đốt_2,..., V_đốt_10 (hình 5.9) và 10 tín hiệu V_đóng_băng là V_đóng_băng_1, V_đóng_băng_2, V_đóng_băng_3 ,..., V_đóng_băng_10 ( hình 5.10) là có giá trị điện áp 0 V.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) xây dựng hệ thống neuromorphic dùng memristor trong nhận dạng ảnh (Trang 59 - 60)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(89 trang)